DE3138927A1 - Abbildendes spektrometer fuer die elektronenstrahl-messtechnik und elektronenstrahl-messgeraet - Google Patents

Abbildendes spektrometer fuer die elektronenstrahl-messtechnik und elektronenstrahl-messgeraet

Info

Publication number
DE3138927A1
DE3138927A1 DE19813138927 DE3138927A DE3138927A1 DE 3138927 A1 DE3138927 A1 DE 3138927A1 DE 19813138927 DE19813138927 DE 19813138927 DE 3138927 A DE3138927 A DE 3138927A DE 3138927 A1 DE3138927 A1 DE 3138927A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrostatic
opposing field
spectrometer according
field spectrometer
secondary electrons
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19813138927
Other languages
English (en)
Inventor
Erich Dr.rer.nat. 8000 München Plies
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19813138927 priority Critical patent/DE3138927A1/de
Publication of DE3138927A1 publication Critical patent/DE3138927A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J49/00Particle spectrometers or separator tubes
    • H01J49/44Energy spectrometers, e.g. alpha-, beta-spectrometers
    • H01J49/46Static spectrometers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302Contactless testing
    • G01R31/305Contactless testing using electron beams

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

  • Abbildendes Spektrometer für die Elektronenstrahl-
  • Meßtechnik und Elektronenstrahl-Meßgerät Die Erfindung betrifft ein elektrostatisches Gegenfeld-Spektrometer nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
  • Für die quantitative Potentialmessung an Meßpunkten auf einer Probenoberfläche, z.B. an Leitbahnen und Knoten von integrierten mikroelektronischen Bauelementen, mit Hilfe eines Elektronenstrahl-Meßgerätes ist ein Sekundärelektronen-Spektrometer erforderlich.
  • In einem Elektronenstrahl-Meßgerät werden die zu vermessenden Meßpunkte auf einer Probenoberfläche, z.B.
  • Leitbahnen oder Knoten von integrierten mikroelektronischen Bauelementen, mit Primärelektronen von etwa 2,5 kV (bzw. 20 kV bei bedeckten Leitbahnen von integrierten mikroelektronischen Bauelementen) bestrahlt, wobei unter anderem Sekundärelektronen ausgelöst werden. Hat die zu vermessende Leitbahn des Potential #L, so wird das Spektrum (genauer die Energieverteilungsfunktion) der Sekundärelektronen um -e eL in Richtung positiver kinetischer Energie verschoben (mit e ist die positive Elementarladung bezeichnet.). In einem Sekundärelektronen-Spektrometer kann man diese Verschiebung des Spektrums der Sekundärelektronen und damit das Potential # #L der zu vermessenden Leitbahn ermitteln.
  • Aus der Veröffentlichung von H.P. Feuerbaum, SEM/1979/ I, SEM Inc., AMF O'Hare IL 60 666, 285-296, ist ein Gegenfeld-Spektrometer mit einem ebenen Gegenfeld-Gitter bekannt. Dieses Gegenfeld-Spektrometer besitzt keine elektronenoptischen Abbildungseigenschaften. Die ausgelosten Sekundärelektronen haben eine Raumwinkelverteilung, die das bekannte Gegenfeld-Spektrometer nicht transmittieren kann, was einen Meßfehler von 5-10% bedingt.
  • Dieser Meßfehler ist hauptsächlich dadurch bedingt, daß ein schräg gegen das ebene Gegenfeld-Gitter anlaufendes Elektron dieses Gegenfeld-Gitter unter Umständen nicht mehr passieren kann, wenn ein senkrecht zu diesem Gegenfeld-Gitter startendes Elektron gleicher Energie dieses Gegenfeld-Gitter gerade noch-passiert.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein elektrostatisches Gegenfeld-Spektrometer der eingangs genannten Art anzugeben, weiches die Raumwinkelverteilung der Sekundärelektronen berücksichtigt und elektronenoptische Abbildungseigenschaften aufweist.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch ein elektrostatisches Gegenfeld-Spektrometer der eingangs genannten Art gelöst, welches die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 aufweist.
