DE3626702C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3626702C2 DE3626702C2 DE3626702A DE3626702A DE3626702C2 DE 3626702 C2 DE3626702 C2 DE 3626702C2 DE 3626702 A DE3626702 A DE 3626702A DE 3626702 A DE3626702 A DE 3626702A DE 3626702 C2 DE3626702 C2 DE 3626702C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- waveguides
- branching
- section
- laser light
- light beams
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4068—Edge-emitting structures with lateral coupling by axially offset or by merging waveguides, e.g. Y-couplers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiter-Laseranordnung
gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.
Bekannte Halbleiter-Laseranordnungen mit einem einzigen
Laserresonanzraum können bestenfalls Laserlicht mit einer optischen
Ausgangsleistung von 80 mW erzeugen. Um eine höhere Ausgangsleistung
zu erzeugen, wurden schon Halbleiter-Laseranordnungen
vorgeschlagen, bei denen mehrere Laserresonanzräume
auf einem einzigen Substrat parallel nebeneinander
angeordnet sind, wobei man eine optische Phasenkopplung zwischen
benachbarten Laserresonanzräumen erhielt.
Eine gattungsgemäße Halbleiter-Laseranordnung ist bereits
aus der US-PS 42 55 717 bekannt. Bei den in dieser Druckschrift
beschriebenen Halbleiter-Laseranordnungen handelt es
sich um zwei prinzipiell verschiedene Typen, nämlich eine
Anordnung der in Fig. 1 der US-PS gezeigten Art, die eine asymmetrische
Grundstruktur und eine Fernfeld-Intensitätsverteilung gemäß Fig. 7 der US-PS mit
zwei ungleichen Spitzenwerten hat, was auf einen Phasenversatz der
Schwingungen schließen läßt, wie es in IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. QE-15,
No. 9, September 1979, S. 917-922 angegeben ist, und auf die Ausführungsform
gemäß Fig. 5b, die eine symmetrische Struktur hat. Bei der
letztgenannten Ausführungsform sind keine zusätzlichen
Maßnahmen zum Verhindern eines Phasenversatzes
der einzelnen Laser-Bereiche ergriffen, so daß davon ausgegangen
werden muß, daß auch die letztgenannte Halbleiter-Laseranordnung
einen Phasenversatz aufweist. In jedem Fall ist die
Struktur der letztgenannten Halbleiter-Laseranordnung derartig,
daß sämtliche Verzweigungswellenleiter eine Verbindung
von einem Hauptwellenleiter zu einem Hauptwellenleiter
eines benachbarten Abschnittes herstellen.
In Fig. 6 sind mehrere Halbleiter-Laser R parallel zueinander
angeordnet, wobei eine optische Phasenkopplung zwischen
benachbarten Halbleiter-Lasern auftritt. Die einzelnen Halbleiter-Laser
R haben dabei dieselbe Verstärkung. Sie neigen
allerdings dazu, mit einer Phasenverschiebung von 180° zwischen
sich zu oszillieren, wie es durch die Kurve 2 in Fig. 6
dargestellt ist, anstatt mit einer Phasenverschiebung von
0°, wie es durch die Kurve 1 dargestellt ist. Dies liegt daran,
daß die Verteilung der optischen Intensität bei der Mode
mit einer Phasenverschiebung von 180° mit der Verstärkungsverteilung
übereinstimmt, während dies bei der Mode mit
der Phasenverschiebung von 0° nicht der Fall ist, so daß man
eine hohe Oszillationsverstärkung erhält.
Das Fernfeldmuster der Laserlichtstrahlen bei einer Phasenverschiebung
von 0° zwischen benachbarten Laserresonanzräumen
weist eine einzige Spitze auf, so daß die Laserlichtstrahlen
mittels optischer Linsen zu einem einzigen Lichtfleck
konzentriert werden können, während das Fernfeldmuster
von Laserlichtstrahlen mit einer Phasenverschiebung von 180°
zwischen sich zwei Spitzen aufweist, so daß diese Strahlen
nicht mittels optischer Linsen zu einem einzigen Fleck konzentriert
werden können. Solche Halbleiter-Laseranordnungen,
die Laserlichtstrahlen erzeugen, die nicht zu einem einzigen
Fleck konzentriert werden können, sind für die optische
Kopplung mit anderen optischen Systemen nicht geeignet und
können daher auch nicht als Lichtquellen für die Abtastung
optischer Scheiben verwendet werden. Folglich benötigt man
Halbleiter-Laseranordnungen, die Laserlichtstrahlen mit
einer Phasenverschiebung von 0° zwischen sich erzeugen.
