DE3147986C2 - Vorrichtung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasmas für die Behandlung von Substraten, insbesondere zur Plasmapolymerisation von Monomeren - Google Patents

Vorrichtung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasmas für die Behandlung von Substraten, insbesondere zur Plasmapolymerisation von Monomeren

Info

Publication number
DE3147986C2
DE3147986C2 DE3147986A DE3147986A DE3147986C2 DE 3147986 C2 DE3147986 C2 DE 3147986C2 DE 3147986 A DE3147986 A DE 3147986A DE 3147986 A DE3147986 A DE 3147986A DE 3147986 C2 DE3147986 C2 DE 3147986C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrates
waveguide
plasma
substrate
microwave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE3147986A
Other languages
English (en)
Other versions
DE3147986A1 (de
Inventor
Jörg Dipl.-Phys. Dr. 8755 Albstadt Kieser
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Polyplasma Inc Montreal Quebec Ca
Original Assignee
Leybold Heraeus GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leybold Heraeus GmbH filed Critical Leybold Heraeus GmbH
Priority to DE3147986A priority Critical patent/DE3147986C2/de
Priority to US06/445,339 priority patent/US4521717A/en
Priority to JP57208737A priority patent/JPS58104633A/ja
Priority to GB08234261A priority patent/GB2110870B/en
Publication of DE3147986A1 publication Critical patent/DE3147986A1/de
Priority to DE4132556A priority patent/DE4132556A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3147986C2 publication Critical patent/DE3147986C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/62—Plasma-deposition of organic layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
    • B01J19/122—Incoherent waves
    • B01J19/126—Microwaves
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/32229—Waveguides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32266—Means for controlling power transmitted to the plasma
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0894—Processes carried out in the presence of a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/338—Changing chemical properties of treated surfaces
    • H01J2237/3382—Polymerising

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasmas für die Behandlung von Substraten, insbesondere zur Plasmapolymerisation von Monomeren zur Beschichtung der Substrate. Die Vorrichtung besteht aus einer Reaktionskammer für den Transport der Substrate und für die Aufrechterhaltung einer Atmosphäre aus ionisierbaren Gasen und Monomeren. Weiterhin besitzt die Vorrichtung eine erste und mindestens eine zweite Wellenleiter-Struktur, die beide unter einem spitzen Winkel zur Substratoberfläche ausgerichtet und einseitig über einen Hohlleiter mit einem Mikrowellensender verbunden sind. Die zweite Wellenleiter-Struktur verläuft jedoch in entgegengesetzter Richtung unter einem spitzen Winkel zur Substratoberfläche, wie die erste Mikrowellenstruktur. Hierdurch findet eine Überlagerung der Behandlungsintensitäten bzw. der Niederschlagsraten statt, die zu einer größeren Homogenität der Produkteigenschaften in Querrichtung der Substratbewegung führt.

