DE3432510A1

DE3432510A1 - Gegentaktschaltkreis mit eintaktausgang vom emitterfolgertyp

Info

Publication number: DE3432510A1
Application number: DE19843432510
Authority: DE
Inventors: Kazuaki Tokio/Tokyo Nakayama
Original assignee: Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 1983-09-06
Filing date: 1984-09-04
Publication date: 1985-03-21
Also published as: GB2146194B; DE3432510C2; GB2146194A; GB8422205D0; US4595883A; JPS6054508A; KR890004671B1; KR850002710A

Description

Gegentaktschaltkreis mit Eintaktausgang vom

Emitterfolgertyρ

Die Erfindung bezieht sich auf eine Gegentaktschaltung mit,Eintaktausgang (SEPP) mit einem sperrlosen B Emitterfolger.

Um die Wirksamkeit eines Emitterfolgerschaltkreises des Typs SEPP zu steigern, verwendet man im allgemeinen eine B-Verstärkerschaltung. Bei einem solchen Schaltkreis ist es wichtig, daß ein Ruhestrom fließen kann, um die obere und untere Durchlaßkennlinien fließend miteinander zu verbinden. Bei einem herkömmlichen Schaltkreis dieses Typs wird, wenn ein Transistor angeschaltet ist, der andere sperrend, wobei Schaltverzerrungen beim Umschalten von einem auf den anderen Transistor auftreten. Um diese Schwierigkeit zu beseitigen, verwendet man häufig sperrlose B-Schaltkreise, bei denen jeder Transistor mit Hilfe eines Hilfsschaltkreises daran gehindert wird, in den sperrenden Zustand zu kommen. In diesem Falle kann die Schaltverzerrung weitestgehend verhindert werden. Es muß dabei allerdings beachtet werden, daß immer noch eine Stromverzerrung auftritt, was daran liegt, daß in den Stromübertragungskennlinien der Transistoren Nichtlinearitäten zu finden sind. Auch können Spannungsverzerrungen aufgrund von exponentiellen Spannungsübertragungseigenschaften auftreten.

Im Falle eines bipolaren Transistors kann der Ruhestrom unter termischen Einflüssen, wenn keine Temperaturkompensation durchgeführt wird, weglaufen. Bis jetzt wurde keine HilfsSteuerung dieses Ruhestroms durchgeführt. Deshalb verändern sich die Ruhestromwerte in Abhängigkeit von der Signalgröße und der Umgebungstemperatur. Unabhängig von dem Vorliegen oder von dem Fehlen eines Eingangssignals neigt der Betriebspunkt sich zu längeren oder kürzeren Perioden hin zu verändern.

Eine Temperaturkompensation ist nur relativ schwierig durchzuführen. Speziell bei einem herkömmlichen nichtsperrenden B-Schaltkreis muß mit Rückkopplung gearbeitet werden, so daß die '!Instabilitäten des Ruhestroms noch anwachsen. Dies zusammen mit der Tatsache, daß die Temperaturkompensation nicht vollständig erreicht werden kann, macht den Aufbau noch mehr schwierig.

Figur 1 ist ein Beispiel eines herkömmlichen sperrlosen B SEPP Schaltkreises. Transistoren Q„ und Q₇. und die Transistoren Qg und Qg. sind Treibertransistoren bzw. Ausgangstransistoren, die den SEPP-Schaltkreis bilden. Der Ruhestrom wird von den Widerständen R„ und Rg, stabilisiert. Der SEPP-Schaltkreis umfaßt eine Spannungs-Verstärkereinheit mit den Transistoren Q_11a und Q₁₂₃' mit einem Widerstand R₁. und mit Konstantspannungsquellen I₁₁ und I₁₂ . Ebenso umfaßt die Spannungsverstärkereinheit die Transistoren Q₁... und Q-iph' ^e^^nen Widerstand R_11b und die Konstantspannungsquellen I₁... und I-iph"