Fig. 7 zeigt eine Wellenleiterstruktur einer herkömmlichen
Halbleiter-Laseranordnung, bei der selektiv Lichtstrahlen
mit einer Phasenverschiebung von 0° zwischen sich oszillieren,
wobei die Laserlichtstrahlen mit der Phasenverschiebung
von 0° zwischen sich von einem Abschnitt 11 (oder 12) zu
einem anderen Abschnitt 12 (oder 11) durch einen Verzweigungsabschnitt
10 verlustfrei laufen, aufgrund optischer
Inferenzen zwischen ihnen. Wenn allerdings die Laserlichtstrahlen
mit einer Phasenverschiebung von 180° zwischen sich
von dem Abschnitt 11 oder 12 zu dem Verzweigungsabschnitt 10
laufen, so treten aufgrund optischer Interferenzen zwischen
ihnen hohe Verluste auf, was zu einer geringen Ausgangsleistung
führt. Zwar kann diese Halbleiter-Laseranordnung
selektiv Laserlicht mit einer Mode von 0° Phasenverschiebung
erzeugen, jedoch läßt sich beobachten, daß bei der Halbleiter-Laseranordnung
mit der oben beschriebenen Wellenleiterstruktur
eine dritte Mode (d. h. eine Zwischenmode) auftritt
(also weder die 0°-Mode noch die 180°-Mode), wenn die Ausgangsleistung
erhöht wird. Dieses Phänomen wird im Zusammenhang
mit Fig. 7 beschrieben.
Wenn Laserlichtstrahlen in der Zwischenmode sich von dem
Abschnitt 12 durch den Verzweigungsabschnitt 10 hindurch zu
dem Abschnitt 11 ausbreiten, so werden sie verlustfrei in
Laserlichtstrahlen mit einer 180°-Mode 21 umgewandelt. Wenn
umgekehrt Laserlichtstrahlen mit der 180°-Mode 21 sich von
dem Abschnitt 11 durch den Verzweigungsabschnitt 10 hindurch
zu dem Abschnitt 12 ausbreiten, so werden einige von ihnen
aufgrund optischer Interferenzen gedämpft (wobei der optische
Leistungsverlust bei ungefähr 3 dB liegt) und die anderen
werden in Laserlichtstrahlen der Zwischenmode 20 umgewandelt.
Obwohl die Laserlichtstrahlen der Zwischenmode aufgrund
optischer Interferenzen gedämpft werden, ist der Dämpfungsgrad
relativ kleiner als der von Laserlichtstrahlen, die mit
der 180°-Phasenmode schwingen. Obwohl die herkömmliche
Laseranordnung Laserlichtstrahlen mit einer 0°-Phasenmode
erzeugt, schwingt die Laseranordnung unvermeidlich auch mit
Laserlichtstrahlen in der Zwischenmode, wenn die optische
Ausgangsleistung erhöht wird.
Gegenüber diesem Stand der Technik liegt der vorliegenden
Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiter-Laseranordnung
der eingangs genannten Art so weiterzubilden, daß eine
sichere und stabile Arbeitsweise bei 0°-Phasenverschiebung
zwischen benachbarten Laserresonanzräumen erreicht wird.
Diese Aufgabe wird bei einer Halbleiter-Laseranordnung der
im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 genannten Art durch die
im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 aufgeführten
Merkmale gelöst.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen
im Zusammenhang mit der Zeichnung ausführlicher
erläutert. Es zeigen
Fig. 1 ein Prinzipbild der Wellenleiterstruktur einer
Halbleiter-Laseranordnung nach der Erfindung,
wobei die Ausbreitung der Laserlichtstrahlen
in der 0°-Phasen-Mode dargestellt ist;
Fig. 2(a)
und 2(b) Prinzipbilder zur Darstellung der Ausbreitung von
Laserlichtstrahlen in der Zwischenmode bei
der Wellenleiterstruktur der Fig. 1;
Fig. 3 ein Prinzipbild einer Wellenleiterstruktur
eines anderen Ausführungsbeispieles der Erfindung;
Fig. 4 eine Stirnansicht einer der Facetten der Halbleiter-
Laseranordnung nach der Erfindung gemäß
Fig. 1;
Fig. 5 ein Diagramm des Fernfeldmusters in horizontaler
Richtung, das mit der Halbleiter-Laseranordnung
nach Fig. 1 erreicht wird;
Fig. 6 ein Prinzipbild mehrerer paralleler Wellenleiter
mit optischer Phasenkopplung
und der Phasenmode
der sich in den Wellenleitern
ausbreitenden Laserlichtstrahlen; und
Fig. 7 ein Prinzipbild der Wellenleiterstruktur
einer herkömmlichen Halbleiter-Laseranordnung,
wobei die Ausbreitung der Laserlichtstrahlen
einer Zwischenmode dargestellt ist.
