DE3023134C2 - Aufzeichnungselement - Google Patents

Description

«■ 2. AufzdchnimKelementnach Anspruch l.dadnrch gekennzeichnet, daß der dünne Film (1) zusätzlich mit

mindestens einem der Elemente Germanium, Schwefel, Thallium, Zinn, Blei, Indium und/oder Tantal in Bereichen von 2 bis 15 Atomprozent bezogen auf die Gesamtmenge, versetzt ist 3. Aufzeichnungselement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche des dünnen

Films (t) mit einer Schutzbeschichtung (3) versehen ist.

Die Erfindung betrifft ein Aufzeichnungselement wie es im Oberbegriff des Patentanspruches 1 näher be-

^Aufzeichnungselemente dieser Art, bei denen ein auf einem bestimmten Substrat aufgebrachter dünner Film mit einem Energiestrahl wie einem Laserstrahl bestrahlt wird, um in den bestrahlten Bereichen Vertiefungen fur die informationsaufzeichnung auszubilden, sind an sich bekannt So ist in der DE-OS 27 39 610 beschrieben, daß für den Aufzeichnungsfilm ein anorganisches Material gewählt wird, das Arsen, Selen und Tellur sowie als

το weiteren Bestandteil ein Element der Gruppe S, In₁Tl, Sn, Pb, Ge enthält ,„„,,■ >

Weitend Aufzeichnungselemente bekannt, bei denen hohe Signal/Rauschverhältnisse (S/R-Verhältn.sse)

erzielbar sind selbst wenn Bildinformation usw. sehr hoher Dichten für Verwendung m optischen Videoplatten

auszeichnet werJen Beispielsweise sind ein dünner Wismutfilm und dünne Filme einiger Chalkogenide als

dünne Filme auf Substratplatten von Aufzeichnungselementen bekannt Sie werden beispielsweise in den

Japanischen Pa"enunmeld^gen 40479/1971 und 20 136/1979, 42 849/1975, 51 738/1975 1 54 602/1977 und 31 105/1978 usw offenbart Diese Filme sind jedoch als Aufzeichnungselemente wegen der ungleichmäßigen Formen der Vertiefungen ungeeignet und hinsichtlich der Lebensdauer problematisch. Ein auf Arsen/Tellur basierender dünner Film der kürzlich entwickelt wurde, besitzt hohe Aufzeichnungsempfindlichkeit und ein hohes S/R-Verhältnis bei Informationsaufzeichnung, indem durch Bestrahlung mit einem Energiestrahl wie

einem Userstrahl Vertiefungen geformt werden. Ein Beispiel für diesen Film findet std-. in der japanischen Patentanmeldung 15 483/1979. Sowohl Arsen als auch Tellur oxidieren jedoch, wenn sie längere Zeit an der Luft

^S deshalb besteht bei diesem Aufzeichnungsetement bei Langzeitverwendung eine gewisse Instabilität so daß die praktische Verwendung bisher noch nicht ernsthaft aufgenommen wurde.

Darüber hinaus gibt es Vorschläge zur Lösung dieser Probleme, die jedoch nicht als befriedigend bezeichnet werden können. Ein Vorschlag besteht beispielsweise darin, die Konzentration von Arsen in dem dünnen Aufzeichnungsfilm zu vermindern, wie es in der japanischen Patentanmeldung 31 106/1978 offenbart ist.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Aufzeichnungselement zur Verfugung zu stellen, das ein gutes S/R-Verhaltnis und gute und unveränderliche Langzeiteigenschaften, insbesondere dos S/R-Verhältnisses, zeigt

Diese Aufgabe wird mit einem Aufzeichnungselement nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1 gelost, das erfindungsgemäß die Merkmale des kennzeichnenden Teils dieses Patentanspruches aufweist Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.

Bevorzugt beträgt der Durchschnittsgehalt des dünnen Aufzeichnungsfilms an Arsen 5 bis 35 Atomprozent, und insbesondere 10 bis 25 Atomprozent Vorzugsweise beträgt der durchschnittliche Selengehalt 40 Atomprozent oder weniger, und insbesondere 5 bis 25 Atomprozent Der Rest ist Tellur.

Besonders in einem Bereich innerhalb 50Ä von der Oberfläche des Aufzeichnungsfilms (der hier als »Oberflächenschicht« bezeichnet werden soll) beträgt die Arsenkonzentration vorzugsweise 15 Atomprozent oder weniger insbesondere 2 bis 10 Atomprozent Der Selengehalt beträgt vorzugsweise 50 Atomprozent oder mehr. Dieses bewirkt gute Langzeiteigenschaften bei gleichzeitiger Beibehaltung guter »Schreibw-Eigenschaften des auf Selen/Arsen/Tellur basierenden Materials. ·,.,.·* ι

Hinsichtlich der Verteilung der Arsenatome in Richtung der Filmdicke ist es vorte.lhaft, die Arsenkonzentration mit einem Gradienten von V₁₀₀-V₃ Atomprozent/Ä zu verändern. Besonders bevorzugt ist der Gradient im Bereich von V₂₅-V, Atomprozent/Ä. Natürlich muß die Arsenkonzentration über d.e volle Filmdicke nicht einen identischen Konzentrationsgradienten aufweisen. Der Gradient der Arsenkonzentration verändert sich in der Nähe der Oberfläche des Aufzeichnungsfilms vorteilhafterweise verhältnismäßig stark.