Wenn ein positives Eingangssignal dem Schaltkreis zugeführt wird, fließt ein Strom I_E1 im Transistor Qg , so daß die Spannung zwischen den Punkten ρ und q anwächst. Über den Widerstand R₁₁ wird durch den Transistor Q_12a» der als Emitterfolger arbeitet, ein Spannungsanstieg erzeugt, so daß Spannungsschwankungen zwischen den Punkten ρ und r unterdrückt werden, was dazu führt, daß der Ruhestrom I, kontinuierlich im Transistor Qg, fließt. Demnach wird bei der Zuführung eines positiven Eingangssignals der Ruhestrom des Transistors Qg. nicht unterbrochen. Ähnlich verhält sich der Kreis, wenn eine negative Eingangsspannung angelegt wird. Der Spannungsanstieg zwischen den Punkten _p undr' wird durch den Transistor Q.j2b ^am Widerstand R_{1 lb} erzeugt, so daß der Ruhegg strom kontinuierlich im Transistor Qn fließt. Der Schaltkreis wirkt daher als nicht sperrender B SEPP-Schaltkreis. In diesem Falle stellen sich die Kennlinien des Schaltkreises so dar, wie dies durch die Kurve a~ in Figur 2

zu sehen ist. Die Kurven b_Q und c_Q zeigen die Durchlaßkennlinien der Transistoren Q₇. und Qg. bzw. der

Transistoren Q„ und Q₀ .
7a öa

Bei einem herkömmlichen B SEPP Schaltkreis wird, um den Ruhestrom einzustellen, der Ruhestrom mit Hilfe des Verstellwiderstandes V_R1 eingestellt, nachdem zunächst die Transistoren Q₀ und Q₀, über den Verstellwiderstand

c. 3. C.XJ

V_R2 in den sperrenden Zustand gebracht worden sind. Ein so gesteuerter Ruhestrom ändert sich aber mit der Zeit, mit der Temperatur und mit der Versorgungsspannung, so daß der Arbeitspunkt sich verschiebt. Es ist daher schwierig, den Ruhestrom zu steuern.

Es ist weiterhin nicht möglich, genau vorherzusagen, welchen Wert der Ruhestrom annehmen wird, wenn das Eingangssignal angelegt wird.

Der Schaltkreis sollte auch temperaturkompensiert sein, es ist aber unmöglich, eine 100%ige Temperaturkompensation zu verwirklichen.

Wenn die Rückkopplungsrate zu 1 gemacht wird, so daß die Spannung zwischen den Punkten P und Q über den Widerstand R₁₁ rückgekoppelt wird, geht die stabilisierende

I I el

Wirkung des Widerstands R„ völlig verloren, was dazu führt, daß noch stärker Oszillationen oder thermisches Wegtriften auftreten kann. Die Rückkopplungsrate muß daher kleiner als 1 sein. Wenn demnach ein großes Eingangssignal eingegeben wird, kann ein vollständiger Nichtsperrbetrieb nicht erreicht werden. Um einen solchen vollständigen Nichtsperrbetrieb zu bekommen, wenn ein großes Signal vorliegt ist es erforderlich, daß der Ruhestrom groß ist, was wiederum den Verstärkungsgrad des Schaltkreises vermindert.

Weiterhin ist die Ausgangsimpedanz hoch und verändert sich mit der Eingangssignalspannung. Auch werden die Ver-

Zerrungen aufgrund der exponentiellen Übertragungskennlinien der Transistoren Qy _a, Q7K' ^8a ^unc* ^8b ⁿ^-^cnt ^edeutend reduziert. Die Übertragungskennlinie ist nichtlinear, wie das in der Figur 2 durch die Kurve a_Q ange- deutet ist, so daß der zusammengesetzte Ausgangsstrom beträchtlich gestört ist, wie das in Figur 3 zu sehen ist. Ein herkömmlicher B SEPP Schaltkreis des nichtsperrenden Typs hat also verschiedene Nachteile.

Der Erfindung liegt im Hinblick auf diesen Stand der Technik die Aufgabe zugrunde, einen SEPP Schaltkreis mit sperrlosem Emitterfolger zu schaffen, bei dem die oben beschriebenen Nachteile nicht auftreten, bei dem eine Temperaturkompensation des Ruhestroms nicht nötig ist, was bedeutet, daß es unnötig ist, den Ruhestrom einzustellen und der einen geringeren Verzerrungsfaktor hat.