Die vorliegende Erfindung schafft eine Halbleiter-Laseranordnung
mit einer Wellenleiterstruktur, mittels der
eine Oszillation in der 180°-Phasen-Mode sowie weitere
Quer-Moden unterdrückt werden, wodurch man eine selektive
Oszillation in der 0°-Phasen-Mode erhält. Fig. 1
zeigt die Wellenleiterstruktur einer Halbleiter-Laseranordnung
nach der Erfindung, die einen ersten Abschnitt
22 mit drei Wellenleitern W, einen zweiten Abschnitt 21
mit zwei Wellenleitern W sowie einen zwischen den beiden
Abschnitten 21 und 22 angeordneten Verzweigungsabschnitt
20, aufweist. Die Wellenleiter W, W . . . der ersten und
zweiten Abschnitte 21 und 22 liegen parallel zueinander,
wobei eine optische Phasenkopplung zwischen benachbarten
Wellenleitern auftritt. In dem Verzweigungsabschnitt 20
verzweigen sich zwei Verzweigungswellenleiter V0, V0,
V1, V1, . . . symmetrisch hinsichtlich der Hauptwellenleitrichtung
jeweils von den Hauptwellenleitern W, W . . .
der ersten und zweiten Abschnitte 21 und 22. Jeder der
beiden Verzweigungswellenleiter V0 und V0, die an der
Außenseite des Verzweigungsabschnittes 20 angeordnet
sind, ist von den benachbarten Verzweigungswellenleitern
abgetrennt. Die anderen Verzweigungswellenleiter V1,
V1, . . . der Hauptwellenleiter W, W, . . . des Abschnittes
22 sind optisch mit dem entsprechenden Verzweigungswellenleitern
V1, V1, . . . der Hauptwellenleiter W, W,
. . . des anderen Abschnittes 21 verbunden.
Im folgenden wird das Arbeitsprinzip dieser Halbleiter-
Laseranordnung beschrieben. Wenn Laserlichtstrahlen in
einer 0°-Phasen-Mode 24 von dem Abschnitt 22 zu dem
Abschnitt 21 durch den Verzweigungsabschnitt 20 hindurchlaufen,
werden sie in Laserlichtstrahlen mit einer
0°-Phasen-Mode 25 umgewandelt. Diejenige "Lichtmenge",
die bei Ausbreitung der Laserlichtstrahlen in die Verzweigungswellenleiter
V0 des Verzweigungsabschnittes
20 läuft, geht verloren. Dieser Verlust der optischen
Leistung ist jedoch recht klein und liegt in der Größenordnung
von 1,2 dB. Laserlichtstrahlen, die von den
Facetten der Anordnung reflektiert werden, erleiden
in dem Verzweigungsabschnitt nur geringe Verluste.
Wenn andererseits Laserlichtstrahlen mit einer 180°-
Phasen-Mode sich von dem Abschnitt 22 zu dem Abschnitt
21 durch den Verzweigungsabschnitt 20 hindurch ausbreiten,
so werden sie stark gedämpft, so daß die
optische Ausgangsleistung hierbei fast zu Null wird.
Wenn Laserlichtstrahlen einer Zwischenmode 30 von dem
Abschnitt 22 durch den Verzweigungsabschnitt hindurch
zum Abschnitt 21 laufen, so werden sie an den Verzweigungswellenleitern
V0 und V0 in einem größeren Maße
gedämpft als Laserlichtstrahlen der 0°-Phasen-Mode.