Description

Ordnung dem Behandlungsvcrgang ausgesetzt wird, gilt hinsichtlich der Verteilung der Behandlungsintensität bzw. der Niederschlagsrate für alle Substrate grundsätzlich die gleiche Forderung.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt bei der eingangs beschriebenen Vorrichtung erfindungsgemäß dadurch, daß neben der ersten Wellenleiter-Struktur auf der gleichen Seile der Substrate mindestens eine zweite langgestreckte Wellenleiter-Struktur angeordnet ist, die gleichfalls qut.- zur Transportrichtung der Substrat verläuft, jedoch in entgegengesetzter Richtung unter einem spitzen Winkel zur Substratoberfläche ausgerichtet und über einen zweiten Hohleiter mit einem Mikrowellensender verbunden ist
Das Wesen der Erfindung besteht darin, daß zwei Wellenleiter-Strukturen in antiparalleler Anordnung auf der gleichen Seite des Substrats vorgesehen sind. Dadurch findet eine Überlagerung des Energieeintrags beider Strukturen statt, die bei der Anordnung zweier Strukturen auf gegenüberliegenden Seiten des Substrats nicht möglich wäre.
Bei Anwendung der erfindungsgemäßen Lehre ändert sich diejenige Größe, weiche die Stärk« der Ankopplung der Energie an das Plasma defir.isrt, nicht mehr exponentiell in Richtung der Querabmessungen des Substrats, sondern nur in einem Maße, das der Überlagerung der beiden Leistungseinträge entspricht. Ändert sich der Leistungseintrag einer jeden Struktur in deren Längsrichtung bzw. in Querrichtung des Substrats gemäß einer e-Funktion, so läßt sich die Überlagerung dieser beiden in entgegengesetzter Richtung verlaufenden Kurven durch eine Kettenlinie darstellen, die in etwa einem cosinus hyperbolicus entspricht
Beträgt beispielsweise bei Verwenduni? nur einer Wellenleiter-Struktur infolge Fehlanpassung das Verhältnis des Energieeintrags an der einen Längskante des Substrats zu demjenigen an der anderen Längskante »n« (z. B. D=Pm3x : />„,,„=2, 4 oder 6) so ergibt sich bei Verwendung der beschriebenen antiparallelen Anordnung zweier Wellenleiter-Strukturen, bei gleicher Fehlanpassung in der Mitte des Substrats (ungünstigste Stelle) eine prozentuale Abweichung »b«, die in folgender Tabelle gezeigt ist:
2 4 6
5,2 20 45
Dies bedeutet, eine Anwendung der beschriebenen Bezugsgroßen, die für die Anordnung mit einer Wellenleiter-Struktur eine Inhomogenität der Leistungseintragung von 1 : 2 bewirkt, äußert sich im Fall der antiparallelen Anordnung in einer Inhomogenität von nur ca. 5%. Hierbei ist zu beachten, daß bereits ein Wert von π = 2 in aller Regel unvertretbar hoch ist.
Da bei der Plasmapolymerisation die Abscheidungsratc mit deni Leistungseintrag eng korreliert ist, läßt sich auf di«.e Weise nicht nur eine höhere Niederschlagsrate des Schichtmaterials erzeugen, sondern vor allem eine Wesentlich größere Schichtgleichförmigkeit über die Bre'te des Substrats.
Die Verhältnisse lassen sich hinsichtlich der Überlagerung der beiden Energieeinträge noch weiter verbessern, wenn <S'e Mittenebenen beider Wellenleiter-Strukturen, die senkrecht zu Ceren Sprossen verlaufen, unter einem solchen Winke! zueinander angestellt sind, daß sie sich in einer Geraden schneiden, die parallel zur Substratoberfläche und senkrecht zur Transportrichtung ausgerichtet ist. Hierbei werden keine getrennten plasmaerfüllten Räume mehr gebildet, sondern der gleiche plasmaerfüllte Raum ist dem Einfluß beider Wellenleiter-Strukturen gleichzeitig ausgesetzt.
Bei derartigen Wellenleiter-Strukturen gibt es aber noch eine weiteres Problem, das seine Ursache in dem ίο endlichen Abstand der Sprossen hat. Dadurch entsteht eine MikroStruktur der elektrischen Feldstärke, die die Periode des Sprossenabstandes besitzt Auf der Länge, die einem Sprossenabstand entspricht ändert sich der Energieeintrag um etwa den Faktor 2. Der Einfluß auf eine niedergeschlagene Schicht läßt sich etwa so darstellen, daß die Schichtdickenverteilung einer Wellenlinie entspricht deren Maxima dem Sprossenabstand entsprechen.
Zur Lösung dieses Problems sind gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung die beiden Wellenleiter-Strukturen quer zur Transpc, richtung des Substrats um einen halben Sprossenabstaiid gegeneinander verschoben. Auf diese Weise erfolgt eine weitgehende Auslöschung der MikroStruktur durch Überlagerung der unterschiedlichen Schichtdicken auf einem quer zu den Strukturen bewegten Substrat Dies wäre auch dann der Fall, wenn die Strukturen in Transportrichtung des Substrats einen merklichen Abstand voneinander aufweisen. Wie bereits gesagt, können die Verhältnisse jedoch dadurch verbessert werden, da3 die Strukturen in der Weise aufeinander zu geschwenkt werden, daß sie auf einem gemeinsamen, plasmaerfüllten Raum einwirken.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des Erfindungsgegenstandes ergeben sich aus den übrigen Ansprüchen. Ein Ausführungsbeispiel des Erfindungsgegenstandes wird nachfolgend anhand der F i g. 1 bis 4 näher erläutert.
Es zeigt
Fig. 1 eine perspektivische Darstellung einer vollständigen Vorrichtung mit zwei antiparallelen Wellenlener-Strukturen,
F i g. 2 einen Querschnitt durch den Gegenstand nach Fi g. I, in Transportrichtung der Substrate gesehen, jedoch mit der Variante, daß die beiden antiparallelen Wellenleiter-Strukturen auf einen gemeinsamen plasmaerfüllten Raum einwirken,
