DE3613258C2 - Millimeterwellen-Schaltungsanordnung - Google Patents
Millimeterwellen-SchaltungsanordnungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Miillimeterwellen-Schaltungsanord
nung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Elektrische Schaltungen für den Millimeterwellenbereich, d. h.
für Frequenzen oberhalb etwa 30 GHz haben eine große Bedeutung
im Bereich der Hochfrequenztechnik. Derartige Schaltungen wer
den z. B. in Sendern und Empfängern für Millimeterwellenüber
tragungsstrecken für Kleinradargeräte sowie in Zukunft auch in
verstärktem Umfang für die verschiedensten Sensoranwendungen
benötigt. Im Bereich der Millimeterwellen lassen sich mit
kleinen Antennenabmessungen bereits gute Richtwirkungen der
Sende- und Empfangsantennen erzielen und damit besonders kom
pakte Geräte realisieren. Einer Vielzahl von Anwendungen steht
der durch eine aufwendige Fertigungstechnologie von Millime
terwellenschaltungen bedingte hohe Preis entgegen. Eine ko
stengünstige Fertigung läßt sich durch monolithische Integra
tion der Komponenten erzielen.
Entsprechend dem Stand der Technik lassen sich Mikrowellen
schaltungen auf Halbleitersubstrat monolithisch integrieren,
wobei einzelne passive und aktive Bauelemente durch planare
Leitungsstrukturen miteinander verbunden werden und teilweise
auch passive Bauelementenfunktionen durch planare Leitungs
strukturen realisiert werden. Eine ausführliche Darstellung
dieser Techniken wird in der Druckschrift "Integrierte Mikro
wellenschaltungen" von R. K. Hoffmann, Berlin 1983 gegeben. Als
Halbleitermaterialien kommen dafür vorzugsweise Galliumarse
nid, oberhalb von 40 GHz jedoch auch Silizium in Frage. Des
weiteren ist künftig auch mit der Verwendung von Indiumphos
phid und anderen Materialien zu rechnen. Mit zunehmend höheren
Frequenzen machen sich die Skineffekt-Verluste störend bemerk
bar, so dab planare Leiterstrukturen oberhalb 40 GHz nur mit
wenigen Millimetern Länge sinnvoll zu realisieren sind. Aus
diesem Grund werden Schaltungen möglichst räumlich konzen
triert aufgebaut und werden Signale außerhalb der Schaltung
mit verlustärmeren Leitungsstrukturen, z. B. Hohlleitern oder
dielektrischen Wellenleitern oder aber quasioptisch weitgerge
leitet.
Aus einer Schrift von Nightingale (Nightingale, S. J. et al.:
A 30-GHz Monolithic Single Balanced Mixer with Integrated
Dipole Receiving Element in IEEE Transactions on Microwave
Theory and Techniques, Vol. MTT-33, No. 12, Dec. 1985, S. 1603
bis 1610) ist eine Schaltungsanordnung zum Empfang von Milli
meterwellen bekannt, bei welcher in monolithisch integrierter
Bauweise auf einem GaAs-Substrat eine Mischerdiode mit plana
ren Leitungsstrukturen und einer planaren Antenne vereint ist.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Millimeterwel
len-Schaltungsanordnung der im Oberbegriff des Patentanspruchs
1 genannten Art anzugeben, die mit geringer Außenbeschaltung
einfach aufzubauen ist.
Die Erfindung hat insbesondere den Vorteil, daß die Schal
tungsanordnung durch Einbeziehen der resonanzbestimmenden Ele
mente in die monolithische Integration in der beschriebenen
Weise die notwendige Außenbeschaltung minimiert. Dabei ist die
Schaltungsanordnung durch die planare Ausführung der Resonato
ren mittels allgemein gebräuchlicher Verfahren zur Strukturie
rung einer Metallschicht auf einfache Weise und mit hoher Prä
zision möglich. Ein weiterer Vorteil liegt darin, daß sämtli
che Millimeterwellen-Komponenten eines Senders oder Empfängers
auf einem Halbleitersubstrat integriert werden können, daß
keine Millimeterwellen führenden Leitungen zur Schaltung füh
ren bzw. von der Schaltung wegführen und damit auch keine
aufwendigen Anpassungselemente zur Ankopplung von Millimeter
wellenleitungen an die Schaltungen erforderlich sind.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand den in den Fig. 1
bis 3 dargestellten beispielhaften Ausführungsformen
erläutert.
Fig. 1 zeigt ein Beispiel einer erfindungsgemäßen Anord
nung eines monolithisch integrierten Millimeterwellen-
Senders. Ein Halbleitersubstrat 1 ist auf der Unterseite
ganzflächig mit einer Metallisierung 2 (Fig. 2) versehen.
