DE3414065C2 - - Google Patents

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DE3414065C2
DE3414065C2 DE19843414065 DE3414065A DE3414065C2 DE 3414065 C2 DE3414065 C2 DE 3414065C2 DE 19843414065 DE19843414065 DE 19843414065 DE 3414065 A DE3414065 A DE 3414065A DE 3414065 C2 DE3414065 C2 DE 3414065C2
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layer
substrate
solvent
powder
component
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DE19843414065
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Johannes Fellinger
Werner 8000 Muenchen De Baumgartner
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Siemens AG
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Siemens AG
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Description

Die Erfindung betrifft eine Befestigung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 sowie ein Verfahren zur Herstellung einer der­ artigen Befestigung.
Aus der DE-OS 32 27 815 ist eine Anordnung der eingangs genann­ ten Art bekannt, bei welcher die Verbindungsschicht zwischen der Kontaktierungsschicht des Bauelements und der Kontaktober­ fläche des Substrats aus einer bei Spitzentemperaturen im Bereich von 425 bis 525°C gebrannten, Silberpulver enthaltenden Glaspaste gebildet wird. Das Glas, welches einen Erweichungspunkt im Bereich von 325 bis 425°C hat und bei Tem­ peraturen im Bereich von 420 bis 450 schmilzt, übernimmt da­ bei im wesentlichen die Aufgabe eines Bindemittels, d. h. die Befestigung der Bauelemente kann als eine Art Glasverklebung angesehen werden. Die elektrische Leitfähigkeit von derart aus Glas und Silber gebildeten Verbindungsschichten steigt erwar­ tungsgemäß mit dem Silbergehalt an. Bei einem als Obergrenze angegebenen Silbergehalt von 95 Gew.-% sollte der Silbergehalt im allgemeinen nicht über 90 Gew.-% liegen, da sonst die Haft­ festigkeit abfällt. Durch den als Binde- oder Klebemittel er­ forderlichen Glasanteil wird dann aber andererseits die elektrische und thermische Leitfähigkeit der Verbindungsschichten vermindert.
Auch gemäß dem Artikel aus Solid State Technology, Jan. 1984, Heft 1, S. 149 bis 157, kommt es bei der Befestigung von Si­ liziumchips mittels Silber-Glaspasten auf eine Reaktion zwischen Glas und Silizium an, wobei die Befestigung nach der dortigen Tabelle III noch verbessert wird, wenn sich auf der Siliziumoberfläche eine glasbildende Oxidschicht, sei es aus SiO2 oder Al2O3, befindet.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, für die Befestigung von elektronischen Bauelementen auf Substraten und insbe­ sondere für die Befestigung von Halbleiterchips auf System­ trägern Verbindungsschichten anzugeben, die bei einer guten Haftfestigkeit einen geringen elektrischen Übergangswider­ stand sowie einen kleinen Wärmewiderstand besitzen und er­ höhten Zuverlässigkeitsanforderungen genügen.
Diese Aufgabe wird bei einer gattungsgemäßen Anordnung da­ durch gelöst, daß die Verbindungsschicht ausschließlich aus durch Trockensintern verfestigtem Metallpulver besteht und sowohl an die Kontaktierungsschicht des Bauelements als auch an die Kontaktoberfläche des Substrats angesintert ist. Unter Trockensintern wird hierbei ein Sintervorgang verstanden, bei dem keine flüssige Phase auftritt. Beim Trockensintern liegen also die Herstellungstemperaturen so niedrig, daß kein Bestandteil schmelzflüssig wird und die Verfestigung des Metallpulvers durch eine reine Festkör­ perreaktion erfolgt. Dabei wird ausgehend von den Berührungs­ stellen der Metallpulverkörner untereinander bzw. der Metallpulverkörner mit der Kontaktierungsschicht des Bau­ elements und der Kontaktoberfläche des Substrats durch Halsbildung die Oberfläche und damit die Oberflächenenergie verringert. Durch Platzwechselvorgänge an der Oberfläche werden dann die Lücken aufgefüllt und das Porenvolumen ver­ ringert, wobei die Verbindungsschicht schrumpft. Das Ener­ gieminimum wird schließlich dadurch angestrebt, daß gleich­ zeitig von den Berührungsstellen aus eine Rekristallisation einsetzt. Das resultierende Gefüge einer derart trockenge­ sinterten und an die Kontaktierungsschicht und die Kontakt­ oberfläche angesinterten Verbindungsschicht kann durch Schliffbilder leicht sichtbar gemacht werden.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß das für die elektrische und thermische Leitfähigkeit einer Ver­ bindungsschicht erforderliche Metallpulver zur Verfestigung und zur Verbindung mit der Kontaktierungsschicht des Bauelements und der Kontaktoberfläche des Substrats unter vollständigem Verzicht auf Bindemittel, wie Glas oder Klebstoff, trockenge­ sintert werden kann. Die Verbindungsschicht ist also als eine an die Kontaktierungsschicht und die Kontaktoberfläche ange­ sinterte Sintermetallschicht ausgebildet, welche eine hohe me­ chanische Stabilität gewährleistet. Beim Sintern der Verbin­ dungsschicht kommt es dabei zu kettenartigen Strukturen der zusammengefritteten Metallpulverkörner, wobei jeweils zwei be­ nachbarte Metallpulverkörner einen elementaren elektrischen und thermischen Kontakt bilden. Die gesinterte Verbindungsschicht kann man sich dann als Parallelserienschaltung dieser elemen­ taren Kontakte vorstellen. Da die Ketten dieser Parallelserien­ schaltung nicht durch elektrisch nicht leitende bzw. thermisch schlecht leitende Bindemittel, wie Glas oder Klebstoff, unter­ brochen werden, zeichnen sich die gesinterten Verbindungs­ schichten durch einen äußerst geringen elektrischen Übergangs­ widerstand und einen sehr kleinen Wärmewiderstand aus. Weitere Vorteile der Sinterverbindungen bestehen darin, daß sie auch erhöhten Zuverlässigkeitsanforderungen genügen und bei nie­ driger Wärmebeanspruchung der elektronischen Bauelemente herge­ stellt werden können.
Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist die Verbindungsschicht aus dem Pulver eines Edelmetalles oder einer Edelmetall-Legierung gebildet. Derart hergestellte Verbindungs­ schichten weisen dann besonders niedrige elektrische Übergangs­ widerstände auf. Dabei hat es sich als besonders günstig herausgestellt, wenn die Verbindungsschicht aus Silberpulver gebildet ist, welches gemäß Ullmanns Enzyklopädie der techni­ schen Chemie, 4. Aufl., Bd. 21, S. 343, nahezu ausschließlich zu sintertechnischen Zwecken verwendet wird, jedoch ohne daß auf die Herstellung von Verbindungsschichten für elektronische Bau­ elementen hingewiesen wird. Außerdem kann die elektrische und thermische Leitfähigkeit noch dadurch weiter gesteigert werden, daß die Verbindungsschicht aus einem Metallpulver mit plättchenförmigen Pulverpartikeln gebildet ist.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung weist die Verbindungsschicht eine Schichtdicke zwischen 10 und 100 µm auf. Die relativ große Dicke der gesinterten Verbindungs­ schicht ist dabei für eine Optimierung der Temperaturwechsel­ festigkeit und der Lastwechselfestigkeit von Bedeutung.
Die Kontaktierungsschicht des Bauelements besteht vorzugs­ weise aus Silber, welches für das Ansintern der Verbindungs­ schicht besonders gut geeignet ist. Dabei ist es insbeson­ dere bei der Befestigung von Halbleiterchips zweckmäßig, wenn die Kontaktierungsschicht auf eine Diffusionssperr­ schicht aus Nickel aufgebracht ist und wenn die Diffusions­ sperrschicht auf eine Haftschicht aus Titan aufgebracht ist.
Für das Ansintern der Verbindungsschicht an die Kontakt­ oberfläche des Substrats hat es sich als besonders günstig herausgestellt, wenn die Kontaktoberfläche des Substrats durch eine Silberschicht oder durch eine Palladium/Nickel- Schicht gebildet ist.
Ein bevorzugtes Verfahren zur Herstellung einer erfindungs­ gemäßen Anordnung ist durch folgende Merkmale gekennzeich­ net:
  • a) eine aus Metallpulver und einem Lösungsmittel bestehende Paste wird schichtförmig auf die Kontaktierungsschicht des Bauelements und/oder die Kontaktoberfläche des Substrats aufgetragen,
  • b) das Bauelement wird auf das Substrat aufgesetzt,
  • c) das Lösungsmittel wird vollständig ausgetrieben,
  • d) die gesamte Anordnung wird zur Bildung der Verbindungs­ schicht auf Sintertemperatur erwärmt.
Ein derartiges Verfahren ist bei der Massenproduktion von Bauteilen besonders günstig, da die aus dem Metallpulver und einem Lösungsmittel bestehende Paste durch in der Klebe­ technik bereits bewährte Methoden wie Aufstempeln oder Siebdrucken aufgetragen werden kann. Besonders niedrige elektrische Übergangswiderstände werden dabei erzielt, wenn die Paste aus dem Pulver eines Edelmetalls oder einer Edel­ metall-Legierung und einem Lösungsmittel gebildet wird. Optimale Ergebnisse werden dabei dann erzielt, wenn die Paste aus Silberpulver und einem Lösungsmittel gebildet wird, wobei die Verwendung eines Silberpulvers mit plätt­ chenförmigen Pulverpartikeln mit einer Korngröße ≦15 µm bevorzugt wird.
Für die Herstellung und Verarbeitung der Paste hat sich die Verwendung von Cyclohexanol als Lösungsmittel besonders gut bewährt. Außerdem kann die Paste im Vakuum entgast werden, wodurch beim Vortrocknen bzw. Sintern eine Lunkerbildung sicher verhindert wird.
Insbesondere für die Massenproduktion von Bauteilen ist es günstig, wenn die Anordnung in einem Durchlaufofen unter Formiergas auf Sintertemperatur erwärmt wird. Das Tempera­ turprofil des Durchlaufofens wird dann zweckmäßigerweise derart eingestellt, daß zunächst das Lösungsmittel voll­ ständig ausgetrieben wird und dann erst die Anordnung auf Sintertemperatur erwärmt wird.
Die Anordnung kann auch unter gleichzeitiger Anwendung von Druck auf das Bauelement und das Substrat auf Sintertempera­ tur erwärmt werden. Besonders günstige Drucksinterverbindun­ gen können dabei dadurch erzielt werden, daß der Druck auf 80 bis 90 N/cm2 eingestellt wird. Dieses Durcksintern kann auch in einem Durchlaufofen vorgenommen werden. Steht kein Durchlaufofen zur Verfügung, so wird die Anordnung unter Schutz- oder Formiergas auf Sintertemperatur erwärmt. In diesem Fall ist es zweckmäßig, wenn das Lösungsmittel zuvor durch langsames Erwärmen über den Siedepunkt in einem Trockenschrank ausgetrieben wird.
Bei der Verwendung einer aus Silberpulver und einem Lösungs­ mittel gebildeten Paste beginnt der Sintervorgang bereits bei Temperaturen zwischen etwa 180 und 200°C. Im Hinblick auf kurze Herstellungszeiten und eine besonders gute Qualität der Sinterverbindung hat es sich jedoch als optimal herausgestellt, wenn die Anordnung auf Sintertemperaturen zwischen 380 und 420°C erwärmt wird.
Ein Ausführunsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dar­ gestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Die
Fig. 1 bis 4 zeigen dabei in vereinfachter schematischer Darstellung verschiedene Verfahrensstadien bei der Befestigung und Kontaktierung eines elektronischen Bauelements auf eine Substrat.
Zur Verdeutlichung des Schichtaufbau der Anordnung wurden dabei die Schichtstärken der einzelnen Zwischenschichten abweichend vom übrigen Maßstab stark übertrieben dargestellt.
Fig. 1 zeigt einen Schnitt durch ein Substrat S, das auf seiner Oberseite eine Kontaktoberfläche KO trägt. Bei dem Substrat S handelt es sich um einen Systemträger für Halbleiterchips, welcher aus einer Kupfer/Silber-Legierung mit einem geringen Silberanteil von 0,1% besteht. Die Kontaktober­ fläche KO besteht aus einer 1 bis 2 µm dicken Palladium/Nickel-Schicht mit einem Nickelanteil von 25%. Anstelle der durch selektive galvanische Metallab­ scheidung aufgebrachten Palladium/Nickel-Schicht wurde bei einer Variante eine 1 bis 2 µm dicke Silberschicht als Kontaktoberfläche KO ebenfalls durch selektive galvanische Metallabscheidung aufgebracht.
Auf die Kontaktoberfläche KO des in Fig. 1 dargestellten Substrats S wird gemäß Fig. 2 eine Paste P schichtförmig aufgebracht. Das Aufbringen der Paste P erfolgt dabei durch Aufstempeln oder Siebdrucken. Als Ausgangsstoff für die Herstellung der Paste P wird Silberpulver mit plättchen­ förmigen Pulverpartikeln, einer Korngröße ≦15 µm und einer Schüttdichte von ca. 1,9 g/ml verwendet. Dieses Silberpul­ ver wird dann in Cyclohexanol als Lösungsmittel im Ge­ wichtsverhältnis 4 : 1 mit einer Viskosität von ca. 2400 mPas suspendiert. Anschließend wird die derart hergestellte Paste P imVakuum entgast, um später beim Vortrocknen bzw. Sintern eine Lunkerbildung zu verhindern.
Nach dem Auftragen der Paste P wird gemäß Fig. 3 ein elek­ tronisches Bauelement B auf das Substrat S derart aufge­ setzt, daß die rückseitige Kontaktierungsschicht KS des Bauelements B unmittelbar auf der durch die Paste P gebil­ deten Schicht liegt. Bei dem elektronischen Bauelement B handelt es sich in dem dargestellten Fall um einen Halb­ leiterchip, welcher im wesentlichen als eine Siliziumschei­ be ausgebildet ist. Auf die Rückseite dieser Siliziumschei­ be sind nacheinander eine 0,1 µm dicke Haftschicht HS aus Titan, eine 0,5 µm dicke Diffusionssperrschicht DS aus Nickel und die bereits erwähnte Kontaktierungsschicht KS aufgebracht, wobei die Kontaktierungsschicht KS 0,1 µm dick ist und aus Silber besteht.
Die gemäß Fig. 3 vorbereitete Anordnung wird dann in einen Durchlaufofen eingebracht, dessen Temperaturprofil so ein­ gestellt ist, daß zunächst das in der Paste P enthaltene Lösungsmittel vollständig ausgetrieben wird. Bei dem als Lösungsmittel verwendeten Cyclohexanol wird die gesamte An­ ordnung hierzu über den bei ca. 160°C liegenden Siedepunkt erwärmt. Nach dem Austreiben des Lösungsmittels besteht die durch die Paste P gebildete Schicht nur noch aus Silber­ pulver, welches in dem Durchlaufofen durch Trockensintern zu der in Fig. 4 dargestellten Verbindungsschicht VS ver­ festigt wird. Das Temperaturprofil des Durchlaufofens ist dabei so eingestellt, daß die gesamte Anordnung auf Sinter­ temperaturen zwischen 380 und 420°C erwärmt wird, wobei der Sintervorgang zur Verhinderung von Oxydationen unter Formiergas vorgenommen wird. Die Verweilzeit der Anordnung in dem Durchlaufofen beträgt dabei etwa 45 Minuten, wobei etwa 10 Minuten auf das Austreiben des Lösungsmittels, etwa 10 bis 15 Minuten auf den Sintervorgang und etwa 20 bis 25 Minuten auf den Abkühlvorgang entfallen. Bei einer Variante des geschilderten Verfahrens wird bei der gemäß Fig. 3 vor­ bereiteten Anordnung auf das Substrat S und das Bauelement B ein mechanischer Druck von etwa 80 bis 90 N/cm2 ausgeübt und die gesamte Anordnung gleichzeitig unter Schutz- oder Formiergas etwa 1 Minute lang auf Sintertemperaturen zwi­ schen 380 und 420°C erwärmt. Bei dieser Verfahrensvariante wird das Lösungsmittel zuvor an Luft in einem Trocken­ schrank durch langsames Erwärmen über den Siedepunkt ausgetrieben. Durch die gleichzeitige Anwendung von Druck und Wärme beim Sintervorgang - die im übrigen auch in einem Durchlaufofen vorgenommen werden kann - werden die mechani­ schen Eigenschaften der Verbindung von Bauelement B und Substrat S weiter verbessert.
Bei der in Fig. 4 dargestellten fertigen Anordnung ist die Verbindungsschicht VS als ca. 30 µm dicke Sinterschicht ausgebildet, deren zusammengefrittete Silberkörner im Be­ reich der Schichtgrenzen auch an die Kontaktierungsschicht KS des Bauelements B bzw. die Kontaktoberfläche KO des Substrats S angesintert sind. Durch diese innige Sinterver­ bindung ergibt sich eine hohe Haftfestigkeit. Messungen an 4 × 4 mm2 Halbleiterchips ergaben einen Wärmewiderstand <1,5 Kelvin pro Watt. Geklebte Halbleiterchips ergaben demgegenüber einen bis zu 30% höheren Wert und größere Streubreiten. Die bei den Sinterverbindungen ermittelten elektrischen Übergangswiderstände zwischen der Rückseite des Halbleiterchips und dem Gehäuse bzw. dem Substrat liegen bei ca. 10 µΩ. Zur Qualitätsprüfung durchgeführte Versuche wie Lastwechselversuche, Tieftemperaturzyklen und dergleichen ergaben keine nennenswerte Verschlechterung der mechanischen, elektrischen und thermischen Eigenschaften, wobei in keinem Falle die zulässigen Grenzwerte über­ schritten wurden.
Bei der anhand der Fig. 1 bis 4 beschriebenen Anordnung handelt es sich um die Befestigung eines Halbleiterchips auf einem Systemträger bzw. Gehäuse. Andere elektronische Bauelemente wie Chipwiderstände, Chipkondensatoren und dgl. können auf die gleiche Weise auf der Kontaktoberfläche eines Substrats befestigt werden. Hierbei kann die Kontakt­ oberfläche auch unmittelbar durch die Oberfläche eines homogenen metallischen Substrats gebildet werden. Außerdem kann es sich bei der Kontaktoberfläche auch um die Metalli­ sierung eines Keramiksubstrats handeln. Hinsichtlich der verwendeten Materialien ist in erster Linie die Auswahl des Metallpulvers zur Bildung der Verbindungsschicht, das Material der Kontaktierungsschicht eines Bauelements und das Material der Kontaktoberfläche eines Substrats für die Qualität der Sinterverbindung von Bedeutung. Grundsätzlich muß dabei das für die Verbindungsschicht verwendete Metall­ pulver mit den für die Kontaktierungsschicht bzw. die Kon­ taktoberfläche verwendeten Materialien versinterbar sein, wobei der Sintervorgang als Festkörperreaktion ohne das Auftreten flüssiger Phasen vor sich gehen soll.

Claims (24)

1. Befestigung eines elektronischen Bauelementes auf einem Substrat, bei welcher eine metallische Kontaktierungsschicht des Bauelements durch eine Metallpulver enthaltende und unter Temperatureinwirkung gebildete Verbindungsschicht mit einer me­ tallischen Kontaktoberfläche des Substrats elektrisch und ther­ misch leitend verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungsschicht (VS) ausschließlich aus durch Trockensintern verfestigtem Metallpulver besteht und sowohl an die Kontaktierungsschicht (KS) des Bauelements (B) als auch an die Kontaktoberfläche (KO) des Substrats (S) angesintert ist.
2. Befestigung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungsschicht (VS) aus dem Pulver eines Edelme­ talles oder einer Edelmetall-Legierung gebildet ist.
3. Befestigung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungsschicht (VS) aus Silberpulver gebildet ist.
4. Befestigung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungsschicht (VS) aus einem Metallpulver mit plättchenförmigen Pulverpartikeln gebildet ist.
5. Befestigung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungsschicht (VS) eine Schichtdicke zwischen 10 und 100 µm aufweist.
6. Befestigung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktierungsschicht (KS) des Bauelements (B) aus Silber besteht.
7. Befestigung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktierungsschicht (KS) auf eine Diffusionssperr­ schicht (DS) aus Nickel aufgebracht ist.
8. Befestigung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Diffusionsschicht (DS) auf eine Haftschicht (HS) aus Titan aufgebracht ist.
9. Befestigung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktoberfläche (KO) des Substrats (S) durch eine Silberschicht gebildet ist.
10. Befestigung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktoberfläche (KO) des Substrats (S) durch eine Palladium/Nickel-Schicht gebildet ist.
11. Verfahren zum Befestigen eines elektronischen Bauelements auf einem Substrat nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch folgende Merkmale:
  • a) eine aus Metallpulver und einem Lösungsmittel bestehende Paste (P) wird schichtförmig auf die Kontaktierungsschicht (KS) des Bauelements (B) und/oder die Kontaktoberfläche (KO) des Substrats (S) aufgetragen,
  • b) das Bauelement (B) wird auf das Substrat (S) aufgesetzt,
  • c) das Lösungsmittel wird vollständig ausgetrieben,
  • d) die gesamte Anordnung wird zur Bildung der Verbindungs­ schicht (VS) auf Sintertemperatur erwärmt.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Paste (P) aus dem Pulver eines Edelmetalles oder einer Edelmetall-Legierung und einem Lösungsmittel gebildet wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Paste (P) aus Silberpulver und einem Lösungsmittel gebildet wird.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekenn­ zeichnet, daß ein Silberpulver mit plättchen­ förmigen Pulverpartikeln verwendet wird.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekenn­ zeichnet, daß plättchenförmige Pulverpartikel mit einer Korngröße ≦15 µm verwendet werden.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß als Lösungsmittel Cyclohexanol verwendet wird.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Paste (P) im Vakuum entgast wird.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Anordnung in einem Durchlaufofen unter Formiergas auf Sintertemperatur erwärmt wird.
19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Temperaturprofil des Durchlauf­ ofens derart eingestellt wird, daß zunächst das Lösungsmittel vollständig ausgetrieben wird und dann erst die Anordnung auf Sintertemperatur erwärmt wird.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Anordnung unter gleichzeitiger Anwendung von mechanischem Druck auf das Bauelement (B) und das Substrat (S) auf Sintertemperatur erwärmt wird.
21. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der mechanische Druck auf 80 bis 90 N/cm2 eingestellt wird.
22. Verfahren nach Anspruch 20 oder 21, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Anordnung unter Schutz- oder Formiergas auf Sintertemperatur erwärmt wird.
23. Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß das Lösungsmittel durch langsames Erwärmen über den Siedepunkt in einem Trockenschrank ausgetrieben wird.
24. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Anordnung auf Sintertemperatur zwischen 380 und 420°C erwärmt wird.
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