DE3508004A1 - Verfahren und vorrichtung zum reinigen von formen - Google Patents
Verfahren und vorrichtung zum reinigen von formenInfo
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Description
Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Formen
Die Erfindung bezieht sich allgemein auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Reinigen von Formen, und sie bezieht
sich insbesondere auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Reinigen der für das Einkapseln der integrierten
Schaltung und der Leiterteile einer Leiterrahme-nanordnung mit Kunststoffmaterial verwendeten Ober- und Unterformteile
durch Ionenbombardement oder -beschuß von einer Operation der umgekehrten Zerstäubung her.
Es sind viele verschiedene Verfahren und Gerätetypen zum Herstellen integrierter Schaltungen und zum Herstellen von
Leiterrahmen zum Tragen der integrierten Schaltungen bekannt. Bei diesen Systemen wird die integrierte Schaltung
im allgemeinen zentral innerhalb des Leiterrahmens angeordnet, um eine Leiterrahmen-Anordnung zu bilden, und die
Eingangs/Ausgangs-Leitungen der integrierten Schaltung selbst werden elektrisch mit den Leitern der Leiterrahmen-Anordnung
verbunden. Dann wird der mittlere Teil der Leiterrahmen-Anordnung mit der integrierten Schaltung und den
sich zu dieser bzw. von dieser erstreckenden Leitungen in Kunststoff, Keramik oder dgl. so eingekapselt, daß nur die
Leiterstifte oder Anschlüsse aus dem Exnkapselungsmaterial
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Zum Durchführen der Einkapselungsoperation können verschiedene Verfahren und Gerätetypen verwendet werden. Ein
typisches, kontinuierliches "In-Line"-System sieht das Anordnen der vorher gebildeten integrierten Schaltung innerhalb
des mittleren Teiles des Leiterrahmens und die Herstellung der nötigen elektrischen Verbindungen vor.
Dann wird die Leiterrahmen-Anordnung in einem Unterformteil angeordnet, und der Oberformteil wird darüber in
Stellung gebracht. Das Kunststoff material wird in den Form.-·
hohlraum eingebracht, und es werden Druck und Hitze angewendet, um das Kunststoffmaterial in einen geschmolzenen
Zustand zu reduzieren und den die integrierte Schaltung und Leiter aufweisenden mittleren Teil der Leiterrahmen-Anordnung
abzudecken. Dann wird die eingekapselte Leiterrahmen-Anordnung gehärtet und der Oberformteil vor der
Entfernung oder Entnahme der Leiterrahmen-Anordnung von dem ünterformteil getrennt. Der Oberformteil und der Unterformteil
werden dann vor der Wiederverwendung für nachfolgende Einkapselungsvorgänge irgendeiner physikalischen/
mechanischen und/oder chemischen Reinigung unterzogen.
Die aus dem Unterformteil entnommene Leiterrahmen-Anordnunq
wird dann weiteren Bearbeitungen oder dgl. zugeführt.
Die bekannten Techniken zum mechanischen und/oder chemischen Reinigen von Formen bieten häufig vielerlei bedeutende
Probleme, insbesondere wenn ein kontinuierlicher "In-Line"-Betrieb
bzw. ein in nacheinander stattfindenden Arbeitsschritten zyklisch kontinuierlich ablaufender Betrieb auf-
rechterhalten werden soll.
Die bei einer Einkapselungsoperation verwendeten Formen können aus verschiedenen Arten von Metall hergestellt sein,
obzwar rostfreier Stahl im allgemeinen bevorzugt wird. Das Reinigen der Metallformteile umfaßt im allgemeinen die
Entfernung von unerwünschten Einkapselungsmaterialien, Schmutz, Staub, Fett, Öl etc., die auf den verschiedenen
Formenoberflächen liegen. Die Reinigung muß nicht nur die Entfernung allen sichtbaren Schmutzes von den Oberflächen,
sondern auch die anschließende Entfernung sämtlicher Verunreinigungen und Verschmutzungen wie Öl, Fett, Staub und
dgl. umfassen, die an den Oberflächen physikalisch haften, oder solcher Verunreinigungen und Verschmutzungen, die von
einer chemischen Reaktion herrühren, wie Oxyde, Sulfide und dgl. Der Reinheitsgrad muß im Zusammenhang mit Halbleiterschaltungen
sehr groß sein, da Verschmutzungen vor dem Einkapseln oft zu einem schlechten oder nicht funktionsfähigen
Produkt führen.
Die Oxyde oder ähnliche Oberflächenschichten können durch
mechanische und/oder chemische Methoden wie Abstrahlen mit Reibmitteln, Abbürsten mit der Drahtbürste, Beizen und
Ätzen entfernt werden. Das Abreinigen von Ölen und Fetten hängt von der besonderen Natur von diesen und davon ab,
°b es sich um seifen-bildende Öle und Fette tierischen
oder pflanzlichen Ursprungs oder Mineralöle, die keine Seifen bilden, handelt oder nicht. Die seifen-bildenden
Öle und Fette können dadurch entfernt werden, daß sie durch Hydrolyse in Fettsäuren umgewandelt und diese Fettsäuren
mit alkalischen Lösungen zur Reaktion gebracht werden, um wasserlösliche Seifen zu erhalten. Die Mineralöle
können entfernt werden, indem sie in organischen Lösungsmitteln gelöst und - in speziellen Fällen - mit alkalischen,
Detergentien enthaltenden Lösungen abgewaschen
gO werden. Da die Natur der Verunreinigungen gewöhnlich unbekannt
ist, muß eine einzelne zuverlässige Reinigungsoperation mindestens die aufeinanderfolgenden Schritte des
Entfettens mit organischen Lösungsmitteln und des anschließenden alkalischen Entfettens beinhalten.
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Die Sequenz der Reinigungsoperationen beginnt im allgemeinen mit dem mechanischen Reinigen, dem gewöhnlich ein
Abbeizen, Reinigen mit Detergentien und Entfetten folgte. Die zum Zwecke des Entfernens von krustenartigen Rückständen,
Rost, Kunststoffrückständen und dgl, häufig zur Anwendung gelangenden bekannten mechanischen Reinigungsmethoden
umfaßten häufig das Abstrahlen oder Abbürsten der Formenoberfläche. Dies kann offensichtlich zu einer Be-Schädigung
der Formenteile selbst sowie zur Bildung von Oberflächendefekten in der Form führen, die eine Beschädigung
der eingekapselten Schaltung oder eine Herabsetzung der Lebensdauer der Form nach sich ziehen können.
Eine Abbeiz-Operation ist das chemische Entfernen von Oxyden, Sulfiden, CH. und anderer Oberflächenschichten, das
den gereinigten Teil mit einem im allgemeinen glänzenden, metallischen Aussehen zurückläßt. Die zu verwendende besondere
Beizlösung hängt von dem bei dem Formenteil verwendeten speziellen Metall und von den Hauptsubstanzen,
die entfernt werden, ab. Nach dem Abbeizen muß der Teil stets sorgfältig gewaschen· , dann in einem alkalischen
Bad neutralisiert und schließlich mit heißer, öl-freier Luft getrocknet werden. Dies führt zu einem großen Zeitverlust
und einer Steigerung der Kosten sowie zur Zerstörung oder mindestens Unterminierung irgendeines vorgeschlagenen
kontinuierlichen "in-Line"-FormbetriebS.