Der Verlust der optischen Leistung liegt dabei in der
Größenordnung von ungefähr 3 dB. In dem Abschnitt 21
werden die Laserlichtstrahlen zu Laserlichtstrahlen
mit einer 180°-Phasen-Mode 31 umgewandelt und dann
an den Facetten reflektiert, was zu Laserlichtstrahlen
mit einer 180°-Phasen-Mode 32 führt (vgl. Fig. 2(b)),
die dann durch den Verzweigungsabschnitt 20 laufen,
wo die Laserlichtstrahlen um ungefähr 3 dB aufgrund
der optischen Interferenzen zwischen ihnen gedämpft
werden. Die Laserlichtstrahlen werden dann in dem Abschnitt
22 in Laserlichtstrahlen einer Zwischenmode
umgewandelt. Im Ergebnis werden die Laserlichtstrahlen
der Zwischenmode 30 um ungefähr 6 dB gedämpft, wenn
sie ihren Hin- und Rücklauf innerhalb des Resonators
machen. Folglich ist die Dämpfung der optischen Leistung
von Laserlichtstrahlen einer Zwischenmode ungefähr
4,8 dB größer als die der Laserlichtstrahlen in
der 0°-Phasen-Mode.
Wie oben erläutert, hat die Halbleiter-Laseranordnung
mit der oben beschriebenen Struktur eine größere
Differenz der optischen Verluste zwischen Laserlichtstrahlen
der Zwischenmode und Laserlichtstrahlen der
0°-Phasen-Mode als herkömmliche Halbleiter-Laseranordnungen,
so daß die Anordnung nach der Erfindung eine
Laseroszillation in der Zwischenmode unterdrücken kann,
womit man eine Laseroszillation mit einer einzigen Mode
mit einer Phasenverschiebung von 0° bei hoher Ausgangsleistung
erhält.
Fig. 3 zeigt eine weitere Halbleiter-Laseranordnung
nach der Erfindung mit einer Wellenleiterstruktur, die
zwei Verzweigungsabschnitte 20 und 20 innerhalb des
Resonators aufweist und einen zweifachen Selektionseffekt
hinsichtlich der 0°-Phasen-Mode aufweist, bezogen
auf den Selektionseffekt der Wellenleiterstruktur der
Fig. 1. Entsprechend kann diese Anordnung eine Laseroszillation
mit einer einzigen Mode mit einer Phasenverschiebung
von 0° erreichen, und zwar bei höheren Ausgangsleistungen
als die Anordnung der Fig. 1.
Eine Halbleiter-Laseranordnung nach dieser Erfindung
mit der Wellenleiterstruktur der Fig. 1 besteht aus
einer Kombination von VSIS-Halbleiterlasern (V-channeled
substrate inner stripe; innere Streifen auf einem Substrat
mit V-förmigen Kanälen) und einem indexgeführten
Halbleiter-Laser. Fig. 4 zeigt eine Stirnansicht einer
Halbleiter-Laseranordnung, die wie folgt aufgebaut ist:
Auf einem p-GaAs-Substrat 40 ist eine n-GaAs-Stromblockierungsschicht
41 mittels Kristallwachstumstechnik
wie z. B. Flüssigphasenepitaxie aufgewachsen; darauf
folgt eine Photolithographiebehandlung und eine Ätzbehandlung
zur Bildung von V-förmigen Kanälen 42 in Form
optischer Wellenleiter gemäß Fig. 1, und zwar so, daß
diese Kanäle durch die Stromblockierungsschicht 41 hindurch
das Substrat 40 erreichen. Der in dem Substrat
40 liegende Teil der Kanäle 42 wirkt als Strompfad.
Sodann wird auf die Stromblockierungsschicht 41, die
die Kanäle 42 enthält, eine p-AlxGa1-xAs-Abdeckschicht
43, eine p- oder n-AlyGa1-yAs-Aktivschicht 44, eine
n-AlxGa1-xAs-Abdeckschicht 45 und eine n⁺-GaAs-Deckschicht
46 sukzessive durch Flüssigphasenepitaxie aufgebracht
(wobei x ≦λτ y), was zu einem mehrschichtigen
Kristall in einer doppelten Heterostruktur für Laseroszillation
führt. Sodann werden ein p-seitiger ohmscher
Kontakt 47 und ein n-seitiger ohmscher Kontakt 48 auf
der Rückseite des Substrates 40 und der Oberfläche der
Deckschicht 46 aufgebracht. Darauf folgt ein Abspalten
unter rechtem Winkel zur Richtung der streifenförmigen
Kanäle zur Bildung von Laserspiegeln an beiden Facetten.
Man erhält dann eine Lasereinheit mit einer internen
Hohlraumlänge von 200 bis 300 µm. Die Facetten werden
dann mit einem dünnen Al2O3-Film beschichtet, dessen
Dicke die Hälfte der Wellenlänge des Laserlichtes ist
und einen Reflexionsfaktor von 32% hat. Sodann wird
diese Anordnung auf einen (nicht dargestellten) Kupferblock
mittels eines Lötmateriales aufgebracht, womit
die Halbleiter-Laseranordnung fertiggestellt ist.
