DE3424530A1 - Verfahren zur herstellung einer orientierungsschicht auf einer ebenen oberflaeche einer platte und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens - Google Patents
Verfahren zur herstellung einer orientierungsschicht auf einer ebenen oberflaeche einer platte und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrensInfo
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Description
59/84
ot/sc
Verfahren zur Herstellung einer Orientierungsschicht auf
einer ebenen Oberfläche einer Platte und Vorrichtung zur
Durchführung des Verfahrens
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung
einer Orientierungsschicht auf einer ebenen Oberfläche einer Platte gemäss dem Oberbegriff des Anspruchs
sowie eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens. Ein solches Verfahren ist z.B. aus der US-PS 3 834 792
bekannt.
Ein solches Verfahren ist vor allem zur Herstellung von Orientierungsschichten auf den dem Flüssigkristall zugewandten
Substratoberflächen in Flüssigkristallanzeigen geeignet. Dabei werden auf besagten Oberflächen durch
schräges Aufdampfen von beispielsweise SiO Strukturen, etwa Anordnungen geneigter säulenartiger Elemente erzeugt
(siehe Goodman, L.A.; et al.: Topography of Obliquely Evaporated Silicon Oxide Films and its Effect on Liquid-Crystal
Orientation, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. ED-24, No. 7, 1977, S. 795-804), welche die optische
Achse des Flüssigkristalls in der an die Substratoberfläche
anschliessenden Grenzschicht parallel zu einer Vorzugsrichtung orientieren und damit aufgrund der Kohärenz inner-
halb des Flüssigkristalls dessen Konfiguration in der
ganzen Anzeigezelle wesentlich beeinflussen.
Bei dem aus der US-PS 3 834 792 bekannten Herstellungsverfahren
werden die zu beschichtenden Substratplatten in einer Vakuumapparatur paarweise oberhalb einer im wesentlichen
punktförmigen Verdampfungsquelle so angeordnet, dass der von der Quelle ausgehende Teilchenstrom mit einem
auf die Plattennormalen bezogenen Einfallswinkel von etwa 80° auf die Plattenoberflächen auftrifft. Die relative
räumliche Lage der Platten und der Quelle ändert sich
dabei während des AufdampfVorgangs nicht.
Da die durch die Orientierungsschichten bestimmte Vorzugsrichtung der optischen Achse an jedem Punkt der Oberfläche
nicht nur von der Dicke der Orientierungsschicht, sondern vor allem empfindlich von der Einfallsrichtung des von
der Quelle ausgehenden Teilchenstroms abhängt- der Vorverkippungswinkel
zwischen der Vorzugsrichtung und der Oberfläche hängt dabei vom Einfallswinkel des Teilchenstroms
ab (siehe auch: Scheffer, T.J.; Nehring, J: Accurate determination
of liquid-crystal tilt bias angles, J. Appl.
Phys., Vol. 48, No. 5, 1977, S. 1783-1792), während die azimutale Orientierung der Vorzugsrichtung derjenigen
des einfallenden Teilchenstroms entspricht - kann auf diese Weise wegen der räumlichen Divergenz des Teilchenstroms
eine gleichmässige Ausrichtung der Vorzugsrichtung über die gesamte Plattenoberfläche nur erreicht werden,
wenn der Abstand zwischen Quelle und Oberfläche im Vergleich zur Ausdehnung der letzteren sehr gross ist.
Eine solche Gleichmässigkeit ist, jedenfalls was die azimutale
Orientierung betrifft - Ungleichmässigkeit der Vorverkippung wirkt sich weniger stark aus - unbedingt
erforderlich, um befriedigende optische Eigenschaften
der Flüssigkristallanzeige zu erreichen.
Um beispielsweise bei grossflächigen Matrixanzeigen mit
192 Punkten χ 280 Punkten und einer aktiven Fläche von etwa 14 cm χ 20 cm eine Orientierungsschicht mit einer
tolerierbaren azimutalen Variation von weniger als 5° herzustellen, wäre mit dem bekannten Verfahren ein Abstand
von der Quelle zur Substratoberfläche von mehr als 230 cm
erforderlich. Ein derartiger Abstand liesse sich nur in
grossen Vakuumkammern realisieren, mit entsprechend erhöhten Anlagekosten, längeren Abpumpzeiten und geringerem
Plattendurchsatz.
Andererseits führen die üblichen Bedampfungsabstände von
etwa 30 cm, wie sie in den kleineren Vakuumkammern erreichbar sind, bei dem bekannten Verfahren und der genannten
Plattengrösse zu Variationen in der azimutalen Orientierung von etwa 30°. Variationen solcher Grössenordnung
und die damit verbundenen Variationen im Verdrillungswinkel des Flüssigkristalls verursachen jedoch Schwankungen
in der Farbe, der Betriebsspannung und der Ansprechzeit der fertigen Anzeigezelle, die nicht toleriert werden
können.