  • Bei einem erfindungsgemäßen elektrostatischen Gegenfeld-Spektrometer gehen nach der Passage des Gegenfeldes keine Sekundärelektronen an den Wänden des Gegenfeld-Spektrometers mehr verloren. Ein erfindungsgemäßes elektrostatisches Gegenfeld-Spektrometer bildet im Sekundärelektronen-Strahlengang die Probe stigmatisch auf den Detektor ab, wobei die unter verschiedenen Winkeln auf der Probenoberfläche beginnenden Sekundärelektronen-Bahnen senkrecht zum Gegenfeld-Netz (Meßnetz) verlaufen, so daß sich insgesamt eine hohe Transmission der Sekundärelektronen ergibt.
  • Ausgestaltungen und Vorteile der Erfindung sind in den Unteransprüchen, der Beschreibung und der Zeichnung dar- gestellt.
  • Figur 1 zeigt ein erfindungsgemäßes elektrostatisches Gegenfeld-Spektrometer.
  • Figur 2 zeigt die Wirkung des Absaugfeldes auf Sekundärelektronen-Bahnen verschiedener Anfangsneigung.
  • Figur 3 zeigt einen Schnitt senkrecht zur Achse eines erfindungsgemäßen elektrostatischen Spiegelanalysators CMA nach Figur 1.
  • Figur 4 zeigt ein abgewickeltes Innenrohr eines erfindungsgemäßen elektrostatischen Spiegelanalysators CMA gemäß Figur 1.
  • Figur 1 zeigt ein erfindungsgemäßes elektrostatisches Gegenfeld-Spektrometer. Das erfindungsgemäße elektrostatische Gegenfeld-Spektrometer nach Figur 1 bildet im Sekundärelektronen-Strahlengang des Sekundärelekronenbündels SE die Probe PR stigmatisch auf den Detektor DT ab, wobei die unter verschiedenen Winkeln auf der Probenoberfläche beginnenden Sekundärelektronen-Bahnen senkrecht zum Gegenfeld-Netz (Meßnetz) MN verlaufen, so daß sich insgesamt eine hohe Transmission ergibt.
  • Meßpunkte im nichtaktivierten Zustand auf der Probe PR befinden sich auf dem Potential # = O. Ein mit einem bezeichnetes Potential ist grundsätzlich als anodenbezogenes Potential angegeben. Die Kathode hat daher das Potential # = -UB, wobei UB das kathodenbezogene Beschleunigungspotential der Primärelektronen darstellt.
  • Die Sekundärelektronen werden zunächst mit Hilfe eines Saugnetzes SN von der Probe PR abgesaugt. Als Potential = = U5 des Saugnetzes SN kann beispielsweise US = 500 V gewählt werden. Nach dem Absaugen der Sekundärelektronen durch das Saugnetz SN werden diese Sekundärelektronen anschließend mit einem elektrostatischen Spiegelanalysator CMA (cylindrical mirror analyzer) aus dem Strahlengang der Primärelektronen "yherausgeholt". In diesem elektrostatischen Spiegelanalysator CMA wird nur ein einziges Ringzonen-Segment von den Sekundärelektronen durchflogen, während bei bekannten elektrostatischen Spiegelanalysatoren (z.B. J.S. Risley, Rev. Sci. Instr.
  • 43 (1972) 95) die gesamte Ringzone des Spiegelanalysators von den Sekundärelektronen durchflògen wird. Ein erfindungsgemäßer Spiegelanalysator CMA erfordert daher nicht den Aufbau des gesamten bekannten drehsymmetrischen Spiegelanalysators, sondern nur einen einzigen Sektor des Zylinderkondensators eines bekannten Spiegelanalysators. Dabei genügt in diesem einzelnen Sektor eines bekannten Spiegelanalysators, wie er für einen erfindungsgemäßen, modifizierten Spiegelanalysator CMA Verwendung findet, eine näherungsweise Erhaltung des drehsymmetrischen Feldes. Die Probe PR ist erfindungsgemäß so angeordnet, daß die virtuelle Sekundärelektronen-Quelle, die sich aufgrund des Absaugfeldes infolge des Saugnetzes SN für kleine Aperturen ergibt, auf der Achse des Spiegelanalysators CMA liegt.
