DE3049187A1 - AMPLIFIER - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen integrierten Verstärker nach dem Gattungsbegriff des Anspruches 1. Dieser Verstärker umfaßt in bekannter Weise eine Stromquelle und einen Verstärkungsabschnitt. The present invention relates to an integrated amplifier according to the preamble of claim 1. This amplifier comprises in a known manner a power source and a gain section.

Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen integrierten Verstärker der eingangs genannten Art so auszubilden, daß er bei kleinsten Strömen betriebsbereit ist und eine genau angebbare stabile Verstärkung über einen großen Temperaturbereich unabhängig von den Herstellungsparametern aufweist. Die Lösung dieser Aufgabe gelingt gemäß der im Anspruch 1 gekennzeichneten Erfindung. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind den Unteransprüchen entnehmbar.It is the object of the present invention to design an integrated amplifier of the type mentioned in such a way that it can with The smallest currents are ready for operation and an exactly specifiable stable gain over a large temperature range is independent of the manufacturing parameters. This object is achieved according to the one characterized in claim 1 Invention. Further advantageous refinements of the invention can be found in the subclaims.

Bei dem erfindungsgemäßen Verstärker wird durch die Stromquelle ein Referenzstrom vorgegeben, der bei Temperaturänderungen und veränderten Herstellungsparametern kompensierend wirkt. Die Stromquelle besteht aus zwei Stromspiegeln und einem Referenzwider stand. Die Stromspiegel geben einen Strom durch den Referenzwiderstand vor, der von der Versorgungsspannung abhängig ist. Durch Anpassung des ReferenzwiderStandes an die Lastwiderstände des Verstärkers erfolgt eine Kompensation in Bezug auf Temperaturänderungen und in Bezug auf veränderte Herstellungsparameter. In the case of the amplifier according to the invention, the current source a reference current is specified, which has a compensating effect in the event of temperature changes and changed manufacturing parameters. the Current source consists of two current mirrors and a reference resistor. The current mirrors give a current through the reference resistor which depends on the supply voltage. By adapting the reference resistance to the load resistances The amplifier is compensated for temperature changes and for changed manufacturing parameters.

Anhand zweier in den Figuren der beiliegenden Zeichnung dargestellterAusführungsbeispiele sei im folgenden die Erfindung näher erläutert. Hierbei zeigen-With the aid of two exemplary embodiments shown in the figures of the accompanying drawing the invention is explained in more detail below. Show here-

Fig. 1 ein Schaltungsdiagramm des erfindungsgemäßen Verstärkers mit Sperrschichttransistoren; und1 shows a circuit diagram of the amplifier according to the invention with junction transistors; and

Fig. 2 ein Schaltungsdiagramm des erfindungsgemäßen Verstärkers mit CMOS-Feldeffekttransistoren.2 shows a circuit diagram of the amplifier according to the invention with CMOS field effect transistors.

Der unter Verwendung von Sperrschichttransistoren aufgebaute Verstärker gemäß Fig. 1 umfaßt eine Stromquelle, bestehend aus den Transistoren Q1, Q2, Q3 und Q4, sowie aus einem Widerstand R und einen Verstärkerabschnitt, bestehend aus denThe amplifier of FIG. 1 constructed using junction transistors comprises a current source, consisting of from the transistors Q1, Q2, Q3 and Q4, and from a resistor R and an amplifier section consisting of the

¹ 130037/0842 ¹ 130037/0842

ORiGi(NiALORiGi (NiAL

- 4 Transistoren Q5, Q6 und Q7 und einem Paar von Lastwiderständen- 4 transistors Q5, Q6 and Q7 and a pair of load resistors

Der Transistor Q1 der Stromquelle ist über einen Widerstand R, mit seinem Emitter an eine Massepotentialleitung 15 angeschlossen, Die Basis des Transistors Q2 ist mit dessen Kollektor verbunden, wodurch die Kollektor/Basisspannung auf Null eingestellt wird und dieser als Diode arbeitet. Die Transistoren Q1 und Q2 bilden einen ersten Stromspiegel.The transistor Q1 of the current source is connected with its emitter to a ground potential line 15 via a resistor R, The base of transistor Q2 is connected to its collector, which sets the collector / base voltage to zero and this works as a diode. The transistors Q1 and Q2 form a first current mirror.