Bei einem weiteren bekannten Verfahren (Koshida, N.: Largearea
quashihomeotropic orientation of liquid crystal and its application to guest-host positive display, J. Appl.
Phys., Vol. 52, No. 9, 1981, S. 5534-5536) wird statt der punktförmigen eine linear ausgedehnte Quelle von etwa
40 mm Länge verwendet. Es ist jedoch aus geometrischen Gründen klar, dass nur eine unendlich ausgedehnte Quelle
zu einer wirklich gleichmässigen azimutalen Orientierung der Vorzugsrichtung über die gesamte bedampfte Oberfläche
führen könnte. Eine begrenzte lineare Ausdehnung der Quelle kann die Ungleichmässigkeit nur mildern. Zudem erhöht
die Ausdehnung der Quelle die Ungleichmässigkeiten in
der Teilchenstromdichte und beeinträchtigt die Anwendung
eines Elektronenstrahl-Verdampfungsverfahrens.
Es ist darüber hinaus ein Verfahren bekannt (Hiroshima, K.: Controlled High-Tilt-Angle Nematic Alignment Compa-
tible with Glass Frit Sealing, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.
21, No. 12, 1982, S. L761-L763), bei welchem die Substratplatte während des Aufdampfvorgangs mit winkelabhängiger
Winkelgeschwindigkeit gedreht wird, so dass sich der Azimut des auf die Plattenoberfläche auftreffenden Teilchenstroms
ständig ändert.
Abgesehen davon, dass eine vollständig gleichmässige azimutale
Orientierung der Vorzugsrichtung bei grossen Platten und relativ kleinem Abstand Quelle - Platte auf diese
Weise nicht erreicht werden kann, ist die zur Durchführung des Verfahrens erforderliche Vorrichtung kompliziert und
aufwendig, da für jede Platte eine eigene drehbare Halterung mit entsprechend gesteuertem Antrieb erforderlich ist.
Die Zahl der Platten, die im gleichen Arbeitsgang bedampft werden können, ist daher gering.
Es ist schliesslich für die selektive Beschichtung von mit parallen Rillen versehenen Polarisationsplatten aus
der US-PS 3 046 839 ein Verfahren bekannt, bei dem die zu einer Seite orientierten Rillenflanken durch einen
schräg auftreffenden Teilchenstrom mit einer Metallschicht
versehen werden und die Stäbe eines Polarisationsgitters bilden. Um die Flächen der Rillenflanken möglichst gleichmassig
hinsichtlich Dicke und Ausdehnung beschichten zu können, ist hier eine Blende zwischen Quelle und Platte
vorgesehen, die einen Teilstrom ausblendet, durch den die Platte im Verlauf des AufdampfVorgangs im wesentlichen
parallel zum Teilchenstrom hindurchbewegt wird. Die aufgedampfte Metallschicht hat lediglich die Funktion einer
lichtundurchlässigen Schicht. Durch die im wesentlichen parallel zum Teilchenstrom durchgeführte Verschiebung
ergibt sich zwar ein gleichmässiger Einfallswinkel, die
azimutale Variation der Einfallsrichtung über die Plattenfläche bleibt jedoch davon unbeeinflusst, so dass eine
Anwendung des bekannten Verfahrens zur Herstellung einer Orientierungsschicht für Flüssigkristalle gerade hinsieht-
lieh der wichtigen azimutalen Orientierung keine Verbesserung
herbeiführt.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein gattungsgemässes
Verfahren anzugeben, mittels dessen auf grossen Oberflächen bei geringem Abstand zwischen Quelle und Oberfläche eine
Orientierungsschicht mit gleichmässiger Ausrichtung der
Vorzugsrichtung, insbesondere was die azimutale Orientierung betrifft, hergestellt werden kann, sowie eine
kostengünstig herstellbare Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.
Die Aufgabe wird durch die Erfindung, wie sie in Ansprüchen
gekennzeichnet ist, gelöst.
Die durch die Erfindung erreichten Vorteile sind vor allem darin zu sehen, dass alle Punkte der bedampften Oberfläche
dem einfallenden Teilchenstrom bezüglich der azimutalen Orientierung in genau der gleichen Weise ausgesetzt werden.
Dadurch ergibt sich eine vollkommene Gleichmässigkeit in der azimutalen Orientierung der Vorzugsrichtung der
optischen Achse des Flüssigkristalls an der Orientierungsschicht. Die Plattengrösse ist dabei in einer Richtung
praktisch nur durch die Abmessungen der Vakuumkammer beschränkt. Der Abstand zwischen der Quelle und dem derselben
zugewandten Plattenrand kann so klein sein, dass er auf den Platzbedarf und damit auf die Grosse der Vakuumkammer
keinen nennenswerten Einfluss hat.
Zudem ist es mit dem erfindungsgemässen Verfahren möglich,
verhältnismässig viele Platten in einem einzigen Arbeitsgang zu bedampfen, was dessen Wirtschaftlichkeit beträchtlich
erhöht.
