DE3602804A1 - Verfahren zur herstellung von substraten mit gleichmaessiger verteilung extrem feiner koerner - Google Patents
Verfahren zur herstellung von substraten mit gleichmaessiger verteilung extrem feiner koernerInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Substraten mit gleichmäßiger Verteilung extrem feiner Körner·
1. /Gasverdampfungsverfahren sind bekannt, bei welchen metallische
"I/ Halbleiter oder Dielektrika erhitzt und extrem feine Körner
in einer Atmosphäre aus inertem Gas bei Unterdruck (z.B. 0,1 bis 10 Torr) auf ein Trägermaterial aufgedampft werden, so
daß ein Substrat hergestellt wird, in dem extrem feine Körner verteilt sind. Das nach einem solchen Verfahren
gebildete Substrat wird als Grundstoff für die Produktion von magnetischen Aufzeichnungsmaterialien für die Informationsverarbeitung,
von Katalysatoren zur chemischen Anwendung, von verschiedenen Sensoren und elektronischen Bauteilen
wie z.B. Speichern und Dioden etc. verwendet.
Nachteilig an den bekannten Verfahren ist jedoch, daß sich häufig mehrere Körner (teilweise bis zu 100) in gebundener
Form als Klumpen niederschlagen, so daß eine gleichmäßige Verteilung der Körner auf dem Trägermaterial unter Einhaltung
eines bestimmten, sehr geringen Abstandes zueinander nicht erzielt wird. Der Grund für dieses Phänomen liegt
__ darin, daß die extrem feinen Körner, die einen Durchmesser
von einigen 10 bis einigen 1000 Angström aufweisen, nach ihrer Bildung im Gas mehrfach mit den Gasmolekülen zusammenstoßen,
dadurch sehr schnell ihre gesamte kinetische Energie verlieren, danach nur noch vom Konvektionsstrom des Gases,
der durch die Hitze einer Hitzequelle für den Verdampfungs-Vorgang entsteht, mitgeführt werden und sich anschließend
auf das Trägermaterial niederschlagen. Dabei ist die Entfernung zum Trägermaterial sehr groß, die die Körner während
ihrer Bewegung im Gas überbrücken müssen. Diese Art des Transportes scheint der Grund der sukzessiven Bindung der
Körner aneinander zu sein. Wenn sich die extrem feinen
-A-
Körner auf dem Trägermaterial aneinander binden, entstehen
auf diesem Bereiche von aneinander gebundenen Körnern, die wie große Körner wirken, so daß die physischen und chemischen
Eigenschaften von extrem feinen Körnern verloren gehen. Falls beispielsweise ein Substrat mit verteilten,
extrem feinen Körnern als Sensormaterial oder für elektronische Schaltungen verwendet wird, würde in dem oben
genannten Fall die Ausschußquote bei der Produktion stark ansteigen. Somit ist es nicht möglich, eine sichere Produktion
von elektronischen Teilen zu gewährleisten, wenn derartig aufgebautes Substrat verwendet wird.
Aj Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zu
// schaffen, bei dem Substrate mit gleichmäßiger Verteilung
extrem feiner Körner hergestellt werden, wobei Klumpenbil-
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zur Herstellung von Substraten mit gleichmäßiger Verteilung extrem feiner Körner
gelöst, welches sich dadurch auszeichnet, daß extrem feine Körner in einer ersten Kammer bei Unterdruck unter Anwendung
eines Gasverdampfungsverfahrens gebildet und anschließend durch einen in einer Trennwand zwischen der ersten und einer
zweiten Kammer befindlichen Schlitz in die benachbart zur ersten Kammer angeordnete und ein hohes Vakuum aufweisende,
zweite Kammer geleitet werden, in der sie sich in verteilter Form auf ein Trägermaterial niederschlagen.
Der Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin,
daß unter Anwendung eines Gasverdampfungsverfahrens extrem feine Körner erzeugt werden, die sich in gleichmäßiger
Verteilung auf ein Trägermaterial niederschlagen, ohne Klumpen zu bilden. Dadurch können Substrate mit gleichmäßiger
Verteilung extrem feiner Körner hergestellt werden, die dort verwendet werden können, wo die Eigenschaften von
gleichmäßig verteilten und extrem feinen Körnern gefordert
werden.
