DE3325133A1

DE3325133A1 - Mikrowellenschaltungsplatte und verfahren zu ihrer herstellung

Info

Publication number: DE3325133A1
Application number: DE3325133A
Authority: DE
Inventors: Rodger P. 85283 Tempe Ariz. McMonagle
Original assignee: Rogers Corp
Current assignee: Rogers Corp
Priority date: 1982-07-12
Filing date: 1983-07-12
Publication date: 1984-01-12
Also published as: JPS5927592A; FR2530083A1; CA1204518A; US4525247A; GB2123616A; GB2123616B; JPH0362036B2; FR2530083B1; GB8318816D0; IT1163752B; IT8322002A0

Description

Rogers Corporation, Main Street, Rogers, Connecticut 06263, : Vereinigte Staaten von Amerika

Mikrowellenschaltungsplatte und Verfahren zu ihrer Herstellung

I Anwaltsaktenz.: 194 - Pat. 80 !

Die Erfindung betrifft Schaltungsträgerplatten zur Verwendung bei Mikrowellenfrequenzen. Im einzelnen betrifft die Erfindung Schaltungsplatten für Mikrowellen und Verfahren zur Herstellung solcher Schaltungsplatten, welche in einem Schichtenverband, welcher aus einer Kunststoffschicht zwischen Kupfer- und Aluminiumschichten eingelagert gebildet ist, Durchgangsbohrungen aufweist.

Die hier vorgeschlagene Konstruktion bzw. die hierzu erforderlichen Maßnahmen erweisen sich als besonders zweckmäßig bei der Herstellung von Schaltungsplatten für die Übertragung elektrischer Signale bei Mikrowellenfrequenzen. Schaltungsplatten für die Verwendung bei Mikrowellenfrequenzen weisen oft eine verhältnismäßig dicke Aluminiumplatte oder Aluminiumschicht auf, welche unter anderen Aufgaben die Funktion einer Wärmesenke besitzt. Eine Schicht aus Kunststoff, der bezüglich seiner dielektrischen und mechanischen Eigenschaften ausgewählt wird, kann auf einer Oberfläche der Aluminiumschicht festgeklebt werden und außerdem besitzt der Schichtenverband der Schaltungsplatte eine Leiterschicht in Gestalt einer Kupferfolie, welche mit der

freiliegenden Oberfläche der dielektrischen Schicht, d. h. der Kunststoffschicht, verbunden ist. Die dielektrische Schicht kann beispielsweise aus Tetrafluoräthylen oder aus j phaserverstärktem Polytretrafluoräthylen bestehen. Dieser j Schichtverband oder dieses Laminat aus dielektrischem Werk- ■ stoff zwischen einer verhältnismäßig dicken unteren Aluminiumschicht und einer verhältnismäßig dünnen oberen Kupferschicht oder Kupferfolienschicht kann als Ausgangsprodukt bei der Herstellung von Schaltungsplatten der hier interessierenden Art betrachtet werden.

Bei Schaltungsplatten dieser Art ist es notwendig, elektrische Verbindungen zwischen denjenigen Teilen der Schaltung, welche an oder in der Kupferfolienschicht erzeugt werden, und der Aluminiumplatte herzustellen, welche einen Teil der Erdungsebene bildet. Diese Verbindungen werden zweckmäßig über Durchgangsbohrungen des Schichtenverbandes geführt. Die Erzeugung von Verbindungen über die Durchgangsbohrungen auf zuverlässige und wirtschaftliche Art und Weise ist auf diesem Gebiet der Technik seit langem ein Problem. Es ist besonders erwünscht, die Verbindungen über die Durchgangsbohrungen durch nichtelektrisches Plattieren von Kupfer zu erzeugen. Es ist jedoch nicht möglich, einfach durch nichtelektrisches Plattieren Leitungspfade zwischen im Abstand voneinander gelegenen Kupfer- und Aluminiumelementen zu erzeugen. Tatsächlich ist es auf diesem Gebiete der Technik bekannt, daß ein Plattieren auf Aluminium besondere Maßnahmen erforderlich macht, um eine ausreichende Haftung zu erzielen.

