DE3043341A1 - Verfahren zur herstellung von feuchtedetektoren - Google Patents

Verfahren zur herstellung von feuchtedetektoren

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Description

N.V. Philips' BloeilarapcaiabriakEa, Ehdhovfjn 3 Q 4 3 3 A1
PHB 32681 * 3 5.11.1980
Verfahren zur Herstellung von Feuchtedetektoren
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Feuchtedetektors, bestehend aus einem elektrisch isolierenden Substrat, auf dem ein Elektrodensystem angebracht ist. Das Elektrodensystem umfasst ein Edelmetallelektrodenpaar, das durch eine elektrisch leitende feuchtigkeitsempfindliche auf dem Substrat vorhandene Schicht elektrisch miteinander verbunden ist. ¥eiterhin bezieht sich die Erfindung auf einen durch ein derartiges Verfahren hergestellten Feuchtedetektor, auf einen luftdicht
'0 eingeschmolzenen elektronischen Modul, der einen derartigen Feuchtedetektor enthält, sowie auf eine luftdicht eingeschlossene Oberflächenschallwellenanordnung mit einem derartigen Feuchtedetektor. Ein derartiger elektronischer Modul kann z.B. eine diskrete Halbleiteranordnung, eine integrierte Schaltung oder ein Computermodul sein.
Feuchtedetektoren zur Bestimmung des Feuchtigkeitsgehaltes in Gasatmosphären sind bekannt. Diese Detektoren enthalten ein Substrat, auf dem ein Elektrodensystem angebracht ist, das aus einem Paar Edelmetallelektroden besteht, zwischen denen eine Schicht aus einem hygroskopischen Mittel, z.B. Phosphorpentoxid oder Lithiumchlorid, angebracht ist. Das hygroskopische Mittel absorbiert die Feuchtigkeit aus der Gasatmosphäre. Wenn der Feuchtedetektor zur Bestimmung des Feuchtigkeitsgehalts einer strömenden
Gasatmosphäre verwendet wird, wird der Feuchtigkeitsgehalt im allgemeinen coulometrisch bestimmt, wobei eine Gleichspannung über den Elektroden angelegt, das vom hygroskopischen Mittel absorbierte Wasser elektrolysiert und ein stabiler Zustand zwischen dem Feuchtigkeitsgehalt des
Gases und dem im hygroskopischen Mittel absorbierten Feuchtigkeitsgehalt bewirkt wird.
In der britischen Patentschrift 1 018 192 ist
ein derartiger Feuchtedetektor beschrieben, bei dem das
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hygroskopische Mittel Phosphorpentaxid ist. Ein Nachteil derartiger Detektoren ist, dass, nachdem das hygroskopische Mittel einer Atmosphäre mit einem verhältnismässig hohen Feuchtigkeitsgehalt, z.B. der Umgebungsatmosphäre, ausgesetzt worden ist, die Einstellung des Gleichgewichtszustandes bei einem verhältnismässig niedrigen Feuchtigkeitsgehalt viel Zeit beansprucht. Selbstverständlich gibt es Beschränkungen in bezug auf" die Atmosphären, in denen Phosphorpentoxid als das hygroskopische Mittel verwendet werden kann.
Die in der vorgenannten Patentschrift 1 018 1 9-2 beschriebenen Feuchtedetektoren sind für die Anwendung in strömenden Gasatmosphären beabsichtigt.
In einem Aufsatz mit dem Titel "The use of relative humidity sensors to monitor the atmosphere within hermetically sealed electronic modules" von Elias J.Amdur und Harald G. Lofgren in "Humidity an Moisture Measurement and Control" in "Science and Industry", Band 2, Applications (herausgegeben von E.J.Amdur, Reinhold I965), S.428 - 432, ist die Anwendung von Feuchtedetektoren zur Regelung des Feuchtigkeitsgehalts in der Atmosphäre in Computermoduln beschrieben. Die feuchtigkeitsempfindlichen Elemente in diesen Detektoren enthielten Polyvinylalkohol-Lithiumchloridfilme und wiesen Empfindlichkeiten über dem- Bereich von 3,5 bis 16$ relative Feuchtigkeit auf. Die Feuchtigkeit wurde dadurch bestimmt, dass der ¥iderstand der feuchtigkeitsempfindlichen Elemente mit einem Wechselstrom-Widerstandsmesser gemessen wurde.