Die Basis des Transistors Q3 ist ebenfalls mit dessen Kollektor verbunden, so daß auch dieser als Diode arbeitet. Der Emitter dieses Transistors Q3 ist an eine positive Spannungsversorgungsleitung 25 angeschlossen. Ferner ist der Kollektor und somit auch die Basis des Transistors Q3 mit dem Kollektor des Transistors Q1 verbunden. Der Transistor Q4 ist mit seinem Emitter an die positive Spannungsversorgungsleitung 25, mit seiner Basis an den Kollektor des Transistors Q1 und mit seinem Kollektor an die Basis des Transistors Q1 angeschlossen. Die Transistoren Q3 und Q4 bilden einen zweiten Stromspiegel.The base of transistor Q3 is also with its collector connected so that this also works as a diode. The emitter of this transistor Q3 is connected to a positive power supply line 25 connected. Furthermore, the collector and thus also the base of the transistor Q3 is with the collector of the transistor Q1 connected. The transistor Q4 has its emitter connected to the positive voltage supply line 25, with its base connected to the collector of transistor Q1 and its collector connected to the base of transistor Q1. The transistors Q3 and Q4 form a second current mirror.

Der Verstärkungsabschnitt umfaßt Transistoren Q5 und Q6, deren Emitter miteinander verbunden und an den Kollektor des Transistors Q7 angeschlossen sind. Die Basisanschlüsse der Transistoren Q5 und Q6 sind an Eingangsklemmen 33 und 32 angeschlossen und die Kollektoren beider Transistoren Q5 und Q6 sind einerseits an Ausgangsanschlüsse 42 und 43 und andererseits über Lastwiderstände R_T an die positive Spannungsversorgungsleitung 25 angeschlossen. Der Transistor Q7 ist ferner mit seiner Basis an die Basis des Transistors Q1 und somit auch an die Kollektoren der Transistoren Q2 und Q4 und mit seinem Emitter an die Massepotentialleitung 15 angeschlossen.The amplifying section comprises transistors Q5 and Q6, the emitters of which are connected together and connected to the collector of transistor Q7. The base connections of the transistors Q5 and Q6 are connected to input terminals 33 and 32 and the collectors of both transistors Q5 and Q6 are connected on the one hand to output connections 42 and 43 and on the other hand to the positive voltage supply line 25 _{via load resistors R T.} The transistor Q7 is also connected with its base to the base of the transistor Q1 and thus also to the collectors of the transistors Q2 and Q4 and with its emitter to the ground potential line 15.

Der Transistor Q3 ist ein PNP-Transistor, dessen Emitter-Sperrschichtbereich an denjenigen des PNP-Transistors Q4 angepaßt ist. Die Transistoren Q1 und Q2 sind NPN-Transistoren mit einander angepaßten Emitter-Sperrschichtbereichen, wobei der Emitter-The transistor Q3 is a PNP transistor, its emitter junction region matches that of the PNP transistor Q4. The transistors Q1 and Q2 are NPN transistors with each other matched emitter junction areas, the emitter

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ORIGINAL INSPECTEDORIGINAL INSPECTED

Sperrschichtbereich des Transistors Q1 die N-fache Größe des Emitter-Sperrschichtbereiches des Transistors Q2 aufweist. Der Strom durch eine Diode läßt sich etwa durch folgende Gleichung angeben:Junction area of transistor Q1 is N times the size of the emitter junction area of transistor Q2. Of the Current through a diode can be given by the following equation:

I = J_„ h A. exp I ^Vbe ^{q 3} \ (MES)KTI = J_ "h A. exp I ^V be ^{q 3} \ (MES) KT

sBsB

In dieser Gleichung bedeuten:In this equation:

J der durch die Herstellung bedingte LeckstromJ is the leakage current caused by manufacture

h_f die Stromverstärkungh _{f is} the current gain

A. den Eiriitter-SperrschichtbereichA. The egg-emitter junction area

V, die Basis/EmitterspannungV, the base / emitter voltage

q die elektronische Ladungskonstanteq the electronic charge constant

K die BoItzmann'sehe KonstanteK is the BoItzmann's constant

T die Temperatur in Grad KelvinT is the temperature in degrees Kelvin

MES eine Herstellerkonstante.MES a manufacturer constant.

