Claims (1)
StA .. StA ..
Patentansprüche:Patent claims:
1. Verfahren zur Herstellung von Festkörper-Halbleiteranordnungen,
gekennzeichnet durch die Folge der nachstehend genannten
Schritte:1. Process for the production of solid-state semiconductor devices,
characterized by the sequence of the following
Steps:
(a) Erzeugen eines Siliziumsubstrates mit gegenüberliegenden ersten und zweiten Oberflächen;(a) creating a silicon substrate having opposing first and second surfaces;
(b) Bestrahlen ausgewählter Bereiche der ersten Oberfläche mit einem Wasserstoffionenstrahl mit
einer Intensität und für eine Dauer, die ausreichend sind, um eine Oberflächenschicht auf
der ersten Oberfläche zu bilden, an der ausgewählte Metalle nur schlecht anhaften; und(b) irradiating selected areas of the first surface with a hydrogen ion beam
an intensity and for a duration sufficient to cause a surface layer to appear
to form the first surface to which selected metals have poor adhesion; and
(c) Metallisierung der ersten Oberfläche unter Ausschluß der ausgewählten Bereiche mit zumindest
einem der ausgewählten Metalle.(c) Metallization of the first surface excluding the selected areas with at least
one of the selected metals.
2. Verfahren nach Anspruch T, d a d u r c h gekennzeichnet , daß es weiterhin den
Schritt der Ausbildung einer Grenzschicht in dem Substrat, benachbart zur ersten Oberfläche, einschließt.
2. The method according to claim T, d a d u r c h characterized in that it continues to
Includes the step of forming an interface in the substrate adjacent the first surface.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e kennz
eic hnet, daß die Halbleiteranordnungen Photospannungs-Halbleiteranordnungen sind und3. The method according to claim 1, characterized g e mark
eic hnet that the semiconductor devices are photo voltage semiconductor devices and
U-U-
daß das Verfahren den Schritt des Aufbringens eines Antireflexionsuberzugs auf die erste Oberfläche einschließt.
that the method includes the step of applying an anti-reflective coating to the first surface.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
ζ ei c h η et , daß die Metallisierung
unter Verwendung eines Metalls durchgeführt wird, das aus der Gruppe von Metallen ausgewählt ist, die
Nickel, Palladium, Kobalt, Platin und Rhodium einschließt. Method according to claim 1, characterized
ζ ei c h η et that the metallization
is performed using a metal selected from the group of metals which
Includes nickel, palladium, cobalt, platinum and rhodium.
Verfahren zur Herstellung von Festkörper-Halbleiteranordnungen, dadurch gekennzeichnet
, daß das Verfahren in Aufeinanderfolge die nachstehend genannten Schritte umfaßt:Process for the production of solid-state semiconductor devices, characterized
that the process comprises the following steps in sequence:
(a) Herstellung eines Siliziumsubstrates mit gegenüberliegenden
ersten und zweiten Oberflächen und mit einer Grenzschicht benachbart zur ersten Oberfläche sowie einer Plattierungsmaske,
die ausgewählte Teile der ersten Oberfläche frei läßt;(a) Manufacture of a silicon substrate with opposing
first and second surfaces and having an interface adjacent to the first surface and a plating mask,
leaving selected portions of the first surface exposed;
(b) Aufbringen eines Überzuges aus Aluminium auf die zweite Oberfläche;(b) applying a coating of aluminum to the second surface;
(c) Aufheizen des Siliziumsubstrates auf eine Temperatur
und über eine Zeit, die ausreichen, damit das Aluminium des Aluminiumüberzuges eine
Legierung mit dem Siliziumsubstrat bildet;(c) heating the silicon substrate to a temperature
and for a time sufficient for the aluminum to form the aluminum coating
Forms alloy with the silicon substrate;
(d) Aufbringen eines Nickelüberzuges auf die(d) Applying a nickel coating to the
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ausgewählten Teile der ersten Oberfläche;selected portions of the first surface;
(e) Entfernen der Plattierungsmaske;(e) removing the plating mask;
(f) Bestrahlen der ersten Oberfläche mit einem
Wasserstoffionenstrahl mit einer Intensität und für eine Dauer, die ausreichen, damit eine
Oberflächenschicht auf der ersten Oberfläche gebildet wird, an der ausgewählte leitende Metalle nur schlecht anhaften;
(f) irradiating the first surface with a
Hydrogen ion beam with an intensity and for a duration sufficient to produce a
Forming a surface layer on the first surface to which selected conductive metals are poorly adhered;
(g) Sintern des Nickelüberzuges derart, daß das Nickel und das Silizium an den ausgewählten
Teilen miteinander reagieren, um Nickelsilizid an ihrer Grenzfläche zu bilden; und(g) sintering the nickel coating such that the nickel and silicon adhere to the selected
Parts react with each other to form nickel silicide at their interface; and
(h) Beschichten der Nickel- und Aluminiumüberzüge mit zumindest einer Schicht von zumindest einem
der leitenden Metalle.(h) coating the nickel and aluminum coatings with at least one layer of at least one
of conductive metals.
