DE3518774C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren gemäß dem Oberbegriff
des Anspruchs 1.
Phasengitter werden zur Weg- und Winkelmessung in
lichtelektrischen Meßsystemen benutzt. Dies sind meist
Beugungsgitter mit einem rechteckigen Stufenprofil
oder mit strukturierten Reflexionsniveaus und dazwischenliegender
Dielektrikum-Lamelle. Solche Phasengitter
lassen sich verhältnismäßig einfach mit bekannten
Beschichtungsverfahren herstellen.
Bei den meisten Anwendungen sollen die "Stufen" des
Phasengitters als phasenverzögernde Plättchen mit
λ/2-Phasenverzögerung wirken. Die Stufenhöhe kann somit
nur für eine ganz bestimmte Wellenlänge λ der verwendeten
Strahlung bemessen sein.
In der GB-OS 896,934 ist die Messung der Dicke einer
Chromschicht beim Aufbringen auf einen ebenen Träger
beschrieben. Da die erforderliche Dicke der Chromschicht
optisch nicht zu kontrollieren ist, wird laufend
in einem festgelegten Verhältnis auf einer Probefläche
abgeschieden. An der dünnen Schicht auf dem
Probeplättchen, dessen Dicke proportional der tatsächlich
abgeschiedenen Schichtdicke auf dem ebenen Träger
ist, wird die Intensität parallel durchgehenden Lichtes
beliebiger Wellenlänge laufend gemessen und die Abscheidung
entsprechend gesteuert.
Mit diesem bekannten Verfahren können die Schichtdicken
nicht direkt am Träger ermittelt werden. Durch die indirekte
Messung ist das exakte Ermitteln der tatsächlich
auf dem Träger abgeschiedenen Schichtdicke nicht gewährleistet.
Weiterhin sind Meßverfahren bekannt, mit denen die optisch
wirksame Dicke einer dünnen Schicht mittels Messung
von Reflexions- und Transmissionsgrad ermittelt
wird.
Mit keinem der bekannten Verfahren ist es möglich, die
optisch wirksame Schichtdicke eines Phasengitters, welche
auch als optisch wirksame Stufenhöhe bezeichnet wird,
bei vorgegebener Strukturdimensionierung der beugungsbildenden
Schicht zu optimieren.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, den Auftrag
und Abtrag von Beschichtungen bei der Herstellung von
Phasengittern zu optimieren. Die Messung soll an der
jeweiligen Prozeßanlage schnell und einfach erfolgen,
ohne den Prozeßablauf zu stören und soll zu sehr genauen
Meßergebnissen führen, um die Prozeßparameter
regeln zu können.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale
des Anspruchs 1 gelöst.
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen darin,
daß bei der Herstellung laufend die Beugungseigenschaften
des Phasengitters ermittelt und abhängig von diesem
Ergebnis die Abscheidungsparameter gesteuert werden können.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren kann für jede
Kombination von Wellenlänge g, Gitterkonstante d,
Lückenbreite l und Brechungsindizes NA, NS die optimale
optische Weglängendifferenz Δ L erreicht werden,
um einen gewünschten Kontrast bei gegebenen Bedingungen
zu erhalten. Kontrast bedeutet in diesem
Sinn das Verhältnis der einzelnen Intensitäten der
auftretenden Beugungsordnungen.
Zur Bewertung der Meßergebnisse ist kein Referenzsignal
notwendig.
Ein weiterer Vorteil wird darin gesehen, daß bereits
bei der Messung während des Herstellungsprozesses
ein geschütztes Phasengitter simuliert werden
kann, so daß die Messung unter ähnlichen Bedingungen
erfolgt, wie sie bei der Anwendung des Phasengitters
vorliegen.
Mehrere Meßstellen an unterschiedlichen Orten des
Abscheidungsvorganges angeordnet erhöhen dabei zusätzlich
die Genauigkeit.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung entnimmt
man den Unteransprüchen.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand der
Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 ein geschütztes Auflichtphasengitter;
Fig. 2 ein Auflichtphasengitter mit einer
Abstandsschicht;
Fig. 3 ein weiteres Auflichtphasengitter
mit einer Abstandsschicht;
Fig. 4 ein Durchlichtphasengitter;
Fig. 5 einen Ausschnitt einer galvanischen
Beschichtungsanlage mit einer Meßstelle;
Fig. 6 eine bevorzugte Ausführung einer Beschichtungsanlage;
Fig. 7 einen Ausschnitt einer Bedampfungsanlage
mit einer Meßstelle.
