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Die Erfindung bezieht sich auf einen Speicherbaustein für
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Mikroprozessoren, der für Programmänderung löschbar und danach wieder
programmierbar und im übrigen wie ein EPROM-Speicherbaustein dazu ausgebildet ist,
die ihm gegebene Programmierung fest zu halten und auch anstelle eines EPROM-Speicherbausteins
in Mikroprozessor-Schaltunge und - ggf. über ein elektronisches Anpassungselement
-in elektronische Entwicklungs- und Programmiergeräte einsetzbar ist, wobei ein
CMOS-RAM-Speicherbaustein mit einer eine Stromquelle zur Pufferung der RAM-Versorungsspannung
enthaltenden elektronischen Randbeschaltung zu einer elektronischen Bausteineinheit
vereinigt ist.
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Speicherbausteine dieser Art sind in der Zeitschrift "Electronic Product
News EPN", Ausgabe Januar 1980, als nichtflüchtiger RAM-Module oder "Instant ROMs"
beschrieben. Sie sind auch unter der Bezeichnung "EPROM EMULATORS" bekannt. Diese
bekannten Instant ROMs" oder "EPROM EMULATORS" haben jedoch den erheblichen Nachteil,
daß sie mit einem elektrischen Primärelement, nämlich einer Lithium-Batterie als
Stromquelle ausgerüstet sind.
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Schon allein die sich verbrauchende elektrische Primärbatterie beschränkt
die Lebensdauer dieser bekannten Speicherbausteine. Dabei ist es zur Erzielung ausreichender
Lebensdauer notwendig, solche CMOS-RAM-Speicherbausteine zu benutzen, die nur sehr
geringen Stromverbrauch
haben. Dabei sind aber das Einschreiben
und das Ablesen von Speicherungen bei solchen CMOS-RAM-Speicherbausteinen nur mit
geringer Geschwindigkeit möglich. Die bekannten Instant ROMs" bzw. "EPROM EMULATORS"
sind daher für höhere Anforderungen, insbesondere für höhere Einschrembg~schwindigkeit>.
. und Ablesgeschwindigkeiten von Speicherungen nicht geeignet.
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Aufgabe der Erfindung ist es demgegenüber, Speicherbausteine der einganos
beschriebenen Art dahingehend wesentlich zu verbessern, daß die durch die Stromquelle
bedingte Beschränkung der Lebensdauer und die durch die notwendige Wahl spezieller
CMOS-RAM-Bausteine bedingte Beschränkung der Einschreibe- und Ablesecharakteristik
entfallen.
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Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß a) die Stromquelle
zur Pufferung der RAM-Versorgungsspannung ein Akkumulator ist, der über einen Widerstand
zur Einstellung des Lade- und Pufferstroms an die Zuführung für die normale Betriebsspannung
angeschlossen ist, wobei b) die elektronische Randbeschaltung elektronische Schaltteile
zur Verhinderung von Energieabfluß vom Akkumulator in die externe Beschaltung und
c) ein Schaltelement enthält, daß zwischen dem am CMOS-RAM-Speicherbaustein für
die Eingabe
von Speicherungen vorgesehenenyEingang und einem Anschluß für die Aktivierungsspannung
des Programmiergerätes eingesetzt ist, wobei der Aktivierungseingang und der Eingang
für die Versorgungsspannung des CMOS-RAM-Speicherbausteins über einen ohm'schen
Widerstand miteinander verbunden sind.