Es ist in der Halbleitertechnologie bekannt, dass alle Materialien Sauerstoff, Stickstoff und Wasser aus der Umgebungsatmosphäre adsorbieren und absorbieren. Luftdicht verschlossene Gehäuse werden zur Isolierung von Halbleiteranordnungen gegen die Umgebungsatmosphäre, in der eine Anordnung verwendet wird, benutzt. Die Anordnung kann in einem solchen Gehäuse in einer inerten Atmosphäre aus z.B. trocknem Stickstoff luftdicht eingeschlossen sein. Einige Halbleiteranordnungen werden von Sauerstoff beeinflusst und viele Halbleiteranordnungen werden von Feuchtigkeit beeinflusst. Wenn die Anordnung auf geeignete Weise
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luftdicht in einem Gehäuse eingeschlossen ist, wird keine Feuchtigkeit in das die Anordnung enthaltende Gehäuse nach der Abdichtung eindringen. Es wird aber Feuchtigkeit an die Atmosphäre innerhalb des verschlossenen Gehäuses infolge von Desorption von den inneren Oberflächen des Gehäuses und den Oberflächen der Anordnung abgegeben werden, wenn die Oberflächen nicht genügend getrocknet sind, bevor das Gehäuse verschlossen wird.
Massenspektroskopie wurde zur Untersuchung der Feuchtigkeitsgehalte der Atmosphäre innerhalb eines abgedichteten Pakets benutzt, aber diese Technik kann nicht für eine kontinuierliche Regelung des Feuchtigkeitsgehalts verwendet werden. Diese Technik eignet sich nicht zum Messen niedriger Feuchtigkeitsgehalte in Atmosphären von Paketen mit kleinen inneren Volumina.
Die Erfindung hat die Aufgabe, ein Verfahren zur Herstellung eines Feuchtedetektors zu schaffen, der sich zur Bestimmung des Feuchtigkeitsgehalts einer statischen Atmosphäre eignet und zur Bestimmung des Feuchtigkeitsgehalts der Atmosphäre innerhalb kleiner luftdicht verschlossener Gehäuse verwendet werden kann, die von Gasatmosphären eingenommene innere Volumina in der Grössenordnung von 100 mm3 aufweisen.
Nach der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Feuchtedetektors, der ein Aluminiumoxidsubstrat enthält, auf dem ein Elektrodensystem angebracht ist, das aus einem Paar Edelmetallelektroden besteht, die durch eine elektrisch leitende feuchtigkeitsempfindliche auf dem Substrat vorhandene Schicht elektrisch miteinander verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, dass zunächst das Elektrodensystem auf dem Aluminiumoxidsubstrat gebildet wird; dass dann das ausgesetzte Aluminiumoxid dadurch aktiviert wird, dass das mit dem Elektrodensystem versehene Aluminiumoxidsubstrat auf eine Temperatur im Bereich von 100 - 7500C während 30 Stunden bis eine halbe Stunde erhitzt wird; dass danach ein Überzug aus Orthophosphorsäure oder Phosphorpentoxid über die Elektroden und dass mit der elektrisch leitenden feuchtigkeitsempfindlichen Schicht zu
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versehende Gebiet des Substrats angebracht wird, und dass anschliessend das substrat, das Elektrodensystem und der Überzug auf 50 - 5000C während 30 Stunden bis eine halbe Stunde erhitzt werden, um die elektrisch leitende feuchtigkeitsempfindliche Schicht durch eine Reaktion zwischen dem Aluminiumoxid und der Orthophosphorsäure oder dem Phosphorpentoxid zu bilden. Der erste Erhitzungsschritt dient dazu, unerwünschte Restverunreinigunge.n von der Substratoberfläche zu entfernen. Es wird jedem Fachmann klar sein, dass Erhitzungsschritte mit einer kürzeren Dauer für bei höheren Temperaturen durchgeführte Wärmebehandlungen als für bei niedrigeren Temperaturen durchgeführte Wärmebehandlungen erforderlich sind. Z.B. kann die feuchtigkeitsempfindliche Schicht dadurch gebildet werden, dass eine Wärmebehandlung bei einer Temperatur im Bereich von 200 bis 300°C während einer Zeit von h Stunden bis dreiviertel Stunden durchgeführt wird. Wenn der Überzug aus Orthophosphorsäure besteht, wird vorzugsweise N/2 bis 27N Orthophosphorsäure verwendet, weil, wenn Lösungen von weniger als N/2 verwendet werden, sich herausstellt, dass die Empfindlichkeit der feuchtigkeitsempfindlichen Schicht niedrig ist.
