DE3136730A1 - Halbleiterdiode - Google Patents
HalbleiterdiodeInfo
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
- H01L23/08—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties the material being an electrical insulator, e.g. glass
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- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
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Description
Licentia Patent-Verwaltungs-G.m.b.H. Theodor-Stern-Kai 1, βΟΟΟ Frankfurt 70
Heilbronn, den 11„09.81
Z13-HN-Be-et - HW 81/30
Halbleiterdiode
Die Erfindung betrifft eine Halbleiterdiode mit einem rohrförmigen Gehäuse, in dem der Halbleiterkörper der
Diode zwischen zwei Anschlußelementen angeordnet ist.
Solche Halbleiterdioden bestehen aus einem Halbleiterkörper mit einer Elektrode auf einer Oberflächenseite
des Halbleiterkörpers. Der Halbleiterkörper der Diode ist mit seiner Unterseite auf einem der beiden Anschlußelemente
befestigt, während die Elektrode auf der anderen Seite des Halbleiterkörpers durch das andere Anschlußelement
kontaktiert ist. Die Anschlußelemente sind vorzugsweise dem Innenquerschnitt des Gehäuses angepaßt.
Die Anschlußelemente sind bei rohrförmigen Gehäuse stiftoder. kolbenförmig ausgebildet und erstrecken sich von beiden
Seiten aus in das Gehäuseinnere bis zu der dazwischen befindlichen Halbleiterdiode. Das Gehäuse besteht aus ·
Glas. Bei den bekannten Halbleiterdioden der beschriebenen
Bauart sind" an den Anschlußelementen, die auch als Plugs bezeichnet werden. Drähte als Zuleitungen angebracht, um
eine elektrisch leitende Verbindung mit anderen Bauelementen oder Zuleitungen herzustellen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiterdiode anzugeben, die sich besonders gut zum automatischen
Bestücken von Leiterplatten und dgl. eignet. Diese Aufgabe wird durch eine Halbleiterdiode der eingangs erwähn-
ten Art gelöst, bei der nach der Erfindung mindestens eines der beiden Anschlußelemente außerhalb des Gehäuses
eine erweiterte Kontaktfläche in Gestalt einer kopfförmigen Kontaktkappe aufweist. Die Kontaktkappe bildet im
allgemeinen einen Gehäuseabschluß. Der Querschnitt eines Anschlußelementes nach der Erfindung ähnelt dem Querschnitt
eines Stöpsels oder einer Niete.
Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausführungsbeispiel
näher erläutert.
Nach der Figur besitzt die Halbleiterdiode nach der Erfindung
ein rohrförmiges Gehäuse 1, welches beispielsweise aus Glas besteht. Im Inneren des Gehäuses 1 befindet sich
die eigentliche Halbleiterdiode, die aus dem Halbleiterkörper 2 und der Elektrode 3 besteht. Die Halbleiterdiode
wird von beiden Seiten kontaktiert, und zwar durch die Anschlußelemente 4 und 5. Dioden mit einem solchen Aufbau
werden DH-Dioden genannt. Gemäß der Erfindung sind an den Enden der Anschlußelemente 4 und 5 keine Drähte angebracht,
sonderen Kontaktkappen 6 und 7, die scheiben- bzw. plattenförmig ausgebildet sind und wie Gehäusedeckel das Gehäuse
abschließen. Die Kontaktkappen (6, 7) sind beispielsweise aus einem Teil (Dumetdraht) hergestellt. Die erfindungsgemäßen
Dioden mit den flachen Kontaktkappen eignen sich in besonderer Weise zum automatischen Einbau in Leiterplatten.
L e er s e i t e
Claims (3)
- Licentia Patent-Verwaltungs-G.m.b.H. Theodor-Stern-Kai 1, 6000 Frankfurt 70Heilbronn, den 11.09.81 Z13-HN-Be-et - HN 81/30Patentansprüche1/ Halbleiterdiode mit einem rohrförmigen·Gehäuse, in dem der Halbleiterkörper der Diode zwischen zwei Anschlußelementen angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens, eines der beiden Anschlußelemente außerhalb des Gehäuses eine erweiterte Kontaktfläche in Gestalt einer kopfförmigen Kontaktkappe aufweist.
- 2) Halbleiterdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Kontaktkappe auf dem im Gehäuseinneren befindlichen Teil des Anschlußelementes befestigt ist und aus einem Stück besteht.
- 3) Halbleiterdiode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet/daß die Kontaktkappe einen Gehäuseabschluß bildet.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19813136730 DE3136730A1 (de) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | Halbleiterdiode |
FR8215600A FR2513013A1 (fr) | 1981-09-16 | 1982-09-15 | Diode a semiconducteurs sous boitier tubulaire |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19813136730 DE3136730A1 (de) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | Halbleiterdiode |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3136730A1 true DE3136730A1 (de) | 1983-03-31 |
Family
ID=6141800
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19813136730 Ceased DE3136730A1 (de) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | Halbleiterdiode |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3136730A1 (de) |
FR (1) | FR2513013A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4141980A1 (de) * | 1991-12-19 | 1993-07-01 | Sel Alcatel Ag | Leuchtdiode mit einer umhuellung |
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DE2122487A1 (de) * | 1971-05-06 | 1972-11-16 | Siemens AG, 1000 Berlin u. 8000 München | Halbleiterbauelement mit Aluminiumkontakt |
DE1489809B2 (de) * | 1965-11-09 | 1974-07-04 | Danfoss A/S, Nordborg (Daenemark) | Symmetrisch arbeitende Spannungsbegrenzungsvorrichtung mit einem Halbleiterkörper |
US4153910A (en) * | 1976-06-26 | 1979-05-08 | Hitachi, Ltd. | Molded semiconductor device with header leads |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE1439427A1 (de) * | 1960-05-18 | 1969-06-26 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung |
NL128067C (de) * | 1964-09-29 | 1900-01-01 |
-
1981
- 1981-09-16 DE DE19813136730 patent/DE3136730A1/de not_active Ceased
-
1982
- 1982-09-15 FR FR8215600A patent/FR2513013A1/fr not_active Withdrawn
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2513013A1 (fr) | 1983-03-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: TELEFUNKEN ELECTRONIC GMBH, 7100 HEILBRONN, DE |
|
8131 | Rejection |