Gegenwärtig verwendet man hauptsächlich zwei Techniken zum Plattieren auf Aluminium. Bei diesen beiden Techniken kommt eine Verzinkung, bei welcher eine dünne Zinkschicht auf den Aluminiumträger aufgebracht wird und die anderen Metalle nachfolgend auf der Zinkschicht abgelagert werden, oder ein Anodisierungsvorgang zum Einsatz, bei welchem ein poröser anodischer Belag erzeugt wird und ein Metall nachfolgend auf

diesen Belag aufplattiert wird. Wegen der vergleichsweise einfachen Ausübung und der verhältnismäßig niedrigeren Kosten ist
das Verzinkungsverfahren bei weitem das gebräuchlichere Verfahren. Die beschriebene Technik hat jedoch den Nachteil, daß
sie gegenüber der Oberflächeneigenschaften des Aluminiums
außerordentlich, empfindlich ist, so daß zeitraubende Reinigungs- und Ätzmaßnahmen dem Verzinkungsvorgang vorgeschaltet
werden müssen. Weiter vermeidet man im allgemeinen die Verwendung von zinkbeschichteten Aluminiumbauteilen in elektrischen
Schaltungen, da das Zink bei Lötvorgängen schmilzt, sich mit
dem Lot mischt und hohe Übergangswiderstände oder in anderer
Weise schadhafte Verbindungsstellen verursacht. Vorstehendes j gilt auch für Cadmium, welches manchmal an Stelle von Zink ein- ^: gesetzt wird. ;

Das Anodisierungsverfahren kann bei der Herstellung von Mikrowellenschaltungsplatten nicht eingesetzt werden, da allgemein
die Auffassung vertreten wird, daß das Kupfer die Bildung eines ^! anodischen Belages an der Aluminiumoberfläche verhindert oder
das Kupfer chemisch angegriffen wird und dadurch für die Verwendung ungeeignet wird.

i Hat man sich bisher dem Problem gegenübergesehen, Verbindungen j

ί über Durchgangsbohrungen zwischen Aluminium- und Kupferschich- j

ten einer Mikrowellenschaltungsplatte geschichteten Aufbaus zu j

j führen, und konnte man kein Verzinkungsverfahren verwenden, so

; mußte man nach einem vergleichsweise unzuverlässigem Verfahren j

\ versuchen, Kupfer oder Nickel entweder unmittelbar auf dem ·,

Aluminium abzulagern oder die Ablagerung auf Aluminium vorzu- j

: nehmen, das zuvor mit einem Chromat-Umwandlungsüberzug ver- ;

sehen worden ist. Es ist allgemein bekannt, daß derartige Maß- ί

; nahmen zu aufplattierten Metallüberzügen niedriger Qualität '

führen, welche gegenüber der Aluminium-Basisplatte eine niedrige

: Haftung aufweisen. Werden solche geringe Qualität aufweisende ;

\ Beläge erhöhten Temperaturen, etwa beim Tränken für die Dauer

einer Stunde bei 120° C oder beim Eintauchen in ein 60/40-Zinn-

Bleilot ausgesetzt, so neigen die Beläge zum Abheben.

i

Durch die Erfindung soll die Aufgabe gelöst werden, bei der Herstellung von Mikrowellenschaltungsplatten die Leiterschichten des dielektrische Zwischenschichten enthaltenden Schichtenverbandes über Durchgangsbohrungen in solcher Weise verbinden zu können, daß zeitraubende und unwirtschaftliche Vorbehandlungsschritte vermieden werden und eine gute Haftung des elektrisch leitenden Verbindungsmaterials an den genannten Leiterbelägen erzielt wird.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im anliegenden j Anspruch 1 angegebenen Merkmale gelöst. Zweckmäßige Ausgestal- ' tungen und Weiterbildungen der im Anspruch 1 beschriebenen ^: Mikrowellenschaltungsplatte sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung sind Gegenstand der dem Anspruch 1 nachgeordneten Patentansprüche, deren Inhalt hierdurch zum Bestandteil der Beschreibung gemacht wird, ohne an dieser Stelle den Wortlaut ' zu wiederholen.