Die Reinigung mit alkalischen Detergentien wird mittels eines Eintauchprozesses oder eines Elektro-Reinigungs-Prozesses
durchgeführt. Die Tauchmethode der Reinigung
erfolgt gewöhnlich mit heißen Lösungen. Für Eisenmetalle enthält die Lösung gewöhnlich Natriumhydroxyd, Seifen und
Netzmittel, und für die Elektroreinigung kann eine alkalische Lösung verwendet werden, wobei das zu reinigende
Metall als Kathode oder Anode und der Tank als die andere
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to
Elektrode benutzt wird. Bei der anodischen Reinigung wird an der Oberfläche des zu reinigenden Metalls Sauerstoff
freigesetzt, und der Prozess erfordert eine verhältnismäßig kleine Spannung . Bei der kathodischen Reinigung wird an
der zu reinigenden Oberfläche Wasserstoff freigesetzt, und der Prozess erfordert eine ähnliche , relativ niedrige
Spannung. Für rostfreien Stahl und dgl. wird die anodische Reinigung empfohlen, die jedoch wiederum sehr teuer, langsam
und der Aufrechterhaltung eines kontinuierlichen "in-Line"-Formprozesses
abträglich ist.
Bei der Reinigung mit Lösungsmitteln wurden die Lösungsmittel in flüssigem Zustand oder in Dampfform verwendet.
Die Flüssigreinigung kann mit Benzin, Xylol, oder unbrennbaren Lösungsmitteln wie Tetrachlorkohlenstoff, Trichloräthylen,
Perchloräthylen oder Dichloräthylen durchgeführt werden.
Die Dampfenfettung ist effektiver als die Reinigung mit
flüssigen Lösungsmitteln , aber sie verursacht ebenfalls wieder zusätzliche Kosten, ■ einen Zeitverlust und eine komplexe
Apparatur. Das Lösungsmittel muß auf den Siedepunkt erhitzt werden, und die zu reinigenden Teile müssen in der
Kammer in dem heißen Dampf aufgehängt werden, der an den Metallflächen kondensiert, die Oberflächenverunreinigungen
löst und dann in den Lösungsmittelbehälter zurückfließt oder zurückfällt. Es wurden auch Systeme vorgeschlagen,
bei denen unter hohem Druck flüssige Lösungsmittel aufgesprüht oder dgl. werden. Auch hier werden die Gesamtbetriebszeit
vergrößert und die Kosten erhöht.
Die verschiedenen mechanischen und/oder chemischen Reinigungsmethoden,
die im Stande der Technik bekannt sind, ergeben daher nicht die Reinheitsqualität, die im Zusammenhang
mit Halbleiterschaltungen nötig ist, sind nicht in
-6-
A1
kontinuierliche "in-Line"-Formoperationen einführbar, sind
zu teuer und mechanisch und/oder elektrisch zu komplex, erfordern eine übermässige Wartung und führen zu einer
kumulativen Beschädigung der verhältnismäßig teueren Ober- und Unterformteile.
Das Phänomen der Gleichstrom-Zerstäubung oder Kathodenzerstäubung bezieht sich auf die Verlagerung oder Entfernung
von Atomen oder Molekülen aus der Oberfläche eines Materials durch die Stoßenergie von Gasionen, die in einem
elektrischen Feld beschleunigt werden. Die Kathodenzerstäubung wird durch Erzeugen einer Glimmentladung oder
eines Plasmas zwischen einer Anode und einer Kathode herbeigeführt, wobei sich der Strom zwischen diesen aus einem
Elektronenfluß zur Anode und einem Fluß positiver Ionen
zur Kathode zusammensetzt. Die Ionen werden durch die Ionisierung der in der Glimmentladungszone zwischen der Anode
und der Kathode vorhandenen Gasmoleküle erzeugt. Die Ionisierung resultiert aus dem Zusammenstoß von Gasteilchen
mit dem Elektronenfluß von der Kathode zur Anode. Die Zerstäubung
wird weit verbreitet zum Abscheiden oder zur Ablagerung dünner Filme von Halbleitermaterial , Metall und
dgl. auf verschiedenen Oberflächen herangezogen.
Die Entfernung von Oberflächenverunreinigungen durch Kathodenzerstäubung
ist ind er Technik bekannt, und zwar mindestens für theoretische oder laborartige Operationen.
Sie wird als "umgekehrte Zerstäubung" bezeichnet, da sie das Gegenteil des Prozesses der Kathodenzerstäubung selbst
QQ darstellt, bei der Substanzen auf der Oberfläche eines
Materials abgeschieden werden.
Die umgekehrte Zerstäubung entfernt z.B. Material von einer Oberfläche beim elektrischen Lichtbogenschweißen unter
or Schutzgas, wo beobachtet werden konnte, daß Verunreinigun-
to
gen von der Oberfläche des zu schweißenden Materials vor dem tatsächlichen Schweißen entfernt werden.
Die umgekehrte Zerstäubung wurde im Stande der Technik zur Reinigung relativ großer Oberflächenbereiche von Halbleitermaterial
als Vor-Schritt bei der Herstellung von Halbleitereinrichtungen wie photo-elektrischen Zellen, und
dgl. angewendet. Außerdem wurde die umgekehrte Zerstäubung zur Reinigung des bei Kathodenzerstäubungs-Operationen benützten
eigentlichen Apparates und bei verschiedenen Anwendungen wie dem Reinigen von Beschleunigern, Speicherringen
und Plasmamaschinen eingesetzt.
Der Stand der Technik lehrt auch verhältnismäßig heikle Techniken mit durchbrochenen Masken zum selektiven Reinigen
kleiner ausgewählter Bereiche eines Materials unter gleichzeitiger Abschirmung oder Maskierung anderer Bereiche
zur Verhinderung eines Ionenbeschusses der abgeschirmten oder maskierten Oberfläche.
Wegen der extremen Empfindlichkeit des Verfahrens und der
Vorrichtung für die Zerstäubungsreinigung oder Abreinigung mit umgekehrter Zerstäubung von Halbleiterschaltungen und
dgl. und wegen der Ungenauigkeit der Maskiertechniken führten Versuche im Stand der Technik gewöhnlich zu einer
rückkehr zu bekannten physikalischen abtragenden Reinigungs techniken und/oder chemischen Reinigungstechniken wie dem
Ätzen, der Verwendung von abtragenden Mikrotüchern und dgl. Die Anwendung dieser Methoden führt jedoch nicht zur
Erzielung einer gleichmäßigen Reinigung des Oberflächenbereiches , und diese Methoden sind insbesondere in Verbindung
mit Formvorrichtungen unwirksam, unzufriedenstellend oder schwierig, bei denen die Formhohlräume verhältnismäßig
kleine, verwickelte, wohldefinierte Bereiche von beschränkter Größe und Ausdehnung bieten, die durch die
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ft
bekannten Verfahren extrem schwierig zu reinigen sind. Außerdem führen diese Reinigungstechniken häufig zu einer
Beschädigung des Werkstückes und damit zu einem Schaden an dem in der Formenanordnung hergestellten Produkt.
5
Das Verfahren und die Vorrichtung gemäß der Erfindung lösen ziemlich alle der oben angegebenen Probleme und schaffen
ein verhältnismäßig billiges, extrem einfaches, leicht zu wartendes und hoch wirksames System, das bei kontinuierliehen
"in-Line"-Form- oder-einkapselungssystemen verwendbar ist.