Fig.3 eine Kurvendarstellung der Energieeinträge einer jeden Wellenleiter-Strukturen einschließlich der überlagerten Kurve und
Fig.4 eine Aufeinanderprojektion zweier Längsschnitte durch die Mikrowellenstrukturen mit um einen halben Sprossenabstand verschobenen Sprossen.
In 7 i g. 1 ist eine Reaktionskammer 1 dargestellt, in der eine Vielzahl von Substraten 2 in flächiger Ausbreitung auf einem ebenen Substratträger 3 STigeordnet sind. Die Substrate 2 sind dabei mittels des Substratträgers 3 in Richtung des Pfeils 4 durch die Reaktionskammer i transportierbar.
Der Substratträger 3 kann dabei zwischen einem nicht gezeigten Vorratsmagazin und einem gleichfalls nicht gezeigten Aufnahmemagazin transportiert werden, die an beiden Enden der Reaktionskammer 1 angeordnet sind. Es können aber auch an beiden Enden der Reaktionskammer 1 Chargierschlcuscn vorgesehen werden.
An die Stelle der einzelnen Substrate 2 kann jedoch beispielsweise auch ein großflächiges Substrat in Form
einer Folie treten, die von einer nicht gezeigten Vorratsrolle auf eine gleichfalls nicht gezeigte Aufnahmerolle umgewickelt wird. Die Folienrollen können dabei in besonderen Rollenkammern untergebracht werden; es ist aber auch möglich, die Rollen außerhalb der Reaktionskammer 1 anzuordnen und die Folie durch spaltförmige Dichtungen in Form von Druckstufenstrecken in die Reaktionskammer ein und aus dieser wieder herauszuführen.
Derartige Konstruktionsprinzipien von Reaktionskammern und Schleusen bzw. Druckstufenstrecken sind jedoch Stand der Technik, so daß sich ein weiteres Eingehen hierauf erübrigt.
Die aus Metall bestehende Reaktionskammer 1 ist dabei mit einem Fenster 5 aus einem mikrowellendurchlässigen Werkstoff wie Quarzglas oder Aluminiumoxidkeramik, Polytetrafluoräthylen versehen. Das Fenster ist in der Draufsicht rechteckig, wobei die Länge mindestens den Breiienabmessungcn der Substrate 2 bzv,·. des Substratträgers 3 quer zur Transportrichtung (Pfeil 4) entspricht.
Oberhalb des Fensters 5 sind eine erste Wellenleiter-Struktur 6 und eine zweite Wellenleiter-Struktur 7 angeordnet. Beide Wellenleiter-Strukturen bestehen gemäß F i g. 2 aus zwei geraden Holmen 8 bzw. 9, die paarweise parallel zueinander verlaufen, und zwischen denen sich gleich lange Sprossen 10 bzw. 11 erstrecken, die mit den Holmen in metallischer Verbindung stehen.
Die Sprossen 10 bzw. 11 sind abwechselnd mit einem von zwei Mittelieiu rn 12/13 bzw. 14/15 elektrisch leitend verbunden, wie dies nur in F i g. 2 dargestellt ist. Diese Mixtelleiter sind in Fig. 1 der Übersichtlichkeit halber fortgelassen. Ausbildung und Anordnung solcher Wellenleiter-Strukturen sind in der L1S-PS 38 14 983, insbesondere in den Fig. 4 bis 8 ausführlich dargestellt.
Gemäß Fig. 1 steht die erste Wellenleiter-Struktur 6 über einen Hohlleiter !6 mit einem Mikrnwellensender 17 in Verbindung, wobei die Verbindung durch eine gestrichelte Linie nur symbolisch angedeutet ist. Wesentlicher Teil des Mikrowellensenders 17 ist ein Magnetron. Die Ankopplung der Wellenleiter-Struktur 6 an den Hohlleiter 16 ist gleichfalls Stand der Technik und beispielhaft in der US-PS 38 14 983, Fig. 4 und 5, dargestellt. Das jenseitige Ende der ersten Wellenleiter-Struktur 6 ist über einen weiteren Hohlleiter 18 mit einer sogenannten Blindlast 19 verbunden, die einen Mikrowellen-Kurzschluß erzeugt. Die Wellenleiter-Struktur 6 verläuft unter einem spitzen Winkel zum Fenster 5 und zum Substratträger 3, wobei der größte Abstand an demjenigen Ende vorhanden ist, an dem sich der Hohlleiter 16 befindet. Der Anstellwinkel kann durch Verschiebung des Hohlleiters 16 in Richtung des links daneben dargestellten Doppelpfeils verändert werden. Der Anstellwinkel wird dabei so gewählt, daß über die Länge der Wellenleiter-Struktur ein gleichmäßiger Energieeintrag in das Plasma erfolgt, konstante Entladungsparameter vorausgesetzt.
Das Plasma wird innerhalb der Reaktionskammer 1 gebildet, in der sich außer einem ionisationsfähigen Gas wie beispielsweise Argon, auch eine monomere Komponente befindet, die sich unter dem Einfluß des Plasmas polymerisieren läßt. Die Einstellung geeigneter Betriebsparameter ist gleichfalls Stand der Technik und beispielhaft in der US-PS 38 !4 983 beschrieben.
Die zweite Wellenleiter-Struktur 7 ist — gleichfalls quer zur Transportrichtung der Substrate ausgerichtet — neben der ersten Wellenleiter-Struktur 6 angeordnet; sie verläuft jedoch in entgegengesetzter Richtung und hat den gleichen spitzen Winkel zur Substratoberfläche. Das am weitesten von der Substratoberfläche entfernte Ende der zweiten Wellenleiter-Struktur 7 ist gleichfalls über einen Hohlleiter 20 in völlig analoger Weise mit dem gleichen Mikrowellensender !7 verbunden. Das jenseitige Ende der Wellenleiter-Struktur 7 ist. gleichfalls in analoger Weise, über einen weiteren Hohlleiter 21 mit einer weiteren Blindlast 22 verbunden. Sämtliche Hohlleiter 16,18,20 und 21 sind zum Zwecke
ίο einer exakten Ausrichtung der Wellenleiter-Strukturen 6 und 7 relativ /ur Substratoberflächc in Richtung der Doppelpfeile längsverschiebbar angeordnet. Eine I cmeinstellung der Schichldickenvertcilung kann zusätzlich durch Abstimmung der Leistungsverieilung auf die bei den Strukturen erzielt werden.