Das Elektrodensystem wird im allgemeinen dadurch gebildet, dass ein Film aus einem Edelmetall auf dem Aluminiumoxidsubtrat aus der Dampfphase abgelagert wird, während das Elektrodensystem aus dem Edelmetallfilm durch selektives chemisches Atzen gebildet wird. Der Edelmetallfilm wird vorzugsweise durch Zerstäubung abgelagert, weil durch Zerstäubung abgelagerte Filme eine bessere Haftung auf Aluminiumoxidsubstraten als aufgedampfte Filme aufweisen.
Das Elektrodensystem kann auch dadurch erzeugt werden, dass durch Siebdrucken eine geeignete leitende Paste angebracht und ein Erhitzungsschritt bei einer genügend hohen Temperatur durchgeführt wird, um eine gute Haftung des Elektrodensystems auf dem Substrat zu erhalten.
" Bei den Untersuchungen, die zu der Erfindung
geführt haben, wurden sowohl Rhodium als auch Gold für das Elektrodenmaterial verwendet. Andere Edelmetalle können aber auch Anwendung finden.
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Ein Verfahren nach der Erfindung kann zur Herstellung von Feuchtedetektoren verwendet werden, die genügend klein sind, um in dem Gehäuse für Halbleiteranordnungen neben der Halbleiteranordnung untergebracht zu werden.
Venn der Widerstand des Detektors unter Verwendung von Wechselstrom gemessen wird, wird kein Wasserstoff (der Beschädigungen der Halbleiteranordnungen herbeiführt) abgegeben, wobei das Gleichgewicht zwischen der Feuchtigkeit in der Schicht und der Atmosphäre, in der sich der Detektor befindet, nicht gestört werden wird. Der Widerstand des Detektors kann unter Verwendung von Gleichstrom gemessen werden, wenn das Vorhandensein von Wasserstoff zulässig ist. Die Detektoren können einer Umgebungsatmosphäre ausgesetzt und können wieder in ein Paket eingeschlossen werden, ohne dass es erforderlich ist, dass sie wieder kalibriert werden, und ohne dass eine lange Trocknungszeit benötigt wird.
Während der Untersuchungen, die zu der vorliegenden Erfindung geführt haben, wurden verschiedene Zusammensetzungen dadurch hergestellt, dass Aluminiumoxidgel mit einer Orthophosphorsäure zur Reaktion gebracht wurde, wobei gefunden wurde, dass die folgenden Zusammensetzungen feuchtigkeitsempfindlich waren:
AIpO-.P„O_ mit einer dreieckigen Kristallstruktur ("Berlinite")
Al2O3-P2O5^H2O;
Al2O3.P2O5.4H2O ("Metavariscite");
und
Al2O3.
Es war nicht möglich, das (die) besondere(n) Aluminiumphosphat(e), das (die) in den feuchtigkeitsempfindlichen Schichten von Feuchtedetektoren, die durch ein Verfahren nach der Erfindung hergestellt waren, vorhanden war(en), zu bestimmen, weil die Materialmenge in der feuchtigkeitsempfindlichen Schicht ungenügend war, um diese Bestimmung durchführen zu können. Es erwies sich als notwendig, dünne feuchtigkeitsempfindliche Schichten anzuwenden, um zu vermeiden, dass die Diffusion von Feuchtigkeit in oder aus den Schichte?" zeitabhängig ist. Eine bevorsugte fsuclitig-
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keitsempfindliche Schicht wird dadurch gebildet, dass 8 mg 1N Orthophosphorsäure auf eine quadratische Aluminiumoxidplatte mit Seiten von 50 mm aufgebracht und dann das Gebilde erhitzt wird, um die feuchtigkeitsempfindliche Schicht zu bilden. Die Dicke der feuchtigkeitsempfindlichen Schicht (wobei angenommen wird, dass das Reaktionsprodukt AlpO-.P-O ist) beträgt etwa 6o nm. Wenn Schichten hergestellt wurden, deren Dicke genügend war, um die besondere Form des in der Schicht vorhandenen Aluminiumphosphats zu identifizieren, wurde gefunden, dass die Diffusionsgeschwindigkeit von Feuchtigkeit in und aus den Schichten unzweckmässig zeitabhängig war.