  • Das hinter dem Spiegelanalysator CMA auf der Achse AC des Spiegelanalysators CMA entstehende Bild wird mit einer verzögernden Zweirohr-Kollimatorlinse ZK (z.B.
  • U1 = 10 V) ins Unendliche abgebildet, so daß die Sekundärelektronen senkrecht zum Gegenfeld-Netz MN (UG - 0...-10 V) auffallen. Dies ermöglicht es erfindungsgemäß, den beim Stand der Technik beschriebenen Meßfehler zu vermeiden.
  • Hinter dem Gegenfeld-Netz MN werden die durchgelassenen Sekundärelektronen durch ein in der Strahlregion homogenes Feld zwischen dem Gegenfeld-Netz MN und einem Vorbe- schleunigungsnetz VN soweit vorbeschleunigt, daß sie mit einer folgenden, relativ schwachen Zweirohr-Beschleunigungslinse ZB im bildseitigen feldfreien Raum fokussiert werden. Das letzte Rohr der Zweirohr-Beschleunigungslinse ZB ist mit einer Endplatte abgeschlossen, in deren Mitte ein Loch für den Detektor DT vorhanden ist. Der Detektor DT kann ein Durchsicht-Szintillator, ein Fotomultipleier usw. sein. Bei der Zweirohr-Beschleunigungslinse ZB werden als Spannungen beispielsweise U3 = 10 U2 = 8 kV gewäblt.
  • Zwangaläufig wird in einem erfindungsgemäßen Spiegelanalysator CMA auch das Primärelektronenbündel abgelenkt.
  • Verfolgt man die Primärelektronen rückwärts von der Probe PR aus, so erhält man den Versatz # und den Ablenkwinkel # der Bündel-Achse PE der Primärelektronenstrahlen, unter dem die Primärelektronen den erfindungsgemäßen Spiegelanalysator CMA "verlassen". Mit einem zweietagigen Ablenksystem A1, A2 wird das Primärelektronenstrahlbündel wieder auf die optische Achse OA des Sondenobjektivs SO zurückgelenkt. Durch diese Ablenkung an den Ablenkelementen Al, A2 und die Ablenkung im erfindungsgemäßen Spiegelanalysator CMA besitzt die Primärelektronenstrahl-Sonde zwei- und dreizähligen axialen Astigmatismus und axiales Koma. Beide Astigmatismen können durch einen Stigmator ST mit zwei- und dreizähligem Stigmatorfeld korrigiert werden. Der Realteil des Koma (isotropes Koma) kann durch die Lage der Aperturblende AB korrigiert werden. Der Imaginärteil des Koma (anisotropes Koma) kann dadurch korrigiert werden, daß das Ablenkelement A2 teilweise oder ganz in das magnetische Feld des Sondenobjektivs SO geschoben ist, wobei gleichzeitig das Ablenkelement Al gegen das Ablenkelement A2 verdreht ist.
  • Figur 2 zeigt die Wirkung das Absaugfeldes infolge des Saugnetzes SN auf Sekundärelektronen-Bahnen verschiedener Anfangsneigung. Die Probe PR ist so angeordnet, daß die virtuelle Sekundärelektronen-Quelle QS, die sich aufgrund des Absaugfeldes infolge des Saugnetzes SN für kleine Aperturen γO O ergibt, auf der Achse AC des erfindungsgemäßen Spiegelanalysators CMA liegt. Für die Brechung der Sekundärelektronen-Strahlen im homogenen Absaugfeld gilt folgende Gleichung: wobei γO und γ1 die in Figur 2 gezeichneten Winkel, US die Absaugspannung und eUO die Austrittsenergie der Sekundärelektronen aus der Probenoberfläche sind. Wenn mit lS die Länge der Absaugstrecke bezeichnet ist, so scheinen die Sekundärelektronenstrahlen aus der Entfernung 1S + 1R (gemessen vom Saugnetz SN) zu kommen: Für UO«Us, was bei einer erfindungsgemäßen Anordnung der Fall ist, und in paraxialer Näherung (αO«1) erhält man als Konvergenzverhältnis Man erhält beispielsweise für lS = 1 mm, UO = 10 V, US = 500 V ein Konvergenzverhältnis von α/α = 0,14 und 1R = 0,72 mm.