Bei der Anordnung gemäß F i g. 1 sind die Mittenebenen der beiden Wellenleiter-Strukturen 6 und 7. die senkrecht zu den Sprossen verlaufen, parallel zueinander üP.d senkrecht zur Substretokerfläche auseerichtet.
Auf diese Weise werden unterhalb des Fensters 5 zwei langgestreckte plasmaerfüllte Räume ausgebildet, die von den Substraten nacheinander durchlaufen werden. Es versteht sich, daß die Wellenleiterstrukturen 6 und 7 zusammen mit den am Ende angeordneten Hohlleitern in ihrer Projektion auf das Fenster 5 in dessen lichtem Querschnitt liegen. Diejenigen Hohlleiter 16 bzw. 20, über die der Leistungseintrag in das Plasma erfolgt, liegen an er'gegengesetzten Enden des Substratträgers 3, quer zur Transportrichtung gesehen (Pfeil 4).
Die beiden Wellenleiter-Strukturen 6 und 7 sind von einer gemeinsamen, mikrowelleni'odurchlässigen Abschirmung 23 umgeben, von der nur ein Teil dargestellt ist. F i g. 2 zeigt eine Variante des Gegenstandes nach F i g. 1. Die beiden Wellenleiter-Strukturen 6 und 7 sind zwar identisch ausgebildet, jedoch sind die beiden Mittenebenen M\ und M2, die senkrecht zu den Sprossen 10 bzw. 11 verlaufen, unter einem solchen Winkel δ zueinander angestellt, daß sie sich in einer Geraden schnei- den, die parallel zur Substratoberflächc und senkrecht zur Transportrichtung (Pfeil 4) ausgerichtet ist. Die Grenzen der beiden plasmaerfüllten Räume sind angenähert durch gestrichelte Linien dargestellt. Die beiden plasmaerfüllten Räume überschneiden sich in einem schraffierten Bereich, wobei jedoch keine vollständige Überdeckung vorliegt. Dies liegt daran, daß die Schnittlinie der Mittenebenen M\ und M2 unmittelbar in der Oberfläche des Substrats 2 liegt. Die Überschneidung bzw. Überdeckung der plasmaerfüllten Räume läßt sich jedoch noch weiter verbessern, wenn die beiden Wellenleiter-Strukturen 6 und 7 — bei gleichem Anste!" vinkel der Mittenebenen — einander angenähert werden. Hierbei entfernt sich die Schnittlinie der beiden Mittenebenen von der Substratoberfläche, bis schließlich ein gemeinsamer, plasmaerfüllter Raum entsteht, der als Idealfal! anzusehen ist. Analoge Verhältnisse lassen sich erreichen, wenn die Mittenebenen M\ und Mj unter Vergrößerung des Winkels Jaufeinander zugeschwenkt werden.
Anhand vcn F i g. 3 sind die Energieeinträge E beider Wellenleiter-Strukturen 6 und 7 für den Fall dargestellt, daß die Anstellwinkel nicht genau den Entladungsparametern entsprechen. Auf der Abszizze sind die Substratabmessungen quer zur Transportrichtung dargestellt.
Die Punkte mit einem Leistungseintrag von 100% sind besonders hervorgehoben; die Lage dieser Punkte entspricht den seitlichen Begrenzungskanten des Substrats, in Transportrichtung gesehen. Die einer e-Funktion ent-
sprechende Linie 'A4 repräsentiert dabei den Energieeintrag der Wellenleiter-Struktur 6, während die Linie 25 den entgegengesetzten Energieeintrag der Wellcnleiler-Struktur 7 repräsentiert. Es ist erkennbar, daß die i'lncrgiccinträgc in Richtung auf die jeweils gegenüberliegende Kante des Substrats bis auf einen Bruchteil des maximal möglichen Energieeintrags von 100% abniin.-... Die Überlagerung der beiden Kurven führt jedoch /vir Kurve 2< >, die eine Art Kettenlinie darstellt. Es ist zu erkennen, daß die Abnahme des Leistungseintrags in der Mitte des Substrats wesentlich verringert wird, so daß eine wesentlich gleichförmigere Behandlungsintensitäl bzw. Niederschlagsrate erzielt wird. Hierbei ist zu berücksichtigen, daß die Verhältnisse in F i g. 3 übertriebcn dargestellt sind, um die Anschaulichkeit zu verbesscm. |e besser die Anstellwinkel der Wellenleiter-Struktüren auf die Entladungsparameter abgestimmt sind, um so günstiger gestaltet sich der Kurvenverlauf. In jedem P;ill/> !»hör li^ifAn im Rprpi/^h At*r hniHi»n Δ nftpnlfiintpn ' -"- ---ο-
des Substrats keinerlei Abweichungen vor, und die Abweichungen in Substratmitte betragen nur einen Bruchteil derjenigen Abweichungen, die sich ohne eine Überlagerung einstellen würden.
In F i g. 4 sind die Sprossen 10 der Wellenleiter-Struktu.' 6 ausgezogen dargestellt, während die Sprossen 11 der Wcllenleiter-Sitruktur 7 gestrichelt gezeigt sind. Es handelt sich jewei Is um Schnitte entlang der Mittenebenen M| bzw. M2, wobei die Schnitte jedoch aufeinander projiziert sind. Es ist erkennbar, daß die Sprossen der beiden Wellenleiter-Strukturen 6 und 7 um einen halben Spr sscnabstand gegeneinander verschoben sind, wobei der Sprossenabstand mit Zb bezeichnet ist. Der Intensitätsverlauf der Wellenleiter-Struktur 6 mit den Sprossen 10 besitzt aufgrund des endlichen Sprossenab-Standes eine Mikrostruktur, die durch den ausgezogencn Kurvenzug 27 dargestellt ist. Der Energieverlauf der Wellenleiter-Sitruktur 7 mit den Sprossen 11 ist analog durch den gestrichelten Kurvenzug 28 angedeutet. Die durch die Überlagerung erzielte effektive Energieverteilung entspricht dabei der gemeinsamen Hüllkurve der beiden Kurvsnzüge 27 und 28. Daraus ergibt sich, daß die Mikrostruktur der Entladungsintensität durch den Versatz der Sprossen weitgehend ausgelöscht wird.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
50
60
65