Befriedigend wirkende Feuchtedetektoren wurden durch ein Verfahren nach der Erfindung unter Verwendung von 96$ reinem Aluminiumoxid hergestellt, aber vorzugsweise wird 99»5$ reines Aluminiumoxid verwendet, um eine gute Stabilität der Anordnungen nach der Herstellung sicherzustellen.
Wenn Phosphorpentoxid zur Herstellung der feuchtigkeitsempfindlichen Schicht verwendet wird, kann dieser Werkstoff durch Pinseln oder durch ein Schleuder- oder ein Schablonierungsverfahren aus einer Suspension in einem organischen Medium auf das Substrat angebracht werden. Orthophosphorsäure kann z.B. durch ein Pinsel-, Spritz—, Schablonierungs- oder Schleuderverfahren aufgebracht werden.
Durch ein Verfahren nach der Erfindung herge— stelle Feuchtedetektoren können zur Prüfung des Feuchtigkeitsgehalts der Gasatmosphäre in den Umhüllungen von Anordnungen, wie akustischen Oberflächenwellenanordnungen oder Halbleiteranordnungen, z.B. integrierten Schaltungen, verwendet werden. Dieser Feuchtigkeitsgehalt kann z.B. von 50 ppm. sofort nach der Abdichtung auf 4400 ppm. 50 Stunden nach der Abdichtung zunehmen, wenn die Umhüllung und/oder der Einzelteil nicht genügend getrocknet sind. Wenn die Feuchtigkeitsgehalte der Atmosphären innerhalb eines Satzes von Anordnungen zu verschiedenen Zeitpunkten nach der Abdichtung gemessen sind, ist es -möglich, die Trocknungsvorgänge festzulegen, die erforderlich sind, um die
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gewünschte endgültige Trockne der GasatmoSphären innerhalb der Anordnung zu erhalten.
Ein derartiger Feuchtedetektor kann dazu benutzt werden, den Feuchtigkeitsgehalt der Atmosphäre innerhalb einer Umhüllung mit einer Halbleiteranordnung zu bestimmen, bei dem die elektrischen Parameter der Anordnung schlechter zu werden beginnen. Die Empfindlichkeitseigenschaften von Feuchtedetektoren, die durch ein Verfahren nach der Erfindung hergestellt sind, werden nicht beeinträchtigt, wenn die feuchtigkeitsempfindliche Schicht nassen Atmosphären, z.B. atmosphärischer Luft, ausgesetzt werden.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand zweier Beispiele und der beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Draufsicht auf einen durch ein Verfahren nach der Erfindung hergestellten Feuchtedetektor,
Fig. 2 eine schematische Seitenansicht einer Testzelle mit einem Gehäuse, das einen Feuchtedetektor enthält, der durch ein Verfahren nach der Erfindung hergestellt ist,
Fig. 3 eine graphische Darstellung der Strom Feuchtigkeitskennlinie des im nachstehenden Beispiel beschriebenen Feuchtedetektors,
Fig. 4 schematisch ein Schaltbild einer Schaltung zur Kalibrierung des Feuchtedetektors nach Fig. 1 und Fig. 5 schematisch und teilweise perspektivisch eine Ansicht einer Oberflächenschallwellenanordnung mit einem durch das Verfahren nach der Erfindung hergestellten Feuchtedetektor.
Beispiel 1
Ein Aluminiumoxidsubtrat 1 (Fig. 1) bestand aus 9915$ reinem Aluminiumoxid und wies Abmessungen von 2 χ 1,5 x 0,5 mm auf. Dieses Substrat 1 wurde zunächst mit Isopropanol und dann mit 1,1,1 Trichloräthan gewaschen.
Eine Goldschicht von 1000 A wurde durch Zerstäubung auf dem gereinigten Substrat 1 angebracht und ein aus einem Elektrodenpaar 2, 3 bestehendes Elektrodensystem wurde dadurch
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gebildet, dass unter Verwendung einer Photoresistmaske das Gold selektiv mittels einer an sich für diesen Zweck bekannten Lösung von Jod in Äthanol weggeätzt wurde. Nach Beendigung der Atzbehandlung wurde der verbleibende Photo— resist von dem Aluminiumoxidsubstrat 1 entfernt. Das Substrä; 1 wurde dann auf 5000C in der Luft während einer Stunde erhitzt, um etwa zurückgebliebenes organisches Material von der Oberfläche des Substrats 1 zwischen den Elektroden 2, 3 zu entfernen und das Substrat 1 zu aktivieren. Eine
W Schicht aus IN Orthophosphorsäure wurde durch Pinseln auf dem Gebilde des Substrats 1 und der Elektroden 2, 3 in der Nähe der Elektroden angebracht. Das Gebilde wurde dann auf 2500C während einer Stunde in Stickstoff erhitzt und innerhalb dieser Zeitdauer hatte die Oberfläche des Substrats 1 ein trocknes Aussehen, was angibt, dass eine feuchtigkeitsempfindliche Schicht 4 sich durch eine Reaktion zwischen der Orthophosphorsäure und dem Aluminiumoxid des Substrats 1 gebildet hatte. Das Gebilde wurde anschliessend abgekühlt.
