DE3140237C2 - Vorrichtung zum Plasmaätzen einer Probe - Google Patents
Vorrichtung zum Plasmaätzen einer ProbeInfo
- Publication number
- DE3140237C2 DE3140237C2 DE3140237A DE3140237A DE3140237C2 DE 3140237 C2 DE3140237 C2 DE 3140237C2 DE 3140237 A DE3140237 A DE 3140237A DE 3140237 A DE3140237 A DE 3140237A DE 3140237 C2 DE3140237 C2 DE 3140237C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- sample
- chamber
- plasma etching
- sample table
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/16—Vessels; Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
Es wird eine Einrichtung zum Plasmaätzen einer Probe, z.B. eines Halbleitersubstrats, beschrieben. Die Probe befindet sich auf einem Probentisch, welcher als Elektrode ausgebildet ist und einer Gegenelektrode innerhalb einer Kammer gegenüberliegt. Es wird jeweils eine Heizeinrichtung in der Kammer, in der Gegenelektrode und in dem Probentisch vorgesehen. Diese dient zur Desorption der an den Oberflächen dieser Bauteile adsorbierten Reaktionsprodukte.
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Plasmaätzen einer Probe, insbesondere eines Halbleitersubstrates
mit einem als eine Elektrode ausgebildeten Probentisch und einer Gegenelektrode, die beide in einer
Kammer vorgesehen sind, wobei der Probentisch mit einer Heizeinrichtung versehen ist.
Solche Vorrichtungen sind bereits bekannt (DE-OS 26 17 483); dort werdes u. a. auch Aluminium und Aluminiumlegierungen
geätzt.
Bei einer anderen bekannten Plasmaätzvorrichtung ist — wie in F i g. 1 dargestellt — in einer Kammer 1 eine
obere Elektrode 2 vorgesehen, der eine untere Elektrode 3 gegenüberliegt. Die untere Elektrode 3 ist als Probentisch
ausgebildet, der mit einer Wasserkühlleitung 4 versehen ist. Die Kammer 1 wird auf einen Druck von
etwa 10—' bis 10-5Torr evakuiert. Anschließend wird
ein Ätzgas, z. B. CF4 + O2 durch einen Einlaß 5 eingespeist,
wobei ein vorbestimmter Druck aufrechterhalten wird. Sodann wird von einer Stromquelle 6 elektrische
Hochfrequenzenergie zwischen den Elektroden 2 und 3 eingespeist. Dabei wird ein Gasplagma gebildet. Mit
diesem Gasplasma wird die Oberfläche einer Probe 7, beispielsweise eines Halbleitersubstrates, das auf der
unteren Elektrode 3 angeordnet ist, geätzt. Bei der herkömmlichen Plasmaätzvorrichtung haften die beim Ätzen
gebildeten Reaktionsprodukte an der Innenwand der Kammer 1. Wenn der Ätzvorgang unter diesen Bedingungen
wiederholt wird, so kommt es aufgrund des anhaftenden Reaktionsproduktes zu einer Verschlechterung
des Vakuums und somit zu einer Beeinträchtigung der Reproduzierbarkeit des Ätzergebnisses. Weiterhin
tritt eine nachteilige Verfleckung der Probe 7 durch das Reaktionsprodukt auf.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zum Plasmaätzen der eingangs genannten Art
so auszubilden, daß deren Kammer bei wiederholtem Gebrauch während langer Zeit in einem vorbestimmten
Zustand gehalten werden kann. Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß in der Kammerwand
und in der Gegenelektrode weitere Heizeinrichtungen vorgesehen sind.
Dadurch können vorteilhafterweise vor dem eigentlichen Ätzvorgang die Elektroden sowie die Kammerwand
aufgeheizt werden, wodurch daran anhaftende Reaktionsprodukte gelöst und durch Evakuieren von
der Kammer abgeführt werden können. Anschließend erfolgt der eigentliche Ätzvorgang der Probe in der in
dieser Weise von Reaktionsprodukten gereinigten Kammer.
Im folgenden wird unter Bezugnahme auf den Stand der Technik ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand
der Zeichnungen näher erläutert; es zeigt
F i g. 1 eine Schnittdarstellung einer herkömmlichen
Plasma-Ätzvorrichtung; und
Fig.2 eine Schnittdarstellung einer Ausführungsform der anmeldungsgemäßen Plasma-Ätzvorrichtung.