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Vorrichtung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasmas für die Behandlung von Substraten, insbe- s sondere'zur Plasmapolymerisation von Monomeren zur Beschichtung der Substrate mit den gebildeten Polymerisaten, bestehend aus einer Reaktionskammer für den Transport der Substrate und für die Aufrechterhaltung einer Atmosphäre aus ionisierbaren Gasen und Monomeren, sowie aus einer quer zur Transportrichtung der Substrate verlaufenden langgestreckten ersten Wellenleiter-Struktur, die unter einem spitzen Winkel zur Substratoberfläche ausgerichtet und einseitig über einen ersten Hohlleiter mit einem Mikrowellensender verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß neben der ersten Wellenleiter-Struktur (6) auf der gleichen Seite der Substrate mindestens eine zweite langgestreckte WeJJ -:nleiter-Stinktur (7) angeordnet ist, die gleichfalls qnsr zur Transportrichtung der Substrate (2) verläuft jedoch in entgegengesetzter Richtung unter einem spitzen Winkel zur Substratoberfläche ausgerichtet und über einen zweiten Hohlleiter (20) mit einem Mikrowellensender (17) verbunden ist
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wellenleiter-Strukturen aus je zwei geraden Holmen (8,9) bestehen, zwischen denen sich eine Reihe von Sprossen (10,11) erstreckt, die abwechselnd mit einem von zwei Mittelleitern (12/13; 14/15} leitend verbunden sind, und daß diejenigen Mittenebenen beider Wellenleiter-Strukturen (6,7), die senkrecht zu den Spröden verlaufen, parallel zueinander und senkrecht zur Substratoberfläche ausgerichtet sind.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wellenleiter-Strukturen (6, 7) aus je zwei geraden Holmen (8, 9) bestehen, zwischen denen sich eine Reihe von Sprossen (10, 11) erstreckt, die abwechselnd mit einem von zwei Mittelleitern (12/13 bzw. 14/15) leitend, verbunden sind, und daß diejenigen Mittenebenen (Mi bzw. M2) beider Wellenleiter-Strukturen (6, 7), die senkrecht zu den Sprossen (10,11) verlaufen, unter einem solchen Winkel (J) zueinander angestellt sind, daß sie sich in einer Geraden schneiden, die parallel zur Substratoberfläche und senkrecht zur Transportrichtung ausgerichtet ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktionskammer (1) mit einem mikrowellendurchlässigen Fenster (5) versehen ist, das parallel zur Substratoberfläche verläuft, und daß die beiden Wellenleiter-Strukturen (6, 7) außerhalb der Reaktionskammer und vor dem Fenster (5) angeordnet sind.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die mindestens zwei Wellenleiter-Strukturen (6, 7) von einer gemeinsamen Abschirmung (23) umgeben sind.
6. Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Wellenleiter-Strukturen (6,7) quer zur Transportrichtung des Substrats (2) um einen halben Sprossenabstand ('Λ Zo) gegeneinander verschoben sind.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur Erzeugung sines Mikrowellenplasmas für die Behandlung von Substraten, insbesondere zur Plasmapolymerisation von Monomeren zur Beschichtung der Substrate mit den gebildeten Polymerisaten, bestehend aus einer Reaktionskammer für den Transport der Substrate und für die Aufrechterhaltung einer Atmosphäre aus ionisierbaren Gasen und Monomeren, sowie aus ,einer quer zur Transportrichtung der Substrate verlaufende!, langgestreckten ersten Wellenleiter-Struktur, die unter einem spitzen Winkel zur Substratoberfläche ausgerichtet und einseitig über einen ersten Hohlleiter mit einem Mikrowellensendcr verbunden ist.
Eine derartige Vorrichtung ist durch die US-PS 3f 14 983 bekannt. Die Wellenleiter-Strukturen bestehen dabei aus je zwei geraden Holmen, zwischen denen sich eine Reihe von Sprossen erstreckt Die Sprossen sind abwechselnd mit einem von zwei Mittelleitrm leitend verbunden, die zur Einleitung der Energie vom Mikrowellensender in die Wellenleiter-Struktur dienen. Durch die gleiche Druckschrift ist es bereits bckijnnl. zwischen der Wellenleiter-Struktur und dem Mikrowellenplasma eine mikrowellendurchlässige Wand (Glasrohr) anzuordnen. Sofern sich in dem Glasrohr ein ionisierbares Gas und ein polymerisationsfähiges Monomeres befinden, lassen sich Polymerisate erzeugen.
Schließlich ist es du-ch die gleiche Druckschrift auch bereits bekannt, mit einer derartigen Vorrichtung flächige Substrate in Form von Bändern, Folien oder Platten zu beschichten, wobei auf den beiden entgegengesetzten Seiten des Substrats je eine Wellenleiter-Struktur angeordnet ist
Bei der Behandlung bzw. Beschichtung großflächiger Substrate ist jedoch eine möglichst gleichförmige Behandlungsintensität bzw. Niederschlagsrate des Schichtmaterials über die gesamte Substratbreite uncrläßllich. Dies setzt einen entsprechend homogenen l.eistungseintrag in das Plasma über die Substratbreile voraus.
Bei der bekannten Vorrichtung wird zur Erreichung eines gleichmäßigen Leistungseintragi in das Plasma die Wellenleiter-Struktur um einen experimentell zu ermittelnden spitzen Winkel geneigt zur Substratoberfläche ausgerichtet. Der Anstellwinkel läßt sich für vorgegebene Entladungsparameter bestimmen, so daß für diese Entladungsparameter ein konstanter Leistungseintrag über die gesamte Länge der Wellenleiter-Struktur ermöglicht wird. Sobald sich jedoch die Entladungsparameter ändern, wie beispielsweise, bei einer Änderung der Monomeren, des Drucks, der eingespeisten Leistung, ändern sich diejenigen Bezugsgrößen, die den Anstellwinkel der Wellenleiter-Struktur bestimmen. Daraus ergibt sich im Hinblick auf einen unveränderten Anstellwinkel ein Leistungseintrag mit exponentiellem Verlauf, der erhebliche negative Folgen im Hinblick auf die Schichtdickengleichmäßigkeit in Richtung der Längsausdehnung der Wellenleiter-Struktur hat. Die Leistungseingänge in das Plasma können sich dadurch an beiden Enden der Struktur durchaus im Verhältnis 1 :10 voneinander unterscheiden. Derartige Abweichungen sind im Hinblick auf die Substratbeschichtung im großtechnischen Maßstab untragbar.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung der eingangs beschriebenen Gattung dahingehend zu verbessern, daß die Behandlungsintcnsii.it b/.w. Niederschlagsrate von Polymerisaten über die gesamte Substratbreite möglichst gleichförmig ist. Für den Fall, daß eine Vielzahl kleinerer Substrate in flächiger An-
DE3147986A 1981-10-17 1981-12-04 Vorrichtung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasmas für die Behandlung von Substraten, insbesondere zur Plasmapolymerisation von Monomeren Expired DE3147986C2 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3147986A DE3147986C2 (de) 1981-12-04 1981-12-04 Vorrichtung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasmas für die Behandlung von Substraten, insbesondere zur Plasmapolymerisation von Monomeren
US06/445,339 US4521717A (en) 1981-10-17 1982-11-29 Apparatus for producing a microwave plasma for the treatment of substrates, in particular for the plasma-polymerization of monomers thereon
JP57208737A JPS58104633A (ja) 1981-12-04 1982-11-30 素材処理用のマイクロ波プラズマ発生装置
GB08234261A GB2110870B (en) 1981-12-04 1982-12-01 Apparatus for producing a microwave plasma for the treatment of substrates
DE4132556A DE4132556A1 (de) 1981-12-04 1991-09-30 Vorrichtung zur erzeugung eines mikrowellenplasmas fuer die behandlung von substraten, insbesondere zur plasmapolymerisation von monomeren