  • Ein erfindungsgemäßer Spiegelanalysator CMA besteht aus zwei koaxialen Kreisrohr-Elektroden, nämlich einem Innenrohr IR und einem Außenrohr AR. Damit die Potentialflächen auch noch an den Enden der Rohre IR, AR Zylinderflächen bleiben, sind potentialbelegte nguard rings" oder Isolatoren IS mit einer kleinen Leitfähigkeit infolge einer Widerstandsschicht WS zwischen den Elektroden IR, AR eingesetzt. Werden die Ein- und Austrittsöffnungen für die Sekundärelektronen beim erfindungsgemäßen Spiegelanalysator CMA mit. Gittern versehen, so daß kein Randfeld entsteht und wird außerdem das äußere Rohr AR auf das Potential Null gelegt, so erhält man eine Fokussierung zweiter Ordnung für einen Eintrittswinkel #= 42, 307° und R2/R1 = 3,7054, wobei 0 der Winkel zwischen der Achse AC des Spiegelanalysators CMA und der Achse des Sekundärelektronenbündels SE ist und wobei R1 der Radius des Innenrohres IR und R2 der Radius des Außenrohres AR sind. Werden die Ein- und Austrittsöffnungen des Spiegelanalysators CMA nicht mit Gittern versehen, so beulen die Potentialflächen durch diese Öffnungen nach außen aus und bewirken eine Defokussierung des Sekundärelektronenstrahlenbündels SE, was jedoch bei der Dimensionierung einer erfindungsgemäßen Anordnung berücksichtigt werden kann. Man erhält für das Innenrohr IR einen Radius R1 = 5 mm und für das Außenrohr AR einen Radius R2 = 18,5 mm.
  • Die in Figur 1 eingezeichnete Höhe H ist H#R2/sin #@ 28 mm, was ein Maß für die Höhe des erfindungsgemäßen Gegenfeld-Spektrometers ist.
  • Figur 3 zeigt einen Schnitt senkrecht zur Achse des erfindungsgemäßen Spiegelanalysators CMA. Bei bekannten Spiegelanalysatoren wird die gesamte Ringzone von = 360° genutzt, während bei einer erfindungsgemäßen Anordnung nur ein Segment eines bekannten Spiegelanalysators von Sekundärelektronen durchflogen wird. Daher wird bei einer erfindungsgemäßen Anordnung auch nicht der gesamte zylindersymmetrische bekannte Spiegelanalysator benötigt, sondern z.B. etwa nur-wie in Figur 3 gezeigteine Hälfte eines bekannten Spiegelanalysators, wobei potentialbelegte Drahtelektroden DE in Achsenrichtung vorgesehen werden können, damit die Potentiallinien in der Sekundärelektronenstrahlregion in besserer Näherung Kreise sind. Diese Drahtelektroden DE sind Jedoch in einer Minimal ausführung der Erfindung nicht unbedingt notwendig. Es besteht auch die Möglichkeit, für eine Ringzonensegment-Fokussierung der Sekundärelektronen den gesamten Spiegelanalysator CMA zu bauen, wobei die ein- und ausfallenden Strahlen der Sekundärelektronen im zusätzlich zu der in Figur 3 gezeigten Anordnung vorhandenen Teil des Spiegelanalysators CMA durch strahlumschließende Rohre abgeschirmt werden. Figur 3 zeigt also ein halbiertes Innenrohr IR, ein halbiertes Außenrohr AR, einen Teil des Sekundärelektronenstrahlbündels SE, Drahtelektroden zur Randfeldbegrenzung DE und ein erstes Rohr ZK1 der Zweirohr-Kollimatorlinse ZK.
  • Figur 4 zeigt ein abgewickeltes Innenrohr IR eines erfindungsgemäßen Spiegelanalysators CMA. Das Innenrohr IR weist eine Eintrittsöffnung EO der Sekundärelektronen auf, welche gleichzeitig als Austrittsöffnung des Primärelektronenstrahls dient. Weiter besitzt das Innenrohr IR eine Austrittsöffnung AO der Sekundärelektronen. Eintrittsöffnung EO und Austrittsöffnung AO der Sekundärelektronen können jeweils mit einem Netz NR zur Randfeldbegrenzung versehen sein. Dieses Netz NR ist jedoch nicht unbedingt notwendig.
  • Zwangsläufig wird im Spiegelanalysator CMA auch das sondenformende Primärelektronen-Bündel abgelenkt. Für den Ablenkwinkel # und den Versatz # der Bündel-Achse PE der Primärelektronenstrahlen erhält man: @ = = 3,2° = 5,6 . 10-2 rad, #= 1,6 mm für UB = 2,5 kV; = 0,43° = 7,4. 10-3 rad, @ = 0,2 mm für UB = 20 kV.
  • Dabei wurden die weiter oben angegebenen Gleichungen mit einem Durchmesser des Innenrohres IR von R1 = 5 mm zugrundegelegt. Mit einem zweistufigen Ablenksystem A1, A2 vor dem Sondenobjektiv SO wird der Primärelektronenstrahl so abgelenkt, daß er mit dem Winkel # in den Spiegelanalysator CMA eintritt und senkrecht zur Probe PR landet.