Gemäß der Erfindung wird ein Gegentaktschaltkreis mit Eintaktausgang vom Emitterfolgertyp geschaffen, bei dem Widerstände zwischen den Ausgängen und den Emittern oder Quellen von Ausgangstransistoren geschaltet sind und wobei Treibertransistoren angeschlossen sind, um jeweils einen der Ausgangstransistoren anzutreiben, wobei erste und zweite komplementäre Stromspiegelungsschaltkreise und erste und zweite komplementäre Differentialverstärkerschaltkreise vorgesehen -sind, die die ersten und zweiten Stromspiegelungsschaltkreise jeweils beinhalten, die daran als Lasten angeschlossen sind. Jeder erste und zweite Differentialverstärkerschaltkreis umfaßt einen ersten Transistor, an den die Eingangssignalspannung als Eingangssignal angelegt wird, einen zweiten Transistor, an den eine am Ausgang vorliegende Spannung als Eingangssignal angelegt wird, mit einem zweiten Transistor, der parallel zum ersten Transistor geschaltet ist und mit einem dritten Transistor, an den eine Spannung als Eingangsspannung angelegt wird, die einer Emitter- oder Quellenspannung jeweils eines der Ausgangs-

X*.

transistoren entspricht, und wobei der Kollektor oder der Drainausgang des dritten Transistors als Treiberausgang für jeweiLs einen der Treibertransistoren ausgelegt ist. Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung weiter erläutert und beschrieben.

Figur 1 zeigt einen Schaltplan eines herkömmlichen SEPP Schaltkreises vom Emitterfolgertyp.

Figur 2 zeigt in einer graphischen Darstellung die Übertragungskennlinien des herkömmlichen SEPP-Schaltkreises vom Emitterfolgertyp.

Figur 3 zeigt ebenfalls in einer graphischen Darstellung die Wellenform des Ausgangsstromes eines herkömmlichen SEPP Schaltkreises vom Emitterfolgertyp.

Figur M zeigt den Schaltplan eines ersten Ausführungsbeispiels nach der Erfindung.

Figur 5 zeigt in einer graphischen Darstellung die Übertragungskennlinien des Schaltkreises gemäß dem ersten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels.

Figur 6 zeigt in einer graphischen Darstellung die Wellenformen des Ausgangsstroms dieses ersten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels eines Schaltkreises und

Figur 7 zeigt den Schaltplan eines zweiten erfindungs— gemäßen Ausführungsbeispiels.

Die Erfindung wird im folgenden detailliert unter Bezug auf die bevorzugten Ausführungsbeispiele beschrieben.

Figur 4 zeigt den Schaltplan eines ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Schaltkreises

Die Transistoren Qg und Qg_b> und die Widerstände R_E und Rg, sind jeweils zwischen dem Emitter eines Transistors Qg und dem Ausgang OUT und zwischen dem Emitter des Transistors Qg, und dem Ausgang OUT geschaltet und bilden einen SEPP-Schaltkreis vom Emitterfolgertyp, der eine nicht dargestellte Last steuert, die am Ausgang OUT angeschlossen ist. Die Transistoren Q₇ und Q₇, bilden die Treiberelemente um die Transistoren Qg bzw. Qo_h anzutreiben .

Ein Fehlerverstärker A dient dazu, die Transistoren Q₇

und Q₇, anzutreiben. Der Fehlerverstärker umfaßt einen Stromspiegelschaltkreis A₁, der aus den Transistoren Q[- und Qr und den Widerständen R₁ und Rp zusammenge-Jg setzt ist, sowie einen Differentialverstärkerschaltkreis Ap, der als Last den Stromspiegelschaltkreis A₁ hat, weiterhin einen Stromspiegelschaltkreis A-,, der aus den

Transistoren Q₁-U und Q/-. und den Widerständen R₁, und 5b ob Ib

Rp, gebildet ist und einen Differentialverstärkerschalt^{kreis A}i|·

Der Differentialverstärkerschaltkreis Ap schließt die Transistoren Qp und Q, mit ein, die parallel zueinander geschaltet sind, indem ihre Emitter und Kollektoren miteinander verbunden sind, sowie einen Transistor Q₁, und eine Konstantstromquelle Ip_a· Die Emitter der Transistoren Q₂ , Qo und Q₁. sind miteinander und mit der Konstantstromquelle Ip verbunden. Die Kollektoren der Transistoren Q₂ und Q-, sind miteinander und mit den

gQ Kollektoren des Transistors Q₁- verbunden. Der Kollektor des Transistors Q₁, ist an den Kollektor des Transistors Qg_a angeschlossen. Eine Eingangsspannung wird über einen Eingang in auf die Basis des Transistors Q_? geschaltet. Eine Spannung, die am Ausgang OUT entsteht, wird auf die Basis des Transistors Q, gegeben. Die Emitterspannung des Transistors Qg wird an die Basis des Transistors Q₁, angelegt. Das Kollektorausgangssignal des Transistors Q₁.