Eine in Fig. 2 dargestellte Testzelle wurde unter Verwendung des obenbeschriebenen Feuchtedetektors 5 hergestellt. Das Substrat 1 wurde mechanisch (durch nicht dargestellte Mittel) an einem Halter 6 mit Durchführungen 7 und 8 befestigt. Die Durchführungen 7, 8 wurden mit Hilfe von Drähten 9 und 10 elektrisch mit den Elektroden 2, 3 verbunden. Ein Nickelgehäuse 11 wurde am Halter 6 festgeschweisst.
Fig. 3 zeigt die Beziehung zwischen dem Wechselstrom (l) und der Feuchtigkeit (H) für diesen Feuchtedetektor.
Fig. 4 stellt ein Schaltbild einer Schaltung zur Kalibrierung des Feuchtedetektors nach Fig. 2 dar. Eine Wechselstromquelle 12 liefert eine 1 kHz-Spitze-Spitze-Spannung von 10 V über einen Messwiderstand 13 von 100 kJL, der mit dem Feuchtedetektor 5 in Reihe geschaltet ist. Die über dem Messwiderstand 13 aufgebaute Spannung wird auf einem "Solartron 707S"-Digitalvoltmeter i4 wiedergegeben.
Dadurch, dass die Konzentration der verwendeten
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Orthophosphorsäurelösung, die Verarbeitungstemperaturen und -zeiten geändert werden, können verschiedene Strom-Feucht igkeits-Kennliijien im Feuchtigkeitsgehaltbereich zwischen 3 und 15 000 ppm erhalten werden. Natriumfluorid, Zäsiumfluorid oder Rubidiumfluorid ist für die Kalibrierung von Feuchtedetektoren im niedrigen Teil des Bereiches geeignet. Diese Feuchtedetektoren können mit Hilfe einer Faraday-Zelle über einen Bereich von 2 - 10 000 ppm H„0 kalibriert werden, wobei ein fliessender Gasstrom verwendet wird, dem dosierte Mengen Feuchtigkeit zugesetzt werden.
Wenn Gleichstrommessung verwendet wird (z.B. mit einer Gleichspannung von 8 V statt der vorgenannten Wechselspannung von 1 kHz, 10 V), kann die Ablesung innerhalb von 30 Sekunden nach dem Anlegen einer Spannung über dem Wider-Standselement erhalten werden, um die Menge an erzeugtem Wasserstoff zu beschränken.
Beispiel 2
Fig. 5 zeigt ein Oberflächenschallwellenfilter, das für die Filterung elektrischer Signale entworfen ist.
Der Deutlichkeit halber ist ein Teil des Gehäuses 151 das aus Nickel besteht, aufgebrochen dargestellt. Das Filter enthält eine piezoelektrische Scheibe 17» die mit einem Halter 16 mit Hilfe einer nicht dargestellten Epoxydharzschicht verbunden ist. Die freigelegte Hauptfläche 18 der Scheibe 17 trägt eine Oberflächenschallwellensendewandlermatrix, die aus einem ersten Satz kammförmiger ineinander eingreifender Elektroden 19 und 20 besteht. Die Elektroden 19 und 20 sind mit isolierten Durchführungen 21 bzw. 22 des Halters 16 über drahtförmige Leitungen 23 und 2k verbunden. Die Hauptfläche 18 trägt eine Empfangswandlermatrix, die auf Abstand von der Sendewandlermatrix liegt und aus einem zweiten Satz kammförmiger ineinander eingreifender Elektroden 25 und 2.6 besteht. Die Elektroden 25 und 26 sind über Leitungen 27 bzw. 28 mit isolierten
3^ Durchführungen 29 bzw. 30 des Halters 16 verbunden. Oberflächenschallwellenkopplungsmittel in Form einer Matrix 31 paralleler leitender Elemente liegen auf der Oberfläche 18 zwischen der Sendewandlermatrix 19i 20 und der Empfangs-
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PHB 32681 yd 5.11.1980
wandlermatrix 25, 26. Ein Feuchtedetektor 5> der dem nach Fig. 1 ähnlich ist, ist dadurch in dieses Filter eingebaut, dass das Aluminiumoxidsubstrat 1 mechanisch an dem Halter durch nicht dargestellte Mittel befestigt wird. Die Elektroden 2, 3 sind elektrisch mit isolierten Durchführungen 32 bzw. 33 des Halters i6 über Leitungen 34 bzw. 35 verbunden. Das Gehäuse 15 ist am Halter 16 durch eine übliche Schweisstechnik festgeschmolzen.