  • Durch die Primärelektronenstrahlablenkung im Spiegelanalysator CMA und im zweistufigen Strahlablenksystem A1, A2 vor dem Sondenobjektiv SO wird die Primärelektronen-Sonde verzerrt, hauptsächlich durch den zweizähligen axialen Astigmatismus und weiter durch dreizähligen axialen Astigmatismus und axiales Koma. Da die Ablenkungen des Primärelektronenstrahles statisch sind, können beide Astigmatismen einfach durch einen Stigmator ST mit zwei-und dreizähligem Stigmatorfeld korrigiert werden. Das Koma setzt sich zusammen aus einem Teil, der direkt von den Ablenkfeldern der Ablenkelemente Al, A2 verursacht wird und einem Teil, der verursacht wird von der schiefen Durchstrahlung der Rundlinse im Sondenobjektiv SO, für die der Primärelektronenstrahl von einem außeraxialen Punkt zu kommen scheint. Wäre das Sondenobjektiv SO elektrostatisch, so wäre der Ablenkschnitt unverwunden und das Koma rein isotrop. Meistens ist das Sondenobjektiv SO aber magnetisch, und Ablenkschnitt vor der Linse des Sondenobjektivs SO und nach der Linse des Sondenobjektivs SO sind gegeneinander verdreht, weshalb das Koma zusätzlich einen anisotropen Anteil besitzt. Der isotrope Anteil des Koma (Realteil des Koma) hängt von der Blendenlage der Aperturblende AB ab und kann durch Verschieben der Aperturblende AB korrigiert werden. Wird mit zKA die Lage der Aperturblende AB, für welche das isotrope Koma der Rundlinse im Sondenobjetiv SO Null ist, bezeichnet, so muß die Aperturblende AB verschoben werden, damit das gesamte isotrope Koma, verursacht von allen Ablenkungen und der Rundlinse im Sondenobjektiv SO, verschwindet.
  • Falls der verbleibende Imaginärteil des Koma (anisotropes Koma) noch stört, kann das Ablenkelement A2 teilweise oder ganz in das magnetische Rundlinsenfeld des Sondenobjektivs SO geschoben und gleichzeitig gegen das Ablenkelement Al verdreht werden, wodurch das anisotrope Koma korrigiert wird.
  • Um mit dem Primärelektronenstrahl über die Probe PR rastern zu können, müssen die Eintrittsöffnung des Primärelektronenstrahls in den Spiegelanalysator CMA und die Austrittsöffnung EO des Primärelektronenstrahls (gleichzeitig Eintrittsöffnung des Sekundärelektronenstrahls) genügend groß sein. Um große Randfelder zu vermeiden, können Gitter NR in den Öffnungen EO, AO des-Innenrohrs IR vorgesehen werden. Ablenkelement A1 und/oder Ablenkelement A2 können zusätzlich für die dynamische Primärelektronenstrahlrasterung eingesetzt werden.
  • Die in Figur 1 gezeigten Zweirohr-Linsen ZK, ZB können direkt mit den Tabellen von E. Harting et al, Electrostatic Lenses, Elsevier Sci. Publ. Co. (1976) dimensioniert werden. @1 und @2 in Figur 1 sind keine Brennweiten, sondern die Abstände der Brennpunkte der Zweirohr-Linsen ZK, ZB von der jeweiligen Linsenmitte. Die einzelnen Linsendaten sind: Beispiel für die Zweirohr-Kollimatorlinse ZK : Rohrdurchmesser D1 = 20 mm, Spaltbreite G1 = 2 mm, Potential des 1. Rohres ZK1: US = 500 V, Potential des 2. Rohres U1 = 10 Brennpunktlage @1 = 5 mm.
  • Beispiel für die Zweirohr-Beschleunigungslinse ZB: Rohrdurchmesser D2 = 40 mm, Spaltbreite G2 = 20 mm, Potential des 1. Rohres U2 = 800 V, Potential des 2. Rohres U = 8 kV, Brennpunktslage # = 52, 4 mm.
  • Der Spiegelanalysator CMA von Figur 1 weist noch Abschirmbleche AH auf. Die optische Achse der Rohrlinsen ist mit OR bezeichnet. Das Meßnetz MN ist über einen Isolator IS an den Zweirohr-Beschleunigungslinsen ZK, ZB befestigt.
  • 10 Patentansprüche 4 Figuren L e e r s e i t e