χ_λο 3Λ32510

wird an die Basis des Transistors Q₇ geschaltet, um letzteren zu steuern.

Wie der Differentialverstärker A₂ wird der Differentialverstärker A₁, von den Transistoren Q_2b, Qo_b und Q₁,, sowie einer Stromquelle Ip, aufgebaut und dazu verwendet, den Transistor Q„_b anzutreiben.

Bei einem derartig aufgebauten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel fließt ein Ruhestrom I, in den Transistoren Qg und Qo_h, wenn kein Signal am Eingang IN vorliegt. Eine Spannung, die vom Ruhestrom I. am Widerstand R_E abfällt, wird auf die Basis des Transistors Q₁. gegeben. Aufgrund der Gegenkopplung des Fehlerverstärkers A wird die Verschiebespannung, die durch den Transistor Q₁, erzeugt wird, gleich der Spannung gemacht, die über den Widerstand R_E1 abfällt. Wenn man einmal des Basisstrom des Transistors Qr₇ außer acht läßt, läßt

7a

sich die Verschiebespannung wie folgt angeben VT pil

OFF = T^e ^JJ (1)

wobei k die Boltzmann-Konstante ist, q die Elektronladung, T die absolute Temperatur, I ₂ der Kollektorstrom des Transistors Q₀ oder Q-, und I_n- der Kollektorstrom des

2a ja Co

Transistors Q₁₊ .

Wenn die Widerstände R₁ und R₂ gleich sind, dann ergibt sich Ip₁, zu Ipp =2:1. Bei Raumtemperatur folgt dann daraus

^VOFF ⁼ ^^loge² = ^{18 raV}· ⁽²⁾

Es sei z.B. der Wert des Widerstands R_Ea o,22 ohm, dann 35

errechnet sich der Ruhestrom I, zu

= ^VOFF^/REa = ⁸¹·⁸

das bedeutet, daß der Ruhestrom unabhängig von den Übertragungskennlinien der Transistoren Q„ und Qg bestimmt werden kann.

J !OFF ₌ ξϊ-1οβ_β2. <*>

^{d R}Ea ^REa ^β

Der Temperaturkoeffizient des Ruhestroms I. läßt sich wie folgt angeben

dl./dT = Jt--.log 2 (5)

d R_Eaq e

0,06 (mV) ^REa^q (ohm)

= + 0,27 (mA/°C). (6)

Dieser Temperaturkoeffizient ist so gering, daß er in der Praxis zu keinerlei Problemen führen kann.

Dasselbe gilt auch für die Transistoren Qg und Q₇ , den Stromspiegelschaltkreis A, und den Differentialverstärker A₁, . Wenn ein Eingangssignal mit großer positiver Amplitude an dem Eingang ansteht, werden die Transistoren Q^ und Qp, in den Sperrzustand gebracht, so daß bezüglich einer positiven Eingangssignalspannung der Fehlerverstärker die Signale an den Basen der Transistoren Q₂ und Q₁. als Eingang erhält. Durch diese Betriebsart wird der Strom in den Transistoren Qg, mit Hilfe des Fehlerverstärkers gesteuert, wobei die Basen der Transistoren Q,, und Q₁,, als Eingänge dienen. In diesem Falle ist es notwendig, um den Transistor Qg. daran zu hindern, die ganze Zeit sperrend zu sein, daß die Verschiebespannung V_n^_n, des

Ur r

Transistors Q₁^, etwas höher gesetzt wird. In der Praxis wird der Widerstandswert des Widerstandes R₁,

I b

so gewählt werden, daß er etwas höher als der Wert des Widerstandes 2b ist, so daß in den beiden Zweigen

des Stromspiegelschaltkreises A~ nicht gleiche Ströme fließen. Der Strom, der im Transistor Q₁^ fließt, wird dadurch vergrößert.

Wenn ein negatives Eingangssignal vorliegt, ist die Arbeitsweise dieselbe, wie sie oben beschrieben ist, was an dem symmetrischen Aufbau des Schaltkreises liegt.