Demgemäß besteht ein Ziel der Erfindung darin, ein Verfahren und eine Vorrichtung zu schaffen, die es ermöglichen,
von den Oberform- und Unterformteilen, die zum Einkapseln des die integrierte Schaltung und Leitungen aufweisenden
Teiles einer Leiterrahmen-Anordnung mit Kusntstoffmaterxal benützt werden, vor deren Wiederverwendung Kunststoffrückstände
zu entfernen.
Ein weiteres Ziel der Erfindung liegt in der Verwendung einer Operation der umgekehrten Zerstäubung zur Reinigung
von Formen bei einem "in-Line"- oder zyklischen Verfahren der Einkapselung von Leiterrahmen-Anordnungen.
Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, ein Verfahren und eine Vorrichtung zu schaffen, die bei einem
kontinuierlichen , "in-Line"-Prozess der Formung von Kusntstoffmaterial um Teile eines Leiterrahmen-Gefüges und
der Einkapselung desselben für die Reinigung der Formoberflächen nach der Entnahme der eingekapselten Leiterrahmen-Anordnung
aus der Form vor deren Wiederverwendung einsetzbar ist.
3g Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, ein ver-
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bessertes Verfahren und eine verbesserte Vorrichtung zur Reinigung von Formoberflachen durch Ionenbeschuß, den eir:
Prozess der umgekehrten Zerstäubung liefert, zu schaffen.
Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, eine kostspielige, zeitraubende , eine umfangreiche Wartung erfordernde,
die Formen beschädigende mechanische und/oder chemische Reinigungsmethode und Vorrichtung hierfür dadurch
zu vermeiden, daß stattdessen ein hoch wirksames Verfahren und eine hoch wirksame Vorrichtung für die umgekehrte Zerstäubung
zur Reinigung der Formen vor deren Wiederverwendung in einem Kunststoffeinkapselungssystem eingesetzt werden.
Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, einen verbesserten Prozess der umgekehrten Zerstäubung und eine
verbesserte Vorrichtung hierfür zu schaffen, mit denen Oberflächenverunreinigungen von ausgewählten Oberflächenbereichen
von Formen, die bei einer Operation der Einkapselung mit Kunststoff benützt werden, gleichmäßig und
gesteuert entfernt werden können.
Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, das umgekehrte Zerstäuben für die Entfernung von Oberflächenverunreinigungen
einschließlich Kunststoffmaterialrückständen, 2^ Oxyden und dgl. von kleinen, beschränkten Ausnehmungen in
einer Formoberfläche , die durch die üblichen mechanisch/ chemischen Reinigungstechniken schwierig zu reinigen sind,
anzuwenden.
Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Reinigen von Formanordnungen
durch umgekehrtes Zerstäuben zu schaffen, wodurch die Lebensdauer der Formanordnung verlängert., der Reinheitsgrad
der Oberfläche verbessert und die Anzahl von durch die Formenanordnung gebildeten defekten Teilen beträchtlich
-10-
3508001*
vermindert wird.
Die Erfindung lehrt ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Reinigen mindestens ausgewählter Oberflächenbereiche einer
Formanordnung durch Techniken der umgekehrten Zerstäubung.
Die Erfindung lehrt ein Verfahren zum Reinigen von Formen, insbesondere der Ober- und Unterformteile , die zum Einkapseln
von Leiterrahmen-Anordnungen in ein Kunststoffmaterial benutz werden, bei dem eine Unterdruck- oder Vakuumkammer
vorgesehen wird, ein zu reinigender Formenteil zu der Vakuumkammer transportiert wird, die Kammer evakuiert
wird, ein ionisierbares Gas in die Vakuumkammer eingebracht wird und die zu reinigende Formenoberfläche zur
Entfernung von Oberflächenverunreinigungen und dgl. durch umgekehrtes Zerstäuben mit Ionen beschossen oder bombardiert
wird.
Das Verfahren kann die weiteren Schritte umfassen, daß eine Anode vorgesehen wird, daß eine Kathode vorgesehen
wird, daß die zu reinigende Form als Kathode geschaltet oder nahe bei dieser angeordnet wird, zwischen der Anode
und der Kathode ein elektrisches Potential eingerichtet wird, innerhalb der Vakuumkammer eine Zerstäubungsentladung
initiert und aufrechterhalten wird und die gewünschten Oberflächenbereiche der Form durch Ionenbeschuss mit
Ionen, die durch das elektrische Potential beschleunigt wurden, gereinigt werden.
Des weiteren kann das Verfahren dadurch gekennzeichnet sein, daß Teile der Formoberfläche gegen ungewünschtes
Zerstäuben abgeschirmt werden. Als zusätzlicher Schritt kann ferner vorgesehen werden, daß die gereinigte Form
aus der Vakuumkammer heraustransportiert wird, und dieser
3g Schritt kann die Maßnahmen umfassen, daß der Unterdruck
-11-
Ab
reduziert wird, die Kammer geöffnet wird und die gereinigte
Form entnommen wird.
Die Erfindung schlägt auch eine Verbesserung bei dem Verfahren des Einkapselns des zur Bildung einer Leiterrahmenanordnung
in einem Leiterrahmen angeordneten Schaltungsteiles einer integrierten Schaltung mit Kunststoff vor,
welches Verfahren vorsieht, daß die Leiterrahmen-Anordnung in dem Unterformteil genau in Stellung gebracht wird, der
Oberformteil darauf gesetzt wird , Kunststoffmaterial in den Formhohlraum eingebracht wird, das Kunststoffmaterial
erhitzt und unter Druck gesetzt wird, um einen Fluß von geschmolzenem Kunststoff über den einzukapselnden Bereich
zu erzeugen, der eingekapselte Teil gehärtet wird, der obere Formenteil und der untere Formenteil getrennt werden,
die Formenteile vor der Wiederverwendung gereinigt werden und anschließend die entnommene eingekapselte Leiterrahmen-Anordnung
weiterverwendet wird. Die vorgeschlagene Verbesserung liegt innerhalb des Reinigungsschrittes und umfaßt
das Transportieren der getrennten Formenteile und das umgekehrte Zerstäuben der·Formenteile zur Reinigung mindestens
ausgewählter Oberflächen von diesen vor der Wiederverwendung der Formen.
Das verbesserte Verfahren sieht auch vor, daß eine Vakuumkammer vorgesehen wird und der Prozess der umgekehrten
zerstäubung umfaßt das Evakuieren der Kammer, das Einbringen eines ionisierbaren Gases in die Kammer, das Erzeugen
eines elektrischen Feldes zwischen zwei Elektroden und den Beschüß der zu reinigenden Oberfläche der Form zwecks
Entfernung von Verunreinigungen einschließlich überschüssiger Kunststoffteile, Oxyden und ähnlicher Oberflächenverunreinigungen.
Das verbesserte Verfahren kann des weiteren umfassen, daß
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eine Anode vorgesehen wird, die Form als Kathode vorgesehen wird und zwischen der Anode und der Kathode ein
elektrisches Feld erzeugt wird. Des weiteren kann es einschließen, daß eine Anode und eine Kathode vorgesehen werden
und die Form an einer ausgewählten Stelle zur optimalen Reinigung zwischen der Anode und der Kathode angeordnet
wird.
Des weiteren kann das verbesserte Verfahren vorsehen, daß ein Plasma oder ein Glimmentladungsfeld zwischen der Kathode
und der Anode erzeugt wird und es kann die Verfahrensschritte der Herabsetzung des Unterdrucks, des Öffnens der
Kammer und des Entfernens der gereinigten Form zur anschließenden Wiederverwendung einschließen. Des weiteren
kann das Verfahren den Verfahrensschritt umfassen, daß
vorbestimmte Teile der Formfläche, die zur Vermeidung eienr Beschädigung keinen Ionenbeschuß erhalten sollen,
selektiv maskiert oder abgeschirmt werden.
