DE3217911A1

DE3217911A1 - Mikrowellenfrequenzwandler

Info

Publication number: DE3217911A1
Application number: DE19823217911
Authority: DE
Inventors: Gale Lorraine Dover-Foxcroft Me. Flanders; David Michael Topsfield Mass. Stevenson
Original assignee: Varian Associates Inc
Current assignee: Varian Medical Systems Inc
Priority date: 1981-05-18
Filing date: 1982-05-12
Publication date: 1982-12-02
Also published as: JPS57196605A; IT1151961B; FR2508256A1; FR2508256B1; GB2100539B; GB2100539A; US4380829A; CA1182180A; IT8221322A0

Description

Die Erfindung betrifft Hochfrequenzwandler oder -mischer für doppelt abgeglichene bzw. symmetrische Umwandlung und bezieht sich insbesondere auf eine physikalische und elektrische Anordnung für Mikrowellenwandler.

Zu dem umfangreichen Stand der Frequenzwandler oder -mischertechnik sei u.a. verwiesen auf US-PS 4 186 352, k Ο63 176 und k 032 850. Die Anordnung gemäß der ersten Patentschrift ist ziemlich umfangreich und enthält eine Achterdioden-Doppelbrücke anstelle einer Viererdioden-Brücke, was üblicher ist. Allerdings zeigt diese Patentschrift doppelt abgeglichene Wandler und Symme,trierglieder und zeigt das Bemühen um einen höherfrequenten Breitbandfrequenzgang. Aus US-PS h 032 850 geht ein doppelt abgeglichener Mischer hervor, der Koaxialleitungen, Symmetrierglieder und weitere Verbindungsglieder für Eingangs- und Ausgangszwecke hat, die keine absolut flache Gestalt ermöglichen und auch nicht von Natur zu einer unkomplizierten elektrischen Verbindung oder Anordnung führen. Obwohl die genannte Konstruktion kompakt und gemäß dem heutigen Stand sehr wirksam ist, hat sie auch die Nachteile, die der Verwendung derartiger koaxialer Leitungen innewohnen. Ähnlich handelt es sich bei US-PS k 063 176 um einen Versuch, die Konstruktion gegenüber den vorbekannten Anordnungen zu vereinfachen, was jedoch auch in diesem Fall zu zusätzlicher Kompliziertheit führt, insbesondere ziemlich komplizierte Leitermuster und Öffnungen sowie nicht standardgemäße Verdrahtung bei den Dioden erfordert, so daß eine geometrisch aufrechte physikalische Anordnung nötig ist. Insbesondere ist die Diodenbrücke nicht in der herkömmlichen Art des allgemein bekannten, genormten Diodenquartetts verdrahtet, bei dem die vier Dioden in Reihe in einem flachen quadratischen oder rechteckigen Muster verdrahtet sind. Statt dessen ist jedes Ende jeder Diode mit einem Leiter am Hauptkörper der Vorrichtung verdrahtet, während die anderen Enden zu einem einzigen Verbindungspunkt vereinigt sind. Alle vier Dioden stehen auf der Hauptebene der Vorrichtung senk-

recht aufrecht, was die mit dieser Konstruktion erzielbare Kompaktheit und Dünnheit begrenzt und zu einer Ausgangsverbindung führt, die aus der Hauptebene der Vorrichtung herausragt, was zusätzlich eine Verbindung mit derselben schwierig macht.

Aufgabe der Erfindung ist es, einen Frequenzwandler zu schaffen, der kompakter, dünner und von einfacherer elektrischer und physikalischer Gestalt ist; ferner soll eine Frequenzwandieranordnung mit einfacheren, kompakteren und leichter herzustellenden Syrnmetriergliedern ermöglicht werden.

Eine Frequenzwandleranordnung gemäß der Erfindung hat den Vorteil, daß nahezu alle elektrischen Anschlüsse als Streifen ausgebildet sind, die flach auf einem einzigen Substrat abgestützt sind, und daß eine herkömmliche Diodenquartett-Brücke und Kondensatoren verwendet werden, die flach am Substrat anliegen.

Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe wird durch einen Mikrowellenfrequenzwandler gelöst, der eine Diodenbrücke, ein erstes und zweites Paar Eingangs-Symmetrierglieder, die jeweils paarweise mit ihren einander benachbarten Enden mit den gegenüberliegenden Ecken der Diodenbrücke verbunden sind, während die voneinander entfernten Enden der Paare jeweils zur Aufnahme eines Hochfrequenz-Eingangssignals bzw. eines Überlagerungsoszillator-Eingangssignals geeignet sind. Zu der erfindungsgemäßen Anordnung gehört ein dielektrisches Substrat, an dessen erster Seite eine Brücke angebracht ist, ein erstes Paar einander gegenüberliegender flacher Leiter an jeder Seite des Substrats, die sich von ersten, einander gegenüberliegenden Ecken der Brücke erstrecken, sowie ein zweites Paar einander gegenüberliegende^ flacher Leiter an jeder Seite des Substrats, die sich von zweiten, einander gegenüberliegenden Ecken der Brücke erstrecken. Die Leiter jedes Paares an der zweiten Seite des Substrats sind elektrisch durchgehend aber gegenüber dem anderen Paar isoliert. Ferner gehört zu der erfindungsgemäßen Anordnung eine leitfähige Schicht an der ersten Seite des Sub-

strats, die außerhalb der Brücke angeordnet ist und die einen Leiter an der ersten Seite elektrisch fortsetzt, sowie eine Ausgangsleiterbahneinrichtung, die sich von der Brücke längs des Substrats nach außen erstreckt und an der ersten Fläche beginnt, sich durch das Substrat innerhalb der leitfähigen Schicht erstreckt und sich an der zweiten Fläche fortsetzt, um von dort ein überlagertes Ausgangssignal zu liefern.

Im folgenden ist die Erfindung mit weiteren vorteilhaften Einzelheiten anhand eines schematisch dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. In den Zeichnungen zeigt:

Fig. 1 eine Draufsicht auf einen vollständigen Frequenzwandler gemäß der Erfindung, wobei einige Konstruktions- und Anordnungseinzelheiten und die Anordnung der elektrischen Leiter und Bauelemente an einer Seite der Vorrichtung zu sehen sindj

Fig. 2 eine Schnittansicht des Frequenzwandlers gemäß Fig. 1 längs der Linie 2-2 in Fig. 1 zur Darstellung weiterer konstruktionsmäßiger und elektrischer Einzelheiten;

Fig. 3 eine Teildraufsicht auf die Unterseite der Vorrichtung gemäß Fig. 1, in Richtung der Linie 3-3 in Fig. 2 gesehen, die Einzelheiten der elektrischen Verbindungenund Bauelemente an der Unterseite der Vorrichtung unter teilweiser Weglassung zeigt, damit wichtige Konstruktionselemente und deren Aufbau besser erkennbar werden.

Zu den in Fig. 1 und 2 gezeigten hauptsächlichen physikalischen Bauelementen des Wandlers gehört ein Chassis 10 aus Metall, in dem die Vorrichtung aufgenommen ist, sowie ein isolierendes Substrat bzw. eine Isolierplatte 12 aus einem dielektrischen Werkstoff, eine mit Öffnung versehene Trägerplatte lh aus Metall, die der Isolierplatte 12 zweckmäßigerweise zusätzliche Festigkeit und Unterstützung verleiht, und Koaxial anschlüsse 15, 16 und 17, von denen der Anschluß 15 zur Aufnahme eines Hochfrequenz-Eingangssignals und der Anschluß 16 zur Aufnahme eines Überlagerungsoszillator-Eingangssignals bestimmt ist, während ein Ausgangssignal der Vorrichtung am Anschluß 17 ge-