Die erfindungsgemässe Vorrichtung zur Durchführung des
Verfahrens zeichnet sich durch Einfachheit und Robustheit aus und kann preiswert hergestellt werden.
. 8.
Nachfolgend soll nun die Erfindung unter Bezug auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert
werden. Es zeigen:
Fig. 1 die geometrische Konfiguration von Quelle, Blende
und Platte bei dem erfindungsgemässen Verfahren in perspektivischer Darstellung;
Fig. 2a ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemässen
Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens in Seitenansicht am Beginn eines Arbeitsgangs;
Fig. 2b die gleiche Vorrichtung am Ende des Arbeitsganges; Fig. 3 die Vorrichtung gemäss Fig. 2a in Vorderansicht;
Fig. 4a in Seitenansicht die Durchführung des erfindungsgemässen
Verfahrens anhand einer schematischen Darstellung, aus der die azimutale Orientierung
hervorgeht;
Fig. 4b die schematische Darstellung der Fig. 4a in Vorderansicht ;
Fig. 5 die beim Aufdampfen auf eine gekrümmte Platte wesentlichen geometrischen Parameter;
Fig. 6a die schematische Anordnung eines Stapels gekrümmter Platten gemäss einer Weiterbildung der Erfindung;
Fig. 6b die Draufsicht auf eine bevorzugte Form der Blendenöffnung
für eine Anordnung gemäss Fig. 6a;
Fig. 7 die Deformation der gekrümmten Platten nach Fig. 6a in Abhängigkeit von der Plattenlänge.
. ήο-
Die in Fig. 1 dargestellte geometrische Konfiguration
für die Durchführung des erfindungsgemässen Verfahrens
zeigt in perspektivischer Darstellung eine in einer Quellenebene 17 liegende, vorzugsweise punktförmige Quelle 1,
eine parallel zu der Quellenebene 17 in einigem Abstand angeordnete, nur ausschnittsweise eingezeichnete Blende
3 mit einer Blendenöffnung 4, die der Einfachheit halber als quadratische Oeffnung dargestellt ist. Oberhalb der
Blende 3 befindet sich eine Platte 2, auf deren eine Oberfläche 13 ein Teilchenstrom fällt, der von der Quelle
1 ausgeht und durch die Blendenöffnung 4 begrenzt wird.
Die Platte 2 ist aus einer gestrichelt eingezeichneten Ursprungslage, die zur Quellenebene 17 senkrecht steht,
um eine Kippachse 12 und einen Kippwinkel £* so gekippt,
dass die Oberfläche 13 der Quelle 1 zugewandt ist.
Die Quelle 1, die SiO, SiO2, TiO2, MgF-, Al2O, oder ein
anderes zur Herstellung von Orientierungsschichten geeignetes
Material enthält, wird durch eine Widerstandsheizung oder mittels eines Elektronenstrahls zur Aussendung des
Teilchenstroms veranlasst. Auch andere Verfahren zur Erzeugung eines Teilchenstroms sind denkbar, sofern der
resultierende Strom hinreichend gerichtet ist, um mit einem definierten Einfallswinkel auf die Oberfläche 13
der Platte 2 aufzutreffen.
Die Platte 2 ist so positioniert, dass der Teilchenstrom die Oberfläche 13 überall unter einem Einfallswinkel & ψ
trifft, wobei der Einfallswinkel !^ wie üblich als Winkel
zwischen einen Strahl des Teilchenstroms und der Plattennormalen gemessen wird.
Erfindungsgemäss werden die Platte 2 und die Quelle 1
relativ zueinander, parallel zur Oberfläche 13 und im wesentlichen quer zur Richtung des Teilchenstroms mit
konstanter Geschwindigkeit von einer ersten Position nach
einer zweiten Position verschoben. Die relative Verschiebung kann einerseits dadurch bewirkt werden, dass die
Platte 2 in Ruhelage gehalten, dafür aber das System aus Quelle 1 und Blende 3 verschoben wird. Diese Art der Ver-Schiebung
erfordert bei einer mit Widerstandsheizung arbeitenden Quelle jedoch flexible Hochstromzuführungen. Die
relative Verschiebung wird daher andererseits bevorzugt durch ein Verschieben der Platte 2 erreicht, während die
Quelle 1 und die Blende 3 in ihrer Position fixiert sind.
Die Verschiebung der Platte 2 erfolgt gemäss einem bevorzugten
Ausführungsbeispiel des erfindungsgemässen Verfahren
längs einer Geraden, die parallel zur Kippachse 12 und damit auch parallel zur Quellenebene 17 verläuft und in
Fig. 1 durch die eingezeichneten Pfeile markiert ist.