Aus der oben stehenden Beschreibung wird deutlich, daß das Gegenkopplungssystem auf das Eingangssignal und den Ruhestrom gleichzeitig wird. Daher wird keine Temperaturkompensation mehr benötigt, so daß auch keine entsprechende Anpassung erforderlich ist. Es wird somit ein nichtsperrender SEPP Schaltkreis verwirklicht, dessen Ausgangsimpedanz gering ist, und der eine zusammengesetzte Übertragungskennlinie hat, wie das durch die gerade Linie a in Figur 5 angedeutet ist. Die Wellenform des Ausgangsstromes besitzt keine Verzerrung, wie das an der Kurve d in Figur 6 zu sehen ist.

In Figur 5 zeigen die Kurven c und d die Übertragungskennlinien des Transistors Q₇ und Qg bzw. die Übertragungskennlinien der Transistoren Q„, und Q o_b- In Figur 6 zeigen die Kurven e und f die Wellenformen der Ströme der Transistoren Qg_a bzw. Qg_b·

Dasselbe kann auf eine Art und Weise erreicht werden, in der ein Spannungsteiler, der aus den Widerständen R₂. und Rc besteht und ein Spannungsteiler, der aus den Widerständen Bu, und R₁-, besteht, mit den Widerständen R„ und Rg. jeweils verbunden wird, so daß die Ausgänge der Spannungsteiler auf die Basen der Transistoren Q₁. bzw. Qn. wirken.

Wenn bei dem oben stehenden Ausführungsbeispiel der Erfindung cascodenverbundene Transistoren mit den Transistoren Qg_a, Qg_b, Q_2a, Q~, Q_2b und Q^ verbunden werden, so daß die Kollektor-Basisspannungen der Transistoren

verringert werden und die Differenz in der Verschiebespannung aufgrund des Earlyeffektes beseitigt ist, dann können Entzerrspiegelschaltungen erhalten werden, und demgemäß eine entzerrte Verschiebespannung V_Qpp.

Im folgenden wird unter Bezug auf die Figur 7 ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben. Diese Figur zeigt einen Schaltkreis eines zweiten Ausführungsbeispiels nach der Erfindung.

Der Schaltkreis gemäß diesem zweiten Ausführungsbeispiel schließt eine Konstantstromquelle I- ein, um den Transistor Q^ anzutreiben, ebenso wie eine Konstantstrom-

7a '

quelle I_lb, um den Transistor Q- zu steuern. Ein Fehler-Verstärker A₁₀ ist unter Modifizierung des Fehlerverstärkers A gebildet worden, in dem ein Transistor Q₁ zwischen dem Widerstand R- und der Basis des Transistors

la

Qp geschaltet ist. Die Basis des Transistors Q- ist mit dem Kollektor des Transistors Q verbunden, ein

3. Transistor Q... ist zwischen dem Widerstand R... und der Basis des Transistors Qp angeschlossen und es ist die Basis des Transistors Q-, mit dem Kollektor des Transistors

1 b

Qu. verbunden. Der Transistor Q₁ dient dazu, den Strom von der Konstantstromquelle I- aufzunehmen. Der Betrag des so aufgenommenen Stromes wird durch den Kollektorausgang des Transistors Q^, gesteuert, das bedeutet, d.h., durch den Ausgang des Fehlerverstärkers A₁₀. In ähnlicher Weise dient der Transistor Q-, dazu, den Strom von der Konstantstromquelle I-, aufzunehmen. Der aufgenommene Stromanteil wird über den Kollektorausgang des Transistors Qj, gesteuert, d.h., über den Ausgang des Fehlerverstärkers.

Die Arbeitsweise bei diesem zweiten Ausführungsbeispiel ist dieselbe wie bei dem zuerst beschriebenen Ausführungsbeispiel. Anstatt daß aber die Transistoren Q„ und Q₇, über die Ausgänge der Transistoren Q^ und Qw, jeweils betrieben werden^werden bei dem zweiten Ausführungsbei-

y "

spiel die Transistoren Q₇ und Q₇. über die Ausgänge der Transistoren Q₁ bzw. Q₁. gesteuert. In diesem Falle

la ID

wird nicht nur der Verstärkungsfaktor vergrößert, sondern es wird auch der Einfluß der Basisströme der Transistoren Q₇ und Q₇, auf die Verschiebespannung V_Qpp ausgeschaltet.

Wenn die Konstantstromquellen I₁ und I₁. dem Schaltkreis hinzugefügt werden, kann die maximale Spannung, die auf den Fehlerverstärker A₁₀ angewandt wird, gering sein. Demgemäß kann der Fehlerverstärker günstigerweise als integrierter Schaltkreis realisiert sein.