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liefert wird. Das Chassis 10 hat in seiner Oberseite eine insgesamt rechteckige Ausnehmung 19 etwa von der Flächen- und Umrißgestalt der Isolierplatte 12 und der Trägerplatte 14, Ferner hat das Chassis 10 eine kleinere, insgesamt rechteckige Ausnehmung 20 in seiner Unterseite, und die beiden Ausnehmungen treffen etwa in der Mitte der Dicke des Chassis 10 aufeinander. Die Trägerplatte 14 und die Isolierplatte 12 haben den gleichen rechteckigen Umriß und sind am Chassis 10 mit zu-unterst in der Ausnehmung 19 angeordneter Trägerplatte so befestigt, daß nicht nur körperlicher Schutz und Stütze sondern auch Zugang zu wesentlichen Bereichen an der Oberseite 24 und Unterseite 25 der Isolierplatte 12 möglich ist (die Trägerplatte 14 selbst hat eine Öffnung 21, die mit der Ausnehmung 20 in der Unterseite des Chassis kongruent ist). Gemeinsam mit dem Chassis 10 ist die Trägerplatte 14 ein geeignetes Mittel die Erde für diejenigen Leiter an der Isolierplatte 12 zu liefern, die mit der Trägerplatte 14 in elektrischer Berührung stehen.

Der Frequenzwandler selbst ist im übrigen, elektrisch gesehen, an der Isolierplatte 12 angebracht (wobei klar sein sollte, daß viele, wenn nicht alle Bauelemente desselben an einer Oberfläche der Platte stattdessen auch auf der Trägerplatte 14 vorgesehen sein könnten). Vorzugsweise trägt jedoch die Isolierplatte 12 die Hauptbauelemente, wie insbesondere aus Fig. 3 hervorgeht, die die Unterseite 25 der Isolierplatte 12 mit einem insgesamt in der Mitte darauf angeordneten Hauptbauelement, nämlich einer Diodenquartett-Brücke 28 zeigt. In elektrischer Hinsicht ist der Wandler von allgemein bekannter doppelt abgeglichener, symmetrischer Bauweise und mit Diodenquartetten von üblicher Gestalt versehen, bei denen vier Dioden in Reihe in einem flachen quadratischen oder rechteckigen Muster zur Schaffung der Brücke verdrahtet sind. Die Brücke liegt flach an der Isolierplatte 12 an-, und das rechteckige Diodenmuster ist in einer der Platte eng benachbarten und parallel zu derselben verlaufenden Ebene ausgebildet. Weitere Einzelheiten hinsichtlich elektrischer Merkmale oder der Arbeitsweise derartiger Wandler,

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einschließlich der Benutzung von Symmetriergliedern, d.h. Spulentransformatoren zum Erhalt eines Ausgangssignals an einer Leitung, die mit keiner Seite geerdet ist, sondern folglich beide Seiten symmetrisch zur Erde hat, können aus der schon genannten US-PS 4 032 850 entnommen werden.

Bei der erfindungsgemäßen Konstruktion wird das eingegebene Hochfrequenzsignal und das Überlagerungsoszillatorsignal mit Hilfe von zwei orthogonalen Paaren 29 und 30 einander gegenüberliegender, dünner, flacher, schmaler Streifen aus leitfähigem Werkstoff eingeführt, die an beiden Seiten der Platte niedergeschlagen sind und sich orthogonal zueinander von der insgesamt zentralen Position der Brücke 28 erstrecken. Diese Leiterpaare erstrecken sich also längs zwei Bahnen, die sich an der Stelle der Brücke 28 schneiden. Die Paare 29 und 30 einander gegenüberliegender Leiter sind als eine Art von Mikroweiienieitungen ausgebildet, die man mit "Luftstreifen" oder "Streifenleitung" beispielsweise im Gegensatz zu Koaxialleitungen und anderen Arten von Wellenleitern oder Übertragungsleitereinrichtungen bezeichnet. An der Oberseite 24 der Isolierplatte 12 ist, wie am besten in Fig. 1 zu sehen ist, ein oberer Leiter 32 des Leiterpaares 29 und ein oberer Leiter 33 des Leiterpaares 30 vorgesehen. Der obere Leiter 33 ist durch einen Spalt an der Kreuzungsstelle oberhalb der Brücke 28 unterbrochen, und durch diesen Spalt erstreckt sich der Leiter 32. Der Spalt ist überbrückt von einem oder mehreren Drähten 34, die den Leiter 32 nicht elektrisch berühren, aber die Teile des Leiters 33 zu beiden Seiten des Spaltes elektrisch durchgehend machen. Die Leiter 32 und 33 an der Oberseite 24 sind also elektrisch isoliert.