Eine Lawinenlaufzeitdiode 3 ist im Zentrum des planaren
Scheibenresonators 4 monolithisch integriert. Über eine
Leitung 5 wird ein planares Streifenleitungsantennenarray
6 an den Scheibenresonator 4 angekoppelt. Die Gleichspan
nungszuführung erfolgt über die Leitung 7. Die planaren
Blockkondensatoren 8 verhindern die Abstrahlung von Milli
meterwellenleistung über die Gleichspannungszuführung.
Die Schaltung nach Fig. 1 kann im Frequenzbereich bis etwa
140 GHz mit verschiedenen Halbleitermaterialien, vorzugs
weise jedoch Silizium, realisiert werden. Bei Verwendung
von Silizium wird von hochreinem Material mit einem spezi
fischen Widerstand größer als 2000 Ohmcm ausgegangen. Für
Frequenzen im Bereich von 100 GHz wird das Silizium-Sub
strat mit einer Dicke kleiner 200 µm gewählt, um das
Entstehen höherer Leitungsmoden zu verhindern. Im Interes
se der mechanischen Stabilbität und zur Erzielung mini
maler Leitungsverluste sollte diese Substratdicke jedoch
auch nicht wesentlich unterschritten werden. Im Bereich
der Lawinenlaufzeitdiode hat das Halbleitermaterial eine
Dicke in der Größenordnung von etwa 5 µm.
Fig. 2 zeigt eine Schnittzeichnung durch den Scheibenreso
nator 4 mit der Lawinenlaufzeitdiode 3 im Zentrum. Im
Bereich der Lawinenlaufzeitdiode 3 wird das Halbleiter
material 1 zum Beispiel durch Abätzen in seiner Dicke auf
etwa 5 µm reduziert. Die p+pnn+-Schichtenfolge der Lawinen
laufzeitdiode 3 wird durch bekannte Technologieschritte
realisiert. Zur Kontaktierung der Lawinenlaufzeitdiode von
der Unterseite sowie zur Erzielung einer ausreichend guten
Wärmeabfuhr wird der Ätzgraben metallisch aufgefüllt zum
Beispiel durch Aufdampfen und anschließendes galvanisches
Verstärken einer Goldschicht.
Fig. 3 zeigt die schematische Darstellung eines erfindungs
gemäßen monolithisch integrierten Millimeterwellen-Empfän
gers. Ein Halbleitersubstrat ist auf der Unterseite mit
einer ganzflächigen Metallisierung 2 (Fig. 2) versehen. Die Strei
fenleitungselemente 9 und 9' bilden einen koplanaren
Streifenleitungsresonator, in welchem ein Halbleiterbau
element 3, z. B. eine planare Schottky-Diode, eingefügt ist.
Mit den Bezugszeichen 7 und 7' sind die Gleichspannungs-
Zuleitungen mit 8 und 8' sind die planaren Blockkondensatoren
bezeichnet. Über die Leitung 5 ist die planare Streifen
leitungsantennenstruktur 6 kapazitiv an den koplanaren
Resonator des Empfängers angekoppelt. Die koplanare Dioden
struktur in Fig. 3 ist leichter zu realisieren als die von
beiden Seiten zu kontaktierende Lawinenlaufzeitdiodenstruk
tur nach Fig. 1. Das an sich aufwendigere Verfahren nach
Fig. 1 ist erforderlich, um einerseits eine gute Wärmeab
fuhr zu gewährleisten und andererseits eine gute elektri
sche Ankopplung der besonders niederohmigen Lawinenlauf
zeitdioden zu erzielen.
Claims (5)
1. Millimeterwellen-Schaltungsanordnung, bei welcher auf
einem Halbleitersubstrat monolithisch integriert planare Lei
tungsstrukturen, eine Strahlerstruktur sowie passive und/oder
aktive Halbleiterbauelemente (3) angeordnet sind, dadurch ge
kennzeichnet,
- - daß eines der Halbleiterbauelemente (3) in einem planaren Resonator (4, 9, 9') monolithisch integriert ist,
- - daß der planare Resonator (4, 9, 9') an die Strahlerstruk tur (6) über deren Leitung (5) im wesentlichen kapazitiv angekoppelt ist).
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Strahlerstruktur (6) aus mindestens einer kammförmig ausgebil
deten Leitungsstruktur (6') besteht.
3. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß eines der Halbleiterelemente (3) minde
stens einen pn-Übergang besitzt und daß ein Anschluß dieses
Halbleiterbauelementes mit einer Metallisierung (2) auf der
Unterseite des Halbleitersubstrates (1) verbunden ist (Fig.