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3147986A DE3147986C2 (de) 1981-12-04 1981-12-04 Vorrichtung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasmas für die Behandlung von Substraten, insbesondere zur Plasmapolymerisation von Monomeren

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3147986A1 DE3147986A1 (de) 1983-06-16
DE3147986C2 true DE3147986C2 (de) 1992-02-27

Family

ID=6147858

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3147986A Expired DE3147986C2 (de) 1981-10-17 1981-12-04 Vorrichtung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasmas für die Behandlung von Substraten, insbesondere zur Plasmapolymerisation von Monomeren
DE4132556A Granted DE4132556A1 (de) 1981-12-04 1991-09-30 Vorrichtung zur erzeugung eines mikrowellenplasmas fuer die behandlung von substraten, insbesondere zur plasmapolymerisation von monomeren

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4132556A Granted DE4132556A1 (de) 1981-12-04 1991-09-30 Vorrichtung zur erzeugung eines mikrowellenplasmas fuer die behandlung von substraten, insbesondere zur plasmapolymerisation von monomeren

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4521717A (de)
JP (1) JPS58104633A (de)
DE (2) DE3147986C2 (de)
GB (1) GB2110870B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3711184A1 (de) * 1987-04-02 1988-10-20 Leybold Ag Vorrichtung zur einbringung von mikrowellenenergie mit einem offenen mikrowellenleiter
DE4132556A1 (de) * 1981-12-04 1993-01-07 Ecole Polytech Vorrichtung zur erzeugung eines mikrowellenplasmas fuer die behandlung von substraten, insbesondere zur plasmapolymerisation von monomeren