Vorzugsweise wird der Druckunterschied zwischen der ersten und der zweiten Kammer durch Veränderung der Öffnungsweite
des Schlitzes mittels einer Drosselvorrichtung eingestellt.
Ferner sollte vorzugsweise das Trägermaterial von einer Kühlvorrichtung gekühlt werden, wenn sich die extrem feinen
Körner in verteilter Form auf das Trägermaterial niederschlagen.
Bei einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird ein Dispersionsmittel aus verdampfungsfähigen
Stoffen in der zweiten Kammer verdampft, so daß sich die extrem feinen Körner in verteilter Form zusammen mit dem
verdampften Dispersionsmittel auf das Trägermaterial niederschlagen.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsformen erläutert. Es zeigen:
Figur 1 schematisch den Aufbau einer zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens benötigten Vorrichtung;
Figur 2(A)eine fotografische Aufnahme der Dispersionsstruktur
von extrem feinen Kupfer-Körnern auf einem Trägermaterial nach Erzeugung mittels eines herkömmlichen
Gasverdampfungsverfahrens;
Figur 2(B)eine fotografische Aufnahme der Dispersionsstruktur
von extrem feinen Kupfer-Körnern auf einem Trägermaterial nach Erzeugung durch das erfindungsgemäße
Verfahren; und
Figur 2(C)eine fotografische Aufnahme der Dispersionsstruktur
von extrem feinen Kupfer-Körnern auf einem Trägermaterial nach Erzeugung mittels des erfindungsgemäßen
Verfahrens unter Verwendung eines
Dispersionsmittels.
Figur 1 zeigt eine Vorrichtung zur Herstellung von Substraten mit gleichmäßiger Verteilung extrem feiner Körner. Diese
Vorrichtung weist einen äußeren und einen inneren Behälter 8 und 9 auf. In der zwischen dem äußeren und inneren Behälter
8 und 9 gebildeten, äußeren Kammer 10 herrscht ein Unterdruck, während die vom inneren Behälter 9 gebildete, innere
Kammer 11 ein hohes Vakuum aufweist. In der inneren Kammer
j. 0 11 ist ein Trägermaterial 1, auf das sich die extrem feinen
Körner niederschlagen, auf einem Halter 2 angeordnet, der von einem durch ein Einlaß- und ein Auslaßrohr 3 und 4 umlaufenden
Kühlmittel gekühlt wird. In der äußeren Kammer 10 befindet sich eine Schale 5, die ein verdampfungsfähigen
Stoff enthält, der zur Erzeugung von extrem feinen Körnern erhitzt wird.
Die Schale 5 kann ebenso in der inneren Kammer 11 und das
Trägermaterial 1 in der äußeren Kammer 10 angeordnet werden, wenn in der äußeren Kammer 10 ein hohes Vakuum und in der
inneren Kammer 11 ein Unterdruck gebildet wird.
Das Gas zur Erzeugung des Unterdrucks in der Kammer 10 oder 11 stammt aus einem Gasbehälter 22 und wird über das erste
oc oder zweite Ventil 12 oder 13 in die äußere oder innere
Kammer 10 oder 11 geleitet und durch Betätigung eines
dritten, vierten, fünften, sechsten und siebenten Ventils 14, 15, 16, 17 und 18 in Verbindung mit einer Öl-abgedichteten
Rotationspumpe 6 und einer Öl-Diffusionspumpe 7 aus der entsprechenden Kammer 10 oder 11 wieder herausgeleitet.