Claims (11)

  1. P a t e n t a n s p r ü c h e 1. Elektrostatisches Gegenfeld-Spektrometer, g ek e n n z e i c h n e t durch eine stigmatische Abbildung der Probe (PR) auf den Detektor (DT).
  2. 2. Elektrostatisches Gegenfeld-Spektrometer nach Anspruch 1, g e k e n nz e i c h n e t durch einen großen Akzeptanz-Raumwinkel für die Senkundärelektronen (SE).
  3. 3. Elektrostatisches Gegenfeld-Spektrometer nach Anspruch 1 oder 2, g e k e n n z e i c h n e t durch einen modifizierten elektrostatischen Spiegelanalysator zum "Herauscholen" der Sekundärelektronen (SE) aus dem Primärelektronenstrahlengang.
  4. 4. Elektrostatisches Gegenfeld-Spektrometer nach Anspruch 1 bis 3, g e k e n n z e i c h n e t durch eine elektrostatische Zweirohr-Linse (ZK) zum parallelen Bestrahlen des Gegenfeld-Netzes (MN) mit den Sekundärelektronen (SE).
  5. 5. Elektrostatisches Gegenfeld-Spektrometer nach Anspruch 1 bis 4, g e k e n n z e i c h n e t durch ein Vorbeschleunigungsnetz (VN).
  6. 6. Elektrostatisches Gegenfeld-Spektrometer nach Anspruch 1 bis 5, g e k e n n z e i c h n e t durch eine Zweirohr-Beschleunigungslinse (ZB) zur Fokussierung der Sekundärelektronen (SE) auf den Detektor (DT).
  7. 7. Elektrostatisches Gegenfeld-Spektrometer nach Anspruch 1 bis 6, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß der modifizierte Spiegelanalysator im wesentlichen aus einem Ringzonensegment eines zylindersymmetrischen Spiegelanalysators besteht.
  8. 8. Elektrostatisches Gegenfeld-Spektrometer nach Anspruch 1 bis 7, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß Eintrittsöffnung (EO) und Austrittsöffnung (AO) des Innenrohres (IR) des modifizierten Spiegelanalysators mit Netzen (NR) zur Randfeldbegrenzung versehen sind.
  9. 9. Elektronenstrahl-Meßgerät mit einem elektrostatischen Gegenfeld-Spektrometer nach Anspruch 1 bis 8, g e -k e n n z e i c h n e t durch zwei Ablenkelemente (A1, A2).
  10. 10. Elektronenstrahl-Meßgerät mit einem elektrostatischen Gegenfeld-Spektrometer nach Anspruch 9, g e k e n n -z e i c h n e t durch einen Stigmator (ST).
  11. 11. Elektronenstrahl-Meßgerät mit einem elektrostatischen Gegenfeld-Spektrometer nach Anspruch 9 oder 10, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß die Lage der Aperturblende (AB) des Sondenobjektivs (SO) gegenüber derjenigen Lage, für die das isotrope Koma des Sondenobjektivs (SO) gleich Null ist, verschoben ist.
DE19813138927 1981-09-30 1981-09-30 Abbildendes spektrometer fuer die elektronenstrahl-messtechnik und elektronenstrahl-messgeraet Withdrawn DE3138927A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19813138927 DE3138927A1 (de) 1981-09-30 1981-09-30 Abbildendes spektrometer fuer die elektronenstrahl-messtechnik und elektronenstrahl-messgeraet