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3244391A1 (de) * 1982-12-01 1984-06-07 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Vorrichtung zur beschichtung von substraten durch plasmapolymerisation
DE3316693A1 (de) * 1983-05-06 1984-11-08 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren zum herstellen von amorphen kohlenstoffschichten auf substraten und durch das verfahren beschichtete substrate
DE3440651C1 (de) * 1984-11-07 1990-02-15 BMP Plasmatechnologie GmbH, 8046 Garching Verfahren und Vorrichtung zur Oberflächenvorbehandlung von Werkstücken mittels Niederdruckplasma
US4633140A (en) * 1984-12-24 1986-12-30 Fusion Systems Corporation Electrodeless lamp having staggered turn-on of microwave sources
DE3521625A1 (de) * 1985-06-15 1986-12-18 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren zum beschichten von substraten durch niederdruck-plasmapolymerisation von monomeren
GB2208656B (en) * 1985-06-29 1990-01-17 Stc Plc Pulsed radio frequency plasma apparatus and process
US4728863A (en) * 1985-12-04 1988-03-01 Wertheimer Michael R Apparatus and method for plasma treatment of substrates
JPS6393881A (ja) * 1986-10-08 1988-04-25 Anelva Corp プラズマ処理装置
DE3705666A1 (de) * 1987-02-21 1988-09-01 Leybold Ag Einrichtung zum herstellen eines plasmas und zur behandlung von substraten darin
US4883570A (en) * 1987-06-08 1989-11-28 Research-Cottrell, Inc. Apparatus and method for enhanced chemical processing in high pressure and atmospheric plasmas produced by high frequency electromagnetic waves
GB2211660A (en) * 1987-10-28 1989-07-05 Philips Nv A charge-coupled device de-interlacer
JPH0623569Y2 (ja) * 1988-03-02 1994-06-22 新日本無線株式会社 プラズマ発生反応装置
US4893584A (en) * 1988-03-29 1990-01-16 Energy Conversion Devices, Inc. Large area microwave plasma apparatus
DE3843098A1 (de) * 1988-12-21 1990-06-28 Technics Plasma Gmbh Verfahren und vorrichtung zur kunststoffbeschichtung von strangprofilen
JPH02294491A (ja) * 1989-05-10 1990-12-05 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
US5114770A (en) * 1989-06-28 1992-05-19 Canon Kabushiki Kaisha Method for continuously forming functional deposited films with a large area by a microwave plasma cvd method
DE69030140T2 (de) * 1989-06-28 1997-09-04 Canon Kk Verfahren und Anordnung zur kontinuierlichen Bildung einer durch Mikrowellen-Plasma-CVD niedergeschlagenen grossflächigen Dünnschicht
US5130170A (en) * 1989-06-28 1992-07-14 Canon Kabushiki Kaisha Microwave pcvd method for continuously forming a large area functional deposited film using a curved moving substrate web with microwave energy with a directivity in one direction perpendicular to the direction of microwave propagation
DE4114108C1 (de) * 1991-04-30 1991-12-19 Schott Glaswerke, 6500 Mainz, De
JP2714247B2 (ja) * 1990-10-29 1998-02-16 キヤノン株式会社 マイクロ波プラズマｃｖｄ法による大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する方法及び装置
JP2824808B2 (ja) * 1990-11-16 1998-11-18 キヤノン株式会社 マイクロ波プラズマｃｖｄ法による大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する装置
JP2810532B2 (ja) * 1990-11-29 1998-10-15 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置
JP3101330B2 (ja) * 1991-01-23 2000-10-23 キヤノン株式会社 マイクロ波プラズマｃｖｄ法による大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する方法及び装置
JP3158715B2 (ja) * 1992-03-30 2001-04-23 株式会社ダイヘン プラズマ処理装置
EP0778089A1 (de) * 1993-06-01 1997-06-11 Kautex Werke Reinold Hagen Ag Einrichtung zum Herstellen einer polymeren Beschichtung an Kunststoff-Hohlkörpern
DE19532435C2 (de) * 1995-09-02 2001-07-19 Ver Foerderung Inst Kunststoff Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen eines Plasmas
US6087778A (en) * 1996-06-28 2000-07-11 Lam Research Corporation Scalable helicon wave plasma processing device with a non-cylindrical source chamber having a serpentine antenna
US5795831A (en) * 1996-10-16 1998-08-18 Ulvac Technologies, Inc. Cold processes for cleaning and stripping photoresist from surfaces of semiconductor wafers
DE19815182A1 (de) * 1998-04-04 1999-10-14 Beiersdorf Ag Verfahren zur Herstellung von Haftvermittlerschichten
WO2002023107A2 (en) * 2000-09-18 2002-03-21 Fannon Mark G Method and apparatus for processing coatings, radiation curable coatings on wood, wood composite and other various substrates