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Durch die Erfindung wird erreicht, daß der als Stromquelle zur Pufferung
der RAM-Versorgungsspannung eingesetzte Akkumulator während des Betriebes des Speicherbausteins
ständig aufgeladen wird. Da die zur Pufferung der RAM-Versorgungsspannung erforderliche
Klemmenspannung des Akkumulators kleiner als die normale Betriebsspannung des Speicherbausteines
ist, läßt sich mittels des zwischen die Zuführung für die normale Betriebsspannung
und den Akkumulator eingesetzten elektrischen Widerstand der Ladestrom so begrenzen,
daß der Akkumulator keine Schädigung durch Überladen erfährt aber andererseits auch
bei einer Betriebsweise des Speicherbausteines mit relativ kurzen Betriebszeiten
und relativ langen Außerbetriebszeiten das vollständige Nachladen des Akkumulator
gewährleistet ist. Durch die in der elektronischen Randbeschaltung vorgesehenen
elektronischen Schaltteile zur Verhinderung von Energieabfluß vom Akkumulator in
die externe Beschaltung wird vermieden, daß sich der Akkumulator in einem in eine
Mikroprozessor-Schaltung oder
in ein Entwicklungs- und Programmiergerät
eingesetzten erfindungsgemäßen Speicherbaustein entladen könnte. Vielmehr wird durch
diese elektronischen Schaltteile zur Verhinderung von Energieabfluß in die externe
Beschaltung sichergestellt, daß bei Wegfall der aus der externen Beschaltung kommenden
Betriebsspannung die an die externe Besc## 1 tung angeschlossene Betriebsspannungs-Zuführung
innerhalb des Speicherbausteins blockiert und die aus dem Akkumulator kommende Pufferung
der RAM-Versorgungsspannung sofort voll wirksam wird. Zugleich ist durch die Erfindung
mittels eines Schalterelements Vorsorge dafür getroffen, daß beim Herausnehmen des
erfindungsgemäßen Speicherbausteins aus dem Entwicklungs- und Programmiergerät die
in den Speicherbaustein eingeschriebene Programmierung bzw. Speicherung gesichert
wird.
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Durch die Erfindung, insbesondere durch das Schalterelement in der
für die Eingabe von Speicherungen im erfindungsgemäßen Speicherbaustein vorgesehenen
Zuleitung zum CMOS-RAM-Speicherbaustein können sämtliche zusätzlichen, seitlichen
Anschlüsse an der Bausteineinheit entfallen, wie sie bei den bekannten Instant ROMs"
bzw. "EPROM EMULATORS" insbesondere als Anschlüsse für ~write" (WF) und "Chip,-Select"
(:T) notwendig sind.
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Vielmehr können sämtliche Anschlüsse des erfindungsgemäßen Speicherbausteins
in entsprechender Anordnung
wie die Pin-Anordnung an herkömmlichen
RAM-Bausteinen bzw. EPROM-Bausteinen vorgesehen sein. Im Sockel sind daher alle
Steuerleitungen ansprechbar. Dadurch ist voller Schreib- und Lesebetrieb ohne Zusatzverkabelung
möglich, und zwar ist jederzeit jede Bedienungsart möglich. Durch eine einfache
Adapterschaltung, die in Art eines Zwischensockels ansetzbar ist, kann der erfindungsgemäße
Speicherbaustein in herkömmliche Programmie geräte eingesetzt werden. Durch den
erfindungsgemäßen Spei cherbaustein werden wesentliche Erleichterungen bei der Programmerstellung
gegenüber den herkömmlichen EPROM-Speicherbausteinen erzielt, insbesondere da die
Löschzeiten entfallen. Gegenüber den bekannt gewordneen "Instant ROMs" bzw. "EPROM
EMULATORS" ergibt sich der zusätzliche Vorteil wesentlich verkürzter Schreibzeiten.
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In vorteilhafter Weiterbildung der Erfindung kann der Akkumulator
auf die stand-by-Betriebsspannung des CMOS-RAM-Speicherbausteins abgestimmt sein
und über eine Diodenschaltung bei Fehlen der externen Betriebsspannung die Stromversorgung
des CMOS-RAM-Speicherbausteins übernehmen. Hierdurch wird in optimaler Weise der
Übergang von Ladebetrieb des Akkumulators auf Pufferstrombetrieb und umgekehrt gewährleistet.
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In bevorzugter Ausführungsform ist der Akkumulator über den Widerstand
an eine Diodenschaltung oder vorzugsweise
an die Basis eines mit
seiner Emitter-Kollektor-Strecke in die Zuführung für die normale Betriebsspannung
zum CMOS-RAM-Speicherbaustein gelegten Transistors angeschlossen. Durch diese Diodenschaltung
bzw. Transistorschaltung wird gewährleistet, daß bei Absinken der externen Betrieb
spannung unter einen Schwellenwert der Pufferstrom-Betrieb de; Akkumulators selbsttätig
einsetzt. Dabei bietet das Anschließen des Akkumulators über den Widerstand an die
oben angegebene Transistorschaltung den Vorteil, daß die im Ladestromkreis des Akkumulators
liegende Emitter-Basis-Strecke des Transistors eine wirksame Diodenschaltung darstellt,
während die in der Zuführung für die normale Betriebsspannung zum CMOS-RAM-Speicherbaustein
liegende Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors gleiche Funktion wie eine Diodenschaltung
bei wesentlich geringerem innerem Widerstand und damit geringerem Spannungsabfall
bietet.