Nachdem das Gas aus den Kammern 10 und 11 zur Erzielung eines hohen Vakuums herausgepumpt worden ist, bleibt das
fünfte Ventil 16 vollständig geöffnet, um die innere Kammer 11 weiterhin zu entleeren, während das erste Ventil 12 nur
etwas geöffnet bleibt, um kontinuierlich etwas Gas vom Gasbehälter 22 in die äußere Kammer 10 zu leiten. Über einen
Durchflußmesser 21 wird die in die äußere Kammer 10 geleitete Gasmenge überwacht. Somit wird der Atmosphärendruck
in der äußeren Kammer 10 reduziert, während in der inneren Kammer 11 ein hohes Vakuum gebildet wird. Das
Druckverhältnis zwischen der äußeren und der inneren Kammer 10 und 11 hängt von der Öffnung eines in der Oberseite des
inneren Behälters 9 befindlichen Schlitzes 20 ab. Hat beispielsweise der Schlitz 20 eine Öffnungsweite von 300/um
und wird Argon-Gas in die äußere Kammer 10 geleitet, beträgt
das Druckverhältnis etwa 100 bis 10000.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung von Substraten
mit gleichmäßiger Verteilung extrem feiner Körner wird unter Verwendung der oben beschriebenen Vorrichtung folgendermaßen
durchgeführt:
In der äußeren Kammer 10 wird ein Unterdruck von ungefähr 0,01 bis etwa 13 hPa (0,01 bis etwa 10 Torr) und in der
inneren Kammer 11 ein Vakuum von 10 bis 10 hPa (etwa
10~ bis 10 Torr) erzeugt. Anschließend wird die Schale 5
erhitzt, die über dem Schlitz 20 in der Oberseite des inneren Behälters 9 angeordnet ist, so daß der in der Schale
5 befindliche, verdampfungsfähige Stoff verdampft. Dabei
kann die Verdampfung durch Erhitzen von Widerständen, durch Bestrahlung mittels Elektronen- oder Laserstrahlen, durch
Plasma- oder Ionenzerstäubung etc. erfolgen. Die verdampften Atome aus den verdampfungsfähigen Stoffen stoßen in dem
einen Unterdruck aufweisenden Gas mehrfach miteinander zusammen, so daß extrem feine Körner entstehen, die anschließend
durch den Schlitz 20 in die das Vakuum aufweisende, innere Kammer 11 gesogen werden und sich dort in
verteilter Form auf das Trägermaterial 1 niederschlagen. Der Beginn und das Ende des Niederschlags der Körner auf das
Trägermaterial 1 hängen vom Öffnen und Schließen einer über dem Trägermaterial 1 angeordneten Abschirmplatte 19 ab. Da
die in der äußeren Kammer 10 gebildeten, extrem feinen
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Körner sofort durch den Schlitz 20 in die innere Kammer 11
gezogen werden, behalten sie ihre Kornform und binden sich somit nicht aneinander. Zur Erzeugung von extrem feinen
Körnern werden verdampfungsfähige Stoffe wie die Metalle Cu,
Zn, Au, Pt, Al, Ha, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Sn, Pb etc., die Halbleiter Si, Ge, GaAs, Te, SnO3, CdS, CdTe etc. oder
die Dielektrika VO0, TiO , BaTiO etc. verwendet. Als Trägermaterial
1, auf das sich die extrem feinen Körner aus den oben genannten Materialien niederschlagen, können abhängig
^Q vom Verwendungszweck Silizium-Wafer, Plastik-Filme oder
andere organische und anorganische Materialien verwendet werden.
Um eine geeignete Druckdifferenz zwischen den beiden Kammern 10 und 11 zu erzeugen, kann an einer bestimmten Stelle der
beschriebenen Vorrichtung (z.B. an der Trennwand in der Nähe des Schlitzes 20) zusätzlich eine Drosselvorrichtung zur
Steuerung der Öffnungsweite des Schlitzes 20 angebracht werden. Ebenso kann die aus den Kammern 10 und 11 abgeleitete
Gasmenge durch eine bestimmte Einstellung des dritten, vierten, fünften, sechsten und/oder siebenten Ventils 14,
15, 16, 17 und/oder 18 gesteuert werden, um den gewünschten
Druckunterschied zwischen den Kammern 10 und 11 einzustellen.
Der Grund, das Trägermaterial 1 mittels eines durch den Halter 2 geleiteten Kühlmittels zu kühlen, liegt darin, daß
bei gekühltem Trägermaterial 1 die extrem feinen Körner während ihres Niederschlags auf das Trägermaterial 1 sofort
ihre kinetische Energie verlieren, so daß die gewünschte Verteilung der Körner auf dem Trägermaterial 1 besonders wirkungsvoll
erreicht werden kann.
5 i
-s-
Um eine noch bessere Verteilung der extrem feinen Körner auf dem Trägermaterial 1 zu erreichen, sollten vorzugsweise
ebenfalls in der inneren Kammer 11 Stoffe verdampft werden,
die als Dispersionsmittel für die extrem feinen Körner dienen. Wie in Figur 1 dargestellt, ist für diesen Zweck in
der inneren Kammer 11 eine zweite Schale 23 zur Aufnahme von
als Dispersionsmittel dienenden Stoffen (z.B. SiO2 oder
anderen verdampfungsfähigen Substanzen) angeordnet.