In Fig. 1 ist ein geschütztes Laminarphasengitter
dargestellt, welches bei Auflicht Verwendung findet.
Es dient zur Phasenverschiebung des reflektierten
Lichtes, d. h. die von benachbarten Gitterelementen
ausgehenden Lichtwellen gleicher Wellenlänge λ besitzen
in der gleichen Ausbreitungsrichtung jeweils die gleiche
Phasendifferenz. Diese Phasendifferenz ergibt sich
aus der optischen Weglängendifferenz Δ L zwischen zwei
Lichtwellen, von denen die eine Lichtwelle von der
oberen Reflexionsschicht und die andere Lichtwelle
von der unteren Reflexionsschicht des mit einem bestimmten
Abstand h der Reflexionsschichten versehenen
Auflichtphasengitters reflektiert werden. Die optische
Weglängendifferenz Δ L bei einem ungeschützten
Auflichtphasengitter entspricht direkt dem Abstand h
der Reflexionsschichten. Bei dem geschützten Auflichtphasengitter
ist Δ L = h · NS.
In der Dissertation von Dipl.-Ing. Jörg Wilhelm 1978
"Dreigitterschrittgeber, photoelektrische Aufnehmer
zur Messung von Lageänderungen" ist auf Seite 22 der
Intensitätsverlauf bei Phasengittern mit gleichbreiten
Stufen 1 und Lücken 2 einer strukturierten Schicht
in Abhängigkeit von einer Stufenhöhe h, die dem optisch
wirksamen Abstand der Reflexionsschichten entspricht,
für mehrere Beugungsordnungen aufgetragen.
Der Intensitätsverlauf der einzelnen Beugungsordnungen
bei gegebenem Verhältnis von Stufen- und Lückenbreite
sowie bei gegebener Wellenlänge λ der Meßstrahlung
und gegebener Stufenhöhe h wird bei der Anwendung
von Phasengittern ebenfalls zur Weg- und Winkelmessung
ausgenutzt.
Bei einem offenen Auflichtphasengitter gegen Luft
mit einem Verhältnis von Lückenbreite l zu Gitterkonstante
d gleich 1 zu 2 lautet die Bedingung für
die Stufenhöhe:
Bei einem geschützten Auflichtphasengitter ist
wobei NS der Brechungsindex des Schutzmediums 3 ist und
K = 1,2, 3, . . . sein kann.
Um für einen möglichst großen Wellenlängenbereich
noch brauchbare Ergebnisse zu erzielen, sollte die
Stufenhöhe h so gering wie möglich sein, d. h. K wird
üblicherweise 1 gesetzt.
Diese Angaben gelten jeweils für senkrechten Lichteinfall.
Bei sehr schräger Beleuchtungs- bzw. Beobachtungsrichtung
muß ein Korrekturfaktor zugefügt
werden.
Auf einem Stahlband 4 ist eine gut reflektierende
Grundschicht 5 aufgebracht. Auf dieser Grundschicht
5 sind Stufen 1 ebenfalls aus gut reflektierendem
Material mittels eines galvanoplastischen Verfahrens
abgeschieden. Die Gitterkonstante d und die Lückenbreite
l werden durch eine fotolithografische Strukturierung
bestimmt. Die Stufenhöhe h wird erfindungsgemäß
durch die Steuerung des Abscheidungsprozesses
geregelt.
Phasengitter sind verschmutzungsempfindlich. Wenn
in die Lücken 2 des Auflichtphasengitters ein Medium
mit einem Brechungsindex von N = 2 gefüllt wird,
hat das Phasengitter keine Wirkung mehr. Aus diesem
Grund ist das geschützte Auflichtphasengitter schon
von vornherein mit dem Schutzmedium 3 mit einem
Brechungsindex NS gefüllt. Verschmutzungen der Oberfläche
haben dann auf die Beugungswirkung des Gitters
keinen Einfluß mehr.
Fig. 2 zeigt ebenfalls ein Auflichtphasengitter. Als
Stufenhöhe h ist hier der optisch wirksame Abstand
der Reflexionsschichten 6, 7 anzusehen. Eine Abstandschicht
8 mit einem Brechungsindex NA trennt die
beiden Reflexionsschichten 6, 7. Die Dicke dieser
Abstandsschicht 8 ist maßgebend für die Phasenverschiebung,
die Dicke der Reflexionsschichten 6, 7
ist hierbei vernachlässigbar gering. Ein Träger 11,
auf dem die Schichen 6, 7, 8 aufgebracht sind, gewährleistet
die Stabilität des Phasengitters.