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Das zur Sicherung der'Einspeicherung an den Aktivierungseingang (pin
18) des CMOS-RAM-Speicherbausteins gelegte Schalterelement kann ein von Hand zu
betätigender Ein-Aus-Schalter sein. Bevorzugt wird man jedoch einen selbsttätigen
Schalter dort vorsehen. Hierzu kann das Schalterelement ein Schalttransistor sein,
der mit seiner Emitter-Kollektor-Strecke zwischen dem Aktivierungseingang (pin 18)
des CMOS-RAM-Speicherbausteins und dem
Anschluß für die Aktivierungsspannung
(#) gelegt ist, wobei die Basis dieses Transistors über eine Zenerdiode an die Versorgungsspannung
gelegt ist. In beiden Fällen wird durch Unterbrechen der Verbindung zwischen dem
Aktivierungseingang des CMOS-RAM-Speicherbausteins und dem Anschluß für die Aktivierungsspannung
erreicht, daß über den den Aktivierungseingang mit dem Eingang für Versorgungsspannung
des CMOS-RAM-Speicherbausteins verbindenden ohm'schen Widerstand am Aktivierungseingang
der Zustand "high" aufgebaut wird, um dadurch den CMOS-RAM-Speicherbaustein gegen
Speicherungsverlust zu sichern Bei dem aus Schalttransistor, Zenerdiode und Spannungsteiler
aufgebauten elektronischen Schalter kann die Dimensionierung von Zenerdiode und
Spannungsteiler derart vorgesehen werden, daß der Schalttransistor sperrt wenn die
Betriebsspannung am Eingang für die Versorgungsspannung des CMOS-RAM-Speicherbausteins
um etwa 0,5V unter den Bereich der Mindestbetriebsspannung kommt.
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Für das Einsetzen des Speicherbausteins in herkömmliche Programmiergeräte
kann ein in Art eines Zwischensockels an die Bausteineinheit ansetzbares Anpassungselement
vorgesehen werden, das in den anzupassenden Verbindungen elektronische Schaltungsteile,
insbesondere eine invertierende Transistorschaltung enthält.
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Erfindungsgemäß kann eine Bausteineinheit mit einer Grundplatte vorgesehen
sein, an deren Unterseite Anschlußstifte (pins) in EPROM-Pin-Anordnung angebracht
sind und die auf ihrer Oberseite einen CMOS-RAM-Speicherbaustein, einen Akkumulator,
elektrische Bauelemente für einen Lade- und Pufferstromkreis des Akk; lators, einen
an den Aktivierungseingang des zMOS-RAM-Speicherbausteins angeschlossenen Schalter
und elektrische Widerstände trägt, die als elektronische Randbeschaltung mit dem
CMOS-RAM-Speicherbaustein und untereinander verbunden sind. Dabei kann der Schalter
bevorzugt aus einem Schalttransistor, einem ohm'schen Spannungsteiler und einer
Zenerdiode zusammengesetzt sein. Diese Bausteineinheit zeichnet sich durch kompakten
Aufbau aus und läßt sich wie ein herkömmlicher EPROM-Speicherbaustein handhaben.
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Besonders günstig läßt sich dies erreichen, wenn eine von seitlichen
elektrischen Anschlüssen freie Bausteineinheit vorgesehen ist, bei der die auf der
Oberseite der Bausteinplatte angebrachten Bauelemente zu einem Block vereinigt,
vorzugsweise eingegossen sind.
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Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden anhand der
Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 das Schaltbild einer
erfindungsgemäßen Bausteineinheit in einer bevorzugten Ausführungsform; Fig. 2 das
Schaltbild einer erfindungsgemäßen Bausteineinheit in einer zweiten Ausführungsforrn;
Fig. 3 das Schaltbild eines zusammen mit einer Bausteineinheit nach Figur 1 oder
einer Bausteineinheit nach Figur 2 benutzbaren Anpassungselementes; Fig. 4 eine
erfindungsgemäße Bausteineinheit in vertikalem Schnitt, wobei nur ein Teil der in
der Bausteineinheit enthaltenen Bauelemente dargestellt sind, und zwar schematisch,
und Fig. 5 ein Anpassungselement in vertikalem Schni bei dem nur ein Teil der im
Anpassungselement enthaltenen Bauelemente dargestellt ist, und zwar schematisch.