2Q Die Erfindung schlägt auch ein verbessertes System vor
zum kontinuierlichen Einkapseln des die integrierte Schaltung und Leitungen umfassenden Teiles einer Leiterrahmen-Anordnung
wobei dieses System ausgerüstet ist mit Mitteln zum Positionieren der Leiterrahmen-Anordnung in einem unteren
Formteil, Mitteln zum Positionieren des oberen Formteiles über dem unteren Formteil zwecks Bildung einer
vollständigen Formenanordnung, Mitteln zum Einbringen eines Plastik-Einkapselungsmaterials in den Formhohlraum,
Mitteln zum Erhitzen der Form und zum Ausüben eines
OQ Druckes, um alle einzukapselnden Teile mit geschmolzenem
Plastikmaterial zu versorgen, Mitteln zum Härten des Einkapselungsmaterials, Mitteln zum Trennen des Oberformteiles
von dem ünterformteil, Mitteln zum Entfernen der
eingekapselten Leiterrahmen-Anordnung aus dem Unterfcrm-
^1- teil, Mitteln, um mindestens physikalisch oder chemisch
-13-
/IB
mindestens einen Teil von überschüssigem Plastikmaterial von den Oberflächen des oberen und des unteren Formteiles
zu entfernen, und Mitteln zum Repositionieren der gereinigten Formenteile für die anschließende Wiederverwendung.
Die Verbesserung des Systems liegt in den Mitteln zum mindestens physikalischen oder chemischen Entfernen des
überschuh igen Plastikmaterials und Materialrückstandes
und umfaßt verbesserte Mittel zum Abreinigen jeglichen verbleibenden Plastikmaterials, Plastikrückstandes und
anderer Oberflächenverunreinigung wie Oxydationsprodukten, CF-, Staub, Fett, Öl und dgl. und schließt eine Gehäuseeinrichtung
und Mittel zum Anordnen eines zu reinigenden Formenteiles in der Gehäuseeinrichtung ein. Des weiteren
sind eine Einrichtung zum Erzeugen eines wesentlichen Unterdruckes oder Vakuums innerhalb des Gehäuses und Mittel
zum Einbringen eines ionisierbaren Gases in die Kammer vorgesehen. Außerdem sind Mittel zum Erzeugen eines
Plasmafeldes zum Beschüß ausgewählter Oberflächen des zu reinigenden Formenteiles mit Ionen zur Erzielung einer
umgekehrten Zerstäubung zwecks Entfernung von Oberflächenverunreinigungen vorgesehen.
Die Mittel zum Erzeugen eines Plasmafeldes umfassen eine Anodeneinrichtung, eine den Formenteil enthaltende oder
nicht enthaltende Kathodeneinrichtung, eine Einrichtung zum Initiieren und Aufrechterhalten eines Prozess der umgekehrten
Zerstäubung zur Eleminierung von Verunreinigungen und dgl. Außerdem können Mittel vorhanden sein zum
Transportieren der Formenanordnungen zu der Vakuumkammer, zum Transportieren der Formenanordnungen von der Formenanordnung
weg zum Aufrechterhalten des Einkapselungsprozesses als kontinuierlicher "in-Line"-oder zyklischer Prozess,
oder zum Aufrechterhalten des Einkapselungsprozesses als
schrittweiser "in-Line"-oder zyklischer Prozess , wobei die Formanordnungen nach dem Reinigen und Erhitzen wieder
-14-
/6
verwendet werden.
Weitere Vorteile und vorteilhafte Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen
anhand der Zeichnung.
In der Zeichnung zeigt:
Fig. 1 in Blockform ein Flußdiagramm, das einen kon- " J tinuierliehen "in-Line"-Prozess der Einkapse- ·'"*
lung mit Kunststoff wiedergibt, bei dem die erfindungsgemäße Verbesserung benutzt wird,
Fig. 2 in Blockform ein Flußdiagramm, das den zu der
Verbesserung führenden Prozess der umgekehrten
Zerstäubung des Blockdiagramms der Fig. 1 wiedergibt,
Fig. 3 eine schematische Ansicht einer vereinfachten
Ausführung einer Vorrichtung zum Praktizieren
der erfindungsgemäßen Verbesserung, die auch die Umgebung darstellt, in der der Prozess ausgeführt
werden könnte,
Fig. 4 eine teilweise perspektivische Ansicht einer durch das System gemäß Fig. 1 einzukapselnden
Leiterrahmen-Anordnung,
Fig. 5 eine teilweise weggebrochene perspektivische Ansicht eines Teiles einer durch den Prozess
der Fig. 1 erzeugten, eingekapselten Leiterrahmen-Anordnung ,
Fig. 6 eine perspektivische Ansicht der Ober- und Unterformteile,
die zur Herstellung der einge-
-15-
2ο
kapselten Leiterrahmen-Anordnungen des Prozes
ses der Fig. 1 verwendet werden, und
Fig. 7 eine Querschnittsansicht durch die Ober- und Unterformanordnungen gemäß Fig. 6, wobei sich
die Formanordnungen in einer geschlossenen Stellung befinden und aneinander befestigt sind,
wie dies während des Einkapselungsprozesses der Fall ist.
10
10
Die Fig. 1 gibt den Einkapselungsteil eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleiterpackung wieder. Der Eingang 11
° des Systems stellt den Eingang von vorhergehenden bekannten Verfahrensschritten zur Herstellung einer integrierten
Schaltung und zur Herstellung eines Leiterrahmen-Gefüges her dar. Der Block 12 repräsentiert den Schritt des Anordnens
einer integrierten Schaltung im mittleren Teil des
™ Leiterrahmens und des elektrischen Anschließens der Eingänge
und Ausgänge der integrierten Schaltung an die entsprechenden Leitungen des Leiterrahmens. Der Block 13
repräsentiert den Schritt des Anordnens der Leiterrahmen-Anordnung in dem Unterformteil, während der Block 14 das
ausgerichtete Befestigen des Oberformteiles auf den Unterformteil zur Bildung einer vollständigen Formenstruktur
über der Leiterrahmen-Anordnung wiedergibt. Dar Block 15 repräsentiert den Schritt des Zuführens , Einbringens
oder Einspritzens von Plastikmaterial in den zentralen Hohlraum der Form, und der Block 16 repräsentiert die
Quelle des eingespritzten Plastikmaterials. Der Block 17 repräsentiert den Schritt des Erhitzens und Komprimierens
des Plastikmaterials in dem Formhohlraum zwecks Abdeckens der integrierten Schaltung und der Leitungsteile der
Leiterrahmen-Anordnung mit geschmolzenem Plastikmaterial.
-16-
Der Block 18 gibt die Prozesswärmequelle wieder, während der Block 19 eine Druckquelle repräsentiert.
Der Block 20 stellt den Schritt der Härtung der eingekapselten Leiterrahmen-Anordnung dar und der Block 21 repräsentiert
den Schritt des Trennens des Oberformteiles von dem Unterformteil. Der Block 22 stellt dar, daß der
Oberformteil von dem Unterformteil entfernt worden ist
und zu einer Reinigungsoperation transportiert wird. Der Block 23 repräsentiert den Schritt des Entfernens der Leiterrahmen-Anordnung
mit dem die integrierte Schaltung und Leitungen umfassenden eingekapselten Teil aus dem Unterformteil,
und der Block 24 repräsentiert, daß der Unterformteil zu einer Reinigungsoperation transportiert wird.