Soweit in F i g. 2 die gleichen Bezugszeichen verwendet werden, bezeichnen sich auch die gleichen oder entsprechende
Bauteile der Fig. 1. Bei der Ausführungsform gemäß F i g. 2 ist jeweils eine Beheizungseinrichtung
8 in der Kammer 1 angeordnet sowie in der oberen Elektrode 2 und in der als Probentisch dienenden, unteren
Elektrode 3.
Im folgenden soll die Arbeitsweise näher erläutert werden. Die Kammer 1, die obere Elektrode 2 und die
untere Elektrode 3, welche als Probentisch dient, werden durch die Heizeinrichtungen für die Probe 7 erhitzt,
und die Kammer 1 wird evakuiert. Hierdurch wird das an diesen Bauteilen adsorbierte Reaktionsprodukt desorbiert
und eliminiert. Hierdurch erzielt man einen Reinigungseffekt. Wenn man nun die Elektroden 2 und 3
mit einer elektrischen Hochfrequenzenergie beaufschlagt, und zwar unter Einspeisung von Sauerstoffgas
in die Kammer 1, so kommt es zur Bildung eines Plasmas und der Reinigungseffekt wird noch weiter verbessert.
Nach Durchführung des Reinigungsvorgangs wird die Beheizung unterbrochen und die untere Elektrode 3
wird mit Hilfe des Wasserkühlrohrs 4 auf eine vorbestimmte Temperatur abgekühlt. Sodann wird die Probe
7, die z. B. in einer Vakuum-Vorkammer angeordnet war, auf den unteren Elektrodentisch 3 geschoben und
der Ätzvorgang wird in herkömmlicher Weise unter üblichen Bedingungen durchgeführt Hierdurch werden
die Nachteile der herkömmlichen Einrichtung überwunden.
Es ist bei dieser Ausführungsform nicht notwendig,
Es ist bei dieser Ausführungsform nicht notwendig,
den Ätz- und Reinigungsvorgang zu wiederholen. Es ist möglich, die Reinigung nach der Abscheidung des Reaktionsproduktes
durchzuführen, und zwar jeweils in dem Maße, welches für die Eliminierung des Reaktionsproduktes
erforderlich ist.
Als Heizmechanismus kann ein in die jeweiligen Bauteile eingebettetes Heizelement dienen oder aber auch
ein hohler Mantel, in dem ein Heizmaterial eingeführt wird, z. B. heißes Äthylenglykol. Die Temperatur beträgt
bei der Beheizung vorzugsweise bis zu 150° C. Die elektrische Hochfrequenz zwischen den Elektroden hat
einen herkömmlichen Wert, z.B. 13,56MHz oder 400 kHz. Beim Abkühlen liegt die Temperatur vorzugsweise
im Bereich von 10 bis 35° C. Die eingespeiste elektrische
Leitung liegt vorzugsweise im Bereich von 0,1 bis 1,0 Watt/cm2.
Wie bereits erläutert, werden die Kammer, die oberen Elektrode und die untere Elektrode, welche als Probentisch
dient, mit Heizeinrichtungen ausgerüstet, und zwar zur Durchführung einer Reinigung im Wege der Eliminierung
des Reaktionsprodukts, welches an diesen Bauteilen anhaftet. Diese Reinigung wird vor der nachfolgenden
Ätzung durchgeführt. Auf diese Weise kann die Reproduzierbarkeit der Ätzung der Probe wesentlich
verbessert werden. Darüberhinaus werden beim Ätzen
eines Halbleitersubstrats Verfleckungen desselben durch das Reaktionsprodukt wirksam verhindert Der
Aufbau der beschriebenen Einrichtung ist einfach und auch das Plasmaätzen der Probe gestaltet sich einfach.
Die Heizeinrichtung wird vorzugsweise in allen Wandungen der Kammer eingebettet sowie in den Oberflächenplatten
der oberen Elektrode und in der Oberfläche der unteren Elektrode. Das Wasserkühlrohr wird vorzugsweise
üoer der Heizeinrichtung in der unteren Elektrode, weiche als Probentisch dient, angeordnet
Die Heizeinrichtung kann ein elektrischer Widerstand sein, welcher elektrisch beheizt wird. Die Wand selbst
kann als elektrischer Widerstand dienen. Vorzugsweise handelt es sich bei der Wand jedoch um eine korrosionsfeste
Platte. Die Temperatur bei der Beheizung der Heizeinrichtung wird vorzugsweise je nach der Temperatur
der Plasmaätzung, welche durch die elektrische Hochfrequenzleistung bewirkt wird, ausgewählt. Die
Beheizungseinrichtung sollte mindestens in denjenigen Teilen eingebettet sein, an denen die Abscheidung des
Reaktionsproduktes verhindert werden soll, und zwar speziell im Bereich des Einlasses und des Auslasses für
das Plasmagas und im Probentisch.