Die Blendenöffnung 4, z.B. eine schlitzförmige Oeffnung
konstanter Breite, lässt nur einen in Verschiebungsrichtung derart beidseitig begrenzten Teilchenstrom durch,
dass die Platte 2 in der ersten Position und in der zweiten Position ausserhalb desselben liegen und ihn im Verlauf
der Verschiebung vollständig durchquert. Bei einer solchen zwischen der ersten und zweiten liegenden mittleren Position,
fällt, wie in Fig. 1 dargestellt, der Teilchenstrom auf eine Teilfläche 11 der Oberfläche 13. Im Extremfall
kann diese Teilfläche 11 auch mit der gesamten Oberfläche 13 identisch sein.
Die erste und zweite Position, zwischen denen die Platte verschoben wird, sind in den Fig. 2a und 2b im Zusammenhang
mit einem Ausführungsbeispiel der Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens dargestellt. Oberhalb der
Quelle 1 und der Blende 3 mit der Blendenöffnung 4 ist eine Mehrzahl von Platten 2 quer zur Verschiebungsrichtung
aufeinanderfolgend in zwei fächerförmigen Konfigurationen
auf einem Wagen 6 angeordnet, der längs zwei Schienen, von denen nur die eine 7a sichtbar ist, verschoben werden
kann. Der Wagen 6 weist eine sich in Verschiebungsrichtung
•Ä·
erstreckende Zahnstange B auf, mit welcher ein Zahnrad 9 im Eingriff steht. Das Zahnrad 9 bewirkt so, angetrieben
von einem Elektromotor 10, die Verschiebung des Magens 6 mit den Platten 2.
Die Blendenöffnung 4 liegt bei der gezeigten Anordnung
vorzugsweise symmetrisch zu einer Mittelebene 5, die durch die Quelle 1 geht und senkrecht zur Verschiebungsrichtung
und damit auch zur Kippachse 12 der Fig. 1 verläuft.
Fig. 3 zeigt die in Fig. 2a und 2b dargestellte Vorrichtung in Vorderansicht, d.h. in der Verschiebungsrichtung gesehen.
Zwischen den beiden Schienen 7a und 7b sind hier deutlich die fächerförmigen Konfigurationen won zweimal 7 Platten
2 zu erkennen, von denen jede im Bezug auf die Quelle 1 gerade soweit positioniert und geneigt ist, dass ihre
eine Oberfläche in der Höhe von dem Teilchenstrom voll ausgeleuchtet wird, dass sie jedoch eine benachbarte Platte
nicht abschattet.
Jeder Punkt auf der Platte 2 liegt auf einer Linie in
der Plattenebene, die parallel zur Verschiebungsrichtung verläuft, wie in Fig. 4a durch die beispielhaft eingezeichneten
Linien a, b und c angedeutet. Bei der Verschiebung der Platte 2 durch den Teilchenstrom tritt ein auf den
Linien a, b oder c liegender Punkt am Ort P , P. oder
P in den Teilchenstrom ein und verlässt ihn am Ort Q , c a
Q. oder Q wieder. Dabei werden auf ein und derselben b c
Linie liegende Punkte in zeitlicher Aufeinanderfolge genau
der gleichen Ueberlagerung von Einfallsrichtungen des auftreffenden Teilchenstroms ausgesetzt, was eine genau
gleichmässige Ausbildung der Orientierungsschicht entlang dieser Linien garantiert.
Liegen die Punkte auf verschiedenen Linien, so unterscheiden sich zwar die zugehörigen EinfallswinkellA" , \l·. und γ'
- es gilt, wie man aus Fig. 4b erkennt, J- <
y4-. «^ iA -
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aber, bei konstanter Oeffnungsbreite durchläuft die Einfallsrichtung
genau die gleichen azimutalen Orientierungen, wenn auch bei weiter von der Quelle 1 entfernten, etwa
auf der Linie c liegenden Punkten in einem längeren Zeitabschnitt als bei näher an der Quelle, etwa auf der Linie
a, liegenden. Daraus ergibt sich eine gleichmässige Ausbildung der Orientierungsschicht bezüglich der azimutalen
Orientierung der Vorzugsrichtung der optischen Achse des
Flüssigkristalls über die gesamte Oberfläche der Platte
Beispiel: In einer Standard-Vakuumkammer vom Typ BA-710
der Firma Balzers wurden in einer Anordnung gemäss Fig.
2a, b zwei Substratplatten der Grosse 24 cm χ 20 cm mit
SiO durch eine Blendenöffnung mit 4 cm Breite bedampft. Der Abstand von der Quelle zum unteren 24 cm langen Rand
der Substratplatten betrug dabei 30 cm. Bei einer Verschiebungsgeschwindigkeit von 4 cm/min wurde in ca. 8 min eine
Orientierungsschicht aufgedampft. Ein auf einer Substratoberfläche sitzender Beobachter hätte bei dieser Geometrie
die Quelle über einen Bogen von ca. 8° wandern sehen.
Die geringfügigen Unterschiede im Einfallswinkelγ schlagen
sich höchstens in ebenso geringfügigen Abweichungen des
Winkels zwischen der optischen Achse des Flüssigkristalls an der Orientierungsschicht einerseits und der Oberfläche
andererseits, d.h. der Vorverkippung, nieder, was einen merklich geringeren Einfluss auf die elektrooptischen
Eigenschaften der fertigen Flüssigkristallanzeige ausübt.