; Ausgangspunkt bei der Herstellung von Mikrowellenschaltungs- ^: platten der hier angegebenen Art ist ein Laminat oder Schichi tenverband aus einer Schicht eines dielektrischen Werkstoffes, I welche auf einer Oberfläche eine dünne Kupferschicht trägt ; und auf der anderen Oberfläche mit einer dickeren Schicht aus [ Aluminium verbunden ist. Durchgangsbohrungen werden durch den j Schichtenverband hindurch in vorbestimmter Anordnung gebohrt. ] Sämtliche freiliegenden Aluminiumoberflächen (d. h. die Alumi- : niumschicht und die Wände der Durchgangsbohrungen, soweit sie ; in der Aluminiumschicht verlaufen) werden durch ein sorgfältig ! gesteuertes Verfahren anodisiert, so daß ein poröser Aluminium- ! oxidbelag entsteht. Während des Anodisierens wird der dünne I Kupferbelag auf der dielektrischen Schicht elektrisch von dem Aluminium isoliert gehalten. Nun wird eine Schicht aus Leitermaterial auf sämtliche Bereiche des zuvor gebildeten Aluminium- ; oxidbelages elektrisch aufplattiert. Sodann wird der gesamte i Schichtenverband einer Natriumätzbehandlung oder Plasmaätzbehandlung unterzogen, so daß die Wände der Durchgangsbohrungen,

soweit sie in der dielektrischen Schicht verlaufen, sozusagen benetzt werden. Hierauf wird der gesamte Schichtenverband nicht-elektrisch plattiert, so daß ein vollständiger Belag aus Metall an sämtlichen Oberflächen des Schichtenverbandes entsteht, einschließlich aller freiliegenden elektroplattierten Metallflächen, der ursprünglichen Oberfläche der dünnen Kupferschicht und der gesamten inneren Wandflächen der Durchgangsbohrungen. Danach wird eine Mikrowellenschaltung auf derjenigen Oberfläche des Schichtenverbandes erzeugt, welche ursprünglich die dünne Kupferschicht trüg, wobei die plattierten Durchgangsbohrungen die Leitverbindungen zwischen dem Schaltungsmuster und anderen Teilen der Kupferoberfläche über das Aluminium herstellen, welches die Erdungsebene ist.

Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele anhand der Zeichnung näher erläutert. Es stellen dar: i

Fig. 1 ein Flußdiagramm der wesentlichen Schritte des hier vorgeschlagenen Verfahrens und

Fig. 2A eine Mikrowellenschaltungsplatte im !

bis 2E Schnitt in verschiedenen Zuständen ί während der Herstellung. ;

Im Zusammenhang mit der Beschreibung der Figuren 2A bis 2E ' ist zu beachten, daß bei der Darstellung der verschiedenen Metallbeläge aus Gründen der Deutlichkeit und Verständlichkeit von den in der Wirklichkeit geltenden Maßstäben und Verhält- j nissen der Abmessung abgewichen ist. i

i Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform werden Mikrowellen- j schaltungsplatten der hier angegebenen Art aus einem Halbfer- ; tigprodukt in Gestalt eines Schichtenverbandes hergestellt, der zunächst aus einer Kupferfolie 10 und einer Aluminiumplatte 12! hergestellt ist, die an den einander gegenüberliegenden Ober- j

flächen eines Blattes oder einer Platte aus faserverstärktem Polytetrafluoräthylen 14 (s. Figur 2A) festgeklebt sind. Der Schichtenverband kann beispielsweise das Material RT/Duroid 5870 oder 5880 enthalten, das von der Firma Rogers Corporat ion, Rogers, Connecticut, Vereinigte Staaten von Amerika, bezogen werden kann. Bei einem praktischen Ausführungsbeispiel ist die Kupferfolie etwa 0,035 mm dick, die Platte oder Schicht aus Isolierwerkstoff hat eine Dicke von 1,5 mm und die Aluminiumschicht hat eine Dicke von 1,65 mm und enthält Aluminium der j Qualität 6061/T6. Nach Bereitstellung des als Halbfertigpro- [ dukt dienenden Schichtenverbandes (Schritt A), ist der nächste!