Im folgenden soll die Herstellung von Substraten mit gleichmäßiger
Verteilung extrem feiner Körner unter Verwendung dieser Dispersionsmittel beschrieben werden:
Zuerst wird in den beiden Kammern 10 und 11 jeweils ein
entsprechender Unterdruck gemäß Beispiel 1 erzeugt. Anschließend verdampfen aufgrund der erzeugten Hitze die in der
ersten Schale 5 befindlichen Stoffe, so daß extrem feine Körner entstehen, die dann durch den Schlitz 20 in die
innere Kammer 11 gesogen werden. Ebenfalls wird die zweite
Schale 23 in der inneren Kammer 11 erhitzt, so daß auch das
in der zweiten Schale 23 befindliche Dispersionsmittel verdampft. Die in die innere Kammer 11 eingedrungenen extrem
feinen Körner schlagen sich somit zusammen mit dem verdampften Dispersionsmittel auf das Trägermaterial 1 nieder,
und zwar in gleichmäßig verteilter Form. Dabei liegt das Dispersionsmittel zwischen den Körnern, wobei die Körner auf
dem Trägermaterial 1 gleichmäßig unter Einhaltung sehr geringer Abstände zueinander verteilt sind und somit eine
noch bessere Gleichmäßigkeit in der Verteilung der Körner erreicht wird.
- 10 -
Figur 2(A) zeigt die Dispersionsstruktur extrem feiner Kupfer-Körner auf einem Trägermaterial, die mittels eines
herkömmlichen Gasverdampfungsverfahren erzeugt worden ist (in Argon bei 6,67 hPa bzw. 5 Torr). Dabei sieht man, daß
eine Zahl der Körner in kettenförmigen Klumpen gebunden sind.
Figur 2(B) zeigt die Dispersionsstruktur von extrem feinen Kupfer-Körnern auf einem Trägermaterial, die mittels des
erfindungsgemäßen Verfahrens nach Beispiel 1 erzeugt worden ist, wobei die äußere Kammer 10 mit Argon-Gas bei einem
Unterdruck von 6,67 hPa (5 Torr) und die innere Kammer 11
mit Argon-Gas bei einem Unterdruck von nur 0,067 hPa (0,05 Torr) gefüllt worden sind. Dabei sieht man im Gegensatz zu
•5 Figur 2(A), daß die extrem feinen Körner gleichmäßig auf dem
Trägermaterial verteilt sind, ohne sich aneinander zu binden.
Figur 2(C) zeigt in einer weiteren fotografischen Aufnahme die Dispersionsstruktur von extrem feinen Kupfer-Körnern auf
einem Trägermaterial, die mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens nach Beispiel 2 unter Verwendung von SiO2 als
Dispersionsmittel erzeugt worden sind, wobei die äußere Kammer 10 mit Argon- Gas bei einem Unterdruck von 4 hPa (3
Torr) und die innere Kammer 11 mit Argon-Gas bei einem
Unterdruck von 0,067 hPa (0,05 Torr) gefüllt worden sind. Dabei sieht man, daß die einzelnen Kupfer-Körner kernförmige
Bereiche bilden, die von der SiO-Phase umgeben sind. Dadurch werden die Körner in der SiO-Phase auf dem Trägermaterial
besonders gleichmäßig verteilt.
Claims (4)
1. Verfahren zur Herstellung von Substraten mit gleichmäßiger
Verteilung extrem feiner Körner, dadurch gekenn zeichnet, daß extrem feine Körner in einer ersten Kammer
(10) bei Unterdruck unter Anwendung eines Gasverdampfungsverfahrens gebildet und anschließend durch einen in einer
Trennwand zwischen der ersten und einer zweiten Kammer (10, 11) befindlichen Schlitz (20) in die benachbart zur
ersten Kammer (10) angeordnete und ein hohes Vakuum aufweisende, zweite Kammer (11) geleitet werden, in der
sie sich in verteilter Form auf ein Trägermaterial (1) niederschlagen.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Druckunterschied zwischen der ersten und der zweiten
Kammer (10, 11) durch Veränderung der Öffnungsweite des Schlitzes (20) mittels einer Drosselvorrichtung eingestellt
wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
das Trägermaterial (1) von einer Kühlvorrichtung (2, 3,
4) gekühlt wird, wenn sich die extrem feinen Körner in verteilter Form auf das Trägermaterial (1) niederschlagen.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß ein Dispersionsmittel aus verdampfungsfähigen Stoffen in der zweiten Kammer (11) verdampft wird,
und
daß sich die extrem feinen Körner in verteilter Form zusammen mit dem verdampften Dispersionsmittel auf
das Trägermaterial (1) niederschlagen.