In Fig. 3 ist ein Auflichtphasengitter nach Fig. 2
gezeigt. Eine obere Reflexionsschicht 9 ist
strukturiert und bestimmt das Verhältnis von Lückenbreite
l zu Gitterkonstante d. Eine untere Reflexionsschicht
10 ist durchgehend auf den Träger
11 aufgebracht. Eine Abstandsschicht 12 mit dem
Brechungsindex NA ist auch hier für die Phasenverschiebung
maßgebend. Für die Stufenhöhe h nach
Fig. 2 und Fig. 3 gilt im Idealfall
Die optische Weglängendifferenz Δ L berechnet sich
in beiden Fällen zu Δ L = h · NA.
Ein weiteres Phasengitter, welches im Durchlicht
betrieben wird, zeigt Fig. 4. Auf einem transparenten
Träger 13 ist eine strukturierte transparente
Schicht 14 mit einer Stufenhöhe h und dem Brechungsindex
NA aufgebracht. Für die Stufenhöhe h
gilt hier im Idealfall:
Die optische Weglängendifferenz Δ L beträgt hier
Δ L = h · (NA-1)
Das erfindungsgemäße Meßprinzip bei einer galvanoplastischen
Herstellung des Phasengitters nach Fig. 1
wird anhand der Fig. 5 erläutert. Das Stahlband
4 mit der Grundschicht 5 und der mit bekannten
fotolithografischen Verfahren aufgebrachten
Struktur eines Fotoresists 15 als isolierendes Material
wird durch einen Elektrolyten 16 in Richtung
X
transportiert. Das Stahlband 4 mit der leitenden
Grundschicht 5 bildet dabei die Kathode. Die Anode
17 befindet sich in dem Elektrolyten 16. Außerhalb
eines Behälters 18 ist ein lichtelektrischer Meßaufbau
angeordnet. Eine Meßstrahlung 19, die nur
schematisch eingezeichnet wurde, gelangt durch den
transparenten Boden des Behälters 18, das Elektrolytbad
17, eine Öffnung 20 der Anode 17, und durch den
Fotoresist 15 auf die Oberfläche der Grundschicht 5,
sowie auf die, von Fotoresist 15 frei gehaltenen
Stellen, an denen sich die Stufen 1 durch Abscheidung
ausbilden. Die Breite d-l der Stufen 1 ist durch den
fotolithografischen Prozeß vorbestimmt. Die Dicke des
Fotoresists 15 kann bei diesem fotolithografischen Prozeß
nicht exakt auf einen bestimmten Wert eingehalten
werden. Damit aber die Dicke des Fotoresists 15
nicht die Messung beeinflußt, wird der Brechungsindex
NE des Elektrolyten 16 dem Brechungsindex NP des
Fotoresist 15 angenähert. Das Elektrolyt 16 und der
Fotoresist 15 muß für die Wellenlänge λ der verwendeten
Meßstrahlung 19 transparent sein.
Die durch den Fotoresist 15 auf die Oberfläche der
Grundschicht 5 und der entstehenden Stufen 1 auftreffende
Meßstrahlung 19 erfährt eine Beugung. Die reflektierenden
Beugungsstrahlen 210-212 gelangen wiederum
durch das Elektrolyt 16, die Öffnung 20 und den Boden
des Behälters 18 zu dem lichtelektrischen Meßaufbau.
Hier werden von Empfängern 220-222 die Intensitäten der
einzelnen Beugungsordnungen 210-212 gemessen. Nach
dem Beugungsgesetz sind für diese Intensitäten folgende
Abhängigkeiten gegeben:
Die Meßstrahlung 19 wird vorzugsweise wie gezeigt mit
geringer Neigung eingestrahlt, damit keine Strahlung
von einem Empfänger 220-222 abgedeckt wird. Vorzugsweise
wird für die Meßstrahlung 19 die Wellenlänge
verwendet, die auch bei Gebrauch des Phasengitters
zur Positionsmessung herangezogen wird. Wenn das
Phasengitter geschützt betrieben werden soll, ist
es angebracht, den Brechungsindex NE des Elektrolyten
16 und den Brechungsindex NP des Fotoresists 15 zumindest
annähernd dem Brechungsindex NS des Schutzmediums
3 anzugleichen.