Bei einer Anordnung auf einem monolithisch integrierten Schaltkreis nimmt die Diodengleichung folgende Gestalt an:When arranged on a monolithic integrated circuit the diode equation takes the following form:

I = C1 Aj exp (0V_be)I = C1 Aj exp (0V _be )

In dieser Gleichung bedeuten C1 und θ Konstanten für alle Komponenten des integrierten Schaltkreises.In this equation, C1 and θ mean constants for all Integrated circuit components.

Der den Widerstand R. durchfließende Strom I₁ ergibt sich zu _{The current I 1} flowing through the resistor R. is given by

^II ^{= V}r/^R1 ' wobei V^ = V_be2 - V_bel. ^I I ^{= V} r / ^R 1 'where V ^ = V _be2 - V _bel .

Ruft man sich in Erinnerung, daß der Sperrschichtbereich A. des Transistors Q1 dem N-fachen des Sperrseh ieht btireiches des Transistors Q2 entspricht, so ergibt sich:Recalling that the junction area A. des Transistor Q1 N times the blocking range of the transistor Q2, then we get:

13 0 0 3 7/084213 0 0 3 7/0842

¹I = ^(Vbe2 - ^Vbe1^)/R1 ¹ I = ^(V be2 - ^V be1 ^{) / R} 1

= In(N A./A.) /RQ = l^= In (N A./A.) / RQ = l ^

Der Betrieb der Stromquelle wird durch den noch vorhandenen Leck strom oder durch die Zuführung eines externen Stromes zu einen, der Stromspiegel ausgelöst. Wenn der Emitter-Sperrschichtbereich des Transistors Q1 zweimal so groß- wie der Emitter-Sperrschichtbereich des Transistors Q2 ist, so kann man zeigen, daß der Spannungsabfall über dem Referenzwiderstand R₁ ungefähr 18 mV beträgt.The operation of the power source is triggered by the still existing leakage current or by the supply of an external current to one of the current mirrors. If the emitter junction area of transistor Q1 is twice the emitter junction area of transistor Q2, it can be shown that the voltage drop across reference resistor R _{1 is} approximately 18 mV.

Der Strom durch den Transistor Q2 gibt einen bestimmten Wert für die Basis/Emitterspannung dieses Transistors vor. Diese Spannung entspricht der Summe aus der Emitter/Basisspannung des Transistors Q1 plus der über dem Referenzwiderstand R₁ abfallenden Spannung. Wenn die Spannung über dem Referenzwiderstand R. nicht 18 mV entspricht, so übersteigt die Basis/Emitterspannung des Transistors Q1 die für den Stromfluß durch den Referenzwiders ta η ei R₁ erforderliche Spannung. Der Transistor Q1 zieht daher mehr Strom als der Transistor Q2. Der Transistor Q3 bildet diesen Strom in dem Transistor Q4 ab, der seinerseits mehr Strom an di-n Transistor Q2 liefert und somit dessen Basis/Emitterspannung anhebt. Dieser Rückführungszyklus setzt sich solange fort, bis die Spannung über dem Referenzwiderstand R₁ dem Wert entspricht, der erforderlich ist, um gleich große Ströme durch die Transistoren Q1 und Q2 zu ziehen. Wenn dies geschehen ist, so ist die Stromquelle stabil.The current through the transistor Q2 gives a certain value for the base / emitter voltage of this transistor. This voltage corresponds to the sum of the emitter / base voltage of the transistor Q1 plus the voltage drop _{across the reference resistor R 1.} If the voltage across the reference resistor R. does not correspond to 18 mV, the base / emitter voltage of the transistor Q1 exceeds the voltage required _{for the current flow through the reference resistor ta η ei R 1.} Transistor Q1 therefore draws more current than transistor Q2. The transistor Q3 maps this current into the transistor Q4, which in turn supplies more current to di-n transistor Q2 and thus increases its base / emitter voltage. This feedback cycle continues until the voltage across reference resistor R ₁ equals the value required to draw equal currents through transistors Q1 and Q2. When this is done, the power source is stable.