Schritt (Schritt B) bei der Herstellung einer Mikrowellen- ! j schaltungsplatte das Bohren von Durchgangsbohrungen 16 in der j jeweils gewünschten Abmessung und an den gewünschten Punkten durch den Schichtenverband hindurch (s. Figur 2B). Die Durchgangsbohrungen werden nachfolgend notwendigenfalls entgratet. j Der Schichtenverband wird dann gereinigt. Dies kann rasch ■ durch Verwendung einer Reinigungslösung erreicht werden, welche sowohl gegenüber dem Aluminium als auch gegenüber dem Kupfer ! neutral ist. Der Reinigungsvorgang dient zur Entfettung des Schichtenverbandes und zur Entfernung der herstellungsbedingten

Verschmutzung und der Fingerabdrücke. j

Der gereinigte Schichtenverband wird nun in eine wässrige ! Anodisierungslösung eingetaucht, welche bei einem praktischen Ausführungsbeispiel des hier angegebenen Verfahrens aus 30 : Volumenprozent einer 85 %igen Phosphorsäure (Hg PO^) besteht. Sämtliche freiliegenden Aluminiumoberflächen (d. h. sämtliche \ ursprünglich freiliegenden Oberflächen des Aluminiums sowie die Innenwandungen der Durchgangsbohrungen, soweit sie in der Aluminiumschicht verlaufen,) werden in einem sorgfältig gesteuerten Verfahren anodisiert (Schritt C), wobei eine elek- ; trische Verbindung zu der Aluminiumoberfläche vermittels , einer wiederverwendbaren Titanklammer hergestellt wird. Es wird darauf geachtet, daß die Kontaktklammer elektrisch von \ der Kupferseite des Schichtenverbandes isoliert bleibt. Wenn

diese Vorsichtsmaßnahme nicht beachtet wird, so wird das Kupfer von dem Schichtenverband abgeätzt und an dem Aluminium bildet sich kein Anodisierungsbelag. Während des Anodisierungsvorganges wird die Temperatur der Anodisierungslösung in dem Bereich von 40° C bis 48* C gehalten und vorzugsweise wird eine Temperatur von etwa 43,3* C aufrechterhalten. Bei j einer praktischen Ausführungsform, bei welcher die Temperatur j der Änodisierungslösung 43,3° ^c betrug, war die Dichte des j Anodenstroms 2,3 A/m² und man setzte die Anodisierung für eine \ Dauer von 5 Minuten fort. Während der Anodisierung wurde die ί Anodisierungslösung mäßig durchgerührt, so daß die sich an den j Oberflächen des Aluminiums während der Anodisierung bildenden j Sauerstoffblasen eine vollständige Anodisierung der Aluminiumoberflächen, insbesondere an den Wandungen der Durchgangsbohrungen, nicht verhindern konnten. Der Oxidbelag, welcher sich praktisch bei der hier vorgeschlagenen Maßnahme bildet, hat ein Gewicht des Belages im Bereich von 0,6 bis 13 mg/cm .

■ /nschließend an die Anodisierung wird das Substrat bzw. der ; Schichtenverband abgespült, vorzugsweise durch Abwaschen in ^: klarem Wasser.

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j Der nächste Verfahrensschritt .in dem Herstellungsverfahren ' (Schritt D) sieht ein Elektroplattieren zur Bildung eines Kupferbelages 18 oder eines Belages aus einem anderen elektrisch leitfähigen Material, beispielsweise Nickel, auf dem Aluminiumoxidbelag vor, der sich während des Anodisierungsvorganges (s. Figur 2C) gebildet hat. Im Falle von Elektroplattieren von Kupfer wird der Schichtenverband in eine sauere Kupfersulfadlösung eingetaucht, bis das Aluminiumoxid mit einer anhaftenden Kupferschicht bedeckt ist. Aufgrund der Porosität des Aluminiumoxidbelages, der durch das sorgfältig gesteuerte Anodisieren erzeugt worden ist, dringt das durch Elektroplattieren über dem Aluminiumoxid aufgebrachte Kupfer in die Poren ein und bildet auch eine Plattierungsschicht auf dem Aluminium der Basisplatte. In jedem Fall haftet das aufplattierte Kupfer sehr stark an dem Aluminiumoxidbelag und steht

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elektrisch in Verbindung mit dem Aluminium der Basisplatte, so daß eine elektrische Verbindung zu dem Metall der Basisplatte durch einen elektrischen Kontakt mit der Kupferschicht hergestellt werden kann. Bei einem praktischen Ausführungsbeispiel wird das Kupfer aus einer Kupfersulfat-Schwefelsäurelösung (CuSC^-I^SC^-Lösung) plattiert, welche von der Firma Lea-Ronal Inc., Freeport, New York, unter der Bezeichnung Copper Gleam PCM bezogen werden kann. Bei einer praktischen Ausführungsform kann anstelle des Kupfers Nickel aufplattiert werden, wozu eine (NH2 SO3H) 2^Ni^-Ijösung verwendet wird. Das aufplattierte Metall dient als Erdungsebene in der )

resultierenden Mikrowellenschaltungsplatte. ■

Es hat sich als sehr wichtig herausgestellt, daß die Gleich- ! Stromleistung eingeschaltet ist, wenn der Schichtenverband in j das Plattierungsbad eingetaucht wird, um einen Belag zu erhalten, welcher einen zuverlässigen elektrischen Kontakt zu i.