Der Feuchtedetektor 5 kann zur Herabsetzung des Feuchtigkeitsgehalts der Atmosphäre innerhalb des Gehäuses 15 verwendet werden, dadurch, dass ein &leichstrom durch, die feuchtigkeitsempfindliche Schicht geschickt wird, wodurch die in dieser Schicht vorhandene Feuchtigkeit analysiert und so die Feuchtigkeit in Wasserstoff und Sauerstoff umgewandelt wird. Wenn ein Feuchtedetektor auf diese Weise verwendet wird, ist es möglich, den Feuchtigkeitsgehalt der Atmosphäre in einem verschlossenen Gehäuse, das ein elektrisches Schaltungselement, wie eine Oberflächenschallwellenanordnung, enthält, erheblich herabzusetzen, vorausgesetzt, dass der ausgelöste Wasserstoff keinen ungünstigen Einfluss auf die Wirkung des elektrischen Schaltungselements ausübt.
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Claims (1)

  1. PHB 32681 -Jff 5.11.1980
    PATENTANSPRÜCHE
    1. Verfahren zur Herstellung eines Feuchtedetektors, der ein Aluminiumoxidsubstrat enthält, auf dem ein Elektrodensystem angebracht ist, das aus einem Edelmetallelektrodenpaar besteht, die durch eine elektrisch leitende feuchtigkeitsempfindliche auf dem Substrat vorhandene Schicht elektrisch miteinander verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, dass zunächst das Elektrodensystem auf dem Aluminiumoxidsubstrat gebildet wird; dass dann das ausgesetzte Aluminiumoxid dadurch aktiviert wird, dass das mit dem Elektrodensystem versehene Aluminiumoxidsubstrat auf eine Temperatur zwischen 100 und 75O°C während 30 Stunden bis eine halbe Stunde erhitzt wird; dass danach ein Überzug aus Orthophosphorsäure oder Phosphorpentoxid über das mit der elektrisch leitenden feuchtigkeitsempfindlichen Schicht zu versehende Substrat angebracht wird, und dass anschliessend das Substrat, das Elektrodensystem und der Überzug auf 50 bis 500°C während 30 Stunden bis eine halbe Stunde erhitzt werden, damit die elektrisch leitende feuchtigkeitsempfindliche Schicht durch eine Reaktion zwischen dem Aluminiumoxid und der Orthophosphorsäure oder dem Phosphorpentoxid gebildet wird.
    2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Überzug aus einer N/2 bis 27N—Lösung von Orthophosphorsäure besteht.
    3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Elektrodensystem dadurch gebildet wird, dass ein Edelmetallfilm auf dem Aluminiumoxidsubstrat aus der Dampfphase abgelagert wird, während das Elektrodensystem aus dem Edelmetallfilm durch selektive chemische Atzung gebildet wird.
    k. Verfahren nach Anspruch 3> dadurch gekennzeichnet,
    dass der Edelmetallfilm durch Zerstäubung abgelagert wird. 5· Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche,
    1 30035/0380
    304334t
    PHB 32681 VZ -2 . 5.II.I98O
    dadurch gekennzeichnet, dass das Edelmetall Gold 1st.
    6. Feuchtedetektor, der durch ein Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche hergestellt ist.
    7. Luftdicht abgeschlossener elektronischer Modul, der einen Feuchtedetektor nach Anspruch 6 enthält.
    8. Luftdicht abgeschlossene Oberflächenschallwellenanordnung, die einen Feuchtedetektor nach Anspruch enthält.
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DE19803043341 1979-11-22 1980-11-17 Verfahren zur herstellung von feuchtedetektoren Withdrawn DE3043341A1 (de)

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