An der Unterseite 25 der Platte ist, wie Pig. 3 am besten zeigt, ein unterer Leiter 35 des Leiterpaares 29 und ein unterer Leiter J6 des Leiterpaares 30 angeordnet. Die unteren Leiter 35 und 36 bestimmen in der Mitte einen Spalt an der

Stelle der Brücke 28, die mit ihren Ecken den entsprechenden Enden jedes der unteren Leiter benachbart ist. Ein Paar der einander gegenüberliegenden Ecken der Brücke ist beispielsweise durch Löten mit den beiden benachbarten Enden des Leiters 35 elektrisch verbunden, während das andere Paar einander entgegengesetzter Ecken der Brücke mit den beiden benachbarten Enden des Leiters 36 elektrisch verbunden ist. Es sei noch erwähnt, daß alle Verbindungen zur Brücke 28 im wesentlichen flach an der Isolierplatte 12 anliegend hergestellt sind und im wesentlichen in der Ebene der Unterseite 25 der Platte liegen.

Wie insbesondere Fig. 2 zeigt, ist die Unterseite 25 des dielektrischen Substrats bzw. der Isolierplatte 12 auch mit einer leitfähigen Schicht 38 versehen, die sich vollkommen um den Umfang der Unterseite 25 erstreckt und die von der Brücke entfernten Enden der unteren Leiter 35 und 36 elektrisch fortsetzt. Tatsächlich sind wünschenswerterweise die Leiter 35 und 36 nach innen verlaufende Verlängerungen dieser längs des Umfangs verlaufenden Schicht 38. Es sei angemerkt, daß die Vorrichtung durchaus auch ohne die Schicht 38 arbeitsfähig wäre, und in diesem Fall würden sich die Leiter 35 und 36 lediglich in gleicher Erstreckung mit ihren Gegenstücken, nämlich den Leitern 32 und 33 an der Oberseite erstrecken. Allerdings bietet die längs des Umfangs verlaufende Schicht 38, die die gleiche Fläche und Form hat wie die Trägerplatte Ik und sich nach der gemeinsamen Ausrichtung und dem Einbau in die Ausnehmung 19 Im Chassis in den gleichen Abmessungen erstreckt, gemeinsam mit der Trägerplatte 14 den Vorteil einer elektrisch zuverlässigeren Erde sowie besserer Festigkeit und festerer Abstützung für die verhältnismäßig dünne und zerbrechliche Isolierplatte 12. Die vorliegende Konstruktion erleichtert außerdem die Herstellung der unteren Leiter der Platte und erhöht die Zuverlässigkeit, elektrische Unversehrtheit und die Geschwindigkeit beim Zusammenbau.

Beide Teile des unteren Leiters 36, die sich von einander gegen-

überliegenden Ecken der Brücke 28 erstrecken, sind etwas außerhalb der Brücke und der der Brücke benachbarten Enden 39 und des unteren Leiters 36 durch Spalte unterbrochen. An den Bereichen der Leiter 36 jenseits der Spalte ist jeweils einer von zwei Kondensatoren 42 und 43 befestigt, der den zugehörigen Spalt mit Hilfe von Drahtleitungen 44 und 45 zu den Enden 39 und 40 überbrückt. Der Kapazitätswert der Kondensatoren 1st so gewählt, daß zwischen dem abzugebenden Signal und dem Hochfrequenz- oder Überlagerungsoszillatorsignal Isolierung herrscht.

Soweit die Konstruktion bisher beschrieben wurde, weist sie ein Paar Eingangs-Symmetrierglieder für die Diodenquartett-Brücke 28/, ein Paar für das Hochfrequenz-Eingangssignal und das andere für das Überlagerungsoszillator-Eingangssignal, wobei das erste von dem Paar 29 einander gegenüberliegender Leiter und das zweite von dem Leiterpaar 30 gebildet ist, wobei mit Hilfe der Trägerplatte 14 und der längs des Umfangs verlaufenden Schicht 38 an den von der Brücke 28 entfernten Enden der Symmetrierglieder geerdet wird und die Kondensatoren 42 und 43 zur elektrischen Isolierung vorgesehen sind. An der gewünschten Mittenfrequenz sind die Längen der Symmetrierglieder so eingestellt, daß sie eine Viertelwellenlänge lang sind. Mit den Anschlüssen 15 und 16 für das Hochfrequenz- bzw. Überlagerungsoszillatorsignal sind Leitungen 47 bzw. 48 verbunden.