25
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
30
35
40
55
60
Claims (3)
- Patentansprüche:L Vorrichtung zum Plasmaätzen einer Probe, insbesondere eines Halbleitersubstrates mit einem als eine Elektrode ausgebildeten Probentisch und einer Gegenelektrode, die beide in einer Kammer vorgesehen sind, wobei der Probentisch mit einer Heizeinrichtung versehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß in der Kammerwand (1) und in der Gegenelektrode (2) weitere Heizeinrichtungen (8) vorgesehen sind.
- 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die in dem Probentisch (3) vorgesehene Heizeinrichtung unterhalb einer Kühleinrichtung (4) angeordnet ist.
- 3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die in der Kammerwand (1) vorgesehene Heizeinrichtung ein elektrischer Widerstand ist, der in die Kammerwand (1) in der Nähe des Auslasses und des Einlasses (5) für ein Plasmagas eingebettet ist
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55141480A JPS6056431B2 (ja) | 1980-10-09 | 1980-10-09 | プラズマエツチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3140237A1 DE3140237A1 (de) | 1982-06-09 |
DE3140237C2 true DE3140237C2 (de) | 1985-06-05 |
Family
ID=15292867
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3140237A Expired DE3140237C2 (de) | 1980-10-09 | 1981-10-09 | Vorrichtung zum Plasmaätzen einer Probe |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4430547A (de) |
JP (1) | JPS6056431B2 (de) |
DE (1) | DE3140237C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4130391A1 (de) * | 1990-09-17 | 1992-03-26 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zum plasmaaetzen |
Families Citing this family (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5853833A (ja) * | 1981-09-26 | 1983-03-30 | Toshiba Corp | プラズマエツチング装置 |
JPS6049629A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 反応性イオンビ−ムエツチング装置 |
JPS60154529A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | ドライエツチング装置 |
US4695700A (en) * | 1984-10-22 | 1987-09-22 | Texas Instruments Incorporated | Dual detector system for determining endpoint of plasma etch process |
US4870245A (en) * | 1985-04-01 | 1989-09-26 | Motorola, Inc. | Plasma enhanced thermal treatment apparatus |
JPH0533229Y2 (de) * | 1985-04-22 | 1993-08-24 | ||
JPS6218028A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-01-27 | Toshiba Corp | デイスカム装置 |
JPS6230329A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-09 | Toshiba Corp | ドライエツチング装置 |
US4703183A (en) * | 1985-12-05 | 1987-10-27 | Eaton Corporation | Ion implantation chamber purification method and apparatus |
US4676865A (en) * | 1986-02-07 | 1987-06-30 | Delarge Richard S | Plasma desmear/etchback system and method of use |
US4795880A (en) * | 1986-09-11 | 1989-01-03 | Hayes James A | Low pressure chemical vapor deposition furnace plasma clean apparatus |
JP2555062B2 (ja) * | 1987-04-10 | 1996-11-20 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置 |
JPS63254731A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-21 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
US4891488A (en) * | 1987-07-16 | 1990-01-02 | Texas Instruments Incorporated | Processing apparatus and method |
JP2713956B2 (ja) * | 1988-03-04 | 1998-02-16 | 株式会社日立製作所 | 低温ドライエッチング装置 |
JP2641463B2 (ja) * | 1987-10-21 | 1997-08-13 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置 |
JP2654652B2 (ja) * | 1987-12-28 | 1997-09-17 | 京セラ株式会社 | 反応室構成部材の残留ハロゲン元素除去方法 |
JPH0610675Y2 (ja) * | 1988-03-23 | 1994-03-16 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置 |
DE3938267C2 (de) * | 1989-11-17 | 1997-03-27 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Heizen von Substraten |
DE4007123A1 (de) * | 1990-03-07 | 1991-09-12 | Siegfried Dipl Ing Dr Straemke | Plasma-behandlungsvorrichtung |
JP2646811B2 (ja) * | 1990-07-13 | 1997-08-27 | ソニー株式会社 | ドライエッチング方法 |
US5192849A (en) * | 1990-08-10 | 1993-03-09 | Texas Instruments Incorporated | Multipurpose low-thermal-mass chuck for semiconductor processing equipment |