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19813138927 DE3138927A1 (de) 1981-09-30 1981-09-30 Abbildendes spektrometer fuer die elektronenstrahl-messtechnik und elektronenstrahl-messgeraet

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3138927A1 true DE3138927A1 (de) 1983-04-14

Family

ID=6143064

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19813138927 Withdrawn DE3138927A1 (de) 1981-09-30 1981-09-30 Abbildendes spektrometer fuer die elektronenstrahl-messtechnik und elektronenstrahl-messgeraet

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3138927A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0138610A2 (de) * 1983-10-17 1985-04-24 Texas Instruments Incorporated Elektronendetektor
DE4216730A1 (de) * 1992-05-20 1993-11-25 Integrated Circuit Testing Rasterelektronenstrahlgerät

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1370360A (en) * 1970-12-18 1974-10-16 Du Pont Charged particle energy analysis
EP0000001A1 (de) * 1977-09-02 1978-12-20 Europäische Atomgemeinschaft (Euratom) Thermische Wärmepumpe
DE2813947A1 (de) * 1978-03-31 1979-10-11 Siemens Ag Verfahren zur beruehrungslosen messung des potentialverlaufs in einem elektronischen bauelement und anordnung zur durchfuehrung des verfahrens
DE2823642A1 (de) * 1978-05-30 1980-01-03 Siemens Ag Verfahren zur beruehrungslosen potentialmessung an einem elektronischen bauelement
GB1582521A (en) * 1977-04-07 1981-01-07 Siemens Ag Electron spectrometer diaphragms