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|---|---|---|---|
| JP60018875A JPS61177366A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 超微粒子分散基板の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3602804A1 true DE3602804A1 (de) | 1986-08-07 |
| DE3602804C2 DE3602804C2 (de) | 1988-11-10 |
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Country Status (4)
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|---|---|
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| DE (1) | DE3602804A1 (de) |
| GB (1) | GB2170822B (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3638942A1 (de) * | 1985-11-15 | 1987-05-21 | Canon Kk | Stroemungssteuereinrichtung fuer einen feinpartikel-strom |
| EP0567772A1 (de) * | 1992-04-28 | 1993-11-03 | International Business Machines Corporation | Verfahren zur Herstellung von Metallpulver mit einer gleichmässigen Verteilung von Dispergiermittel, Verfahren zur deren Verwendung und daraus hergestellte Körper |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0209403B1 (de) * | 1985-07-15 | 1991-10-23 | Research Development Corporation of Japan | Verfahren zur Herstellung von ultrafeinen organischen Verbindungen |
| KR900005610Y1 (ko) * | 1987-04-16 | 1990-06-28 | 이형곤 | 차압 2중 진공 씨스템 |
| US5418056A (en) * | 1989-11-24 | 1995-05-23 | Mitsuboshi Belting Ltd. | Polymer composite with dispersed fine grains and a method for manufacturing the same |
| US5320800A (en) * | 1989-12-05 | 1994-06-14 | Arch Development Corporation | Nanocrystalline ceramic materials |
| US5128081A (en) * | 1989-12-05 | 1992-07-07 | Arch Development Corporation | Method of making nanocrystalline alpha alumina |
| US5374382A (en) * | 1990-02-14 | 1994-12-20 | Konica Corporation | Method of generation and recovery of ultra-fine particles |
| DE4121119A1 (de) * | 1990-06-29 | 1992-01-02 | Konishiroku Photo Ind | Verfahren und vorrichtung zur erzeugung und sammlung von ultrafeinen partikeln |
| US5731075A (en) * | 1990-11-21 | 1998-03-24 | Mitsuboshi Belting Ltd. | Colorant for a transparent substrate and method of making the colorant |
| EP0598472B1 (de) * | 1992-08-20 | 1997-06-18 | Mitsuboshi Belting Ltd. | Glasartiger Werkstoff mit ultrafeinen dispergierten Teilchen und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JPH0776769A (ja) * | 1993-09-08 | 1995-03-20 | Takeshi Masumoto | 複合超微粒子の製造方法及び装置 |
| JPH07155618A (ja) * | 1993-12-06 | 1995-06-20 | Hitachi Ltd | 担持金属触媒、及びその製造方法 |
| DE19513918C1 (de) * | 1995-04-12 | 1996-11-07 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Beschichtung von sub-Mikrometerstrukturen und seine Anwendung |
| WO2003039716A1 (en) * | 2001-11-06 | 2003-05-15 | Cyprus Amax Minerals Company | Apparatus and method for producing pigment nano-particles |
| US6837918B2 (en) * | 2001-12-20 | 2005-01-04 | Aveka, Inc. | Process for the manufacture of nanoparticle organic pigments |
| US7282167B2 (en) * | 2003-12-15 | 2007-10-16 | Quantumsphere, Inc. | Method and apparatus for forming nano-particles |
| US7384448B2 (en) * | 2004-02-16 | 2008-06-10 | Climax Engineered Materials, Llc | Method and apparatus for producing nano-particles of silver |
| US7803295B2 (en) | 2006-11-02 | 2010-09-28 | Quantumsphere, Inc | Method and apparatus for forming nano-particles |
| KR20230163516A (ko) | 2021-05-10 | 2023-11-30 | 니뽄 다바코 산교 가부시키가이샤 | 에어로졸 생성 장치의 전원 유닛 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2601066B2 (de) * | 1975-01-13 | 1978-08-10 | Sharp K.K., Osaka (Japan) | Plattierungsverfahren |
| DE2547552B2 (de) * | 1974-10-23 | 1978-10-12 | Sharp K.K., Osaka (Japan) | Schichtaufdampfverfahren und -einrichtung |