FR2666821B1 (fr) * | 1990-09-19 | 1992-10-23 | Ugine Aciers | Dispositif de traitement superficiel d'une plaque ou d'une tole d'un materiau metallique par plasma basse temperature. |
JP3018532B2 (ja) * | 1991-02-26 | 2000-03-13 | ソニー株式会社 | ドライエッチング方法 |
JP3206095B2 (ja) * | 1991-04-12 | 2001-09-04 | 株式会社ブリヂストン | 表面処理方法及びその装置 |
JP3044824B2 (ja) * | 1991-04-27 | 2000-05-22 | ソニー株式会社 | ドライエッチング装置及びドライエッチング方法 |
US6063233A (en) | 1991-06-27 | 2000-05-16 | Applied Materials, Inc. | Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
US6036877A (en) | 1991-06-27 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material |
US6165311A (en) * | 1991-06-27 | 2000-12-26 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
US5477975A (en) * | 1993-10-15 | 1995-12-26 | Applied Materials Inc | Plasma etch apparatus with heated scavenging surfaces |
US6238588B1 (en) | 1991-06-27 | 2001-05-29 | Applied Materials, Inc. | High pressure high non-reactive diluent gas content high plasma ion density plasma oxide etch process |
US6077384A (en) * | 1994-08-11 | 2000-06-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor having an inductive antenna coupling power through a parallel plate electrode |
US6090303A (en) * | 1991-06-27 | 2000-07-18 | Applied Materials, Inc. | Process for etching oxides in an electromagnetically coupled planar plasma apparatus |
US6488807B1 (en) | 1991-06-27 | 2002-12-03 | Applied Materials, Inc. | Magnetic confinement in a plasma reactor having an RF bias electrode |
US6514376B1 (en) | 1991-06-27 | 2003-02-04 | Applied Materials Inc. | Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
US6024826A (en) * | 1996-05-13 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material |
US6074512A (en) * | 1991-06-27 | 2000-06-13 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna and modular confinement magnet liners |
US5443686A (en) * | 1992-01-15 | 1995-08-22 | International Business Machines Corporation Inc. | Plasma CVD apparatus and processes |
JP3365511B2 (ja) * | 1993-04-05 | 2003-01-14 | セイコーエプソン株式会社 | ろう材による接合方法及び装置 |
TW262566B (de) * | 1993-07-02 | 1995-11-11 | Tokyo Electron Co Ltd | |
JP3312377B2 (ja) * | 1993-12-09 | 2002-08-05 | セイコーエプソン株式会社 | ろう材による接合方法及び装置 |
US6342275B1 (en) | 1993-12-24 | 2002-01-29 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for atmospheric pressure plasma surface treatment, method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing ink jet printing head |
US5798016A (en) * | 1994-03-08 | 1998-08-25 | International Business Machines Corporation | Apparatus for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability |
US6006763A (en) * | 1995-01-11 | 1999-12-28 | Seiko Epson Corporation | Surface treatment method |
JP3521587B2 (ja) * | 1995-02-07 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | 基板周縁の不要物除去方法及び装置並びにそれを用いた塗布方法 |
JPH08279495A (ja) * | 1995-02-07 | 1996-10-22 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置及びその方法 |
TW297135B (de) * | 1995-03-20 | 1997-02-01 | Hitachi Ltd | |
JP3959745B2 (ja) * | 1995-04-07 | 2007-08-15 | セイコーエプソン株式会社 | 表面処理装置 |
JP3598602B2 (ja) * | 1995-08-07 | 2004-12-08 | セイコーエプソン株式会社 | プラズマエッチング方法、液晶表示パネルの製造方法、及びプラズマエッチング装置 |
TW279240B (en) | 1995-08-30 | 1996-06-21 | Applied Materials Inc | Parallel-plate icp source/rf bias electrode head |
JPH09233862A (ja) * | 1995-12-18 | 1997-09-05 | Seiko Epson Corp | 圧電体を用いた発電方法、発電装置および電子機器 |
US6036878A (en) | 1996-02-02 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Low density high frequency process for a parallel-plate electrode plasma reactor having an inductive antenna |
US6054013A (en) * | 1996-02-02 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Parallel plate electrode plasma reactor having an inductive antenna and adjustable radial distribution of plasma ion density |
JPH09312545A (ja) | 1996-03-18 | 1997-12-02 | Seiko Epson Corp | 圧電素子、その製造方法、及び圧電振動片のマウント装置 |
US5918354A (en) * | 1996-04-02 | 1999-07-06 | Seiko Epson Corporation | Method of making a piezoelectric element |