Das abgegebene, überlagerte Zwischenfrequenzsignal wird an der Brücke 28 mittels einer Ausgangsleitereinrichtung 50 erhalten, die, wie am besten aus Fig. 1 und 3 hervorgeht, ein Paar symmetrische Zweige 51 und 52 hat, die sich von der Brücke 28 nach außen erstrecken. Jeder beginnt an den naheliegenden Enden 39 und 40 des unteren Leiters 36 (und damit an einer der entsprechenden, einander gegenüberliegenden Ecken der damit verbundenen Diodenquartett-Brücke 28). So beginnt jeder an der Unterseite und ist mit der benachbarten Kante des Substrats an der Trägerplatte 14 verbunden, wo er endet. Wie zuvor, sind die Leiter dünne, schmale, leitfähige Streifen, die flach an den Substrat-

flächen anliegen, auf die sie vorzugsweise aufgedruckt sind.

Die naheliegenden Teile 54 und 55 jedes Zweiges an der Unterseite 25 erstrecken sich also jeweils zu einem von zwei Anschlüssen 56 und 57, die diagonal einen Abstand von der Brücke 28 haben, sowie an beiden Seiten des unteren Leiters 35· Die Anschlüsse 56 und 57 erstrecken sich durch die Isolierplatte und treten an der Oberseite 24 derselben aus. Die Ausgangsleitereinrichtung 50 setzt sich dann an der Oberseite 24 außen fort, wie in Fig. 1 und gestrichelt in Fig. 3 gezeigt, wobei entfernte Bereiche 58 und 59 sich jeweils von den Anschlüssen 56 bzw. 5? ^zu einem Verbindungsbereich 60 erstrecken, an dem sie vereint sind. Der Vereinigungsbereich 60 erstreckt sich nach außen zur Kante der Oberseite Zk des Substrats und ist dabei mit dem Leiterpaar 29 ausgerichtet und mit dem mittleren Leiter des Anschlusses 17 zur Abgabe eines Zwischenfrequenzsignals mittels einer Drahtleitung 61 verbunden. Es ist klar, daß zu den KoaxialanschlUssen 15, 16 und 17 jeweils auch ein Außenbereich gehört, der gegenüber dem eigenen mittleren Leiter isoliert aber mit der Erdebene des Wandlers über das Chassis 10 elektrisch in Berührung ist.

Die Frequenzwandlerausführung gemäß der Erfindung hat sich trotz ihrer vereinfachten und kompakten Form im Vergleich zu bekannten Wandlern als elektrisch hoch leistungsfähig erwiesen. Das hier beschriebene Beisp-iel wurde zur Betätigung im C-Band, 4-8 GHz hergestellt. Es ermöglicht eine Breitbandfrequenzumwandlung und hat geringen Umwandlungsverlust und lieferte in einem typischen Anwendungsfall der Abwärts umwandlung eine Rauschzahl von weniger als 8,0 dB, was einen Umwandlungsverlust von weniger als 5 dB bedeutet, wenn das Hochfrequenz-Eingangssignal und das Zwischenfrequenz-Ausgangssignal auf schmale Bänder abgestimmt sind. Der Umwandlungsverlust schwankt von unter 5 bis 7 dB über das 4-8 Ghz-Band. Die Überlagerungsos zillator-z,u~ Hochfrequenzisolierung beträgt typischerweise 30 dB. Über dieses Band hinweg beträgt das Hochfrequenzeingangs-Stehwellenverhältnis weniger als 3,0:1. Eine Intermodulationsmessung drit-

ter Ordnung zeigte eine gute Unterdrückung unerwünschter Oberwellen. Die 3 dB Zwlschenfrequenzbandbreite reicht von O "bis I5OO MHz, und das Zwischenfrequenz-Stehwellenverhältnis ist über diesen Bereich hinweg weniger als 3t0:1. Die Wandlerausführungsform ist im ganzen Mikrowellenbereich von 1-40 GHz anwendbar und ohne weiteres an andere als das C-Band anpaßbar, indem die Längen der Hochfrequenz- und Überlagerungsoszillator« Symmetrierglieder auf eine Viertel wellenlänge für die gewünschte Frequenz eingestellt werden und das entsprechende Diodenquartett gewählt wird.