dem Aluminium der Basisplatte herstellt. Typische Parameter bei dem Aufplattieren des Kupfers seien nachfolgend angegeben:

Badtemperatur 21° C bis 32° C

Kathodenstrom 1,85 bis 3,7 A/m²

Verhältnis von Anoden-
und Kathodenoberfläche 1:1 bis 2:1 Behandlungszeit 10 bis 20 Minuten

Aufrühren des Bades
mittels Durchperlen mit
reiner Luft.

Die Dicke der Plattierungsschicht liegt im Bereich von 0,005

j bis 0,01 mm sowohl für eine Kupferschicht als auch für eine Nickelschicht. Nach dem Elektroplattieren wird der Schichtenverband einem Natriumätzen odr Plasmaätzen (Schritt E) unterzogen, um sämtliche freiligenden Oberflächen des Dielektrikums, insbesondere die Innenwände der Durchgangsbohrungen im Dielektrikum zu beeinflussen. Diese Behandlung ermöglicht eine Benetzung der Wände der Bohrungen, so daß sie einen wässrigen ! Werstoff annehmen oder aufnehmen.

Nach dem Ätzvorgang wird der Schichtenverband in einem Kathalysierungsbad (Paladiumsalz) gespült. Sodann wird die Anordnung nichtelektrisch mit Kupfer oder mit Nickel plattiert, so daß ein durchgehender Kupferbelag bzw. Nickelbelag 20 auf der ursprünglich vorgesehenen Kupferfolie, der Kupferplattierung (auf der ursprünglichen Aluminiumplatte) und auf den Innenwänden der Durchgangsbohrungen entsteht (s. Figur 2D und Figur 2E|, welche einen Schnitt entsprechend der in Figur 2D angedeuteten j Schnittlinie E-E wiedergibt). Die Kupferplattierung (oder Nickelplattierung) an den Wänden der Durchgangsbohrungen bilde ι • Leitungswege durch die Durchgangsbohrungen hindurch zwischen j der dünnen Kupferfolie und der Kupferplättierung sowie über das aufplattierte Kupfer auf der Aluminium-Basisplatte. Der Aufbau der Mikrowellenschaltungsplatte ist somit vervollständigt und | ! die Platte ist für die Bildung eines bestimmten Schaltungsmu- j j sters nun vorbereitet. j

Nach Vervollständigung des Aufbaus der Mikrowellenschaltungs- : platte wird das Schaltungsmuster für eine oder mehrere Mikro- > wellenschaltungen auf derjenigen Oberfläche erzeugt, welche j ursprünglich die dünne Kupferfolie trug. Teile der Schaltung j werden, soweit gewünscht, über die leitfähig beschichteten Durchgangsbohrungen elektrisch mit der Erdungsebene verbunden.

Der Fachmann erkennt, daß die hier angegebenen Maßnahmen und Konstruktionsmerkmale auch zusätzliche Metallablagerungen umfassen, beispielsweise aus Kupfer-Lotmetall oder Kupfer-Nickel-Gold zwecks Verbesserung der elektrischen Eigenschaften und/oder der Lötbarkeit der Kupferschicht oder zur Erzielung von Metallschichten, welche gegenüber der Einwirkung chemische Ätzmittel widerstandsfähig sind, die beim Herstellen der elek-j trischen Schaltungselemente eingesetzt werden. !