Wenn in die Aktivschicht 44, die in einer Ebene oberhalb
der V-förmigen Kanäle 42 liegt, durch die ohmschen
Kontakte 47 und 48 und den Strompfad innerhalb der V-
förmigen Kanäle 42 ein Strom injiziert wird, beginnt
eine Laseroszillation innerhalb von Abschnitten der
Aktivschicht 44, die den V-förmigen Kanälen 42 entspricht.
Da die V-förmigen Kanäle 42 mit der Wellenleiterstruktur
entsprechend Fig. 1 in der Halbleiter-Laseranordnung ausgebildet
sind, haben die Wellenleiter für die Laseroszillation
innerhalb der Aktivschicht 44 dieser Halbleiter-
Laseranordnung natürlich die Form der in Fig. 1
dargestellten Wellenleiter.
Die Halbleiter-Laseranordnung schwingt mit Laserlichtstrahlen
in einer einzigen Mode mit einer Phasenverschiebung
von 0° bis zu Ausgangsleistungen von 50 mW
bei einem Oszillationsschwellwertstrom von ca. 100 mA.
Das Fernfeldmuster, das von der Halbleiter-Laseranordnung
ausgestrahlt wird, hat einen steilen Peak mit
einer Halbwertsbreite von 4°, wie es in Fig. 5 dargestellt
ist. Wenn die Ausgangsleistung vergrößert wird, so
treten Laserlichtstrahlen in einer Zwischenmode auf,
was zu einer Verbreiterung der Halbwertsbreite des Fernfeldmusters
führt (unter Halbwertsbreite wird die Breite
des Lichtstrahles verstanden, bei der die Hälfte des
Maximalwertes auftritt).
Fig. 3 zeigt eine andere Halbleiter-Laseranordnung nach
der Erfindung, die in gleicher Weise aufgebaut ist wie
das Ausführungsbeispiel 1 mit Ausnahme der Tatsache,
daß die V-förmigen Kanäle in Form der Wellenleiter der
Fig. 3 ausgebildet sind. Diese Halbleiter-Laseranordnung
oszilliert mit Laserlichtstrahlen in einer einzigen
Mode mit einer Phasenverschiebung von 0° zwischen
sich bis zu einer Ausgangsleistung von 80 mW bei einem
Oszillationsschwellwertstrom von ungefähr 110 mA. Wenn
die optische Ausgangsleistung über den Wert von 80 mW
vergrößert wird, tritt eine thermische Sättigung auf.
Obwohl die oben beschriebenen Ausführungsbeispiele nur
ein GaAs-GaAlAs-System beschrieben haben, ist die Erfindung
natürlich auch auf andere Halbleitermaterialien
anwendbar, beispielsweise auf ein InP-InGaAsP-System.
Darüber hinaus kann als Struktur der streifenförmigen
Kanäle nicht nur eine VSIS-Struktur verwendet
werden sondern auch beispielsweise eine Struktur mit
inneren Streifen.
Claims (2)
- Halbleiter-Laseranordnung, bei der
- - in Richtung der Laserlichtausbreitung mindestens zwei Wellenreiter-Abschnitte (21, 22) aufeinanderfolgen, die jeweils durch einen Verzweigungsabschnitt (20) miteinander verbunden sind,
- - die Wellenleiter-Abschnitte (21, 22) mehrere parallele und benachbarte Hauptwellenleiter (W) aufweisen, zwischen denen eine optische Phasenkopplung der sich darin ausbreitenden Wellen auftritt,
- - jeder Verzweigungsabschnitt (20) der Verzweigungswellenleiter (V0, V1) aufweist, die symmetrisch zur Richtung der Hauptwellenleiter (W) in den Wellenleiter-Abschnitten (21, 22) verlaufen,
- - von jedem der Hauptwellenleiter (W) der benachbarten Wellenleiter-Abschnitte (21, 22) jeweils zwei Verzweigungswellenleiter (V₀, V₁) ausgehen, die sich in den dazwischenliegenden Verzweigungsabschnitt (20) erstrecken,
- dadurch gekennzeichnet, daß
- - aufeinanderfolgende Wellenleiter-Abschnitte (21, 22) abwechselnd zwei oder drei parallele und benachbarte Hauptwellenleiter (W) aufweisen,
- - die von den zwei Hauptwellenleitern (W) des einen Wellenleiter-Abschnitts (21) ausgehenden jeweils zwei Verzweigungswellenleiter (V1) Y-förmig mit zwei Verzweigungswellenleitern (V1) verbunden ist, die von zwei benachbarten der drei Hauptwellenleiter (W) des zweiten Wellenleiter-Abschnitts (22) ausgehen, so daß die beiden äußeren Verzweigungswellenleiter (V₀), die von den beiden äußeren Hauptwellenleitern (W) des zweiten Wellenleiter-Abschnitts (22) ausgehen, unverbunden im Verzweigungsabschnitt enden.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60176183A JPS6235690A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3626702A1 DE3626702A1 (de) | 1987-02-19 |