Wie bereits erwähnt, gibt es für jede Kombination
von d, l, NS=NJ, λ und dem Reflexionsgrad der Reflexionsschichten
eine optimale Stufenhöhe h, um der geforderten
Bedingung nahezukommen. Der Vergleich der Intensitäten
der einzelnen Beugungsordnungen erlaubt es,
für jede Kombination die optimale Stufenhöhe h bzw.
optische Weglängendifferenz Δ L auf dem Stahlband
4 abzuscheiden.
Entsprechend der Differenz dieses Vergleiches werden
von einer Steuereinheit 24 die Abscheidungsparameter
laufend geregelt. Als Abscheidungsparameter kann wie
gezeigt das Potential der Elektroden 4, 17 und somit
die Stromdichte im Elektrolyten 16 verändert werden.
Weiterhin ist es möglich, als Abscheidungsparameter
die Transportgeschwindigkeit des Stahlbandes 4 in
X-Richtung und die Badtemperatur in Abhängigkeit der
ermittelten Beugungseigenschaften zu regeln.
Eine bevorzugte Anordnung zur Herstellung eines
Phasengitters gemäß der Erfindung wird in Fig. 6
gezeigt. Das mit der Grundschicht versehene Stahlband
4 läuft von einer Vorratsrolle 25 in Richtung X in
einen Bereich A. In diesem Bereich A erfolgt die
Strukturierung mittels Fotoresist 15 mit bekannten
Verfahren. Das Stahlband 4 gelangt weiter in einen
Behälter 18, der mit einem Elektrolyten 16 gefüllt
ist.
In einem Bereich B werden durch eine Anode 26 mit ungeregeltem
konstantem Potential etwa 90% der optimalen
Gesamtstufenhöhe h auf der hier nicht dargestellten
Grundschicht aufgebaut. Im Elektrolyten 16
befindet sich eine weitere Anode 17 in einem Bereich D,
deren Potential in Abhängigkeit von der Messung im Bereich
C gesteuert wird. Im Bereich D wird eine Stufenhöhe
h von etwa 99% erreicht. Eine zweite Meßstelle
ist in einem Bereich E vorgesehen, in dem ein Behälter
27 mit einer Immersionsflüssigkeit 28 mit dem Brechungsindex
NP des Fotoresists angeordnet ist. Diese
Messung im Bereich E steuert das Potential einer
Anode 29 in einem Bereich F. Da nur noch etwa 1% der
Stufenhöhe h aufgebracht werden muß, ist der Behälter
30 im Bereich F mit einem verdünnten Elektrolyten
31 gefüllt. Eine dritte Meßstelle in einem Bereich G
ist ebenso aufgebaut wie die Meßstelle im Bereich E.
Das Ergebnis der Kontollmessung im Bereich G wird
ebenfalls zur Regelung des Potentials der Anode 29
herangezogen.
In einem Bereich H wird der Fotoresist 15 entfernt; als
weitere Arbeitsgänge können in diesem Bereich das Spülen
und Trocknen des Phasengitters folgen. Auf eine Antriebsrolle
32 wird das fertige Phasengitter aufgespult.
Wie in Fig. 6 gezeigt, kann auch die Durchlaufgeschwindigkeit
des Stahlbandes 4 in Richtung
X von den Messungen in den Bereichen C, E und G durch
Auswerte- und Steuereinheiten 33, 34 geregelt werden.
Die Ermittlung der optimalen Dicke der aufgedampften
Abstandsschicht 8 des Phasengitters nach Fig. 2 zeigt
Fig. 7. Der Träger 11 bewegt sich während des Bedampfungsvorganges
geradlinig zyklisch in X-Richtung.
Die Reflexionsschicht 7 ist als Amplitudengitter
ausgebildet und wurde mit bekannten Verfahren aufgebracht.
Die Dicke der Reflexionsschicht 7 ist gegenüber
der erforderlichen Dicke der Abstandsschicht
8 zu vernachlässigen. Die Abstandsschicht 8 mit dem
Brechungsindex NA besteht aus SiO₂. Durch die gleichmäßige
Bewegung des Trägers 11 in X-Richtung wird eine
gleichmäßige Abscheidung der Abstandsschicht 8 auf
den Träger 11 und auf die Reflexionsschicht 7 gewährleistet.