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1370360A (en) * 1970-12-18 1974-10-16 Du Pont Charged particle energy analysis
GB1582521A (en) * 1977-04-07 1981-01-07 Siemens Ag Electron spectrometer diaphragms
EP0000001A1 (de) * 1977-09-02 1978-12-20 Europäische Atomgemeinschaft (Euratom) Thermische Wärmepumpe
DE2813947A1 (de) * 1978-03-31 1979-10-11 Siemens Ag Verfahren zur beruehrungslosen messung des potentialverlaufs in einem elektronischen bauelement und anordnung zur durchfuehrung des verfahrens
DE2823642A1 (de) * 1978-05-30 1980-01-03 Siemens Ag Verfahren zur beruehrungslosen potentialmessung an einem elektronischen bauelement

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
US-Z: "Review of Scientific Instruments" 44, 1973, S. 893 und 896 *
US-Z: "Review of Scientific Instruments" 45, 1974, S. 1203-1207 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0138610A2 (de) * 1983-10-17 1985-04-24 Texas Instruments Incorporated Elektronendetektor
EP0138610A3 (en) * 1983-10-17 1986-09-17 Texas Instruments Incorporated Electron detector
DE4216730A1 (de) * 1992-05-20 1993-11-25 Integrated Circuit Testing Rasterelektronenstrahlgerät
DE4216730C2 (de) * 1992-05-20 2003-07-24 Advantest Corp Rasterelektronenstrahlgerät

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0617451B1 (de) Abbildendes Elektronenenergiefilter
EP0461442B1 (de) Teilchenstrahlgerät
DE69402283T2 (de) Energiefilter mit Korrektur von chromatischen Aberrationen zweiter ordnung
DE69027602T2 (de) Energiefilter für Ladungsträgervorrichtung
EP0205184B1 (de) Abberrationsarmes Spektrometer-Objektiv hoher Sekundärelektronen-Akzeptanz
DE102016009641B4 (de) Detektor- und Schlitzkonfiguration in einem lsotopenverhältnis-Massenspektrometer
DE19828476A1 (de) Teilchenstrahlgerät
DE3841715A1 (de) Abbildender korrektor vom wien-typ fuer elektronenmikroskope
DE1539660A1 (de) Linsenkonstruktion fuer Einzelstrahlung und Mikroanalysevorrichtung,bestehend aus Mitteln zur Richtung eines Ionenstrahls auf einen gewaehlten Oberflaechenabschnitt einer Materialprobe
DE2255302C3 (de) Einrichtung für die Sekundär-Ionen-Massenspektroskopie
EP0075716B1 (de) Verbessertes Gegenfeld-Spektrometer für die Elektronenstrahl-Messtechnik
DE112015001235B4 (de) Vorrichtung und verfahren zur abbildung mittels eines elektronenstrahls unter verwendung eines monochromators mit doppeltem wien-filter sowie monochromator
EP3712924B1 (de) Vorrichtung und verfahren zum elektronentransfer von einer probe zu einem energieanalysator und elektronen-spektrometervorrichtung
DE69117347T2 (de) Energie-Analysatoren für Ladungsträgerpartikel
DE102020119770A1 (de) Spektroskopie- und bildgebungssystem
EP0911860B1 (de) Teilchenstrahlgerät mit Energiefilter
DE2043323A1 (de) Elektronenspektroskop
DE102020123567A1 (de) Vielzahl-Teilchenstrahl-System mit Kontrast-Korrektur-Linsen-System
DE1498646A1 (de) Ionen-Mikroanalysator
DE1922871B2 (de) Ionenquelle
DE2137510C3 (de) Elektronenoptische Anordnung mit einer Energieselektionsanordnung
EP1559126B9 (de) BILDGEBENDER ENERGIEFILTER FüR ELEKTRISCH GELADENE TEILCHEN UND VERWENDUNG DES BILDGEBENDEN ENERGIEFILTERS
DE2705430C3 (de) Elektrostatischer Analysator für geladene Teilchen
EP1124251B1 (de) Elektronenerergiefilter mit magnetischen Umlenkbereichen
DE112018007343B4 (de) Mit einem strahl geladener teilchen arbeitende vorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8139 Disposal/non-payment of the annual fee