Beim dargestellten Ausführungsbeispiel wird das Zwischenfrequenz-Ausgangssignal an den Überlagerungsoszillator-Symmetriergliedern abgegriffen (da die Ausgangsleitereinrichtung 50 mit den Enden 39 und ^O der die Überlagerungsoszillator-Symmetrierglieder bildenden Konstruktion verbunden ist). Alternativ könnte jedoch die Zwischenfrequenz auch statt-dessen von den Hochfrequenz-Symmetriergliedern abgegriffen werden, oder die Überlagerungsoszillator- und Hochfrequenz-Eingänge könnten vertauscht werden (unter entsprechender Berücksichtigung der nötigen Isolierung zwischen dem Zwischenfrequenzausgang und den Hochfrequenz- oder Überlagerungsoszillator-Eingangssignalen). Der Hochfrequenz-Eingang und der Überlagerungsoszillator-Eingang (und auch der Zwischenfrequenz-Ausgang) sind alle auf derselben Seite der Platte angeordnet, während die Erdebene an der anderen Seite der Platte liegt; es ist nur an einer Seite der Platte eine Erdebene nötig.

Im wesentlichen alle nötigen Leiter und Mikrowellenübertragungseinrichtungen sind flach längs einer der Flächen der Tafel angeordnet und vorzugsweise auf diese aufgedruckt. Diese Konstruktion ermöglicht körperlich massive, ebene Erdelemente, insbesondere eine ebene Schicht 38 und die Verwendung einer massiven Trägerplatte Ik um den ganzen unteren Umfang der Tafel₍ ohne irgendeinen der obengenannten Vorteile zu stören. .. Die Trägerplatte umgibt sogar die empfindlicheren Dioden- und Kondensatorbauelemente und die Verbindungen mit denselben, was

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deren Schutz erhöht.

Wie oben beschrieben, sieht die Konstruktion ein ebenes Diodenquartett vor, bei dem alle Anschlüsse an einer der Flächen der Tafel vorgesehen sind. Bei Verwendung von Fabrikat!onsautomaten erlaubt diese Konstruktion, alle Anschlüsse gleichzeitig herzustellen und ebenfalls die Diodenbrücke damit anzubringen. Ein ähnlicher Montagevorteil ergibt sich dadurch, daß der Eingang und Ausgang an einer Seite der Platte liegt so daß z.B. die Leitungen 47, ^8 und 61, die alle an derselben Seite der Platte vorgesehen sind, viel schneller ohne weiteres befestigt werden können. Schließlich haben die Eingangs— Symmetrierglieder eine viel einfachere Gestalt als bei früheren Konstruktionen, was eine flache, kompakte und leicht herzustellende körperliche Struktur mit einer reduzierten Anzahl an Bauelementen in einer bisher unbekannten Weise ermöglicht, wobei die geringere Anzahl von Verbindungen leicht herzustellen ist. Aufgrund seiner Einfachheit, der geringeren Anzahl von Anschlüssen und Bauelementen und der flachen Gestalt ist das Gesamtpaket außerordentlich gut geeignet für hochgradige Automation bei der Herstellung und beim Zusammenbau.