Bei Phasengittern mit Abstandsschicht
8 wird die optisch wirksame Weglänge von der Stufenhöhe
h und dem Brechungsindex NA bestimmt. Mit
dem erfindungsgemäßen Meßverfahren werden beide
Parameter, die Stufenhöhe h in Verbindung mit dem
Brechungsindex NA als optische Weglänge erfaßt. Damit
die Messung durchgeführt werden kann, ohne daß
undefinierte Bedingungen das Meßergebnis beeinflussen,
wird außerhalb des Aufdampfbereiches 35 eine
Spiegelschicht 39 durch einen Flüssigkeitsspiegel
aus Quecksilber 36 an der Oberfläche der Abstandsschicht
8 gebildet. Dazu wird ein Gefäß 37 mit Quecksilber
36 gefüllt, so daß sich ein Quecksilber-Miniskus
38 ausgebildet. Die Oberfläche des Quecksilber-Miniskus
38 wird mit der Oberfläche der Abstandsschicht
8 in optischen Kontakt gebracht. Eine Meßstrahlung
40 gelangt durch den transparenten Träger
11, wird an der strukturbildenden Reflexionsschicht
7 gebeugt, gelangt weiter durch die Abstandsschicht
8 mit dem Brechungsindex NA, wird an
der Spiegelschicht 39 reflektiert und die Intensitäten
der so erzeugten Beugungsstrahlen 410-412
werden mit den Empfängern 420-422 gemessen.
Außerhalb des Meßortes kann die Kondensation des
Aufdampfgutes ungestört erfolgen. Durch einen Wert,
der durch den laufenden Vergleich der Empfängersignale
ermittelt wird, wird für die vorliegende Kombination
von d, l, NA, λ die Durchlaufgeschwindigkeit des Trägers
11, die Anzahl der Durchläufe, der Druck und
die Temperatur in der Aufdampfanlage geregelt. Die
Reflexion an der Spiegelschicht 39 erfolgt unter
konstanten und gleichbleibenden Bedingungen, so daß
ein konstanter Korrekturfaktor eingeführt werden kann.
Dieser Korrekturfaktor berücksichtigt die unterschiedlichen
Reflexionseigenschaften der Spiegelschicht 39
(während der Herstellung des Phasengitters) und der
strukturierten Reflexionsschicht 6 aus Fig. 2 (während
der Anwendung des fertigen Phasengitters).
Es ist ersichtlich, daß durch das erfindungsgemäße
Verfahren Phasengitter auf einfache und präzise
Weise mit optimalen optischen Eigenschaften hergestellt
werden können.
Die Meßstrahlung wurde in den Zeichnungen nur schematisch
dargestellt, es ist offensichtlich, daß zur
Ausbildung von Beugungsordnungen, deren Intensitäten
von den Empfängern erfaßt werden, ein Strahlenbündel
erforderlich ist, dessen Mindestdurchmesser von
der Geometrie des beugungsbildenden Mittels, speziell
von der Gitterkonstante d und der Lückenbreite
l des Phasengitters bestimmt wird. Des weiteren
ist anzumerken, daß die geometrische Ausbildung h,
d, l des Phasengitters im Verhältnis zur Herstellungsanordnung
übertrieben dargestellt wurde.
In den Zeichnungen ist nur die Herstellung eines
Laminarphasengitters gezeigt. Mit dem erfindungsgemäßen
Herstellungsverfahren und Meßverfahren lassen
sich aber ebenso Mehrstufengitter exakt mittels
eines bekannten Verfahrens optimal produzieren.
Das erfindungsgemäße Meßverfahren läßt sich nicht
nur bei den beschriebenen Auftrags- bzw. Abtragsverfahren
anwenden, sondern ebenso bei Verfahren wie
stromloses Abscheiden in Flüssigkeiten und Ionen-Sputtern.