Selbst wenn die zuvor beschriebenen, auf Selcn/Tellur/Arsen basierenden Zusammensetzungen mit mindestens einem Element wie Gc, S, Tl, Sn, Pb, In und/oder Ta versetzt sind, werden im wesentlichen gleichwertige Eigenschaften wie bei den auf Se-Te-As basierende Materialien erhalten. Die Zusatzmenge solcher Zusatzele-

mente beträgt 2 bis 15 Atomprozent

.'„.· Da der erfindungsgemäße Aufzeichnungsfilm wie zuvor beschrieben zusammengesetzt ist, kann die Arsenoxi-

iü dation leicht verhindert werden, selbst wenn die Oberflächenschicht zu einem leicht oxidierbaren Zustand in der

ϊί- Weise aktiviert wird, daß Licht auf den dünnen Film zur Spaltung der chemischen Bindungen der Elemente

ψ- Arsen, Tellur und Selen fällt, und sich Arsen frei in der Oberflächenschicht des Filmes bewegen kann. Das liegt

'ϊ~ daran, weil in der Oberflächenschicht Tellur, das mit Sauerstoff nicht leicht und Selen, das kaum mit Sauerstoff

ι-; reagiert, in größeren Mengen als Arsen vorliegen. Da die Oxidation von Arsen auf diese Weise vermieden

k^;: werden kann, treten As2O3-Kristalle, die sonst in der Nähe von aufgezeichneten Vertiefungen auftreten und sich

'ü bilden und für falsche Informationssignale verantwortlich sind, überhaupt nicht auftreten, wobei gute Informa-

;.-' tionsaufzeidmung erzielt wird. Darüber hinaus wird bei dem erfindungsgemäßen Aufzeichnungselement die

Γ Oxidation von Tellur vermieden; gleichzeitig verändert sich im Laufe der Zeit die Verteilung der Komponenten

IS. nicht und das Produkt ist beständig. Außerdem verhindert es das Auftreten von störenden Kristallen innerhalb

:. des dünnen Films, weil Selen, TeDur und Arsen in leicht variierenden Verteilungen vorliegen. Da die Verteilungs-

zustände konstant gehalten werden können, bleiben die Aufzeichnungscharakteristika der Information unveränl-^:; dert, wobei Aufzeichnimg unter praktisch den gleichen wie den ursprünglichen Bedingungen selbst nach vielen

Ti Jahren möglich ist

igj Die Erfindung wird anhand der folgenden Figuren näher erläutert Die

|| F i g. 1 und 4 sind schematische Querschnitte durch Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Aufzeich-

Il nungselements; JS? F i g. 2 ist eine Aufsicht auf eine Verdampfungsvorrichtung für einen dünnen Aufzeichnungsfilm;

p F i g. 3 ist eine schematische Darstellung einer Vorrichtung zum Einschreiben von Informationen;

& F jg. 5 bis 13 sind Diagramme, die die Zusammensetzung eines erfindungseemäßen Aufzeetfinungsfilms in

S Richtung der Filmdicke darstellen; und

ff Fig. 14 ist eine grafische Vergleichsdarstellung zwischen den Eigenschaften eines erfindungsgemäßen Auf-

H zeichnungsfilms und einem Aufzeichnungsfiim, der nicht erfindungsgemäß aufgebaut ist

if F i g. 1 ist ein schematischer Querschnitt durch eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Aufzeich-

|i nungselements. Ein dünner Film zur Aufzeichnung 1 wird auf eän-cin Glassubstrat 2 für optische Platten gebildet

M Eine bestimmte Information wird derart aufgezeichnet daß eine Vertiefung 6 in dem dünnen Film durch einen S Laserstrahl (oder einen Elektronenstrahl) gebildet wird, der entsprechend einem bestimmten elektrischen Signal

;_; ^:: erzeugt wird. In diesem Zusammenhang wird mit einer Vertiefung entweder ein Loch bezeichnet daß den

'■- dünnen Film durchtritt oder eine Ausnehmung, die den dünnen Film nicht durchtritt Im allgemeinen bei

^: Verwendung von Videoplatten usw. hat die Vertiefung einen kürzeren Durchmesser von etwa 0,5 bis 1,2 μπι. Der

i dünne Film 1 ist aus einer Mischung oder Verbindung hergestellt die aus Arsen, Tellur und Selen zusammenge-