Obgleich durch die relative Verschiebung zwischen Platte 2 und Quelle 1 gemäss der Erfindung die azimutale Orientierung
der aufgedampften Orientierungsschicht über die gesamte
Oberfläche 13 vollkommen gleichmässig ist, bleiben dennoch Variationen im Einfallswinkel vA(siehe Fig. 4b) sowie
insbesondere Variationen in der Dicke der aufgedampften
Schicht, die von der besonderen Intensitätsverteilung
des von der Quelle 1 emittierten Teilchenstroms sowie
vom Abstand Quelle-Platte herrühren.
Im praktischen Fall einer 35,5 cm χ 35,5 cm (14 inch χ 14 inch)
grossen Substratplatte, die relativ/ zur Quelle so positioniert
ist, dass der Einfallswinkel des auftreffenden Teilchenstroms
im Zentrum der Platte etwa 85° beträgt und deren Zentrum 64 cm von der Quelle entfernt ist, wächst
die Schichtdicke um einen Faktor 3 und der Einfallswinkel nimmt von 86,1° auf 83° ab, wenn man von der oberen zur
unteren Plattenkante fortschreitet.
Um die Variation im Einfallswinkel Ϋ* zu verringern oder
ganz auszuschalten, wird die Platte 2 gemäss einer Weiterbildung
des erfindungsgemässen Verfahrens während der
Verschiebung zur Quelle 1 hin konkav gebogen gehalten. Die für die Aufdampfung auf eine gekrümmte Substratplatte
wesentlichen geometrischen Parameter sind in Fig. 5 wiedergegeben .
Die in der Quellenebene 17 liegende Quelle 1 emittiert
den Teilchenstrom, der auf die gekrümmte Platte 2 auftrifft. Fig. 5 zeigt diese Anordnung in einem Schnitt
durch die Mittelebene 5. Der obere Randstrahl des Teilchenstroms, der den oberen Rand der Platte 2 trifft, schliesst
mit der Quellenebene 17 einen Winkel^, ein und legt
eine Entfernung r, zurück. Der untere Randstrahl, der
den unteren Rand der Platte trifft, hat entsprechende Werte (o r\ und Γη· Jedem zwischen den beiden Randstrahlen
liegenden Teilchenstrahl des Teilchenstroms kann in gleicher Weise ein Winkel ό und eine Entfernung r sowie ein Einfallswinkel
\^ zugeordnet werden, welcher durch die im Auftreffpunkt
an der gekrümmten Platte 2 anliegende Tangente bzw. deren Normale definiert ist.
Zusätzlich ist in Fig. 5 eine Blendenebene 14 eingeführt. Der Schnittpunkt der Blendenebene 14 mit dem Teilchen-
• /15-
strahl (A?, r) definiert einen linearen Parameter x, der
den Teilchenstrahl festlegt. Die Forderung nach einem von den Parametern r, ρ bzw. χ unabhängigen Einfallswinkel
V^* führt auf die Gleichung einer mathematischen Kurve,
die als logarithmische Spirale bekannt ist und in den bereits definierten Polarkoordinaten /b>
und r wie folgt geschrieben werden kann:
(1) r = r0 exp U β - /&Q)/tan (90 - f )) ,
wobei die Koordinaten rQ, A 0 dem Auftreffpunkt des unteren
Randstrahls als einem festen Referenzpunkt zugeordnet sind.
Die Polarkoordinaten r,, Io , für den Auftreffpunkt des
oberen Randstrahls erhält man aus der Bedingung, dass das Linienintegral über ein Kurvenstück der durch (1)
definierten logarithmischen Spirale gleich der Höhe h der Platte 2 sein muss:
(2) Ji1 = ßQ + tan (90 -f) In (1 + (h · cos(90 -y-))/rQ) ,
(3) T1 = r0 exp ((A1 -^0)/tan(90 -
Aus den Gleichungen (1), (2) und (3) können bei bekannter Plattenhöhe und vorgegebenem Einfallswinkel J^ die entsprechenden
Lagen und Krümmungen für eine Mehrzahl von fächerförmig angeordneten Platten gemäss Fig. 3 berechnet
werden. Das Ergebnis einer solchen Rechnung für Platten 2 ist in Fig. 6a wiedergegeben.
Wie aus Fig. 6a ersichtlich, ist die für einen gleichförmigen Einfallswinkel^**'- im Beispiel der Fig. 6a ist
)H - 85° - erforderliche Krümmung der Platten gering.
Dies wird besonders deutlich aus der Fig. 7, in der in vergrössertem Massstab die Abweichung D der vierzehn 35,5 cm
langen Platten aus Fig. 6a von einer geraden Grundlinie
• 4i>-
in Abhängigkeit von der Länge L aufgetragen ist. Entsprechen
der Anordnung der 14 Platten zu zwei symmetrischen Fächern mit je 7 Platten ergeben sich 7 verschiedene Krümmungskurven,
wobei die Krümmung von den aussenliegenden zu den innenliegenden Platten der Fig. 6a hin zunimmt
und im Maximum etwa 2 mm beträgt.