Leerseite

Claims

Vl Ρ554 D MikroweTTenfrequenzwandier

Ansprüche

Mikrowellenfrequenzwandler mit einer Diodenbrücke, einem ersten und zweiten Paar Eingangs-Symmetrierglieöen; die Jeweils mit ihren nahen Enden mit entgegengesetzten Ecken der Diodenbrücke verbunden sind, während die entfernten Enden der Paare zum Empfang eines Hochi'requenz-Eingangssignals bzw. eines Überlagerungsoszillator-Eingangssignals geeignet sind, dadurch gekennzeichnet , daß die Brücke an einer Seite eines dielektrischen Substrats angebracht ist, daß ein erstes Paar einander gegenüberliegender, flacher Leiter an entgegengesetzten Seiten des Substrats angebracht ist und sich von ersten entgegengesetzten Ecken der Brücke erstreckt, daß ein zweites Paar einander gegenüberliegender, flacher Leiter an entgegengesetzten Seiten des Substrats angebracht ist und sich von zweiten, entgegengesetzten Ecken der Brücke orthogonal zum ersten Paar erstreckt, und daß die Leiter jedes der Paare an der zweiten Seite des Substrats elektrisch durchgehend aber gegenüber denen des anderen Paares isoliert sind, und daß an der ersten Seite des Substrats außerhalb der Brücke angeordnet eine leitfähige Schicht vorgesehen ist, die die einen der Leiter an der ersten Seite elektrisch fortsetzt, und daß sich eine Ausgangsleitereinrichtung von der Brücke nach außen längs des Substrats erstreckt und an der ersten Seite beginnt, sich durch das Substrat hindurch an der Innenseite der leitfähigen Schicht erstreckt und an der zweiten Seite des Substrats fortsetzt und zur Abgabe eines überlagerten Ausgangssignals vorgesehen ist.
2. Wandler nach Anspruch 1,

dadurch gekennzeichnet , daß die leitfähige Schicht geerdet ist, um, mit den Leitern jedes der Paare auf der zweiten Seite des Substrats, das erste und zweite Paar der Eingangs-Symmetrierglleder zu umfassen.
3. Wandler nach Anspruch 1,

dadurch gekennzeichnet , daß die Ausgangsleitereinrichtung ein Paar Ausgangsleiter aufweist, die sich jeweils von einer der genannten entgegengesetzten Ecken der Brücke erstrecken und jeweils durch das Substrat an Stellen zwischen der leitfähigen Schicht und der Brücke verlaufen und sich über die zweite Seite bis zur Vereinigung erstrecken und eine Verbindungsstelle bilden, von der das Ausgangssignal abgegeben wird.
4. Wandler nach Anspruch l_t

dadurch gekennzeichnet , daß an dem Substrat, insgesamt der leitfähigen Schicht überlagert, eine Trägerplatte befestigt ist, die mit der Schicht in gutem elektrischem Kontakt steht.
5. Wandler nach Anspruch 1,

dadurch gekennzeichnet , daß ein Paar Kondensatoren vorgesehen ist, die jeweils zwischen einer der ersten entgegengesetzten Ecken der Brücke und den benachbarten Enden der Leiter des ersten Paares an der ersten Seite angeordnet sind und eine Isolierung zwischen dem Ausgangssignal und den Eingangssignalen schaffen.
6. Wandler nach Anspruch 1,

dadurch gekennzeichnet , daß das dielektrische Substrat insgesamt flach ist, daß die Leiter, die Ausgangsleiterbahneinrichtung und die leitfähige Schicht alle Dünnfilme aufweisen, die flach auf dem Substrat niedergeschlagen sind, und daß die Diodenbrücke eine Vielzahl von Dioden aufweist, die in einer dem Substrat eng benachbarten und sich parallel zu demselben erstreckenden Ebene angeordnet sind, wodurch eine verhältnismäßig dünne, kompakte und flache Gestalt geschaffen ist.
7. Wandler nach Anspruch 1,

dadurch gekennzeichnet , daß die Länge des ersten und zweiten Paares der Eingangs-Symraetrierglieder ein Viertel der Wellenlänge des Hochfrequenz- bzw. Überlagerungsoszillator-Eingangssignals beträgt,
8. Kompakte, vereinfachte Anordnung für einen Mikrowellenfrequenzwandler