Die ßpannungsverstärkung des Verstärkers ergibt sich wie folgt: V₂ZV₁ = gm R_L ^ A_v ,The voltage gain of the amplifier results as follows: V ₂ ZV ₁ = gm R _L ^ A _v ,

wobt; i die Steilheit gm = θ I .wove; i is the slope gm = θ I.

DLt- bfiden Lastwiderstände R sind aneinander angepaßt undDLt bfiden load resistors R are matched to one another and

cj It- ich groß und die Transistoren Q5 und Q6 sind aneinandercj it- i big and the transistors Q5 and Q6 are together

1 30037/08421 30037/0842

angepaßt und so vorgespannt, daß bei einer Eingangsspannung V₁ = 0 der Strom durch den Transistor Q5 dem Strom durch den Transistor Q6 entspricht. Der Transistor Q7 ist an die Transistoren Q1 und Q2 angepaßt und weist daher die gleiche Basis/Emitterspannung wie der Transistor Q2 auf. Der Transistor Q7 bildet daher den Strom durch den Transistor Q2 im Verhältnis der Emitter/Sperrschichtbereiche der Transistoren Q2 und Q7 ab.adjusted and biased so that with an input voltage V ₁ = 0 the current through transistor Q5 is equal to the current through transistor Q6. The transistor Q7 is matched to the transistors Q1 and Q2 and therefore has the same base-emitter voltage as the transistor Q2. Transistor Q7 therefore maps the current through transistor Q2 in the ratio of the emitter / junction areas of transistors Q2 and Q7.

¹Q₂ ^{= 1}I
¹Q₇ ^{= MI}1 ¹ Q ₂ ^{= 1} I.
¹ Q ₇ ^{= MI} 1

wobei der Faktor M dem Quotienten aus Sperrschichtbereich des Transistors Q7 und Sperrschichtbereich des Transistors Q2 entspricht. where the factor M corresponds to the quotient of the junction area of the transistor Q7 and the junction area of the transistor Q2.

Der Strom durch den Transistor Ql teilt sich gleichmäßig auf die Transistoren Q5 und Q6 auf. Somit entspricht der Strom I durch jeden der Lastwiderstände R_T der Hälfte des Stromes durch den Transistor Q7.The current through transistor Ql is divided equally between transistors Q5 and Q6. Thus, the current I through each of the load resistors R _{T is} half the current through transistor Q7.

¹L ^{= MI}1^{/2 1} L ^{= MI 1/2}

Durch Substitution erhält man somit folgenden Ausdruck für die Verstärkung:Substitution gives the following expression for the gain:

A = θ I_T FL = M θ I₁ R_T/2
ν LL 1 LA = θ I _T FL = M θ I ₁ R _T / 2
ν LL 1 L

= M θ in (N) R-/2 θ R₁ = M In(N) R_/2R₁.= M θ in (N) R- / 2 θ R ₁ = M In (N) R_ / 2R ₁ .

J-i! Jj IY-i! Yy i

Der endgültige Ausdruck für die Verstärkung umfaßt nur die Faktoren M, N, sowie R. und R . M und N sind geometrische Konstanten und da der Widerstand R₁ an den Widerstand R_T angepaßtThe final expression for the gain includes only the factors M, N, as well as R. and R. M and N are geometric constants and since the resistance R _{1 is} matched to the resistance R _T

Ί J-iΊ J-i

ist, wird das Verhältnis von R₁ zu R₁ nicht durch eine veränderte Bearbeitung bei der Herstellung des Schaltkreises beeinflußt. Der Schaltkreis arbeitet auf einem Mikrostrompegel und der Schaltungsentwurf ist vollständig integrierbar. Somit wird eine vorausbestimmbare stabile Verstärkung unabhängig von der Verarbeitung, der Temperatur und Spannungsänderungen vorgegeben.is, the ratio of R ₁ to R _{1 is} not affected by a change in processing in the manufacture of the circuit. The circuit operates on a microcurrent level and the circuit design is fully integratable. Thus, a predictable stable gain is given regardless of processing, temperature and voltage changes.