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In den Beispielen nach den Figuren 1 und 2 enthält die Bausteineinheit
2 einen bekannten CMOS-RAM-Speicherbaustein 1, der an seinem Aktivierungseingang
(pin 18), seinem Eingang für die Versorgungsspannung (pin 24) und seinem Masseanschluß
(pin 12) mit einer Randbeschaltung versehen ist. An den Eingang für die Versorgungsspannung
(pin
24) und den Masseanschluß (pin 12) des CMOS-RAM-Speicherbausteins 1 ist eine Stromquelle
zur Pufferung der RAM-Versorgungsspannung gelegt. Diese Stromquelle besteht aus
der Reihenschaltung eines Akkumulators 3 und einer Diode 7. Da die stand-by-Betriebsspannung
des hier beno,Æzten CMOS-RAM-Speicherbausteins 1 bei 2V liegt, kann der Akkumulator
3 aus zwei Zellen mit 1,2V Klemmenspannung aufgebaut sein, also eine Klemmenspannung
von 2,4V haben, wenn die Diode 7 eine Germaniumdiode mit entsprechen geringem inneren
Widerstand ist. Der CMOS-RAM-Speicherbaustein hat eine Betriebsspannung von 5V +10%.
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Dies entspricht einer normalen Betriebsspannung von 5V, einer maximalen
Betriebsspannung von 5,50V und einer minimalen Betriebsspannung von 4,50V. Von der
Zuführung für die Betriebsspannung (pin 24) ist der Ladestromkreis für den Akkumulator
3 mittels des Transistors 4 abgezweigt, wobei die nur vernachlässigbar kleinen,
inneren Widerstand aufweisende Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 4 in die
Zuführungsleitung 8 für die Betriebsspannung gelegt ist. Die Bausteineinheit 2 hat
dadurch die gleiche normale Betriebsspannung von SVi5%} maximale Betriebsspannung
von 5,25V und minimale Betriebsspannung von 4,75V wie ein EPROM-Speicherbaustein.
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Zur Bildung des Ladestromkreises ist die Basis des Transistors 4
über einen ohm'schen Ladevorwiderstand 10 mit der positiven Spannungsklemme des
Akkumulators 3
verbunden. Die elektrische Größe des ohm'schen Ladevorwiderstandes
10 und die Ladekapazität des Akkumulators 3 sind derart aufeinander abzustimmen,
daß einerseits während der Betriebszeit das vollständige Aufladen des Akkumulators
sichergestellt und während der Nichtbetriebszeit der Bausteineinheit 2 das Entladen
des Akkumulators über den CMOS-RAM-Speicherbaustein ausgeschlossen ist.
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An den Aktivierungseingang (pin 18) des CMOS-RAM-Speicherbausteins
1 sind in beiden Ausführungsformen ein ohm'scher Widerstand 6 als Verbindung zum
Betriebsspannungseingang (pin 24) und ein Schalterelement als Verbindung zu dem
#-Steuerungsanschluß der Bausteineinheit 2 angeschlossen.
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In der in Figur 1 wiedergegebenen bevorzugten Ausführungsform ist
das Schalterelement ein durch den Schalttransistor 5 mit ohm'schen Spannungsteiler
12, 13 und Zenerdiode 11 gebildeter elektronischer Schalter, der auf das Absinken
der Betriebsspannung in der Betriebsspannungszuleitung 8 durch Sperren des Transistors
5 anspricht. Die Zenerdiode 11 ist hierzu derart mit dem ohm'schen Spannungsteilet
12, 13 abgestimmt, daß der Transistor 5 nur dann durchgängig ist, wenn die in der
Betriebsspannungszuleitung 8 anliegende Spannung einen Mindestwert hat, der etwa
0,5V unterhalb der Mindestbetriebsspannung liegt, also einen Mindestwert von 4,0V
bis 4,25V. Unterhalb dieses
Mindestwertes der Spannung in der Leitung
8 liegt die Basis des Transistors 5 über die Zenerdiode 11 und den elektrischen
Spannungsteiler 12, 13 auf einer Spannung, bei der der Transistor 5 gesperrt ist.
Bei gesperrtem Transistor 5 stellt sich an dem Aktivierungseingang (pin 18 des CMOS-RAM-Speisnerbausteins
1 die Betriebsspannung bzw.
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die Flfferspannung ein. Tn jedem Fall bedeutet dies den Zustand "high"
am Aktivierungseingang und damit Inaktivierung des CMOS-RAM-Speicherbausteins für
Speicherungsaufnahme oder Speicherungsabgabe.