6. Verfahren nach Anspruch 5» dadurch gekenn
ζ e i c h η et , daß die zumindest eine Schicht dadurch aufgebracht wird, daß (a) der
Nickelüberzug mit einem Ätzmittel in Berührung gebracht wird, um Nickel zu entfernen, das nicht gebunden
ist, und daß (b) der Nickelüberzug mit Kupfer überzogen wird.6. The method according to claim 5 »marked thereby
ζ e i c h η et that the at least one layer is applied in that (a) the
Nickel plating is brought into contact with an etchant to remove nickel that is not bound
and that (b) the nickel coating is coated with copper.
7. Verfahren nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet,
daß das Verfahren weiterhin den Schritt des Aufbringens eines Antireflexionsüberzugs
auf die erste Oberfläche7. The method according to claim 5 »characterized in that
that the method further includes the step of applying an anti-reflective coating
on the first surface
einschließt.includes.
8. Verfahren nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet,
daß zusätzlich die Bestrahlung des Substrates mit dem Wasserstoffionenstrahl über eine ausreichende Zeit und mit einer
ausreichenden Intensität erfolgt, um die Minoritätsträgerverluste des Substrates zu verringern.8. The method according to claim 5 »characterized in that
that in addition the irradiation of the substrate with the hydrogen ion beam for a sufficient time and with a
sufficient intensity occurs to reduce the minority carrier losses of the substrate.
9. Verfahren zur Herstellung von Festkörper-Halbleiteranordnungen,
dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren die Folge der nachstehend genannten Schritte umfaßt:9. Process for the production of solid-state semiconductor devices,
characterized in that the method comprises the sequence of the following steps:
(a) Herstellung eines Siliziumsubstrates mit gegenüberliegenden ersten und zweiten Oberflächen
und mit einer Grenzschicht benachbart zur ersten Oberfläche und mit einer Plattierungsmaske,
die ausgewählte Teile der ersten Oberfläche frei läßt;(a) Fabrication of a silicon substrate with opposing first and second surfaces
and having an interface adjacent to the first surface and having a plating mask,
leaving selected portions of the first surface exposed;
(b) Aufbringen eines Nickelüberzuges auf die ausgewählten Teile der ersten Oberfläche;(b) applying a nickel coating to selected portions of the first surface;
(c) Entfernen der ersten Plattierungsmaske;(c) removing the first plating mask;
(d) Bestrahlen der ersten Oberfläche mit einem Wasserstoffionenstrahl mit einer Intensität und
für eine Dauer, die ausreichend sind, um eine Oberflächenschicht auf der ersten Oberfläche zu
bilden, an der Metalle nur schwer anhaften;(d) irradiating the first surface with a hydrogen ion beam having an intensity and
for a time sufficient to form a surface layer on the first surface
form to which metals are difficult to adhere;
(e) Sintern des Mckelüberzuges derart, daß das(e) Sintering the Mckel coating in such a way that the
Nickel und das Silizium an den ausgewählten Teilen miteinander reagieren, um Nickelsilizid
an ihrer Grenzfläche zu bilden; undNickel and the silicon on the selected parts react with each other to form nickel silicide
to form at their interface; and
(f) Beschichten des Nickelüberzuges mit zumindest einer zusätzlichen leitenden Metallschicht.(f) Coating the nickel coating with at least one additional conductive metal layer.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die zumindest eine
zusätzliche leitende Metallschicht eine Nickelschicht umfaßt, die durch ein Tauchplattierungsverfahren
gebildet ist.10. The method according to claim 9, characterized in that the at least one
additional conductive metal layer comprises a nickel layer formed by a dip plating process
is formed.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß das Plattierungsverfahren
ein Bad verwendet, das ein Nickelsalz und Fluoridionen enthält.11. The method according to claim 10, characterized in that the plating process
uses a bath that contains a nickel salt and fluoride ions.
12. Verfahren nach Anspruch 7» dadurch gekennz
eichnet , daß die zumindest eine zusätzliche leitende Metallschicht eine Schicht aus
Kupfer umfaßt, die durch Tauchplattieren oder Elektroplattieren gebildet ist.12. The method according to claim 7 »marked thereby
equates that the at least one additional conductive metal layer is a layer
Includes copper formed by dip plating or electroplating.