gekennze ichne t durch ein insgesamt flaches₍dielektrisches Substrat mit einer ersten und zweiten Fläche, eine Diodenbrücke an der ersten Fläche, ein erstes Paar einander gegenüberliegender, flacher Leiter an der ersten bzw. zweiten Fläche, die sich in einer ersten Bahn von entgegengesetzten Ecken der Brücke erstrecken, ein zweites Paar einander gegenüberliegender, flacher Leiter an der ersten bzw. zweiten Fläche, die sich in einer zweiten Bahn von zweiten entgegengesetzten Ecken der Brücke erstrecken, wobei die Leiter jedes Paares an der zweiten Fläche gegenüber einander elektrisch isoliert sind, und ein Paar dritter flacher Leiter, die sich in dritten Bahnen erstrecken, welche gegenüber der ersten und zweiten Bahn elektrisch isoliert sind, und zwar von einer der entgegengesetzten Ecken der Brücke längs der ersten Fläche zu einem Paar von Stellen im Abstand von der Brücke, wobei jeder dritter Leiter an einer entspechenden der genannten Stellen durch das Substrat geführt ist und sich über die zweite Fläche zur Vereinigung in einer Verbindungsstelle erstreckt, von der ein überlagertes Ausgangssignal erhalten wird, wenn ein Hochfrequenzsignal und ein Überlagerungsoszillator-Signal am ersten bzw. zweiten Paaraer Leiter 'an den von der Brücke entfernten Enden anliegt.
9. Anordnung nach Anspruch 8,

dadurch gekennzeichnet , daß eine leitfähige Schicht in Kontakt mit der ersten Fläche des Substrats außerhalb der Brücke und der genannten Stellen vorgesehen ist, die mit den ersten und zweiten Leitern an der ersten Fläche elektrisch durchgehend ist.
10. Anordnung nach Anspruch 8,

dadurch gekennzeichnet , daß die leitfähige Schicht und die ersten und zweiten Leiter an der ersten Fläche geerdet sind.
11. Anordnung nach Anspruch 10,

dadurch gekennzeichnet , daß eine Trägerplatte in elektrischer Berührung mindestens mit der leitfähigen Schicht vorgesehen ist, durch die die Erdung bewirkt ist, und die eine Öffnung hat, welche die Brücke und den Teil des dritten Leiters auf der zweiten Fläche umschließt.
12. Anordnung nach Anspruch 8,

dadurch gekennzeichnet , daß die Leiter eines der Paare auf der zweiten Fläche durch einen ersten Spalt unterbrochen sind, und daß der andere Leiter des anderen Paares an der zweiten Fläche sich durch den Spalt erstreckt, der von einem Hilfsleiter überbrückt ist, welcher über den restlichen Leiter geführt ist, ohne diesen zu berühren, um die genannte Isolierung zu bewirken.
13. Anordnung nach Anspruch 8,

dadurch gekennzeichnet , daß ein Paar Kondensatoren vorgesehen ist, die jeweils zwischen eine der entgegengesetzten Ecken der Brücke und ein benachbartes Ende der Leiter des einen Paares an der zweiten Fläche geschaltet sind, wodurch die Eingangssignale und Ausgangssignale gegenüber einander isoliert sind.
14. Anordnung nach Anspruch 13,

dadurch gekennzeichnet , daß die ersten, zweiten und dritten Leiterpaare schmal sind und eine Dicke haben, die die des Substrats nicht übersteigt, und daß die Diodenbrücke und die Kondensatoren flach am Substrat befestigt sind, wodurch eine dünne, kompakte Anordnung geschaffen ist.

15« Anordnung nach Anspruch 8,

dadurch gekennzeichnet , daß die erste und zweite Bahn im Verhältnis zueinander orthogonal sind.

l6. Anordnung nach Anspruch 8, · dadurch gekennzeichnet , daß ein Paar leitfähiger Anschlüsse sich durch das Substrat jeweils an dem genannten Stellenpaar erstreckt, und daß die Anschlüsse diagonal von der Brücke an entgegengesetzten Seiten eines der Leiterpaare einen Abstand voneinander haben, und daß Jeder der dritten Leiter einen ersten Bereich hat, der sich längs der ersten Fläche von den entgegengesetzten Ecken der Brücke jeweils zu den Anschlüssen erstreckt.

17· Anordnung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet , daß jeder der dritten Leiter einen zweiten Bereich hat, der sich längs der zweiten Fläche von einem entsprechenden der Anschlüsse zu der Verbindungsstelle in der Nähe des Umfangs des Substrats erstreckt.