Claims (8)
1. Verfahren zur Optimierung der Beugungseigenschaften
eines Phasengitters durch die Erzeugung
einer optimalen, die optisch wirksame
Stufenhöhe bildende Schicht auf einem Träger,
dadurch gekennzeichnet, daß während des Herstellungsprozesses
eines periodischen Phasengitters (1, 7, 14) weitgehend monochromatisches
Meßlicht (19, 40) an dem Phasengitter
(1, 7, 14) gebeugt wird, daß die Strahlungsintensität
der Lichtbündel mindestens zweier
Beugungsordnungen (210, 211, 212) gemessen
wird und daß aus dem Intensitätsverhältnis der
Beugungsordnungen (210, 211, 212) Prozeßparameter
abgeleitet werden, die zur Optimierung
der Beugungseigenschaften entweder eine Erhöhung
oder eine Verminderung der optisch wirksamen
Stufenhöhe des Phasengitters (1, 7, 14)
bewirken.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem ein die optisch
wirksame Stufenhöhe bildender Stoff galvanoplastisch
auf dem Träger niedergeschlagen wird, der eine elektrisch
isolierende periodisch strukturierte Schicht
aufweist und als Elektrode durch ein Elektrolytbad
geführt wird, wobei sich der genannte Stoff in den
nicht isolierten Trägerbereichen abscheidet, dadurch
gekennzeichnet, daß der Brechungsindex NP
des isolierenden Materials (15) - um die Beugung der
Meßstrahlung (19, 40) nicht zu beeinflussen - zumindest
annähernd gleich dem Brechungsindex NE des
Elektrolyten (16) ist.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der Brechungsindex NE des Elektrolyten (16) annähernd
gleich dem Brechungsindex NS eines am fertigen
Phasengitter vorgesehenen Schutzmediums (3)
ist.
4. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die die optisch
wirksame Stufenhöhe bildende Schicht auf den mit
einer periodisch strukturierten Spiegelschicht versehenen
Träger niedergeschlagen wird, dadurch gekennzeichnet,
daß die nach dem Durchgang durch den Träger
(11) an der Spiegelschicht (7) gebeugte Meßstrahlung
(40) zur Erhöhung der Reflexion auf eine hochreflektierende
Fläche auftrifft, die durch Benetzung der
Schicht (8) - welche die Stufenhöhe bildet - mit
einem Hilfsmedium (36) erzeugt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß das Hilfsmedium durch einen Quecksilberfilm (36)
gebildet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß zur Optimierung der die optisch wirksame Stufenhöhe
bildende Schicht zumindest eine Meßstelle (E, G)
vorgesehen ist, bei der die Messung durch ein bei der
Abscheidung oder dem Abtrag der Schicht inaktives
Immersionsbad erfolgt, wobei der Brechungsindex NJ
der Immersionsflüssigkeit (28) annähernd gleich dem
Brechungsindex NP des isolierenden Materials (15) ist.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß der Brechungsindex NJ der Immersionsflüssigkeit
(28) gleich dem Brechungsindex NS eines am Phasengitter
vorgesehenen Schutzmediums (3) ist.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß eine Messung nach Erreichen
der annähernd optimalen Stufenhöhe erfolgt,
und daß davon abhängig die weitere Abscheidung oder
ein Abtrag durch Regelung eines Anodenpotentials
erfolgt.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19853518774 DE3518774A1 (de) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | Verfahren zur ermittlung und optimierung der optischen weglaenge einer durchgehenden transparenten schicht oder einer strukturierten schicht |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19853518774 DE3518774A1 (de) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | Verfahren zur ermittlung und optimierung der optischen weglaenge einer durchgehenden transparenten schicht oder einer strukturierten schicht |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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DE3518774A1 DE3518774A1 (de) | 1986-11-27 |
DE3518774C2 true DE3518774C2 (de) | 1988-05-05 |
Family
ID=6271597
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE19853518774 Granted DE3518774A1 (de) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | Verfahren zur ermittlung und optimierung der optischen weglaenge einer durchgehenden transparenten schicht oder einer strukturierten schicht |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3518774A1 (de) |
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DE4338680C1 (de) * | 1993-11-12 | 1995-03-23 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Längen- oder Winkelmeßeinrichtung |
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Families Citing this family (1)
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---|---|---|---|---|
DE102016201068A1 (de) * | 2016-01-26 | 2017-07-27 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | Maßverkörperung und Positionsmesseinrichtung mit dieser Maßverkörperung |
Family Cites Families (1)
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---|---|---|---|---|
DE3248091A1 (de) * | 1982-12-24 | 1984-06-28 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Messverfahren und fotometeranordnung fuer die herstellung von vielfach-schichtsystemen |
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1985
- 1985-05-24 DE DE19853518774 patent/DE3518774A1/de active Granted
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3518774A1 (de) | 1986-11-27 |
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