DE3626702C2 true DE3626702C2 (de) | 1991-06-27 |
Family
ID=16009100
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19863626702 Granted DE3626702A1 (de) | 1985-08-09 | 1986-08-07 | Halbleiter-laseranordnung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4764937A (de) |
JP (1) | JPS6235690A (de) |
DE (1) | DE3626702A1 (de) |
GB (1) | GB2179789B (de) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2515729B2 (ja) * | 1985-09-04 | 1996-07-10 | 株式会社日立製作所 | 半導体レ−ザ装置 |
JPS63306689A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-12-14 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 横結合レーザーダイオードアレー |
US5050180A (en) * | 1989-10-10 | 1991-09-17 | Trw Inc. | Phase-locked arrays of coupled X-junctions |
US5025451A (en) * | 1989-10-20 | 1991-06-18 | Trw Inc. | Two-dimensional integrated laser array |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4255717A (en) * | 1978-10-30 | 1981-03-10 | Xerox Corporation | Monolithic multi-emitting laser device |
JPS61102087A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-20 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ装置 |
-
1985
- 1985-08-09 JP JP60176183A patent/JPS6235690A/ja active Granted
-
1986
- 1986-08-05 US US06/893,226 patent/US4764937A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-08-07 GB GB08619314A patent/GB2179789B/en not_active Expired
- 1986-08-07 DE DE19863626702 patent/DE3626702A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB8619314D0 (en) | 1986-09-17 |
GB2179789B (en) | 1988-09-21 |
GB2179789A (en) | 1987-03-11 |
JPH0449273B2 (de) | 1992-08-11 |
US4764937A (en) | 1988-08-16 |
DE3626702A1 (de) | 1987-02-19 |
JPS6235690A (ja) | 1987-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE68925827T2 (de) | Halbleiterlaser-Array mit hoher Ausgangsleistung und hoher Strahlqualität | |
DE3851874T2 (de) | Über ein Gitter gekoppelter, aus seiner Oberfläche strahlender Laser und Verfahren zu seiner Modulation. | |
DE3131232C2 (de) | ||
EP0418705B1 (de) | Interferometrischer Halbleiterlaser | |
DE3228586C2 (de) | ||
DE69101693T2 (de) | Halbleiter-Wellenlängenwandler. | |
EP0262439B1 (de) | Lasersender mit einem Halbleiterlaser und einem externen Resonator | |
EP0309744A2 (de) | Anordnung mit einem flächig sich erstreckenden Dünnfilmwellenleiter | |
DE69225356T2 (de) | Optische Vorrichtung mit einem optischen Koppler zum Verzweigen/Kombinieren und einem optischen Verstärker und dazugehörige Methode zum Verzweigen/Kombinieren | |
DE19626130A1 (de) | Optisches Halbleiterbauelement mit tiefem Rippenwellenleiter | |
DE3875768T2 (de) | Halbleiterlaser mit verteilter rueckkopplung. | |
DE3632585A1 (de) | Halbleiterlaser | |
DE19626113A1 (de) | Optisches Halbleiterbauelement mit tiefem Rippenwellenleiter | |
DE69309011T2 (de) | Halbleiterlaser mit optimiertem Resonator | |
DE69730872T2 (de) | Laservorrichtung | |
DE3701655C2 (de) | ||
DE3406838C2 (de) | ||
DE3626702C2 (de) | ||
DE69306617T2 (de) | Monolithisches und kohärentes 2-D Halbleiterlaser-Array | |
DE3689742T2 (de) | Halbleiterlaser. | |
DE3621198C2 (de) | ||
DE3622885C2 (de) | ||
DE3626701A1 (de) | Halbleiter-laseranordnung | |
DE3537886C2 (de) | ||
DE3717535C2 (de) | Halbleiterlaseranordnung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: H01S 3/23 |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |