DE3332281C2 - - Google Patents
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- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Lichtmeßeinrichtung mit
einem zwei Eingangsanschlüsse aufweisenden Differenzverstär
ker und mit mehreren lichtempfindlichen Elementen, deren Aus
gangssignale selektiv über den Differenzverstärker erfaßbar
sind.
Aus der US 38 55 604 ist eine Lichtmeßeinrichtung bekannt,
welche bei sehr geringen Beleuchtungsstärken noch genaue Me
ßergebnisse erhalten soll. Die Lichtmeßeinrichtung weist da
bei lediglich ein Aufnahmeelement für die Lichtmessung auf.
Unmittelbar vor der Durchführung einer Messung werden die
Kontakte des Lichtmeßelementes in Form einer Diode überbrückt
und an Masse gelegt. Dies dient einer Empfindlichkeitssteige
rung, indem der Zustand der Meßeinrichtung unmittelbar vor
einer Messung festgestellt wird, um gegenüber diesem Zustand
noch Meßsignale detektieren zu können.
Die DE 25 58 155 B2 zeigt die Verwendung von Halbleiterschal
tern bei einer Lichtmeßschaltung, bei der auch bei einem nur
geringen photoelektrischen Strom von einem photoelektrischen
Wandler ein stabiler Meßzustand möglichst schnell erreicht
werden soll. Dieses wird durch die Beschaltung der Meßanord
nung mit einem zusätzlichen Netzwerk erreicht. Dieses Netz
werk sorgt durch Schaltvorgänge seiner Transistoren dafür,
daß eine beim Herstellungsprozeß zwangsläufig entstandene pa
rasitäre Streukapazität zum einen schnell aufgeladen wird und
zum anderen, daß eine so entstandene Überladung auch
schnellstmöglich wieder abgeführt wird.
Weiterhin ist aus der US 38 89 276 eine Lichtmeßeinrichtung
der eingangs genannten Art bekannt. Mit dieser Lichtmeßein
richtung ist Licht in verschiedenen Bereichen meßbar, bei
spielsweise in einem relativ kleinen zentralen Bereich oder
gemittelt über eine größere Objektfläche. Dazu sind mehrere
lichtempfindliche Elemente vorgesehen. Bei dem selektiven Er
fassen des Lichts kann es aber zu Verfälschungen kommen, die
es schwierig machen, ein genaues Meßergebnis zu erhalten.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Licht
meßeinrichtung der eingangs genannten Art derart weiterzubil
den, daß beim Messen mit den verschiedenen lichtempfindlichen
Elementen stets genaue Lichtmeßwerte erhalten werden.
Die Aufgabe wird dadurch gelöst, daß Halbleiterschaltvorrich
tungen derart ausgebildet und angeordnet sind, daß beide An
schlüsse zumindest eines der mehreren lichtempfindlichen Ele
mente in der einen Schaltstellung über eine der Kalbleiter
schaltvorrichtungen kurzgeschlossen sind und in der anderen
Schaltstellung an die beiden Eingangsanschlüsse des Diffe
renzverstärkers angeschlossen sind.
Durch die erfindungsgemaßen Maßnahmen werden Störungen unter
drückt, die sich dem eigentlichen Meßsignal trotz Außerbe
triebsetzen des gerade nicht benötigten Meßelementes insbe
sondere wegen dem endlichen Widerstandswert überlagern kön
nen. Auf diese Weise sind genaue Meßergebnisse auf zuverläs
sige Art und Weise erzielbar.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbei
spielen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher
beschrieben. Es zeigt
Fig. 1 eine Draufsicht, die lichtempfindliche
Elemente zeigt, welche bei einer herkömmlichen Lichtmeßeinrichtung
verwendet werden,
Fig. 2 ein Schaltbild der herkömmlichen Lichtmeßeinrichtung,
Fig. 3 ein Schaltbild einer Schaltungsanordnung
einer Lichtmeßeinrichtung als ein erstes Ausführungsbeispiel
der Erfindung,
Fig. 4 das Schaltbild
gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel in größeren
Einzelheiten,
Fig. 5 ein Schaltbild einer Schaltungsanordnung als ein zweites Ausführungsbeispiel
der Erfindung,
Fig. 6 eine Draufsicht, die lichtempfindliche
Elemente für die Verwendung bei der Lichtmeßeinrichtung
nach Fig. 5 zeigt, und
Fig. 7 eine schematische Darstellung, die ein
bei dem ersten und dem zweiten Ausführungsbeispiel
der Erfindung verwendbares optisches
Lichtmeßsystem zeigt.
Fig. 3 ist ein Schaltbild, das eine Lichtmeßeinrichtung
für eine Kamera als ein erstes Ausführungsbeispiel zeigt.
In der Fig. 3 wirken mit den gleichen Bezugszeichen
wie in Fig. 2 bezeichnete Elemente auf gleiche Weise.
Daher wird im folgenden die Beschreibung ihrer Funktionen
weggelassen. Die Lichtmeßeinrichtung gemäß diesem Ausführungsbeispiel
ist mit einem Lichtempfangselement 1 versehen,
das auf die gleiche Weise wie im Falle der Fig. 1
und 2 ausgebildet und an einer Stelle gemäß der Darstellung
in Fig. 7 angeordnet ist. Dabei zeigt Fig. 7 ein optisches
Lichtmeßsystem für die Einrichtung gemäß diesem Ausführungsbeispiel.
Gemäß Fig. 7 wird Licht von
einem aufzunehmenden Objekt derart von einem Reflexspiegel
70 reflektiert, daß es durch eine Einstellmattscheibe
71 gelangt. Ein Teil des Lichts wird dann
an der oberen und der unteren Fläche eines Mikro-Strahlenteilers
72 mehrfach total reflektiert und dann
dem Lichtempfangselement 1 zugeführt. Der Rest des Lichts
wird nach Durchlaufen des Mikro-Strahlenteilers
72, einer Linse 73 und eines Pentagonalprismas 74 einem Okular 75 zugeführt.
Gemäß Fig. 3 weist das Ausführungsbeispiel einen
Umschalter 6 auf. Der Schalter 6 hat einen Festkontakt
6a, der mit dem invertierenden Eingang eines Rechenverstärkers
3 verbunden ist, einen weiteren Festkontakt 6b,
der mit den nicht invertierenden Eingang des Rechenverstärkers
3 sowie mit Masse verbunden ist, und einen
bewegbaren bzw. Schaltkontakt 6c, der mit der Anode
einer als fotoempfindliches Element dienenden Fotodiode
1b verbunden ist. Wenn eine Punkt-Lichtmessung gewählt
wird, wird der Schaltkontakt 6c mit dem Kontakt 6a ver
bunden. Wenn eine Durchschnitts-Lichtmessung gewählt
wird, wird der Schaltkontakt 6c mit dem Kontakt 6b ver
bunden. In Fig. 3 ist der Schalter 6 als ein mechani
scher Schalter dargestellt. Dies dient jedoch nur zur
Vereinfachung der Darstellung. Tatsächlich wird gemäß
Fig. 4, die ein ins Einzelne gehendes
Beispiel der Lichtmeßschaltung gemäß Fig. 3 zeigt, als
Schalter 6 eine Halbleiterschaltelementeanordnung ver
wendet. Die auf diese Weise gestaltete
Lichtmeßeinrichtung arbeitet folgendermaßen:
Wenn die Durchschnitts-Lichtmessung gewählt ist, ist
der Schaltkontakt 6c des Schalters 6 mit dem Kontakt
6b verbunden. In diesem Fall sind die lichtempfindlichen
Elemente 1a und 1b zueinander parallel geschaltet. Diese
Parallelschaltung ist an die beiden Eingangsanschlüsse
des Rechenverstärkers 3 angeschlossen. Zur Diode 4 fließt
die Summe der Fotoströme der Lichtempfangselemente 1a
und 1b. Als Ergebnis der Lichtmessung wird an dem Aus
gangsanschluß 3A des Rechenverstärkers 3 eine Spannung
abgegeben, die durch logarithmisches Komprimieren
der Summe der Fotoströme erzielt wird.
Falls dagegen die Punkt-Lichtmessung gewählt ist, ist der Schalt
kontakt 6c des Schalters 6 mit dem anderen Kontakt 6a
verbunden. In diesem Fall sind die beiden Anschlüsse
des (durch eine Fotodiode gebildeten) lichtempfindlichen
Elements 1b kurzgeschlossen. Dadurch fließt zur Diode
4 nur der Fotostrom des (durch eine Fotodiode gebildeten)
lichtempfindlichen Elements 1a. Dieser Fotostrom wird
allein logarithmisch komprimiert und tritt in Form
einer Spannung an dem Ausgangsanschluß 3A des Rechenver
stärkers 3 als ein Wert auf, der das Ergebnis der Messung
der Helligkeit eines aufzunehmenden Objekts darstellt.
Da in diesem Fall beide Anschlüsse des lichtempfind
lichen Elements 1b kurzgeschlossen sind, fließt der
Fotostrom des lichtempfindlichen Elements 1b
selbst dann nicht über den im vorstehend genannten Sperrwider
stand zur Masse, wenn ein Ausschalt- bzw. Sperrwiderstand
zwischen dem Kontakt 6b und dem Schaltkontakt 6c vor
liegt, der als gemeinsamer Anschluß des Schalters 6
dient.
Bei der erfindungsgemäßen Lichtmeßeinrichtung fließt daher
bei der Wahl der Punkt-Lichtmessung zur Diode 4 kein
Strom außer dem Fotostrom des lichtempfindlichen Ele
ments 1a.
Das Problem von induzierten Störungen,
das bei der gemäß der Darstellung in Fig. 2 angeordneten
Lichtmeßeinrichtung nach dem Stand der Technik im Falle
geringer Helligkeit auftritt, wird mit der
erfindungsgemäßen Anordnung durch Kurzschließen der beiden
Anschlüsse des lichtempfindlichen Elements 1b
wirkungsvoll verhindert. Bei der
erfindungsgemäßen Lichtmeßeinrichtung kann daher sowohl
bei der Durchschnitts-Lichtmessung als auch bei der
Punkt-Lichtmessung ein genauer Lichtmeßwert erzielt
werden.
Ein Beispiel für eine besondere Gestaltung der in Fig.
3 gezeigten Lichtmeßeinrichtung ist in der Fig. 4 ge
zeigt. Nach Fig. 4 enthält die Einrichtung eine Konstant
spannungsschaltung 7, an die Stromversorgungsspannungen
Vcc und -VEE angelegt werden und die eine bezüglich
der Stromversorgungsspannung -VEE konstante Spannung
VR abgibt, einen NPN-Transistor 8, an dessen Basis
die Spannung VR aus der Konstantspannungsschaltung 7
angelegt ist, einen Widerstand 9, der zwischen den Emit
ter des Transistors 8 und die Stromversorgungsspannung
-VEE geschaltet ist, und NPN-Transistoren 10 und 11,
die beide (durch Kurzschluß zwischen der Basis und dem
Kollektor) als Dioden geschaltet sind. Der Emitter des
Transistors 10 ist an die Stromversorgungsspannung Vcc
angeschlossen, während der Kollektor des Transistors
10 mit dem Emitter des Transistors 11
und der Kollektor des Transistors 11 mit dem Kollektor
des Transistors 8 verbunden ist. Aus diesen Schaltelemen
ten 7 bis 11 ist gemeinsam eine Konstantstromschaltung
gebildet. Weiterhin weist die Einrichtung MOS-Feldeffekt
transistoren 12 und 13 auf. Diese werden leitend, wenn
der Pegel an ihren Gate-Anschlüssen niedrig wird,
wobei sie als Analogschalter eingesetzt werden. Ihre
Gate-Anschlüsse sind beide an die Stromversor
gungsspannung Vcc angeschlossen, während ihre Drain-
Anschlüsse mit dem lichtempfindlichen Element 1b verbun
den sind. Der Source-Anschluß des MOS-Feldeffekttransi
stors 12 ist mit Masse verbunden, während der Source-
Anschluß des anderen MOS-Feldeffekttransistors 13 mit
der Kathode des lichtempfindlichen Elements 1b verbunden
ist. Widerstände 14 und 15 sind so geschaltet, daß sie
an die Gate-Anschlüsse der MOS-Feldeffekttransistoren
12 und 13 hohe Vorspannungen anlegen. Ein Inverter
16 ist mit seinem Ausgangsanschluß an den Gate-Anschluß
des MOS-Feldeffekttransistors 13 angeschlossen. Ein
Schalter 17 ist mit einem Anschluß an die Stromversor
gungsspannung -VEE und mit dem anderen Anschluß an den
Eingangsanschluß des Inverters 16 sowie den Gate-Anschluß
des MOS-Feldeffekttransistors 12 angeschlossen. Wenn
der Schalter 17 geschlossen ist, liegt an dem Gate-Anschluß des
MOS-Feldeffekttransistors 12 niedriger Pegel an, was
zwischen dem Drain-Anschluß und dem Source-Anschluß desselben einen Leitzustand
zur Folge hat. Zugleich nimmt über den Inverter
16 der Gate-Anschluß des anderen MOS-Feldeffekttransistors 13
hohen Pegel an. Daher wird der MOS-Feldeffekttransistor
13 zwischen seinem Drain-Anschluß und seinem Source-Anschluß nichtleitend
bzw. gesperrt. Mit 18 ist ein PNP-Transistor
bezeichnet. Die Anzahl der Emitter des Transistors 18
ist doppelt so groß wie diejenige des Transistors 10.
Da darüber hinaus die Basis und die Emitter gemeinsam
verbunden sind, fließt zwischen den Emittern und dem
Kollektor des Transistors 18 ein Strom, der doppelt
so hoch wie derjenige durch den Transistor 10 ist. Mit
19 ist ein PNP-Transistor bezeichnet. Der Emitter des
Transistors 19 ist mit dem Kollektor des Transistors
18 verbunden, während die Basis des Transistors 19 mit
der Basis des Transistors 11 verbunden ist. Damit ist
der Transistor 19 so geschaltet, daß er als Verstärker
mit geerdeter Basis dient. Mit 20 und 21 sind P-Kanal-
MOS-Feldeffekttransistoren bezeichnet, deren Scurce-An
schlüsse miteinander verbunden sind und die einen Dif
ferenzverstärker bilden. Die Gate-Anschlüsse
der P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistoren 20 und 21 sind
mit den Source-Anschlüssen verbunden. Der Gate-Anschluß
des MOS-Feldeffekttransistors 21 ist mit Masse verbunden
und dient als ein Anschluß, der dem nicht-invertierenden
Eingang des Rechenverstärkers 3 entspricht, welcher
in den Fig. 2 und 3 gezeigt ist. Der Gate-Anschluß des
anderen MOS-Feldeffekttransistors 20 ist dagegen mit
den Kathoden der lichtempfindlichen Elemente 1a und
1b verbunden. Dieser Gate-Anschluß dient daher als ein
Anschluß, der dem invertierenden Eingang des Rechenver
stärkers 3 entspricht. Die Schaltungsanordnung weist
ferner Widerstände 22 und 23 und einen NPN-Transistor
24 auf. Der Verbindungspunkt zwischen den Widerständen
22 und 23 ist mit der Basis des Transistors 24 verbunden.
Der zweite Anschluß des Widerstands 22 ist mit dem Kol
lektor des Transistors 24 verbunden. Der zweite Anschluß
des Widerstands 23 ist mit dem Emitter des Transistors
24 verbunden. Die Widerstände 22 und 23 dienen als Quel
len für die MOS-Feldeffekttransistoren 20 und 21 und
bilden ferner eine Pegelschiebeschaltung für die Basen
von PNP-Transistoren 25 und 26. Die Basen der Transistoren
25 und 26 sind miteinander
verbunden. Der Emitter des Transistors 25 ist mit dem
Drain-Anschluß des MOS-Feldeffekttransistors 20 verbun
den. Der Emitter des Transistors 26 ist mit dem Drain-
Anschluß des MOS-Feldeffekttransistors 21 verbunden.
Das heißt, die Transistoren 25 und 26 dienen als Basiserdungs-
Verstärkerschaltung und bilden in Verbindung mit den
MOS-Feldeffekttransistoren 20 und 21 einen Kathodenver
stärker. Mit den Bezugszeichen 27 und 28 sind NPN-Transistoren bezeichnet.
Die Emitter der Transistoren 27 und 28 sind geerdet,
während ihre Basen miteinander verbunden sind. Der Transi
stor 27 ist als Diode geschaltet und mit dem Kollektor
des Transistors 25 verbunden. Der Transistor 28 ist mit
seinem Kollektor an den Kollektor des Transistors 26
angeschlossen. Die Transistoren 27 und 28 sind daher
so geschaltet, daß sie als Stromspiegel-Lastwiderstände
für die Transistoren 25 bzw. 26 dienen. Die Schaltungsan
ordnung weist ferner NPN-Transistoren 29 und 30 auf,
deren Emitter beide geerdet sind. Der Transistor 30 ist
als Diode geschaltet, nämlich als Stromspiegel-Transistor.
Ein PNP-Transistor 31 ist mit seiner Basis und seinem
Emitter jeweils mit dem Transistor 10 verbunden. Daher
ist der Kollektorstrom des Transistors 10 der gleiche
wie derjenige des Transistors 31. Der Strom wird zu den
Stromspiegel aus den Transistoren 29 und 30 übertragen.
Ein weiterer Transistor 32 ist mit seinem Emitter geerdet
und mit seiner Basis an die Kollektoren der Transistoren
26 und 28 angeschlossen. Der Kollektor des Transistors
32 ist mit dem Kollektor eines Transistors 33 verbunden.
Da gemäß der nachstehenden Beschreibung der Transistor
33 eine Konstantstromquelle ist, bildet der Transistor
32 eine Spannungsverstärkerstufe mit geerdetem Emitter.
Der Transistor 33 ist ein PNP-Transistor, der mit seiner
Basis sowie mit seinem Emitter mit denjenigen des Transi
stors 10 zusammengeschaltet ist. Daher dient der Transi
stor 33 mit seinem Kollektorstrom als gleiche Konstant
stromquelle wie der Transistor 10. Zwischen die Basis
und den Kollektor des Transistors 32 ist ein Kondensator
34 zur Phasenkompensation geschaltet. Ein NPN-Transistor
35 ist mit seinem Kollektor an die Leitung für die Strom
versorgungsspannung Vcc angeschlossen und mit seinem
Emitter an einen Widerstand 36 angeschlossen. Der Transi
stor 35 bildet daher eine Emitterfolgerschaltung. Der
Emitter des Transistors 35 entspricht dem Ausgangsanschluß
des in den Fig. 2 und 3 gezeigten Rechenverstärkers 3.
Der Widerstand 36 ist zwischen den Emitter des Transistors
35 und die Leitung für die Stromversorgungsspannung -VEE
geschaltet. Die als fotoempfindliche Elemente dienenden
Fotodioden 1a und 1b sowie die Diode 4 wirken auf die
gleiche Weise wie die in den Fig. 2 und 3 gezeigten.
Die gemäß der Vorstehenden Beschreibung gestaltete Licht
meßeinrichtung arbeitet folgendermaßen: Wenn ein nicht
gezeigter Stromversorgungsschalter eingeschaltet wird,
damit an die entsprechenden Leitungen die Stromversor
gungsspannungen Vcc und -VEE angelegt werden, gibt die
Konstantspannungsschaltung 7 die Konstantspannung VR
ab. Die Spannung VR wird zwischen die Basis und den Emit
ter des Transistors 8 und an den Widerstand 9 angelegt.
Infolgedessen wird der Kollektorstrom des Transistors
8 zu (VR-VBE)/R, wobei R der Widerstandswert des Transi
stors 8 und VBE die Spannung zwischen der Basis und
dem Emitter des Transistors 8 ist. Der Kollektorstrom
fließt zu den Transistoren 10 und 11, die als Dioden
geschaltet sind. Da die Basis und der Emitter des Transi
stors 10 und diejenigen der Transistoren 18, 31 und 33
zusammengeschaltet sind, werden die Transistoren 31 und
33 jeweils zu einer Konstantstromquelle, die den gleichen
Strom (VR-VBE)/R abgeben, während der Transistor 18 eine
Konstantstromquelle wird, die einen Strom abgibt, welcher
doppelt so hoch ist wie (VR-VBE)/R. Da ferner die Basis
des Transistors 19 auf dem gleichen Potential wie die
Basis des Transistors 11 liegt, wird unabhängig von den
Stromversorgungsspannungen Vcc und -VEE der Wert des
Potentials an dem Emitter des Transistors 19, d. h.
der Wert zwischen dem Kollektor und dem Emitter des Tran
sistors 18, konstant. Die Pegelverschiebungsschaltung
aus den Widerständen 22 und 23 und dem Transistor 24
ist an die Source-Anschlüsse der MOS-Feldeffekttransisto
ren 20 und 21 sowie an die Basen der Transistoren 25
und 26 angeschlossen. Somit tritt selbst dann, wenn die
Source-Spannungen der MOS-Feldeffekttransistoren 20 und
21 aus irgendeinem Grund schwanken, keine Änderung zwi
schen dem Gate-Anschluß und dem Drain-Anschluß der MOS-
Feldeffekttransistoren auf. Ferner fließt zu der (aus
den Widerständen 22 und 23 und dem Transistor 24 bestehen
den) Pegelverschiebungsschaltung der Strom (VR-VBE)/R
aus der durch den Transistor 31 gebildeten Konstantstrom
quelle über die Transistoren 29 und 30, welche einen
Stromspiegel bilden. Zu den Source-Anschlüssen der MOS-
Feldeffekttransistoren 20 und 21 fließt der Kollektor
strom des Transistors 19. Dieser Strom hat die Stärke
(VR-VBR)/R und ist der gleiche wie der durch Subtrahieren
eines zu der Pegelverschiebungsschaltung fließenden Stroms
(der der gleiche Strom wie der konstante Strom des Transi
stors 31 ist) von einem zum Transistor 18 fließenden
Strom erzielte Strom der Konstantstromquelle mit dem
Transistor 31, da die Konstantstromquelle mit dem Transi
stor 18 das Fließen eines Stroms hervorruft, der doppelt
so groß ist wie der Strom der Konstantstromquelle mit
dem Transistor 31.
Da im Falle des Auftretens gewisser Änderungen an den
Stromversorgungsspannungen Vcc und -VEE die Emitter-Kol
lektor-Spannung des Transistors 18 auf einen konstanten
Wert gemäß den vorstehenden Ausführungen festgelegt ist,
tritt kein Early-Effekt (Basisweitenmodulation) an dem
Transistor auf. Daher wird dem gemeinsamen Source-Anschluß
der aus den MOS-Feldeffekttransistoren 20 und 21 gebilde
ten Differenzverstärkerstufe trotz einer Änderung der
Stromversorgungsspannung ein konstanter Strom zugeführt.
Infolgedessen bewirkt selbst bei ungleichen Eigenschaften
der MOS-Feldeffekttransistoren 20 und 21 die Änderung
der Stromversorgungsspannung keinerlei Änderung des Aus
gangssignals der Differenzverstärkerstufe. D. h., das
Ausgangssignal der Einrichtung, welches das Potential an
dem Emitter des Transistors 35 ist, bleibt unverändert,
solange das auf die lichtempfindlichen Elemente 1a und
1b fallende Licht unverändert bleibt.
Falls eine nicht gezeigte, an den Emitter des Transistors
35 angeschlossene Belastung momentan zu einer Überlastung
für den Transistor 35 und den Widerstand 36 wird, geht
die Symmetrie der Differenzverstärkerstufe verloren,
wobei sich auch das Ausgangssignal, nämlich das Potential
an dem Emitter 35 in starkem Ausmaß ändert. Gemäß den
vorstehenden Ausführungen wird jedoch durch die Pegelver
schiebungsschaltung die Spannung zwischen dem Gate-An
schluß und dem Drain-Anschluß des MOS-Feldeffekttransi
stors 20 unverändert gehalten. Daher bleibt auch die
zwischen dem Gate-Anschluß und dem Drain-Anschluß vorhan
dene Kapazität unverändert. Da keine Ladezeit für den
Ausgleich einer Änderung der Kapazität zwischen dem Gate-
Anschluß und dem Drain.-Anschluß erforderlich ist, kann
die Rückbildung des Ausgangssignals bei der Rückkehr
von dem Überlastungszustand zu dem Normalzustand sofort
erfolgen.
Wenn von der Bedienungsperson die Durchschnitts-Lichtmeß
art gewählt wird und demgemäß der Schalter 17 geschlossen
wird, nimmt der Gate-Anschluß des MOS-Feldeffekttransi
stors 12 den niedrigen Pegel an, während derjenige des
Schalt-MOS-Feldeffekttransistors 13 den hohen Pegel an
nimmt. Infolgedessen wird ein Leitzustand zwischen dem
Drain-Anschluß und dem Source-Anschluß des MOS-Feldeffekttransistors 12
erreicht. Dadurch wird die Anode des lichtempfindlichen
Elements 1b mit Masse verbunden. Zur Diode 4 fließt die
Summe der Fotoströme der lichtempfindlichen Elemente
1a und 1b. Dadurch tritt an dem Ausgangsanschluß 3A (dem
Emitter des Transistors 35) eine Spannung auf, die durch
logarithmisches Komprimieren der Fotoströme erzielt
wird. Wenn andererseits die Punkt-Lichtmeßart gewählt
wird und der Schalter 17 geöffnet wird, nimmt der Gate-
Anschluß des MOS-Feldeffekttransistors 13 durch das Ausgangssignal
des Inverters 16 den niedrigen Pegel an.
Daher wird ein Leitzustand zwischen dem Drain-Anschluß und dem
Source-Anschluß des MOS-Feldeffekttransistors 13 erzielt. Dadurch
wird ein Kurzschluß zwischen den beiden Anschlüssen des
lichtempfindlichen Elements 1b hervorgerufen. Infolgedessen
fließt nur der Fotostrom des lichtempfindlichen Elements
1a zu der Diode 4. Daraufhin tritt an dem Ausgangsanschluß
3A eine Spannung auf, die durch logarithmisches
Komprimieren dieses Fotostroms erzielt wird. Da
in diesem Fall beide Anschlüsse des lichtempfindlichen
Elements kurzgeschlossen sind, ist die Lichtmeßeinrichtung
völlig frei von der Beeinträchtigung durch
einen an dem MOS-Feldeffekttransistor 12 bestehenden
Ausschalt- bzw. Sperrwiderstand und der Beeinträchtigung
durch irgendwelche induzierten Störungen, die ansonsten
hervorgerufen werden könnten.
Ein zweites Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen
Lichtmeßeinrichtung ist gemäß der Darstellung in Fig. 5
gestaltet. Auch in diesem Fall wird diese gleichermaßen wie bei
dem vorstehend beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel bei
einer Kamera angewandt. In Fig. 5 sind Schal
tungselemente, die die gleichen Funktionen wie die in
den Fig. 1 bis 3 gezeigten ausführen, mit den gleichen
Bezugszeichen bezeichnet, wobei die Beschreibung ihrer
Funktionen im folgenden weggelassen ist. Dieses Ausfüh
rungsbeispiel weist ein lichtempfindliches Element 1c
auf, das gemäß Fig. 6 zum Messen der
Helligkeit an einem Bereich der Bildebene angeordnet
ist, der den mittleren Teil umgibt, zu dessen Helligkeits
messung das lichtempfindliche Element 1a angeordnet ist.
Die Kathode des lichtempfindlichen Elements 1c ist mit
dem invertierenden Eingang des Rechenverstärkers 3 verbun
den. Die Anode des lichtempfindlichen Elements 1c ist
über einen bewegbaren bzw. Schaltkontakt 66c und einen
Festkontakt 66c eines Umschalters 66 mit Masse verbunden.
Ein weiteres lichtempfindliches Element 1bb entspricht
ungefähr dem in den Fig. 1 bis 3 gezeigten lichtempfindli
chen Element 1b. Das lichtempfindliche Element 1bb ist
somit zum Messen der Helligkeit an dem restlichen Bereich
der Bildebene unter Ausschluß des mittleren Bereichs
angeordnet, welcher gemäß Fig. 6 mit
tels der anderen lichtempfindlichen Elemente 1a und 1c
erfaßt wird. Dieses lichtempfindliche Element 1bb ist
mit seiner Kathode an den invertierenden Eingangsanschluß
des Rechenverstärkers 3 angeschlossen und mit seiner
Anode über den Schaltkontakt 6c und den Festkontakt 6b
des Umschalters 6 mit Masse verbunden. Obzwar diese Um
schalter 66 und 6 zur Darstellung in der Fig. 5 in der
Form mechanischer Schalter gezeigt sind, sind sie tatsäch
lich auf die in der Fig. 4 dargestellte Weise durch Halb
leiter-Schaltelemente gebildet.
Wenn z. B. bei der dermaßen gestalteten Lichtmeßeinrichtung
der Schaltkontakt 6c des Umschalters 6 auf den Festkontakt
6a geschaltet ist und der Schaltkontakt 66c des anderen
Umschalters 66 auf den Festkontakt 66a geschaltet ist,
sind jeweils beide Anschlüsse des lichtempfindlichen
Elements 1bb (in Form einer Fotodiode) und diejenigen
des lichtempfindlichen Elements 1c (in Form einer Fotodio
de) kurzgeschlossen. Infolgedessen fließt zu der Diode
4 nur der Fotostrom des lichtempfindlichen Elements 1a
(in Form einer Fotodiode). Durch die Diode 4 wird nur
dieser Fotostrom logarithmisch komprimiert, wobei er
in der Form einer Spannung an dem Ausgangsanschluß 3A
des Rechenverstärkers 3 als ein Wert auftritt, welcher
das Ergebnis der Messung der Helligkeit eines aufzunehmen
den Objekts darstellt.
Da in diesem Fall jeweils beide Anschlüsse der lichtemp
findlichen Elemente 1bb und 1c kurzgeschlossen sind,
fließen gleichermaßen wie bei dem ersten Ausführungsbei
spiel keine Fotoströme der lichtempfindlichen Elemente 1bb und
1c über irgendwelche Ausschalt- bzw. Sperrwiderstände
zur Masse, selbst wenn zwischen dem Kontakt
6b und dem Schaltkontakt 6c, der der gemeinsame Anschluß
des Umschalters 6 ist, ein Ausschaltwiderstand und zwi
schen dem Kontakt 66b und dem Schaltkontakt 66c, der
der gemeinsame Anschluß des Umschalters 66 ist, ein Aus
schaltwiderstand vorhanden ist.
Daher ergibt sich bei diesem Ausführungsbeispiel die
gleiche vorteilhafte Wirkung wie bei dem ersten Ausfüh
rungsbeispiel.
Die Funktionsweise bei dem in den Fig. 5 und 6 gezeigten
Ausführungsbeispiel bei der weiteren Lichtmeßart ist
nahezu identisch mit derjenigen bei dem ersten Ausfüh
rungsbeispiel und muß daher nicht weiter beschrieben
werden.
Wie aus der vorstehenden Beschreibung ersichtlich ist,
ergibt die erfindungsgemäße Lichtmeßeinrichtung genaue
Ergebnisse der Lichtmessung bei allen unterschiedlichen
Lichtmeßarten.
Claims (4)
1. Lichtmeßeinrichtung
mit einem zwei Eingangsanschlüsse aufweisenden Differenzver
stärker und
mit mehreren lichtempfindlichen Elementen, deren Ausgangssi gnale selektiv über den Differenzverstärker erfaßbar sind, dadurch gekennzeichnet,
daß Halbleiterschaltvorrichtungen (6, 66) derart ausgebildet und angeordnet ist, daß beide Anschlüsse zumindest eines der mehreren lichtempfindlichen Elemente (1b, 1c) in der einen Schaltstellung über eine der Halbleiterschaltvorrichtungen (6, 66) kurzgeschlossen sind und in der anderen Schaltstel lung an die beiden Eingangsanschlüsse des Differenzverstär kers (3) angeschlossen sind.
mit mehreren lichtempfindlichen Elementen, deren Ausgangssi gnale selektiv über den Differenzverstärker erfaßbar sind, dadurch gekennzeichnet,
daß Halbleiterschaltvorrichtungen (6, 66) derart ausgebildet und angeordnet ist, daß beide Anschlüsse zumindest eines der mehreren lichtempfindlichen Elemente (1b, 1c) in der einen Schaltstellung über eine der Halbleiterschaltvorrichtungen (6, 66) kurzgeschlossen sind und in der anderen Schaltstel lung an die beiden Eingangsanschlüsse des Differenzverstär kers (3) angeschlossen sind.
2. Lichtmeßeinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß die lichtempfindlichen Elemente (1a, 1b) ein erstes
lichtempfindliches Element (1a) für den Empfang eines
Lichtstroms, der von einem mittleren Teil eines Meßobjekts
kommt, und ein zweites lichtempfindliches Element (1b) für
den Empfang eines Lichtstroms, der von dem restlichen
Teil des Objekts unter Ausschluß des mittels des ersten
lichtempfindlichen Elements zu messenden mittleren Teils
kommt, umfassen.
3. Lichtmeßeinrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich
net, daß das erste und das zweite lichtempfindliche Element
in Form einer Einheit angeordnet sind, wobei das zweite
lichtempfindliche Element so angeordnet ist, daß es den
Umfang des ersten lichtempfindlichen Elements umfaßt.
4. Lichtmeßeinrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch
gekennzeichnet, daß bei der Wahl einer Durchschnitts-Licht
meßart die elektrische Schaltvorrichtung (6; 12, 13) das
zweite lichtempfindliche Element (1b) zu dem ersten
lichtempfindlichen Element (1a) parallel schaltet.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57157161A JPS5946521A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 測光回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3332281A1 DE3332281A1 (de) | 1984-03-08 |
DE3332281C2 true DE3332281C2 (de) | 1993-03-04 |
Family
ID=15643513
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19833332281 Granted DE3332281A1 (de) | 1982-09-08 | 1983-09-07 | Lichtmesseinrichtung |
Country Status (3)
Country | Link |
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US (1) | US4681441A (de) |
JP (1) | JPS5946521A (de) |
DE (1) | DE3332281A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3844245A1 (de) * | 1987-12-29 | 1989-07-13 | Seikosha Kk | Messschaltung zur erfassung von hintergrundlicht |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4701048A (en) * | 1983-02-23 | 1987-10-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Input circuit for distance measuring apparatus |
US5264889A (en) * | 1990-04-17 | 1993-11-23 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Apparatus having an automatic focus detecting device |
US6208370B1 (en) | 1998-12-22 | 2001-03-27 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for determining the starting position and the power of a scanning light beam to be used in writing on a media |
US6055057A (en) * | 1998-12-22 | 2000-04-25 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for accurately sensing a light beam as it passes a defined point |
JP2003124757A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-25 | Texas Instr Japan Ltd | アーリー効果の影響を低減する方法および装置 |
JP4815282B2 (ja) * | 2006-06-27 | 2011-11-16 | シリンクス株式会社 | 光電変換装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2159036C3 (de) * | 1970-11-30 | 1974-04-25 | Nippon Kogaku K.K., Tokio | Belichtungssteueranordnung mit einer Fotodiode |
US3700319A (en) * | 1971-01-12 | 1972-10-24 | Optisonics Corp | Control circuit for single frame film advance audio projector |
JPS5115736B1 (de) * | 1971-02-22 | 1976-05-19 | ||
US3877039A (en) * | 1971-11-24 | 1975-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Exposure control system for cameras |
DE2238522C3 (de) * | 1972-08-04 | 1978-11-30 | Gerhard 8200 Rosenheim Krause | Belichtungsautomatik für Kameras |
JPS4991216A (de) * | 1972-12-29 | 1974-08-31 | ||
JPS506331A (de) * | 1973-05-15 | 1975-01-23 | ||
JPS527870Y2 (de) * | 1973-07-11 | 1977-02-18 | ||
DE2558155C3 (de) * | 1974-12-28 | 1978-10-19 | Canon K.K., Tokio | Lkhtmeßschaltung |
JPS5443727A (en) * | 1977-09-13 | 1979-04-06 | Minolta Camera Co Ltd | Exposure control device for camera |
JPS54161983A (en) * | 1978-06-12 | 1979-12-22 | Canon Inc | Temperature compensating circuit of photometric circuit |
-
1982
- 1982-09-08 JP JP57157161A patent/JPS5946521A/ja active Granted
-
1983
- 1983-09-07 DE DE19833332281 patent/DE3332281A1/de active Granted
-
1986
- 1986-02-24 US US06/834,492 patent/US4681441A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3844245A1 (de) * | 1987-12-29 | 1989-07-13 | Seikosha Kk | Messschaltung zur erfassung von hintergrundlicht |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5946521A (ja) | 1984-03-15 |
DE3332281A1 (de) | 1984-03-08 |
US4681441A (en) | 1987-07-21 |
JPH0553371B2 (de) | 1993-08-09 |
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