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3541372A (en) * 1966-12-28 1970-11-17 Hitachi Ltd Microwave plasma light source
AU471968B2 (en) * 1971-11-10 1976-05-13 Ransburg Corporation Method for irradiating compositions
US3814983A (en) * 1972-02-07 1974-06-04 C Weissfloch Apparatus and method for plasma generation and material treatment with electromagnetic radiation
US3911318A (en) * 1972-03-29 1975-10-07 Fusion Systems Corp Method and apparatus for generating electromagnetic radiation
US3847652A (en) * 1972-12-08 1974-11-12 Nasa Method of preparing water purification membranes
US3872349A (en) * 1973-03-29 1975-03-18 Fusion Systems Corp Apparatus and method for generating radiation
GB1493394A (en) * 1974-06-07 1977-11-30 Nat Res Dev Plasma heater assembly
US4042850A (en) * 1976-03-17 1977-08-16 Fusion Systems Corporation Microwave generated radiation apparatus
JPS5939178B2 (ja) * 1977-04-25 1984-09-21 株式会社東芝 活性化ガス発生装置
US4359668A (en) * 1979-03-14 1982-11-16 Fusion Systems Corporation Method and apparatus for igniting electrodeless discharge lamp
JPS55131175A (en) * 1979-03-30 1980-10-11 Toshiba Corp Surface treatment apparatus with microwave plasma
JPS5613480A (en) * 1979-07-13 1981-02-09 Hitachi Ltd Dry etching apparatus
US4313783A (en) * 1980-05-19 1982-02-02 Branson International Plasma Corporation Computer controlled system for processing semiconductor wafers
DE3147986C2 (de) * 1981-12-04 1992-02-27 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Vorrichtung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasmas für die Behandlung von Substraten, insbesondere zur Plasmapolymerisation von Monomeren

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4132556A1 (de) * 1981-12-04 1993-01-07 Ecole Polytech Vorrichtung zur erzeugung eines mikrowellenplasmas fuer die behandlung von substraten, insbesondere zur plasmapolymerisation von monomeren
DE3711184A1 (de) * 1987-04-02 1988-10-20 Leybold Ag Vorrichtung zur einbringung von mikrowellenenergie mit einem offenen mikrowellenleiter

Also Published As

Publication number Publication date
GB2110870A (en) 1983-06-22
DE4132556A1 (de) 1993-01-07
DE3147986A1 (de) 1983-06-16
JPS58104633A (ja) 1983-06-22
GB2110870B (en) 1985-10-30
JPH0433866B2 (de) 1992-06-04
DE4132556C2 (de) 1993-04-08
US4521717A (en) 1985-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3147986C2 (de) Vorrichtung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasmas für die Behandlung von Substraten, insbesondere zur Plasmapolymerisation von Monomeren
DE2933850C2 (de) Plasma-Ätzvorrichtung
EP0235770B1 (de) Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Substraten in einer durch Hochfrequenz angeregten Plasmaentladung
DE3815006A1 (de) Vorrichtung zum herstellen von beschichtungen mit abgestufter zusammensetzung
EP0004900A2 (de) Verfahren zur Herstellung von aus einer Vielzahl von auf einer Glasträgerplatte angeordneten parallel zueinander ausgerichteten elektrisch leitenden Streifen bestehenden Polarisatoren
EP0839928A1 (de) Remote-Plasma-CVD-Verfahren
DE3938830C2 (de)
DE4412541A1 (de) Gaseinlassanordnung
DE2245374A1 (de) Mehrstufige integrierte wellenleiterstruktur und verfahren zu ihrer herstellung
DE4126236C2 (de) Rotierende Magnetron-Kathode und Verwendung einer rotierenden Magnetron-Kathode
DE1515308A1 (de) Verfahren zum Herstellen von duennen Schichten mit bestimmten reproduzierbaren Dickenabmessungen,insbesondere von Duennschichtwiderstaenden mit reproduzierbaren Eigenschaften
EP0402798A2 (de) Beschichtungsvorrichtung
DE4233895C2 (de) Vorrichtung zur Behandlung von durch einen Wickelmechanismus bewegten bahnförmigen Materialien mittels eines reaktiven bzw. nichtreaktiven, durch Hochfrequenz- oder Pulsentladung erzeugten Niederdruckplasmas
DE2740384A1 (de) Verfahren zur oberflaechenbehandlung der substrate von fluessigkristall-anzeigezellen
DE2900724C2 (de) Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten im Vakuum
DE2044224B2 (de) Gasentladungsanzeigevorrichtung
WO1994025177A1 (de) Vorrichtung zur belackung oder beschichtung von platten oder scheiben
DE3711184A1 (de) Vorrichtung zur einbringung von mikrowellenenergie mit einem offenen mikrowellenleiter
DE3734423C1 (de) Vorrichtung zur Reflexion niederenergetischer Ionen
DE2359893A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum niederschlagen einer durchsichtigen elektrisch leitenden metalloxidschicht
EP0020899A1 (de) Ionengenerator
CH334330A (de) Apparatur mit Hochvakuumraum und kontinuierlich benutzbarer Vakuumschleuse für Bänder und Drähte
DE3115389C2 (de)
DE4210284A1 (de) Vorrichtung zum Erzeugen eines Plasmas mittels Kathodenzerstäubung und Mikrowelleneinstrahlung
DE202007000123U1 (de) Verstellbare Inneneckspachtel

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8363 Opposition against the patent
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: LEYBOLD AG, 6450 HANAU, DE

8366 Restricted maintained after opposition proceedings
8305 Restricted maintenance of patent after opposition
D4 Patent maintained restricted
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: POLYPLASMA INC., MONTREAL, QUEBEC, CA

8328 Change in the person/name/address of the agent

Free format text: PRUEFER, L., DIPL.-PHYS. MATERNE, J., DIPL.-PHYS.DR.RER.NAT.HABIL., PAT.-ANWAELTE, 8000 MUENCHEN

8339 Ceased/non-payment of the annual fee