Da als Substratplatten beispielsweise Glasplatten mit einer Dicke von etwa 0,7 mm verwendet werden, die ohne
Schwierigkeiten bei der angegebenen Grosse um mehr als
15 mm aus der Mitte herausgebogen werden können, treten bei der maximalen Abweichung von 2 mm gemäss Fig. 7 keine
Probleme auf.
Lage und Krümmung der Platten 2 in Fig. 6a können beispielsweise für den AufdampfVorgang durch senkrechte, seitlich
angebrachte Halterungsplatten fixiert werden, in die entsprechend gekrümmte Nute eingefräst sind, in die die Platten
2 eingeschoben werden. Die Halterungsplatten sind ihrerseits auf einem Wagen gemäss Fig. 3 montiert, der
in Fig. 6a der Uebersichtlichkeit halber nicht eingezeichnet
ist.
Eine andere Weiterbildung des erfindungsgemässen Verfahrens
berücksichtigt die Variation im Abstand Quelle-Platte sowie die gegebene Intensitätsverteilung des von der Quelle
1 ausgehenden Teilchenstroms. Diese Intensitätsverteilung
gehorcht näherungsweise einem cos (90° -A)-Gesetz - /?
ist hier wiederum der in Fig. 5 definierte Polarwinkel und
daher gilt für die Dicke d der aufgedampften Schicht,
wenn man einen konstanten Einfallswinkel voraussetzt, die folgende Proportionalität:
(4) d ^ (w/r) sin
wobei r der ebenfalls aus Fig. 5 bekannte Radius und w
die Weite der Blendenöffnung an der durch den Parameter χ
aus Fig. 5 festgelegten Stelle der Blendenebene 14 ist.
- W- 59/84
. /ir.
Um eine Orientierungsschicht konstanter Dicke zu erhalten, muss nach Formel (4) die Weite w proportional zu r/sin/S
sein. Unter Verwendung von Gleichung (1) und umschreiben erhält man:
(5) w(x) = k(l + x2/z2)1/2 exp((tan"1(z/-x)-/$0)/tan(90 -
mit einem Normierungsfaktor k und dem Abstand ζ zwischen
Quellenebene 17 und Blendenebene 14. Der Normierungsfaktor
k begrenzt die maximale Weite der Blendenöffnung auf praktikable
Werte, z.B. 70 mm.
Eine gemäss Gleichung (5) berechnete Blendenöffnung 4
in der Blende 3 der Fig. 6a ist in der Draufsicht in Fig. 6b
dargestellt. Die gesamte Blendenöffnung ist in Teilbereiche
16 aufgeteilt. Jeder der vierzehn Platten 2 ist ein eigener Teilbereich 16 zugeordnet, der einen entsprechenden Teilstrom
15 des gesamten Teilchenstroms ausblendet. Der zu einer ausgewählten Platte 21 gehörende Teilbereich 16
ist in Fig. 6b durch gestrichelte Begrenzungslinien markiert Innerhalb eines jeden Teilbereichs 16 ist die Weite w
durch Gleichung (5) in Abhängigkeit von der linearen Koordinate χ in der Blendenebene 14 gegeben. Der Einfachheit
halber sind alle Teilbereiche 16 zu einer grosser) Blendenöffnung 4 verbunden, wobei zwischen benachbarten Teilbereichen
entsprechende sägezahnförmige Uebergänge vorgesehen sind. Zusätzlich ist aus Fig. 6b zu ersehen, dass
die Weiten w der äusseren Teilbereiche gegenüber denen der inneren Teilbereiche etwas grosser sind, weil die
zugehörigen Platten von der Quelle 1 entsprechend weiter entfernt sind, und die Intensitätsverteilung mit kleiner
werdenden/? abfällt.
Eine von (4) abweichende Proportionalität erhält man unter
der Voraussetzung, dass die Platten beim Aufdampfen nicht
342A530 _"ys 1 ' ' : '"' ' 59/84
gemäss einer logarithmischen Spirale gebogen, sondern
eben gehalten werden (siehe f"ig. 3), d.h. der Einfallswinkel
lAnicht konstant ist:
d
d
(6) d/v(w/rs) · sin Δ · r · cos/ .
f ro j η
und )ß- sind dabei die Länge und der Einfallswinkel
(J m
eines Strahles des Teilchenstroms, der in der Mittelebene
5 liegt und die Oberfläche 13 der Platte 2 auf der horizontalen
Mittellinie der Platte trifft.