- 9 _ copy

Leerseite

Claims

Patentansprüche

Verfahren zur Herstellung einer Schaltungsplatte aus einem Schichtenverband eines dielektrischen Materiales in Einlagerung zwischen Schichten aus Kupfer und aus Aluminium, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:

a) Herstellung mindestens einer Durchgangsbohrung in dem Schichtenverband;

b) Anodisieren der freiliegenden Flächen der Aluminiumschicht in H3PO4 bei elektrischer Isolation des Aluminiums gegenüber dem Kupfer;

c) Aufplattieren eines leitfähigen Metalls über dem durch Anodisierung gebildeten Belag auf dem Aluminium;

d) Ätzen der freiliegenden Oberflächen des dielektrischen Materials und

e) nichtelektrisches Aufplattieren eines leitfähigen Metalls auf sämtlichen freiliegenden Flächen des Schichtenverbandes.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Anordnung von Durchgangsbohrungen hergestellt wird, welche den die Schichten aus Aluminium, aus Dielektrikum und aus Kupfer enthaltenden Schichtenverband durchdringen, derart, daß die nachfolgenden Verfahrensschritte des Anodisierens, des Elektroplattierens, des Ätzens und des nichtelektrischen Aufplattierens zu Leitungswegen durch die Schaltungsplatte hindurch über die mit Plattierung versehenen Durchgangsbohrungen hindurch führen.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß bei der Durchführung der Anodisierung elektrischer Kontakt zu der Aluminxumschicht mittels eines Titan-Kontaktelementes hergesellt wird, welches von der Kupferschicht elek-

j trisch isoliert ist.

!
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zum Elektroplattieren der anodisierte Schichten- j

ι verband in ein Plattierungsbad getaucht wird, welches CuSO* \

ι ι

; enthält, nachdem ein elektrischer Kontakt zwischen einer Strom- j

¹ j

' quelle und der Anode sowie der Kathode der betreffenden Plat- :

! tierungseinrichtung hergestellt worden ist. j

I ι
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekenn- , zeichnet, daß bei der Anodisierung eine Temperatur des H3PO4 | im Bereich von 40° C bis 48° C aufrechterhalten wird.

1
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekenn- . zeichnet, daß die Anodisierung fortgesetzt wird, bis ein Oxid-

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¹ belag mit einem Gewicht im Bereich von 0,6 mg je cm¹' bis 13 mg ;

I 7 I

i je cm gebildet ist.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Elektroplattierung Kupfer oder Nickel
unter folgenden Bedingungen aufplattiert wird:

' Badtemperatur 21° C bis 32° C j

; Kathodenstrom 1,85 A/m² bis 3,7 A/m² I

• Anoden-Kathoden- _i

j Flächenverhältnis 1:1 bis 2:1

! Behandlungsdauer 10 Minuten bis 20 Minuten

j Aufrühren des Bades

! mit gereinigter Luft.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß beim Elektroplattieren der Schichtenverband in das Plattierungsbad eingetaucht wird, nachdem die elektrische Energie bereits eingeschaltet ist.
i 9. Schaltungsplatte, welche insbesondere nach dem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8 hergestellt ist, gekennzeichnet durch einen Schichtenverband aus einem dielektrischen Werkstoff (14) in Einlagerung zwischen einer ersten relativ dicken Schicht (12) aus Aluminium und einer zweiten, verhältnismäßig j dünnen Schicht (10) aus Kupfer, ferner durch mindestens eine j Durchgangsbohrung (16) durch den Schichtenverband, weiter durch ■ einen Belag aus leitfähigem Metall, der auf alle freiliegenden ^: oder freigelegten Oberflächenbereiche des Aluminiums (12) durch Elektroplattieren aufgebracht ist, weiter durch einen Anodisierungsbelag des Aluminiums (12) auf allen freiliegenden oder freigelegten Oberflächenbereichen, wobei dieser Anodisierungsbelag vor dem Elektroplattieren des leitfähigen Metalls aufgebracht worden ist und durch einen leitfähigen, durch nichtelektrisches Plattieren aufgebrachten Metallbelag auf sämtj liehen freiliegenden Flächen der verhältnismäßig dünnen ι Kupferschicht (10), des durch Elektroplattieren aufgebrachten J Kupfers (10) und des dielektrischen Materials (14) einschließj lieh derjenigen Flächenbereiche, welche die Wände der Durchl gangsbohrungen (16) bilden.
j 10. Schaltungsplatte nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der leitfähige durch Elektroplattieren aufgebrachte Belag ■ ein Kupferbelag oder Nickelbelag ist.
11. Schaltungsplatte nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß der leitfähige, durch nichtelektrisches Plattieren aufgebrachte Belag ein Kupferbelag oder Nickelbelag ist. !

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