Der Block 25 repräsentiert irgendeine weitere Bearbeitung der eingekapselten Leiterrahmen-Anordnung wie das Biegen
der leiterstifte oder Anschlüsse zu einem gewünschten Winkel, das Tauchlöten, Speichern oder dgl. , wie dies
im Stande der Technik bekannt ist.
Die durch den mit gestrichelten Linien dargestellten Block repräsentierte Reinigungoperation kann abhängig von den
Bedürfnissen des Systems in den Prozess einbezogen oder aus diesem ausgeschlossen sein und verkörpert mindestens
einige der physikalischen und/oder chemischen Reinigungsoperationen dos Standes der Technik. Das vorliegende System
sieht vor, die mechanische und/oder chemische Reinigungsoperation dort, wo nötig, durchzuführen, oder den gestrichelten
Block 26 dadurch zu umgehen, daß der Oberform-
3Q teil des Blocks 22 und der Unterformteil des Blocks 24
direkt der durch den Block 27 repräsentierten Operation der umgekehrten Zerstäubung zugeführt werden. Der Block 27
repräsentiert den Schritt der umgekehrten Zerstäubung von mindestens ausgewählten Oberflächenteilen der Form zum
gg Entfernen von Plastikmaterial, Plastikrückständen und
-17-
anderen Oberflächenverunreinigungen wie Schmutz, Öl, Fett,
Staub und dgl. zuzüglich solcher Verunreinigungen oder Verschmutzungen wie Oxydationsprodukte, Oxyde, Sulfide und
dgl. sowie CF. etc. Der Ausgang der Zerstäubungsoperation
gemäß Block 27 liefert den Oberformteil und den Unterformteil gereinigt und bereit zur Wiederverwendung zur Unterformteil-Position
oder den Schritt des Blocks 29 und zur Oberformteil-Position oder zum Schritt gemäß Block 28.
In der Durchführung ist das Verfahren gemäß Fig. 1 ein kontinuierliches oder - alternativ - schrittweise stattfindendes
"in-Line"- oder der Reihe nach ablaufendes Verfahren, durch das kontinuierlich eingekapselte Leiterrahmen-Ancrdnungen
erzeugt und sowohl die Oberformteile als auch die Unterformteile nach der Benutzung gereinigt
und für eine anschließende Wiederverwendung zur Aufrechterhaltung der Kontinuität des Prozesses rezirkuliert oder
zurückgeführt werden.
Die Fig. 2 zeigt in größeren Einzelheiten den durch die Operation der umgekehrten Zerstäubung des Blockes 24 repräsentierten
Prozess der Fig. 1. Gemäß Fig. 2 umfaßt die Operation der umgekehrten Zerstäubung des Blockes 27 den
Verfahrensschritt des Vorsehens einer Vakuumkammer, wie dies der Block 31 wiedergibt, und des Vorsehens einer
Anode innerhalb der Vakuumkammer, wie dies der Block 32 bezeichnet. Ein erster , durch das eingekreiste "A" repräsentierter,
mit der Bezugszahl 30 belegter Prozesspfad führt zu dem Verfahrensschritt des Schaltens des Formen-
QQ teiles als Kathoden-Elektrode, den der Block 33 repräsentiert,
und des anschließenden Evakuierens der Vakuumkammer gemäß Block 34. Das System schreitet dann zur Einführung
eines ionisierbaren Gases in die Vakuumkammer gemäß Block
35 und dann zum Herstellen eines elektrischen Feldes
gg zwischen den Elektroden zwecks Erzeugung eines Glimment-
-18-
ladung oder eines Palsraas zwischen diesen gemäß Block 36
fort.
Den Arbeitsschritt des Beschleunigens positiver Ionen gegen den durch Ionenbeschuß zu reinigenden Formteil repräsentiert
der Block 37 und der Arbeitsschritt des Transportierens des gereinigten Formenteiles zu einer Verwendungsstation
wird durch den Block 38 verkörpert. Der Ausgangspfeil 39 repräsentiert nachfolgende Operationen, die
die gereinigten Formen betreffen, wie das Rückführen oder die Wiederverwendung der Formen bei dem "in-Line"-Prozess
der Fig. 1.
Der Block 44 repräsentiert den Verfahrensschritt des Einsetzens mindestens eines Pormteiles in die Vakuumkammer,
während der gestrichelte Pfeil 45 angibt, daß der Verfahrensschritt des Blockes 44 eine alternative Ausführung
ist, die vor dem Schritt des Vorsehens einer Anode in der Unterdrcukkammer gemäß Block 32 einbezogen oder nicht
einbezogen werden kann. In ähnlicher Weise wird der Arbeitsschritt der Abschirmung ausgewählter Bereiche des
Formteiles zwecks Verhinderung des Ionenbeschusses von nicht zu reinigenden Flächen durch den Block 46 repräsentiert
, und der gestrichelte Pfeil 47 gibt an, daß der Arbeitsschritt eine alternative Ausführung ist, die dem
Prozess vor dem Arbeitsschritt des Vorsehens einer Anode gemäß Block 32 hinzugefügt werden kann. Der von dem Schritt
des Vorsehens einer Anode im Block 32 abzweigende alternative oder zweite Prozesspfad wird durch das eingekreiste
"B" mit der Bezugszahl 41 repräsentiert und schreitet zu dem Arbeitsschritt des Vorsehens einer Kathode gemäß Block
42 fort. Dem Arbeitsschritt des Vorsehens einer Kathode folgt der Arbeitsschritt des Anordnens eines Formteiles
an einer gewünschten Stelle zwischen der Anoden-Elektrode und der Kathoden-Elektrode gemäß Block 43 und der Prozess
-19-
iff
läuft dann zu dem Arbeitsschritt des Evakuierens der Kammer
gemäß Block 34 zurück.
Schließlich werden die alternativen Verfahrensschritte der
Wiederherstellung eines normalen Druckes in der Arbeitskammer durch den Block 48, des Öffnens der Kammer durch den
Block 49 und des Entfernens des gereinigten Formteiles aus der Vakuumkammer durch den .Block 5o repräsentiert. Diese
Schritte sind als alternative Prozesschritte wiedergegeben, die über den gestrichelten Pfeil 51 vor dem Transportschritt
gemäß Block 38 eingeführt werden können.
Zusammengefasst schaffen die Operation der umgekehrten
Zerstäubung gemäß Fig. 2 und die verschiedenen alternativen Ausführungen, die durch diese Figur repräsentiert
werden, ein hoch-wirksames , billiges System der Reinigung ausgewählter Oberflächenbereiche von Formteilen durch umgekehrte
Zerstäubung in solcher Weise, daß di.ese bei einem kontinuierlichen , " in-Line"-Form- odor -Emkapsel ungf>prozess
wiederverwendbar sind.
Die Fig. 3 stellt schematisch ein Vakuumsystem dar, das das Konzept der vorliegenden Erfindung und die Umgebung,
in der der Prozess stattfindet, erkennen läßt. Die Fig.
zeigt die erfindungsgemäße Vorrichtung für die umgekehrte
Zerstäubung, die eine Vakuumkammer , ein Vakuumgehäuse oder ein Glockengefäß 53 aufweist, das eine Bodenplatte
54 und eine ringförmige vakuumdichte Dichtung 55 hat. Die Tragplatte 54 ist mit einem Vakuumkanal 56 ausgerüstet,
der über eine Leitung 57 an eine Vakuumpumpe 58 angeschlossen ist. In die Leitung 57 ist ein Vakuum-Druckventil
und Meßgerät 59 bekannter Bauart eingeschaltet. Mittels der Vakuumpumpe 58 können kontrollierte Mengen
der im Glockengefäß 5 3 vorhandenen Atmosphäre über den Kanal 56 und die Leitung 57 entfernt werden um so in
-20-
ZS
diesem jeden beliebigen Unterdruck zu erzeugen.