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Die Steuerung des Aktivierungseingangs mittels des NPN-Transistors
5 ergibt sich aus der folgenden Tabelle Spannung an Spannung an Funktion Ermitter
Pin 18 high (5V) high (5V) IC ist inaktiviert = Stand by; keine Funktion möglich,
Daten geschützt.
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low (OV) low (OV) Schreiben/Lesen mögl.
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undefiniert= high (2V Puffer- IC inaktiviert; IC aus Schaltung spannung)
wegen Daten geschützt.
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gezogen 1,5ko Kollektorwiderstand low (OV) = äußere high (2V Puffer-
IC inaktiviert; Betr.-Spannung spannung) wegen Daten geschützt abgeschaltet 1,5
ka Kollektorwiderstand
Eine Steuerung gleicher Art läßt sich auch
mittels eines in der vereinfachten Ausführungsform gemäß Figur 2 vorgesehenen Handschalters
9 erreichen. Jedoch darf der Benutzer der Bausteineinheit 2 nicht vergessen, den
Handschalter 9 zu öffnen bevor die Betriebsspannung abgeschaltet wird bzw. bevor
die Bausteineinheit 2 aus einem Programmiergerät oder aus einer Prozessorschaltung
herausgenommen wird.
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In Abänderung der dargestellten elektrischen Schaltung der Figuren
1 und 2 kann der Akkumulator 3 auch aus drei Zellen zu je 1,2V Klemmenspannung aufgebaut
werden, also eine Gesamtklemmenspannung von 3,6V erhalten. Hierdurch läßt sich eine
etwashöhere Pufferspannung erreichen und für die Diode 7 eine Diode mit größerem
inneren Widerstand, beispielsweise eine Siliciumdiode einsetzen. Andererseits empfiehlt
sich ein Akkumulator mit 3,6V Klemmenspannung nurtwenn die Betriebszeit der Bausteineinheit
2 relativ groß im Vergleich zur Nichtbetriebszeit ist, also die Betriebsspannung
relativ langzeitig anliegt.
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Die Figuren 1 und 2 zeigen nur die mit der Randbeschaltung verbundenen
Anschlüsse des CMOS-RAM-Speicherbausteines 1.
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Alle übrigen Anschlüsse des CMOS-RAM-Speicherbausteins 1 sind als
Anschlüsse der Bausteineinheit 2 herausgeführt.
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Figur 3 zeigt das Schaltbild einer besonders einfachen Ausführungsform
des Anpassungselements 20. Im Schaltbild gemäß Figur 3 sind nur diejenigen Anschlüsse
und Leitungen wiedergegeben, die zur Anpassung der Bausteineinheit 2 an herkömmliche
Entwicklungs- und Programmiergeräte zu variieren sind. Oabei sind auf der linken
Seite des Schjltbildes die Anschlüsse zu dem Entwicklungs- bzw.
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Programmiergerät und auf der rechten Seite des Schaltbildes die Anschlüsse
zu der Bausteineinheit 2 wiedergegeben.
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Tm dargescellten Beispiel enthält das Anpassungselement 20 eine invertierende
Transistorschaltung mit einem npn-Transistor 21. Die Basis dieses Transistors 21
ist über einen ohm'schen Widerstand 22 an den Anschluß FF (pin 18) zum Entwicklungs-
bzw. Programmiergerät gelegt.
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Der Kollektor des npn-Transistors 21 liegt an dem Anschluß WE (Buchse
21) zur Bausteineinheit 2 (Figuren 1 und 2) und über einen ohm'schen Widerstand
23 an dem im übrigen durchgeschleiften Betriebsspannungsanschluß (pin 24 und Buchse
24). Der Emitter des npn-Transistors 21 liegt an den Anschlüssen TS (Buchse 18)
und TF (Buchse 20) zur Bausteineinheit 2 (Figuren 1 und 2) sowie an dem im übrigen
durchgeschleiften Masseanschluß (pin 12 und Buchse 12). Die Verbindungen Vpp (pin
21) und WF (pin 20) zum Entwicklungs- bzw. Programmiergerät sind nicht durchgeführt
(nc). Mit diesem Anpassungselement wird
erreicht, daß unabhängig
vom Zustand an den Anschlüssen Vpp (pin 21) und OE (pin 20) der Zustand am Anschluß
WE (pin 18) zum Entwicklungs- und Programmiergerät invertiert am Anschluß W (Buchse
21) zu Bausteineinheit 2 auftritt, während der Zustand an den Anschlüssen tg (Buchse
18) und m (Buchse 20) zur Bausteineinheit 2 unabhängig vom Zustand am Anschluß CE
bzw. am Anschluß W stets "low" ist. Die invertierende Wirkung wird dadurch erzielt,
daß bei Zustand "high" an tF der npn-Transistor 21 leitend ist und daher den Anschluß
WE (Buchse 21) mit den stets an Masse (OV) liegenden Anschlüssen CS (Buchse 18)
und OE (Buchse 20) parallelschaltet. Bei Zustand "low" an CE (pin 18) sperrt der
npn-Transistor 21, so daß sich an dem Anschluß WE (Buchse 21) über den Widerstand
23 von der Betriebsspannung her der Zustand "high" aufbaut.