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In Fig. 2 ist ein entsprechender Schaltkreis in CMOS-Technolcgie dargestellt. Die Arbeitsweise des Schaltkreises gemäß Fig. ist im wesentlichen die gleiche wie diejenige des Schaltkreises gemäß Fig. 1. Die der Arbeitsweise zugrundeliegenden Gleichungen sind jedoch etwas verschieden.A corresponding circuit using CMOS technology is shown in FIG. The operation of the circuit of Fig. Essentially the same as that of the circuit of FIG. 1. The operation of the underlying equations, however, are somewhat different.

Die zwei den Referenzstrom bildenden Stromspiegel umfassen P-Kanal-MOSFETS Q3 und Q4 sowie N-Kanal-MOSFETS Q1 und Q2. Die Feldeffekttransistoren Q3 und Q4 besitzen gleiche Gate-Bereiclse und sie bilden daher gleiche Ströme ab. Das Verhältnis zwischen Gate-Breite und Gate-Länge W/L des Feldeffekttransistors QI ist N-mal so groß wie das entsprechende Verhältnis W/L bei dem Feldeffekttransistor Q2. Durch R. ist wiederum der den Strom einstellende Widerstand vorgegeben.The two current mirrors forming the reference current comprise P-channel MOSFETS Q3 and Q4 and N-channel MOSFETS Q1 and Q2. The field effect transistors Q3 and Q4 have the same gate areas and they therefore map the same currents. The ratio between gate width and gate length W / L of the field effect transistor QI is N times as large as the corresponding ratio W / L for the field effect transistor Q2. R. in turn specifies the resistance that sets the current.

Der Strom eines als Diode betriebenen MOSFET-Transistors ist in etwa durch die Sah-Gleichung vorgegeben:The current of a MOSFET transistor operated as a diode is roughly given by the Sah equation:

¹D = ^{k (W/L) (V}GS - V ²
In dieser Gleichung bedeuten ¹ D = ^{k (W / L) (V} GS - V ²
In this equation mean

k = -jTT- eine Bearbeitungskonstante W und L die Gate-Breite und die Gate-Längek = -jTT- a processing constant W and L are the gate width and the gate length

V_nc die Gate/Source-Spannung V _{nc is} the gate / source voltage

V die Schwellwertspannung der Komponente, die für alle Komponenten des integrierten Schaltkreises als identisch angenommen werden kann.V is the threshold voltage of the component common to all components of the integrated circuit can be assumed to be identical.

Für die Transistoren Q1 und Q2 ergibt sich somitFor the transistors Q1 and Q2 this thus results

= k N (W/L) (V_GS1- V_T)² (1)= k N (W / L) (V _GS1 - V _T ) ² (1)

I₀₂ = k (W/L) (V_GS2 - V_T) ² (2)I ₀₂ = k (W / L) (V _GS2 - V _T ) ² (2)

Unter der Annahme, daß diese beiden Ströme einander gleich sind, ergibt sichAssuming that these two currents are equal to each other, it follows

ν -V= (v -V)/ /n (31ν -V = (v -V) / / n (31

GS1 T ^l GS2 Τ' ^{/ V l} 'GS1 T ^l GS2 Τ ' ^{/ V l} '

1 30037/08421 30037/0842

Die Spannungen in den Gleichungen (1) und (2) stehen zueinander in folgender Beziehung:The stresses in equations (1) and (2) are related to each other as follows:

^VGS2 ^{= V}GS1 ^{+ 1}DI V
somit ergibt sich ^V GS2 ^{= V} GS1 ^{+ 1} DI V
thus it results

¹DI · ¹D₂ ⁼ {<^VGS2 - V - ^(VG-S1 ~ Durch Einsetzen der Gleichung (3) erhält man ¹ DI · ¹ D ₂ ⁼ {< ^V GS2 - V - ^(V G-S1 ~ substituting equation (3) to obtain

Ό2 = (V_GS2 - V_T) ( v^N - 1) /R₁ ^N (4) Ό2 = (V _GS2 - V _T ) (v ^ N - 1) / R ₁ ^ N (4)

Die Kombination der Gleichungen (2) und (4) und die Elimination der Spannungen führt zu folgender Gleichung:The combination of equations (2) and (4) and the elimination of the stresses leads to the following equation:

(5)(5)

= ( V^N - 1)²/ jk (W/L) R₁ ² n= (V ^ N - 1) ² / jk (W / L) R ₁ ² n

Zwischendurch sei auf den Verstärkerabschnitt des Schaltkreises Bezug genommen. Der Verstärkungsfaktor des Verstärkers ist durch folgenden Ausdruck vorgegeben:In between, reference is made to the amplifier section of the circuit. The gain of the amplifier is given by the following expression:

Ay. = gm R_L = 2 k K (W/L) (V₆₅₅ - V_T) R_L (6)Ay. = gm R _L = 2 k K (W / L) (V ₆₅₅ - V _T ) R _L (6)

Das Gate-Verhältnis des Transistors Q5 beträgt hier K(W/L). Aus der Sah-Gleichung erhält man fernerThe gate ratio of transistor Q5 is here K (W / L). the end the Sah equation is also obtained

I₀₅ = kK (W/L) (V_GS5 - V_T)² (7)I ₀₅ = kK (W / L) (V _GS5 - V _T ) ² (7)

Eliminiert man die Spannung aus den Gleichungen (6) und (7), so erhält manIf one eliminates the stress from equations (6) and (7), one obtains

I₀₅ = Av² / 4 k K (W/L) R₁ ² (8)I ₀₅ = Av ^2/4 k K (W / L) R ₁ ² (8)

Nunmehr gilt es, die Stromquelle und den Verstärkerabschnitt des Schaltkreises in Beziehung zueinander zu bringen. Nimmt man das Gate-Verhältnis des Feldeffekttransistors Q7 mit M(W/L) an und berücksichtigt man die Tatsache, daß V__o den gleichen WertIt is now a matter of relating the current source and the amplifier section of the circuit to one another. Assuming the gate ratio of the field effect transistor Q7 to be M (W / L) and taking into account the fact that V_ _{o has} the same value

GbGb

hinsichtlich der Feldeffekttransistoren Q2 und Q7 besitzt, so ergibt sichwith respect to the field effect transistors Q2 and Q7, it follows

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¹D₇ " ^{M 1}D₂- ¹ D ₇ " ^{M 1} D ₂ -

Da sich der Strom durch den Feldeffekttransistor Q7 gleichmäßig auf die Feldeffekttransistoren Q5 und Q6 aufteilt, erhält manSince the current through the field effect transistor Q7 is uniform divided between the field effect transistors Q5 and Q6, one obtains

¹DS ^{= 1}D? / ²· ¹ DS ^{= 1} D? / ²

Eliminiert man I₀₇ aus diesen letzten zwei Gleichungen, so ergibt sichIf I _{07 is} eliminated from these last two equations, the result is

I₀₂ = 2 I₀₅ / M.I ₀₂ = 2 I ₀₅ / M.

Dies gestattet eine Kombination der Gleichungen (5) und (8) und eine Elimination der Ströme. Die sich ergebende Gleichung kann so manipuliert werden, daß sich folgender Ausdruck für die Verstärkung A ergibt:This allows equations (5) and (8) to be combined and the currents to be eliminated. The resulting equation can can be manipulated in such a way that the following expression results for the gain A:

A = ( VN-D V/2KM/N R₁-ZR₁. ' (9)A = (VN-D V / 2KM / NR ₁ -ZR _1. '(9)

In dieser Gleichung sind die Größen K, M und N Konstanten, die durch die Gate-Verhältnisse vorgegeben sind und die Widerstände R₁ und R_T weisen gleiche Temperaturkoeffizienten und angepaßte Eigenschaften mit einer festen Geometrie zueinander auf. Daraus folgt, daß die Verstärkung A unabhängig von der Spannung, der Temperatur und den Herstellungs- sowie Verarbeitungsparametern ist.In this equation, the quantities K, M and N are constants which are predetermined by the gate ratios, and the resistors R ₁ and R _T have the same temperature coefficients and properties matched to one another with a fixed geometry. It follows that the gain A is independent of the voltage, the temperature and the manufacturing and processing parameters.