Die Basis 54 ist auch mit einem Inertgas-kanal 61 ausgerüstet,
der über eine Leitung 62 mit einem Inertgasbehälter 63 verbunden ist. In die Leitung 62 ist ein Inertgasventil
und -Meßgerät 54 eingebaut, das zur Steuerung der Menge an in die Vakuumkammer 53 eingelassenem Inertgas
benutzt werden kann. Das Inertgas-Ventil und -Meßgerät kann irgendein bekanntes Mikrometer-Nadelventil beispielsweise
ein Whitney-Mikrometernadelventil oder dgl. sein, doch muß es unbeschadet der jeweiligen Bauform fähig sein,
relativ niedrige Drücke zu messen.
Die Vorrichtung 52 gemäß Fig. 3 weist auch eine hohle
Kathodenhalterung 65 auf, die eine Hochspannungs-Durchführungsklemme
66 , einen Dichtungsteil 67 und einen hohlen Kathodendraht- oder halteteil 68 besitzt. Der Halteteil
68 vermag eine Kathode 69, z.B. den besonderen zu reinigenden Ober- oder ünterformteil, zu halten. Die zu reinigende
Formfläche 71 kann Formausnehmungen, Einbuchtungen oder ähnliche kleine schwer zu erreichende Formhohlräume
und dgl. , die mit 72 bezeichnet sind, aufweisen. Ferner kann die Oberfläche 71 mit Verunreinigungen 7 3 und Materialien
wie überschüssigen Plastikrückständen 74 versehen sein.
Die Vorrichtung 52 weist des weiteren eine Anodenhaiteanordnung
75 auf die mit einer Hochspannungs-Durchführungselektrode 76, einer Dichtung 77 und einem hohlen Anodenhalter
78 versehen ist. Die Anodenhalter hält eine von ihm angeordnete oder in ihm untergebrachte Anode 79 innen
in der Vakuumkammer 5 3 im Abstand von der Kathode oder dem Formteil 69.
Ein zwischen der Anoden-Elektrode 79 und der Kathoden-
-21-
Ko :
Elektrode oder Form 69 gelegener Teil wird durch die diagonale Linien, die eine Glimmentladung oder Plasmazone
innerhalb des elektrischen Feldes bezeichnen, das zwischen der Anode 79 und der Kathode 69 eingerichtet ist. Das
elektrische Feld zwischen der Anode 79 und der Kathode 69 ionisiert das von dem Gasreservoir 63 gelieferte ionisierbare
Gas 70 und erzeugt positive Ionen 81 die durch das vorgenannte elektrische Feld zur Oberfläche 71 der Kathode
69 hin beschleunigt werden um die Fläche zu bombardieren und diese sowie die Ausnehmungen 72 zu reinigen. Die
Bezugszahl 83 bezeichnet den bekannten "Dunkelraum " beiderseits der Entladezone 82 und kann für die Anordnung
oder Positionierung der Form getrennt und im Abstand von einer einzelnen Kathode gewunschtenfalls von Bedeutung
sein. Eine Gleichstrom-Energiequelle 84 kann so angeschlossen werden, daß die positive Klemme über die Durchführungselektrode 76 mit der Anode 79 verbunden ist, während die
negative Klemme über die Durchführungselektrode 66 mit der Kathode 69 in Verbindung steht.
In dem Apparat 42 für die umgekehrte Zerstäubung können
zwar verschiedene Inertgase verwendet werden, doch wird vorzugsweise wo möglich ein vollständig inertes Gas benutzt.
Das bevorzugte Gas ist gemäß der Erfindung Argon.
Wahlweise wird ein erwünschter Druck von etwa 5 . 10 mm H hergestellt, obzwar abhängig von der besonderen Anwendung
, der Größe der zu reinigenden Flächen etc. höhere oder niedrigere Drücke verwendet werden können. Argon
wird deswegen als Inertgas zur Bildung der ionisierbaren Atmosphäre 70 in der Vakuumkammer 53 benutzt, da es ein
"schweres" Gas ist und im Vergleich zu anderen Inertgasen, die ebenfalls für die umgekehrte Zerstäubung benützt werden
könnten, eine relativ große Masse an Ionen liefert. Je größer die Anzahl von Ionen ist, um so größer ist auch
3g die Wirkung der umgekehrten Zerstäubung oder Reinigungs-
-22-
wirkung, und es wurde daher im vorliegenden Beispiel Argon als Inertgas gewählt. *
Die Energiequelle 84 erzeugt vorzugsweise eine Gleichspannung
im Bereich zwischen 1000 und 2000 Volt obzwar die Spannung abhängig von dem benötigten Strom und der Zeitdauer,
über welche die Glimmentladung oder das Plasma für eine vollständige und sorgfältige Reinigung aufrechterhalten
werden muß, nach Wunsch vergrößert oder herabgesetzt werden kann.
Im Folgenden wird die Arbeitsweise des Systems 52 der umgkehrten Zerstäubung gemäß Fig. 3 beschrieben. Die Vakuumglocke
ist mit der Elektrode 79 versehen und die Form 69 wird an dem Kathodenhalter 68 zur Bildung der in Fig. 3
gezeigten Kathode 69 angeordnet. Alternativ kann eine separate Kathode an dem Halter 68 angeordnet sein, und die
Form 69 kann an einer gewünschten Stelle zwischen der Anode 79 und der am Halter 68 angebrachten neuen Kathode
so angeordnet werden, daß eine maximale Reinigung der
Formoberflächen ermöglicht, wird.
In jedem Falle wird die Kammer 53 dann jedoch geschlossen, die Vakuumpumpe 58 zieht die Atmosphäre aus dieser heraus,
und ein Inertgas wird aus dem Reservoir 63 eingebracht, um in der Vakuumkammer 53 ein ionisierbares Gas 70 zu bilden.
Eine Gleichspannungsquelle 84 erzeugt ein elektrisches Potential oder Feld zwischen der Anode 79 und der Kathode
69. Dieses Feld unterhalt die Ionisierung des Inertga-
qQ ses und erzeugt eine Glimmentladung , Bogenentladung oder
ein Plasma in einem Teil des Bereichs zwischen der Anode 79 und der Kathode 69. Mit der Ionisierung des Gases
werden positive Ionen durch das elektrische Feld durch das Plasma hindurch beschleunigt und bombardieren die ausgewählten
Oberflächenbereiche 71 der Form und die darin
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befindlichen Ausnehmungen 72 , um Verunreinigungen, Oberflächenverschmutzungen
und dgl. abzureinigen oder abzustreifen und die Reinigungsoperation durch umgekehrte
Zerstäubung zu beenden. Sobald die Reinigung abgeschlossen ist, stellt die Vakuumpumpe 58 die Atmosphäre in der
Kammer 53 wieder her. Dann wird die Vakuumkammer geöffnet und die Form 69 zur anschließenden Wiederverwendung gemäß
den dargestellten Verfahrensschritten nach Fig. 1 und 2 entfernt.