Die Bedingung konstanter Dicke d führt in diesem Fall zu der folgenden Proportionalität zwischen der Weite w
und den anderen Grossen:
(7) w Aj (rVsin/4) · (l/(r
Insgesamt ermöglicht das erfindungsgemässe Verfahren die
Herstellung einer Orientierungsschicht mit wollständig gleichmässiger azimutaler Orientierung. Weiterbildungen
des erfindungsgemässen Verfahrens eliminieren darüber
hinaus Variationen des Einfallswinkels sowie der Dicke
der aufgedampften Schicht, so dass auf einfache Weise
grosse Substratplatten für Flüssigkristallanzeigen mit in allen Parametern gleichmässigen Orientierungsschichten
versehen werden können, und die mit solchen Orientierungsschichten versehenen Flüssigkristallanzeigen vollkommen
gleichmässige optische und elektro-optische Eigenschaften
aufweisen.
Claims (10)
1. Verfahren zur Herstellung einer Orientierungsschicht auf einer ebenen Oberfläche (13) mindestens einer Platte
(2, 21), bei welchem Verfahren die Oberfläche (13) einem auf dieselbe unter einem Einfallswinkel (>*) φ·
auftreffenden, von einer Quelle (1) ausgehenden, divergenten Teilchenstrom ausgesetzt wird, dadurch gekennzeichnet,
dass
- zwischen der Quelle (1) und der Platte (2, 21) eine
Blende (3) mit einer Blendenöffnung (4) angebracht ist,
- die Platte (2, 21) und die Quelle (1) relativ zueinander,
parallel zur Oberfläche (13) und im wesentlichen quer zur Richtung des Teilchenstroms mit näherungsweise
konstanter Geschwindigkeit von einer ersten Position nach einer zweiten Position verschoben werden,
und
- die Blendenöffnung (4) nur einen in der Richtung
der Verschiebung derartig beidseitig begrenzten Teilchenstrom
durchlässt, dass die Oberfläche (13) der Platte (2, 2') in der ersten und zweiten Position
ausserhalb des begrenzten Teilchenstroms liegt und ihn im Laufe der Verschiebung durchquert.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass bei der Verschiebung die Quelle (1) und die Blendenöffnung
(4) fixiert sind, und die relative Verschiebung ausschliesslich durch eine Verschiebung der Platte
(2, 2') bewirkt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass
- die Quelle (1) im wesentlichen punktförmig ist,
- die Blendenöffnung (4) symmetrisch zu einer durch
die Quelle (1) gehenden Mittelebene (5) liegt, und
- die Verschiebung der Platte (2, 2') längs einer Geraden
erfolgt, die auf der Mittelebene (5) senkrecht steht.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die quer zur Verschiebungsrichtung angeordneten
Grenzen der Blendenöffnung (4) parallel v/erlaufen und
senkrecht zur Verschiebungsrichtung ausgerichtet sind.
5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die quer zur Verschiebungsrichtung angeordneten
Grenzen der Blendenöffnung (4) in dem für die Platte
(2, 2') wesentlichen Blendenbereich so verlaufen, dass die in der Verschiebungsrichtung gemessene Weite (w)
der Blendenöffnung (4) näherungsweise proportional
zu (rVsinp) (l/(r · cosy )) ist, wobei r und /o
I m ο m /
die Polarkoordinaten eines in der Mittelebene (5) und
auf der Oberfläche (13) liegenden Punktes in einem auf die Quelle (1) bezogenen Polarkoordinatensystem
sind, welcher Punkt mit der Quelle (1) durch eine Gerade verbunden ist, die die Oeffnung (4) im Bereich derselben
Oeffnungsweite (w) durchschneidet, und wobei r und y die Länge und der Einfallswinkel eines in der Mittel-
o m
ebene (5) liegenden Strahles des Teilchenstroms sind, der die Oberfläche (13) der Platte (2) auf der horizontalen
Mittellinie der Platte (2) trifft.
6. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Platte (2, 2') während der Verschiebung zur
Quelle (1) hin konkav gebogen gehalten wird, und die Schnittlinie der Platte (2, 2") mit der Mittelebene
(5) im wesentlichen dem Verlauf einer logarithmischen Spirale der Form r = rQ exp((/£ ->oQ)/tan(90 - V*" ))
folgt, wobei r, A und Tn, A~ die Polarkoordinaten
zweier auf der Schnittlinie liegenden Punkte in einem auf die Quelle (1) bezogenen Polarkoordinatensystem
sind und iA der Einfallswinkel des im Punkt (r,/?) auftreffenden
Teilchenstroms ist.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die quer zur Verschiebungsrichtung angeordneten
Grenzen der Blendenöffnung (4) in dem für die Platte
(2, 21) wesentlichen Blendenbereich so verlaufen, dass die in der Verschiebungsrichtung gemessene Weite (w)
der Blendenöffnung (4) näherungsweise proportional zu r/sin/i? ist, wobei r und fi>
die Polarkoordinaten eines in der Mittelebene (5) und auf der Oberfläche
(13) liegenden Punktes in einem auf die Quelle (1) bezogenen Polarkoordinatensystem sind, welcher Punkt
mit der Quelle (1) durch eine Gerade verbunden ist, die die Oeffnung (4) im Bereich derselben Oeffnungsweite
(w) durchschneidet.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, dass mehrere quer zur Verschiebungsrichtung aufeinanderfolgend fächerförmig angeordnete Platten
(2, 21) zugleich verschoben werden.
9. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sie wenigstens eine in
Verschiebungsrichtung verlaufende Schiene (7a, 7b) aufweist sowie einen Wagen (6) bzw. Schlitten, welcher
längs der Schiene (7a, 7b) verschiebbar ist.
10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass sie ein antreibbares, ortsfestes Zahnrad (9) aufweist,
welches mit einer am Wagen (6) bzw. Schlitten angebrachten, sich in Verschiebungsrichtung erstreckenden
Zahnstange (8) in Eingriff steht.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19843424530 DE3424530A1 (de) | 1984-03-02 | 1984-07-04 | Verfahren zur herstellung einer orientierungsschicht auf einer ebenen oberflaeche einer platte und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
US06/704,775 US4705359A (en) | 1984-03-02 | 1985-02-25 | Process and apparatus for the production of an orientation layer on a plane surface of a plate, and liquid crystal substrate plate produced thereby |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4897290A (en) * | 1986-09-26 | 1990-01-30 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. | Method for manufacturing the substrate for liquid crystal display |
JPS63237031A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 液晶表示素子 |
US5013139A (en) * | 1989-10-30 | 1991-05-07 | General Electric Company | Alignment layer for liquid crystal devices and method of forming |
US5011268A (en) * | 1989-10-30 | 1991-04-30 | General Electric Company | Inorganic alignment layer for liquid crystal devices and method of forming |
US4980041A (en) * | 1989-10-30 | 1990-12-25 | General Electric Company | Method of making liquid crystal devices with improved adherence |
EP0518333B1 (de) * | 1991-06-14 | 2002-08-28 | Hughes Aircraft Company | Verfahren zum vertikalen Ausrichten von Flüssigkristallen |
JP3132193B2 (ja) * | 1991-11-08 | 2001-02-05 | 日本ビクター株式会社 | 液晶表示デバイス及び液晶表示デバイスの製造方法 |
WO1994017438A1 (en) * | 1993-01-26 | 1994-08-04 | Hughes Aircraft Company | Liquid crystal cell with spacers and method of manufacturing same |
US6563560B2 (en) * | 2001-04-06 | 2003-05-13 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Apparatus and method of producing alignment layer for liquid crystal display |
US7070697B2 (en) * | 2003-04-14 | 2006-07-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Methods of making a read sensor with use of a barrier structure for depositing materials |
US20070148988A1 (en) * | 2005-12-23 | 2007-06-28 | Industrial Technology Research Institute | Fabrication method for alignment film |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3046839A (en) * | 1959-01-12 | 1962-07-31 | Polaroid Corp | Processes for preparing light polarizing materials |
US3834792A (en) * | 1972-04-10 | 1974-09-10 | Ncr | Alignment film for a liquid crystal display cell |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3962448A (en) * | 1974-03-11 | 1976-06-08 | Smithkline Corporation | 8-Alkyl and alkenyl-10-hydroxy-5H[1]benzopyranopyridine derivatives having polyphagic activity |
US3962488A (en) * | 1974-08-09 | 1976-06-08 | Ppg Industries, Inc. | Electrically conductive coating |
JPS5223358A (en) * | 1975-08-15 | 1977-02-22 | Hitachi Ltd | Process for fabricating a membrane for controlling the orientation of a liquid crystal display unit |
US4256787A (en) * | 1978-05-03 | 1981-03-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Orientation of ordered liquids and their use in devices |
-
1984
- 1984-07-04 DE DE19843424530 patent/DE3424530A1/de active Granted
-
1985
- 1985-02-25 US US06/704,775 patent/US4705359A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-03-01 GB GB08505274A patent/GB2156860B/en not_active Expired
-
1989
- 1989-10-05 HK HK784/89A patent/HK78489A/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3046839A (en) * | 1959-01-12 | 1962-07-31 | Polaroid Corp | Processes for preparing light polarizing materials |
US3834792A (en) * | 1972-04-10 | 1974-09-10 | Ncr | Alignment film for a liquid crystal display cell |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
JP-Z: Japan J.Appl.Physics 21, 1982, Nr. 12, S. L761-L763 * |
US-Z: IEEE Transact. on Electron Devices, Vol. ED-24, 1977, Nr. 7, S. 795-804 * |
US-Z: J.Appl.Physics 48, 1977, Nr. 5, S.1783-1792 * |
US-Z: J.Appl.Physics 52, 1981, Nr. 9, S.5534-5536 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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GB2156860B (en) | 1987-12-31 |
US4705359A (en) | 1987-11-10 |
GB2156860A (en) | 1985-10-16 |
HK78489A (en) | 1989-10-13 |
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GB8505274D0 (en) | 1985-04-03 |
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Legal Events
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D2 | Grant after examination | ||
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