| GB1558786A (en) * | 1975-07-15 | 1980-01-09 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Method and apparatus for film deposition |
| US4395440A (en) * | 1980-10-09 | 1983-07-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of and apparatus for manufacturing ultrafine particle film |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL128994C (de) * | 1959-09-10 | |||
| GB990288A (en) * | 1961-09-05 | 1965-04-28 | Ibm | Improved method of depositing silicon monoxide films |
| DE1266607B (de) * | 1961-09-29 | 1968-04-18 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung lichtabsorbierender, farbiger, durchsichtiger Schichten auf einen Traeger durch Aufdampfen im Vakuum |
| DE1220903B (de) * | 1963-10-22 | 1966-07-14 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zum UEbertragen von Vermittlungssignalen in Fernmelde-, insbesondere Fernsprechwaehlanlagen |
| CH565869A5 (de) * | 1972-03-06 | 1975-08-29 | Balzers Patent Beteilig Ag | |
| GB1515571A (en) * | 1974-05-23 | 1978-06-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Methods of growing thin epitaxial films on a crystal substrate |
| JPS5435920B2 (de) * | 1974-06-10 | 1979-11-06 | ||
| US4217855A (en) * | 1974-10-23 | 1980-08-19 | Futaba Denshi Kogyo K.K. | Vaporized-metal cluster ion source and ionized-cluster beam deposition device |
| CA1102013A (en) * | 1977-05-26 | 1981-05-26 | Chin-An Chang | Molecular-beam epitaxy system and method including hydrogen treatment |
| JPS5528334A (en) * | 1978-08-16 | 1980-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing apparatus for ultrafine particle |
| DE61906T1 (de) * | 1981-03-26 | 1983-05-26 | Inoue-Japax Research Inc., Yokohama, Kanagawa | Verfahren und vorrichtung zur bearbeitung eines werkstueckes mit energiereichen teilchen und ein auf diese weise bearbeitetes produkt. |
-
1985
- 1985-01-31 JP JP60018875A patent/JPS61177366A/ja active Granted
-
1986
- 1986-01-27 US US06/822,742 patent/US4654229A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-01-30 DE DE19863602804 patent/DE3602804A1/de active Granted
- 1986-01-30 GB GB8602278A patent/GB2170822B/en not_active Expired
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2547552B2 (de) * | 1974-10-23 | 1978-10-12 | Sharp K.K., Osaka (Japan) | Schichtaufdampfverfahren und -einrichtung |
| DE2601066B2 (de) * | 1975-01-13 | 1978-08-10 | Sharp K.K., Osaka (Japan) | Plattierungsverfahren |
| GB1558786A (en) * | 1975-07-15 | 1980-01-09 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Method and apparatus for film deposition |
| US4395440A (en) * | 1980-10-09 | 1983-07-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of and apparatus for manufacturing ultrafine particle film |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| US-Z: J.Vac.Sci.Technol. 12, 1975, Nr. 6, S. 1128-1134 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3638942A1 (de) * | 1985-11-15 | 1987-05-21 | Canon Kk | Stroemungssteuereinrichtung fuer einen feinpartikel-strom |
| EP0567772A1 (de) * | 1992-04-28 | 1993-11-03 | International Business Machines Corporation | Verfahren zur Herstellung von Metallpulver mit einer gleichmässigen Verteilung von Dispergiermittel, Verfahren zur deren Verwendung und daraus hergestellte Körper |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB8602278D0 (en) | 1986-03-05 |
| DE3602804C2 (de) | 1988-11-10 |
| GB2170822A (en) | 1986-08-13 |
| GB2170822B (en) | 1989-06-07 |
| JPS61177366A (ja) | 1986-08-09 |
| US4654229A (en) | 1987-03-31 |
| JPH0333778B2 (de) | 1991-05-20 |
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