Der Einfachheit halber wurde die Vorrichtung 52 für die umgekehrte Zerstäubung in Fig. 3 als Glockengefäß dargestellt,
doch versteht es sich, ein kontinuierlicher oder "in-Line"-Prozess einen hinsichtlich Gestalt oder Aus-
.(- sehen völlig verschiedenen Apparat erfordern kann, oder
auch getrennte Systeme für Oberformteile und Unterformteile praktisch eingesetzt werden könnten. Die Fig. 3
hat lediglich erläuternden Charakter und legt die Struktur des durch die Erfindung vorgeschlagenen Apparates
_n für die umgekehrte Zerstäubung keineswegs fest.
Die Fig. 4 zeigt eine Leiterrahmen-Anordnung 86 der vorliegenden Erfindung , die einen Leiterrahmen 87 mit einer
integrierten Schaltung 88 umfaßt, die in der Nähe des oc- Zentrums des Leiterrahmens 87 befestigt, montiert oder
angeordnet ist. Der integrierte Schaltungsteil 88 ist elektrisch mit einer Vielzahl von Eingangs/Ausgangs-Leitungen
89 verbunden, die in Leiterstiften oder Anschlüssen 91 enden. Benachbarte Leitzerstifte auf der einen Seite
sind mit der Bezugszahl 92 bezeichnet und einem nicht dargestellten benachbarten integrierten Schaltungsteil zugeordnet,
während benachbarte Leiterstifte 93 auf der entgegengesetzten Seite einen nicht dargestellten, zweiten
benachbarten Schaltungsteil zugeordnet sind. Aus Fig.
4 geht hervor, daß die Leiterrahmen-Anordnung 86 praktisch ob
viele einzelne Leiterrahmen-Unteranordnungen umfaßt, von
-24-
denen jede ihre eigene integrierte Schaltung oder ihren eigenen integrierten Schaltungsteil und eine Vielzahl von
Leitungen enthält, die in Leiterstiften, Klemmen oder Anschlüssen
enden.
5
5
Die Fig. 5 zeigt einen Teil eines Leiterrahmen-Gefüges
der Fig. 4 nach dem Einkapselungsprozess, der als eingekapselte Leiterrahmeneinrichtung 95 bezeichnet wird.
Die Einrichtung 95 enthält einen Plastik-Einkapselungsteil 96 , der über den integrierten Schaltungsteil 88
und dem Leitungsteil 89 der Leiterrahmen-Anordnung 86 gemäß Fig. 4 so angeordnet ist, daß nur die Leiterstifte
oder Anschlüsse 97 aus dem Einkapselungs-Plastikmaterial vorragen. Die Einrichtung 95 weist den Leiterrahmenteil
87 und die Leiterstifte 97 auf. Da viele gleichartige Schaltungen gleichzeitig hergestellt und eingekapselt werr
den können, sind die benachbarten Leiterstifte 99 mit einem Teil des eingekapselten Schaltungsteiles 98 wiedergegeben.
Die Fig. 5 zeigt des weiteren etwas von dem Rückstand oder
dem übergeflossenen Plastikmaterial, der bzw. das durch
die Formvorrichtung zwischen benachbarten Leiterrahmen erzeugt wird. Der Leiterrahmen 102 ist über einen Verbinder
101 aus Plastikrückstand mit dem Leiterrahmen 87 verbunden. Der Verbinder 101 umfaßt einen ringförmigen Teil
103 , mehrere Verbindungsschenkel 104 und eine zentrale Ausnehmung 105. Dieses Plastikmaterial muß vor der Verwendung
alles von den Leiterrahmen weggebrochen und abgetrennt werden. Außerdem werden die Leiterrahmen selbst
so getrennt, daß die einzelnen Sätze von Leiterstiften ihren entsprechenden , eingekapselten Schaltungsteilen
zugeordnet sind, was zu einzelnen Schaltungspackungen, beispielsweise "Dual-in-Line"-Halbleitern etc. führt.
Die Fig. 6 zeigt den unteren Formteil oder Unterformteil
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107 und den oberen Formteil oder Oberformteil 114. Der
Unterformteil 107 weist einen Formkörper 106, eine Formkörperoberfläche
108 und eine Leiterrahmenformfläche 109 auf. Die Bezugszahl 111 repräsentiert eine Plastikrückstand-
^ Ausnehmung , die den Rückstandsverbinder 103 aus Fig. 5 bildet. Die Leiterrahmenausnehmungen 112 nehmen den benachbarten
Leiterrahmenteil auf während die dazwischen befindlcihen Formflächen 113 zwischen benachbarten Leiterrahmen
angeordnet sind.
10
10
Der Oberformteil 114 weist einen Oberformkörper 119 mit
einer Formfläche 121 auf. Der Oberformkörper 119 beinhaltet des weiteren eine Leiterrahmenfläche 122 , in der eine
Vielzahl von Leiterrahmenausnehmungen 117 angeordnet sind.
Die Ausnehmungen 115 entsprechen den Ausnehmungen 111 des Unterformteiles 107 und erfüllen eine ähnliche Funktion.
Des weiteren sind Seitenausnehmungen 116 in der Fläche 121 und Zwischenflächenteile 118 zwischen benachbarten Leiterrahmen-Aussparungen
117 vorgesehen.
Der Oberformteil 114 kann 'auf dem Unterformteil 107 angeordnet
werden, sobald die Leiterrahmen gemäß Fig. 7 darin ausgerichtet und angeordnet worden sind.
Die Fig. 7 soll die geschlossene Formanordnung darstellen, die zum Einkapseln der vorstehend beschriebenen Leiterrahmenanordnungen
verwendet wird. Die Formanordnung weist den Unterformteil 107 mit einem Formkörper 106 und den
Oberformteil 114 mit einem Formkörper 119 auf. Die Leiterrahmenausnehmung
112 des Unrerformteils 107 ist unmittelbar unter der entsprechenden Ausnehmung 117 des Oberformteils
114 angeordnet. Des weiteren sind ein den Verbindungsring erzeugender zentraler Hohlraum 111 und ein Bundteil
125 vorgesehen, der einen inneren zylindrischen Teil 123 zum Unterbringen eines Druckgliedes 124 aufweist. Die
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Formanordnung der Fig. 7 könnte beispielsweise durch den zylindrischen Teil 123 mit Plastikmaterial versehen und
beheizt worden sein während auf das Glied 124 Druck ausgeübt wurde, um das Plastikmaterial zu schmelzen und zu
veranlassen durch die verschiedenen Ausnehmungen der Form zu fließen und die gewünschte Einkapselung herzustellen.
Das überschüssige Einkapselungsmaterial und die Plastikrückstände,
die an den verschiedenen Oberflächenteilen der Form anhaften oder sich sogar chemisch mit diesen verbinden,
müssen durch den prozess der umgekehrten Zerstäubung gemäß der Erfindung entfernt werden, bevor die Formteile
in einem kontinuierlichen "in-Line"-Einkapselungsverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung wiederverwendet werden
können.
Die Einfügung der Vorrichtung für die umgekehrte Zerstäubung in das System gemäß der vorliegenden Erfindung und/
oder die Einführung des Verfahrens der Reinigung der verschiedenen
Formflächen durch die Techniken derumgekehrten Zerstäubung ermöglichen es den Formen, in einem kontinuierlichen
"in-Line"-Prozess der Einkapselung von Leiterrahmen oder irgendwelcher Halbleiter-Bauteile verwendet
zu werden, und sie sichern den Grad an Reinheit, der für derartige Einrichtungen erforderlich ist, die Geschwindigkeit,
die für den kontinuierlichen Betrieb benötigt wird und die Wirtschaftlichkeit die ein effektiver Wettbewerb
erfordert.