Auch wenn anstelle des Eingangssignaleingabepunktes(a) die Stromsignalanwendungspunkte (b)und(c) verwendet werden, d.h. auch wenn die Konstantstromquelle I₁ und

ι a

I_1b als Signalstromquellen herangezogen werden, kann ein nichtsperrender B SEPP Schaltkreis erhalten werden für den keine Temperaturkompensation erforderlich ist (aber mit demselben Verzerrungsgrad wie bei herkömmlichen Schaltkreisen).

Wenn die Transistoren Q₁ und Q₁, mit Transistoren

IH ID

in Darlington-Schaltung und die Transistoren Q₇ und Qo sowie die Transistoren Q₇, und Qg_b in dreistufiger Darlington-Schaltung miteinander verbunden werden, kann die Regelverstärkung des SEPP Schaltkreises vergrößert werden.

Wenn weiterhin der Anschluß vom Emitter und Kollektor des Transistors Q₁ umgedreht wird, können die Anschlußpunkte der Kollektoren der Transistoren Q₁- und Q₂ als Ausgang des Fehlerverstärkers A_1n mit der Basis des Transistors Q₁ verbunden werden. Der Stromspiegelschaltkreis A^, der Transistor Q₁, und die Transistoren Q₁-. und Qp, können in derselben Weise miteinander verbunden werden. Ähnlich wie im ersten Ausführungsbeispiel nach Figur 4 kann der Ruhestrom I, vergrößert werden, indem die Widerstände Rg und R„, mit Widerstandsspannungsteiler-

ts ³⁴³²⁵¹°

Schaltkreisen verbunden werden.

In dem ersten und dem zweiten Ausführungsbeispiel nach der Erfindung wird, zum Einstellen der· Verschiebespannung (offset)hinsichtlieh des Gleichgewichtszustandes in den Stromspiegelschaltkreis A. und A-, so vorgegangen, daß I^ •* (I^ + Ip^) ist, indem R- , R... > R₂ , R₃, gewählt wird. Die Verschiebespannung kann auch auf andere Art und Weise eingestellt werden. Z.B., wenn R- = Rp und R-, = Rp. , kann eine Gegenspannung auf die Basis der Transistoren Qp und Qo und auf die Basis der Transistoren Qp. und Q-., geschaltet werden. Als Alternative dazu könnten auch aufnehmende Konstantstromquellen mit den Transistoren Qj- und Qf-, verbunden sein, um zu bewirken, daß I_cj>_a "> ^(IC2a ^{+ 1}CSa^{5 und 1}C^ ^(IC2b ^{+ 1}CSb^ ^{Aus dem Vor}~ stehenden wird deutlich, daß ein erfindungsgemäßer Schaltkreis so geartet ist, daß ein Gegenkopplungskreis sowohl für das Signal als auch für den Ruhestrom gebildet wird, der diese gleichzeitig beeinflußt. Demgemäß wird der Ruhestrom unverändert aufrechterhalten, unabhängig von Schwankungen der Umgebungstemperatur oder der Versorgungsspannung und dem Lauf der Zeit. Das bedeutet, daß der Arbeitspunkt unverändert konstant bleibt. Der Schaltkreis ist daher stabil und benötigt keine Temperaturkompensationskomponenten, so wie z.B. Varistoren oder Thermistoren. Unabhängig von der Anwesenheit oder Abwesenheit eines Eingangssignals und der Größe dieses Signals wird weiterhin der Ruhestrom konstant gehalten, so daß eine vollständige nichtsperrende B-Betriebsart ohne Angleich verwirklicht ist. Zusätzlich ist die Ausgangsimpedanz gering und der Grad der Verzerrung klein, so daß der Aufbau und die Steuerung einfach durchführbar ist.

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Claims

DR W STOCKMAIR. DiPLlNG AIE ICAlTEC-.' DR. K. SCHUMANN. Din.!»«» PH JAKOB. DiPl. ING DR G BEZOLD. dipl-chem W. MEISTER. UPLiNG H HILGERS. oipl-ing DR H MEYER-PLATH. oipl ing PIONEER ELECTRONIC CORPORATION «-' DR U KINKELDEY. oipli No. 4-1, Meguro 1-chome f EN DRCXT DE L UNlV DE GEn£itE Megurö-ku Tokyo, Japan 8OOO MÜNCHEN 22 MAXIMILIANSTRASSE 58 10 P 19 064-011/Ms Gegentaktschaltkreis mit Eintaktausgang vom 15 Emitterfolgertyp Patentansprüche