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Claims (4)

HONEYWELL INC. 23. Dezember 1980HONEYWELL INC. December 23, 1980 Honeywell Plaza 1007752 GeHoneywell Plaza 1007752 Ge Minneapolis, Minn., USA Hz/deMinneapolis, Minn., USA Hz / de Verstärkeramplifier Patentansprüche:Patent claims: Integrierter, eine stabile Verstärkung aufweisender Verstärker mit einer Stromquelle und einem Verstärkungsabschnitt, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromquelle umfaßt:Integrated, stable gain amplifier with a current source and a gain section, characterized in that the power source comprises: Erste und zweite Transistoren (Q1 und Q2) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, wobei der Emitter des ersten Transistors über einen Referenzwiderstand (R₁) und der Emitter des zweiten Transistors direkt an den einen Pol (15) einer Spannungsquelle angeschlossen sind und wobei die beiden Basen und der Kollektor des zweiten Transistors miteinander verbunden sind;First and second transistors (Q1 and Q2) of a first conductivity type, wherein the emitter of the first transistor via a reference resistor (R ₁ ) and the emitter of the second transistor are connected directly to one pole (15) of a voltage source and the two bases and the collector of the second transistor are connected together; dritte und vierte Transistoren (Q3 und Q4) vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp, deren Emitter mit dem anderen Pol der Betriebsspannungsquelle verbunden sind, deren Basen zusammengeschaltet und an die Kollektoren der ersten und dritten Transistoren angeschlossen sind und wobei der Kollektor des vierten Transistors mit der Basis des ersten Transistors verbunden ist;
und daß der Verstärkungsabschnitt umfaßt: Fünfte und sechste Transistoren (Q5 und Q6) vom ersten Leitfähigkeitstyp, deren Kollektoren über entsprechende Lastwiderstände (R^) mit dem zweiten Pol (25) der Betriebsspannungsquelle verbunden sind und wobei das Eingangssignal zwischen den Basen dieser Transistoren angelegt wire! undthird and fourth transistors (Q3 and Q4) of the opposite conductivity type, the emitters of which are connected to the other pole of the operating voltage source, whose bases are interconnected and connected to the collectors of the first and third transistors and the collector of the fourth transistor to the base of the first Transistor is connected;
and that the amplifying section comprises: fifth and sixth transistors (Q5 and Q6) of the first conductivity type, the collectors of which are connected to the second pole (25) of the operating voltage source via corresponding load resistors (R ^) and the input signal being applied between the bases of these transistors ! and 130037/03 4 2130037/03 4 2 das Ausgangssignal zwischen den Kollektoren dieser Transistoren abgenommen wird;the output signal is taken between the collectors of these transistors; und einen siebten Transistor (Q7), der mit seinem Emitter an den ersten Pol (15) der Betriebsspannungsquelle, mit seiner Basis an die Basis des ersten Transistors und mit seinem Kollektor an die Emitter der fünften und sechsten Transistoren angeschlossen ist.and a seventh transistor (Q7) with its emitter to the first pole (15) of the operating voltage source, with its Base to the base of the first transistor and with its collector to the emitters of the fifth and sixth transistors connected. 2. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter-Sperrschichtbereich des ersten Transistors (Q1) und des siebten Transistors (Q7) um ein ganzzahliges Vielfaches größer als der Emitter-Sperrschichtbereich des zweiten Transistors (Q2) ist.2. Amplifier according to claim 1, characterized in that the emitter junction region of the first transistor (Q1) and the seventh transistor (Q7) larger by an integral multiple than the emitter junction area of the second transistor (Q2). 3. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die ersten, zweiten und fünften bis siebten Transistoren gegenüber den dritten und vierten Transistoren einen unterschiedlichen Leitfähigkeitstyp aufweisen. 3. Amplifier according to claim 1, characterized in that the first, second and fifth to seventh transistors compared to the third and fourth transistors have a different conductivity type. 4. Verstärker nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch die Verwendung von n-MOS-Feldeffekttransistoren und p-MOS-Feldeffekttransistoren als Transistoren unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps.4. Amplifier according to claim 3, characterized by the use of n-MOS field effect transistors and p-MOS field effect transistors different from transistors Conductivity type. 130037/0842130037/0842