Die Erfindung wurde vorstehend anhand von Ausführungsbeispielen erläutert und es ist offensichtlich, daß der
Durchschnittsfachmann vielerlei Abwandlungen vornehmen kann, ohne daß der Rahmen der Erfindung überschritten
wird.
Claims (1)
- Patentansprüche10 1Verfahren zum Reinigen von Formen, bei dem eine Vakuumkammer vorgesehen wird, eine zu reinigende Form zu der Vakuumkammer transportiert wird und die Kammer evakuiert wird, dadurch gekennzeichnet, daß in die Vakuumkammer ein ionisierbares Gas eingelassen wird und die zureinigenden Formflächen zum Entfernen von Oberflächenverunreinigungen durch umgekehrte Zerstäubung mit Ionen beschossen werden.Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Verfahrensschritt des Beschiessens der zu reinigenden Formoberflächen die Verfahrensschritte des Vorsehens einer Anode, des Schaltens der zu reinigenden Form als Kathode, des Hersteilens eines elektrischen Spannungsfeldes zwischen der Anode und der Kathode zum Unterhalten einer Glimmentladung in der Vakuumkammer, des Ionisierens des Gases in der Vakuumkammer und der Beschleunigung der positiven ionen gegen die Kathode zwecks Reinigung der Oberfläche von dieser durch Ionenbeschuß umfaßt.Verfahren nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch den Verfahrensschritt der selektiven Abschirmung von Teilen der Form gegen unerwünschten Ionenbeschuß.4. Verfahren nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch den-2-Verfahrensschritt der Wiederherstellung der Atmosphäre in der Vakuumkammer, des Öffnens der Vakuumkammer und des Entfernens der gereinigten Form aus der Vakummkammer.5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Verfahrensschritt des Beschüsses der Formoberflächen die Verfahrensschritte des Vorsehens einer in einem vorbestimmten Abstand von der Anode befindlichen Kathode, des Einfügens der zu reinigenden Form in einer vorbestimmten Stellung zwischen der Anode und der Kathode zwecks Herstellung und Aufrechterhaltung eines Plasmas zwischen diesen, der Ionisierung des in die Vakuumkammer eingeführten Gases und der Beschleunigung der positiven Ionen gegen die Oberfläche der zu reinigenden Form durch das zwischen der Anode und der Kathode eingerichtete elektrische Feld umfaßt.6. Verfahren nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch den Verfahrensschritt des selektiven Maskierens von Teilen der Formoberfläche , um deren unerwünschte umgekehrte Zerstäubung zu verhindern.7. Verfahren nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch die Verfahrensschritte der lederherstellung des normalen Atmosphärendruckes in der Vakuumkammer, des Öffnens der Vakuumkammer und des Entfernens der gereinigten Form für eine anschließende Wiederverwendung.8. System zum kontinuierlichen Einkapseln des integrierten Schaltungsteiles und Eingngs/Ausgangs-Leitungsteiles einer Leiterrahmen-Anordnung unter Anwendung des Verfahrens gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das System versehen ist mit Mitteln-3-zum Anordnen der Leiterrahmen-Anordnung in einem unteren Formteil, Mitteln zum Anordnen und Befestigen eines oberen Formteiles über dem unteren Formteil zwecks Bildung einer Formenanordnung, Mitteln ° zum Zuführen von Einkapselungs-Plastikmaterial in den Formhohlraum der Formenanordnung , Mitteln zum Erhitzen und für die Druckbeaufschlagung des Plastikmaterials, damit dies.es über die einzukapselnden Teile der Leiterrahmen-Anordnung fließt, Mitteln zum Härten der eingekapselten Leiterrahmen-Anordnung, Mitteln zum Trennen des unteren Formteiles von dem oberen Formteil, Mitteln zum Entfernen der eingekapselten Leiterrahmen-Anordnung aus dem unteren Formteil, Mitteln zum Reinigen der Formteile vor der anschließenden Wiederverwendung, verbesserten Reinigungsmitteln zum Entfernen des verbliebenen Plastikmaterials, von Plastikrückständen und von Oberflächenverunreinigungen wie Schmutz, Öl, Fett, Staub , Oxydationsprodukten, CF. und dgl. von mindestens ausgewählten Oberflächen der Formenteile vor der anschließenden Wiederverwendung, wobei die verbesserten Reinigungsmittel ein Vakuumgehäuse, eine Einrichtung zum Anordnen eines zu reinigenden Formteiles in dem Vakuumgehäuse und eien Einrichtung zum Erzeugen eines wesentlichen Vakuums in dem Vakuumgehäuse umfassen, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zum Einführen eines inerten , ionisierbaren Gases in die Vakuumkammer, eine Einrichtung zum Erzeugen eines Plasmafeldes innerhalb der Vakuumkammer zur Ionisierung des Gases, und eine Einrichtung zum Beschiessen der ausgewählten Oberflächenbereiche der zu reinigenden Formteile mit Ionen zwecks Entfernung der Oberflächenverunreinigungen von diesen.49. System nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zum Erzeugen eines Plasmafeldes versehen ist mit einer Anodeneinrichtung, einer denzu reinigenden Formteil enthaltenden Kathodeneinrichtung und einer Einrichtung zum Erzeugen eines elektrischen Feldes zwischen der Anode und der Kathode zwecks Initiierung und Aufrechterhaltung des Plasmas, um den Prozess der umgekehrten Zerstäubung zur Abreinigung der Oberflächenverunreinigungen von !0 dem Formenteil zu ermöglichen.10. System nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zum Transportieren der gereinigten Formteile zu der Vakuumkammer und durch eine Einrichtung zum Transportieren der gereinigten Formanordnungen aus der Vakuumkammer zu einer Station für die anschließende Wiederverwendung.11. System nach Anspruch 10, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zum selektiven Maskieren ausgewählter Oberflächenbereiche der Formteile zwecks Abschirmung derselben gegen den Prozess der umgekehrten Zerstäubung.12. System nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zum Erzeugen des Plasmas versehen ist mit einer Anodeneinrichtung , einer von der Änodeneinrichtung im Abstand befindlichen Kathodeneinrichtung, einer Einrichtung zum selektiven Anordnen des zu reinigenden Formteiles an einer vorbestimmten Stelle zwischen der Anodeneinrichtung und der Kathodeneinrichtung für maximale Reinigungswirkung, und eine EinEichtung zum Erzeugen eines elektrischen Feldes zwischen der Anode und der Kathode zwecks Initiierung und Aufrechterhaltung eines-5-Prozesses der umgekehrten Zerstäubung für die Reinigung mindestens ausgewählter Oberflächenbereiche des zu reinigenden Formteiles durch Ionenbeschuß.13. System nach Anspruch 12, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zum Transportieren der zu reinigenden Formteile zu der Vakuumkammer und eine Einrichtung zum Transportieren der gereinigten Formteile zu einer Arbeitsstation für anschließende Wiederverwendung.14. System nach Anspruch 11, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zum selektiven Maskieren von Teilen der Formoberfläche zwecks Verhinderung eines Ionenbe-Schusses während des Prozesses der umgekehrten Zerstäubung.
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8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: MOLL, W., DIPL.-PHYS. DR.RER.NAT. GLAWE, U., DIPL. |
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8141 | Disposal/no request for examination |