1. Gegentaktschaltkreis mit Eintaktausgang vom Emitterfolgertyp, bei dem Widerstände zwischen dem Ausgang und den Emittern oder Quellen der Transistorausgänge verbunden sind, mit einem Treibertransistor, um jeweils einen dieser Ausgangstransistoren anzutreiben, dadurch gekennzeichnet, daß ein erster und ein zweiter komplementärer Stromspiegelungsschaltkreis (A.J , Α-,) vorgesehen ist und daß ein erster und ein zweiter komplementärer Differentialverstärkerschaltkreis (Ap, ,A₁.) vorgesehen ist, der den ersten bzw. den zweiten Stromspiegelschaltkreis (A₁, AO aufweist, die daran als Last angekoppelt sind,

wobei jeder dieses ersten und zweiten Differentialverstärkerschaltkreises (A₂, Aj₄) einen ersten Transistor (Q2_a> Q-2b^ aufweist, an den die Eingangssignalspannung

als Eingangssignal angelegt wird, einen zweiten Tranj sistor (Qo_a> Q35) ^an den eine Spannung am Ausgang (OUT) als Eingangssignal angelegt wird, wobei der zweite Transistor (Q₃^ _Q ) _paraii_ei mit dem ersten Transistor

(Q_2a, Ö2b^ geschaltet ist und mit einem dritten Transistor (Qj|_a, Qijb) ^{an den} eine Spannung, die der Emitter oder Source-Spannung jeweils eines der Ausgangstransistoren entspricht, als Eingangsspannung angelegt wird, wobei der Kollektor oder Drainausgang dieses dritten Transistors (QiIa' %b^ ^{als Treiberaus}g^ang ^für jeweils einen der Treibertransistoren (Q₇₃, $γκ) dient.

2. Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch g e k e η η -

zeichnet, daß eine erste und eine zweite Konstantstromquelle (I_ , I-ib^ vorgesehen ist, die einen ersten Anschluß besitzen, der jeweils mit den Leistungsversorgungseingängen verbunden ist und die mit dem Emitter oder Source des ersten bis dritten Transistors jeweils *° eines der Differentialverstärker (Ap, A₁.) verbunden sind.

3. Gegentaktschaltkreis mit Eintaktausgang vom Emitterfolgertyp bei dem Widerstände zwischen einem Ausgang und Emittern oder Sources von Ausgangstransistoren ge-

*Q schaltet sind und bei dem Treibertransistoren vorgesehen sind, um jeweils einen der Ausgangstransistoren anzusteuern, dadurch gekennzeichnet, daß erste und zweite komplementäre Stromspiegelschaltkreise (A. und Ao) vorgesehen sind, daß erste und zweite komplementäre Differentialverstärkerschaltkreise (Ap, A₁.) vorgesehen sind, die diese ersten und zweiten Stromspiegelschaltkreise als Anschlußlast aufweisen, wobei jeder der ersten und zweiten Differentialverstärkerkreise einen ersten Transistor (Qp_a> Q?b^ ^umf"^aßtf einen zweiten Transistor (Q-, , Q₂-) an den die Ausgangsspannung (OUT) · als Eingangssignal angelegt ist und der parallel zu dem ersten Transistor (Q?_a» Q?b^ geschaltet ist, und einen dritten Transistor (Q₁, , Qn_b) an den eine Spannung als Eingangssignal angelegt ist, die der Emitter oder Source-Spannung der jeweiligen Ausgangstransistoren (Qg , entspricht, zwei Konstantspannungsquellen (I-j_a> ^ib

und zwei vierte Transistoren (Q₁ , Q_1b), die mit jeweils einer der Konstantspannungsquellen (I₁ , I_1b) und mit dem Eingang des jeweiligen ersten Transistors (Q₂ , Q?b^ verbunden ist und die vom Ausgang des jeweiligen Differentialverstärkerschaltkreises (Ap, A₁.) angetrieben werden, um von den Konstantspannungsquellen Strom aufzunehmen.

4. Schaltkreis nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Eingangssignal an die Eingangs- anschlüsse der ersten Transistoren (Q₂ , Q_2b) angelegt wird.

5. Schaltkreis nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Konstantspannungsquellen (I₁ , I₁. ) als Eingangssignalstromquellen angeschlossen sind.