2).
4. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der
mit der Metallisierung (2) verbundene Anschluß des Halbleiter
bauelementes (3) als metallische Wärmesenke ausgebildet ist
(Fig. 2).
5. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß eines der Halbleiterbauelemente (3) als planares Halblei
terbauelement mit mindestens einem pn-Übergang ausgebildet ist
und daß dieses Halbleiterbauelement in einen koplanaren Strei
fenleitungsresonator (9, 9') eingefügt ist (Fig. 3).
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Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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FR2644938B1 (fr) * | 1989-03-21 | 1991-09-27 | Inrets | Antenne d'emission et de reception pour micro-ondes |
DE3914525C2 (de) * | 1989-05-02 | 1999-02-04 | Daimler Benz Aerospace Ag | Empfänger für den Mikrowellenbereich |
JP2636164B2 (ja) * | 1993-04-06 | 1997-07-30 | 弘 菊地 | パラメトリック増幅型進行波アンテナ |
DE4335232A1 (de) * | 1993-10-15 | 1995-04-20 | Daimler Benz Ag | Anordnung zur Abstrahlung von Millimeterwellen |
US5790078A (en) * | 1993-10-22 | 1998-08-04 | Nec Corporation | Superconducting mixer antenna array |
JP3022098B2 (ja) * | 1993-10-22 | 2000-03-15 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | アレイアンテナとその製造法 |
GB2291551B (en) * | 1994-06-24 | 1998-03-18 | Roscoe C Williams Limited | Electronic viewing aid |
US6133795A (en) * | 1994-06-24 | 2000-10-17 | Williams; Roscoe Charles | Oscillator circuit |
DE4431071C2 (de) * | 1994-09-01 | 2002-04-18 | Daimler Chrysler Ag | Resonatoranordnung |
DE4433789A1 (de) * | 1994-09-22 | 1996-03-28 | Daimler Benz Ag | Polarimetrisches Radarverfahren und polarimetrische Radaranordnung |
JPH0969724A (ja) * | 1995-09-01 | 1997-03-11 | Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | 広周波数帯域高温超電導体ミキサーアンテナ |
SG90061A1 (en) * | 1999-08-24 | 2002-07-23 | Univ Singapore | A compact antenna for multiple frequency operation |
DE102004029440A1 (de) * | 2004-06-18 | 2006-01-12 | Infineon Technologies Ag | Sende-/Empfangs-Einrichtung |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3778717A (en) * | 1971-04-30 | 1973-12-11 | Hitachi Ltd | Solid-state oscillator having such a structure that an oscillating element, a resonator and a radiator of electromagnetic waves are unified in one body |
US4054875A (en) * | 1975-01-22 | 1977-10-18 | Thomson-Csf | Microwave circuit for operating on microwave radiations |
US4442590A (en) * | 1980-11-17 | 1984-04-17 | Ball Corporation | Monolithic microwave integrated circuit with integral array antenna |
-
1986
- 1986-04-19 DE DE19863613258 patent/DE3613258C2/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3778717A (en) * | 1971-04-30 | 1973-12-11 | Hitachi Ltd | Solid-state oscillator having such a structure that an oscillating element, a resonator and a radiator of electromagnetic waves are unified in one body |
US4054875A (en) * | 1975-01-22 | 1977-10-18 | Thomson-Csf | Microwave circuit for operating on microwave radiations |
US4442590A (en) * | 1980-11-17 | 1984-04-17 | Ball Corporation | Monolithic microwave integrated circuit with integral array antenna |
Non-Patent Citations (5)
Title |
---|
HOFFMANN, R.K.: Integrierte MikrowellenschaltungenSpringer-Verlag, 1983, S. 65-92 und 318-322. -ISBN 3-540-12352-0 * |
MENZEL, W. et al.: Planare Antennen in Mikrostreifenleitungstechnik. In: nachrichten elektronik 1-1979, S. 5-9 * |
MISHRA, U.K. et al.: Surface-oriented Low-parasitic MOTT Diode for EHF Mixer Applications. In: Electronics Letters, 18th July 1985, Vol. 21, No. 15 S. 652-653 * |
NIGHTINGALE, S.J. et al.: A 30 GHz Monolithic Single Balanced Mixer with Integrated Dipole Receiving Element. In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. MTT-33, No. 12, December 1985, S. 1603-1610 * |
YAO, C. et al.: Monolithic Integration of a Dielectric Millimeter-Wave Antenna and Mixer Diode: An Embryonic Millimeter-Wave IC. In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. MTT-30, No. 8, August 1982, S. 1241-1246 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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DE3613258A1 (de) | 1987-10-22 |
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