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Alle übrigen Anschlüsse sind im Anpassungselement durchgeschleift
ebenso wie der Anschluß für die Betriebsspannung (pin 24 und Buchse 24) und der
Masseanschluß (pin 12 und Buchse 12).
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Bedeutung: TF = Chip-enable = = Chip-select = = output-enable WE =
write-enable
low = oV high = 2- 5V Figur 4 zeigt die Bausteineinheit
schematisch in vertikalem Schnitt, wobei der Schnitt den Masseanschluß (pin 12)
und den Betrieh>Jpannungsanschluß (pin 24) zeigt. Diese Anschlußstifte (pins)
sind,wie sämtliche Anschlußstifte 16, in pin-Anordnung eines EPROM-Speicherbausteins
in der Grundp7Ztte 15 befestigt. Auf der Oberseite der Grundplatte 15 sind der CMOS-RAM-Speicherbaustein
1 und die elektrischen Bauelemente der Randbeschaltung angebracht. Figur 4 zeigt
von diesen elektrischen Bauelementen den Akkumulator 3, die Betriebsspannungszuführungsleitung
8 zum CMOS-RAM-Speicherbaustein 1, mit dem in dieser Betriebsspannungszuleitung
8 angebrachten Transistor 4.
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Ferner sind der an den Transistor 4 angeschlossene, im Ladestromkreis
des Akkumulators 3 liegende Ladevorwiderstand 10 und die im Pufferstromkreis liegende
Diode 7 gezeigt, die mit dem Akkumulator 3 und dem CMOS-RAM-Speicherbaustein 1 verbunden
ist. Sämtliche zu der Randbeschaltung des CMOS-RAM-Speicherbausteins 1 gehören-18
den Bauelemente und Anschlußleitungen sind mit dem CMOS-RAM-Speicherbaustein 1 zu
einem Block 17 vereinigt, der mit elektrisch isolierendem Kunststoff zusammengegossen
ist.
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Das Anpas sungse lement 20 ist {-b(nFtllls blockart;l9 ausge-
bildet.
Dieser Block 24 hat in etwa die Form eines Untersockels, auf den die Bausteineinheit
2 aufsteckbar ist. Zu diesem Zweck sind in der Oberseite des Blockes 24 Buchsen
25 angebracht, in die die Anschlußstifte 16 der Bausteineinheit 2 einsteckbar sind.
An der Unterseite weist der Block 24 Anschlußstifte 26 in pin~ Anordnung eines EPROM-Speicherbausteins
auf. Diese Anschlußstifte 26 sind in einer Grundplatte 27 befestigt, die im übrigen
den Block und die in ihm vereinigten Bauelemente trägt, und zwar einen npn-Transistor
21 und mit diesem Transistor 21 verbundene ohm'sche Widerstände 22 und 23 sowie
von den jeweiligen Anschlußstiften 26 zu entsprechenden Anschlußbuchsen 25 führende
Verbindungsleitungen 28. Der sockelartige Block 24 ist aus elektrisch isolierendem
Kunststoff gegossen.
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Speicherbaustein für Mikroprozessoren 1 CMOS-RAM-Speicherbaustein
2 Bausteineinheit 3 Akkumulator 4 Transistor 5 Schalttransistor 6 ohmscher Widerstand
7 Diode 8 Zuführungsleitung 9 Handschalter 10 Ladevorwiderstand 11 Zenerdiode 12
Spannungsteiler 13 Spannungsteiler
15 Grundplatte 16 Anschlußstift
17 Block 18 Anschlußleitungen 20 Anpassungselement 21 npn-Transistor 22 ohm'scher
Widerstand 23 ohm'scher Widerstand 24 Block 25 Buchsen 26 Anschlußstifte 27 Grundplatte
28 Verbindungsleitung
Leerseite