US6132551A (en) * | 1997-09-20 | 2000-10-17 | Applied Materials, Inc. | Inductive RF plasma reactor with overhead coil and conductive laminated RF window beneath the overhead coil |
US6589437B1 (en) | 1999-03-05 | 2003-07-08 | Applied Materials, Inc. | Active species control with time-modulated plasma |
US6401652B1 (en) | 2000-05-04 | 2002-06-11 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor inductive coil antenna with flat surface facing the plasma |
US6936546B2 (en) * | 2002-04-26 | 2005-08-30 | Accretech Usa, Inc. | Apparatus for shaping thin films in the near-edge regions of in-process semiconductor substrates |
FR2842387B1 (fr) * | 2002-07-11 | 2005-07-08 | Cit Alcatel | Chemisage chauffant pour reacteur de gravure plasma, procede de gravure pour sa mise en oeuvre |
WO2006118052A1 (ja) | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Eagle Industry Co., Ltd. | 切替弁 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1006691B (de) * | 1955-02-09 | 1957-04-18 | Heraeus Gmbh W C | Anlage zur Vakuumaufdampfung und Kathodenzerstaeubung |
FR2312114A1 (fr) * | 1975-05-22 | 1976-12-17 | Ibm | Attaque de materiaux par ions reactifs |
CH634606A5 (de) * | 1977-10-20 | 1983-02-15 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur erzeugung von hochvakuum zur durchfuehrung von beschichtungsprozessen. |
-
1980
- 1980-10-09 JP JP55141480A patent/JPS6056431B2/ja not_active Expired
-
1981
- 1981-10-06 US US06/309,098 patent/US4430547A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-10-09 DE DE3140237A patent/DE3140237C2/de not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4130391A1 (de) * | 1990-09-17 | 1992-03-26 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zum plasmaaetzen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4430547A (en) | 1984-02-07 |
DE3140237A1 (de) | 1982-06-09 |
JPS6056431B2 (ja) | 1985-12-10 |
JPS5767173A (en) | 1982-04-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3140237C2 (de) | Vorrichtung zum Plasmaätzen einer Probe | |
DE2102352C3 (de) | Hochfrequenzbetriebene Sprühvorrichtung | |
DE2026622C2 (de) | Koronareaktorkern zur Ozonerzeugung | |
DE2248367C3 (de) | Vorrichtung zum Freihalten der Kammerwände von Farbstoff einer Behandlungskammer zur elektrostatischen Farbstoffauftragung | |
DE2531812C3 (de) | Gasentladungsgerät | |
DE2703659C2 (de) | Ätzvorrichtung zum Ätzen eines Objekts unter Verwendung von Plasma | |
DE2240986A1 (de) | Koronaerzeuger | |
DE3614384A1 (de) | Verfahren zur beschichtung von substraten in einer vakuumkammer | |
EP0309648A1 (de) | Vorrichtung zum Beschichten oder Ätzen mittels eines Plasmas | |
DE3725358A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zur oberflaechenbehandlung von materialien | |
DE3507337A1 (de) | Vorrichtung zur durchfuehrung von prozessen im vakuum | |
DE1446199B2 (de) | Kontinuierliches verfahren zum ueberziehen von gegen staenden, insbesondere glasscheiben, durch vakuumaufdampfen und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens | |
DE2647088B2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Oberflächen | |
DE1101375B (de) | Apparat zur Erzeugung von Ozon | |
DE2908829C2 (de) | Verfahren zum Hartlöten von Aluminium | |
DE2755852A1 (de) | Anlage zum behandeln von substraten mittels eines ionenstrahls | |
EP0402798A2 (de) | Beschichtungsvorrichtung | |
DE3886725T2 (de) | Verfahren und anordnung zur trocknen behandlung und ätzen eines substrats. | |
CH618110A5 (de) | ||
DE1295113B (de) | Vorrichtung zum Praegen eines Musters auf ein dielektrisches Plattenmaterial | |
DE2803331B2 (de) | Anlage zum teilweisen Behandeln von langgestreckten Werkstücken durch stromstarke Glimmentladung | |
EP0647961A1 (de) | Vorrichtung zum Beschichten von langgestreckten biegsamen Erzeugnissen | |
EP0786793A2 (de) | Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Werkstücken | |
CH663220A5 (de) | Verfahren zum herstellen von schichtwerkstoff oder schichtwerkstuecken. | |
DE1909802C2 (de) | Koronaerzeugungsvorrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8363 | Opposition against the patent | ||
8331 | Complete revocation |