■'■ setzt ist und wird in an sich bekannter einfacher Weise durch Vakuumverdampfung gebildet In einem Beispiel

; wurden Arsen-, Tellur- und Selenmaterialien mit jeweils einer Reinheit von mindestens 99,9% hergestellt; die

i Arsen- und Tellurmaterialien, vermischt zu einer As3oTe7o-Mischung, wurden in Quarzampullen eingebracht

' Nach Evakuieren der Ampullen auf ein Vakuum von 5 · 10~⁶Torr wurden sie verschlossen. Anschließend

wurden diese Quarzampullen bei 800⁰C in einem elektrischen Ofen 3 Stunden oder länger erhitzt und gleichzeiii tig geschüttelt Durch Herausnehmen der Ampullen aus dem elektrischen Ofen wurde gekühlt Anschließend

wurden die Materialien aus den Quarzampullen entnommen und grob zerstoßen. In F i g. 2 ist eine schematische 4u Ansicht e^:ner Vorrichtung wiedergegeben, die zur Bildung des dünnen Aufzeichnungsfilms verwendet wurde.

Eine Glasplatte eines Durchmessers von 35 cm, deren beide Oberflächen optisch poliert und gereinigt wurden, wurde, um eine zentral angeordnete Welle rotierbar, in der Vakuumverdampfungsvorrichtung angeordnet. Es wurden drei Schiffchen (23, 24 und 25) für die Verdampfung unterhalb des für die Informationsaufzeichnung vorgesehenen Plattenbereichs und im wesentlich kreisförmig konzentrisch zur zentralen Welle angeordnet. Ein Schiffchen 26 wurde für die Zugabe eines anderen Elements vorgesehen. Zwei der drei Schiffchen c-nthielten die AsjoTe;rMaterialien, während di.s andere Schiffchen das Selenmaterial enthielt. Die Schiffchen bestanden aus Tantal; um zu vermeiden, daß flüssige Tröpfchen oder kleine Bruchstücke des Verdampfungsmaterials sich auf dem Substrat festsetzen oder das Substrat verunreinigen waren alle Schiffchen derart ausgebildet, daß die Verdampfungsmaterialien nicht direkt von der Stelle des Verdampfungssubstrats aus, auf die ein Film aufgedampft werden soll, irchtbar waren. Zwischen den jeweiligen Schiffchen und der Glasplatte waren Sektorenschlitze (27,28, 29 und 30) und Blendklappen (41,42,43 und 44) angeordnet Sie waren so ausgebildet, daß bei Bewegung der Blendkappe diese den Schlitz in gewünschter Weise verschloß. Nach Anlegen eines Vakuums in der Vorrichtung wurde Strom durch das Schiffchen geleitet um das Material im Schiffchen zu verdampfen, während die Glasplatte mit 120 U/min rotierte. Die Verdarnpfungsmenge aus dem Schiffchen wurde durch eine Vorrichtung zur Filmdickenaufzeichnung 32, 33, 34 oder 35 vom Kristalloszillatortyp überwacht, wobei der Stromfluß durch das Schiffchen derart geregelt wurde, daß die Verdampfungsgeschwindigkeit konstant wurde. Wenn die Materialien gleichzeitig aus zwei oder mehr Schiffchen verdampft wurden, wurde das Verhältnis der Verdampfungsgeschwindigkeit aus den jeweiligen Schiffchen auf die Platte durch die öffnungswinkel der entsprechenden Blenden bestimmt. Zunächst besaß das Plattensubstrat eine Aufzeichnungsschicht, die aus dem eo ersten Schiffchen mit dem bestimmten As₃OTe₇O-Material aufgedampft war. Die ASwTe₇₀-Materialmenge im Schiffchen war so groß, däß bei Verdampfung der Gesamtmenge auf die Platte ein Film von etwa SODA gebildet wurde. Der Abstand zwischen Schiffchen und der der Verdampfung ausgesetzten Plattenoberfläche betrug etwa 70 mm. Betrug die Verdampfungsmenge aus dem Schiffchen 1,5 der Ausgangsmaterialmenge im Schiffchen, wurde die Blende geöffnet und die Verdampfung bei einer mittleren Verdampfungsgeschwindigkeit von 2 A/sec durchgeführt. Betrachtet man einen Teil der Plattenoberfläche, so ist dieser Te.i dem Verdampfungsvorgang nur ausgesetzt, wenn er sich über dem Schiffchen bewegt. Entsprechend ist die tatsächliche momentane Verdampfungsgeschwindigkeif höher als 2 A/sec, nämlich etwa 30 A/sec. Wird die Verdampfungsgeschwindigkeit aus

dem Schiffchen erheblich über die Geschwindigkeit erhöht, bei der die durchschnittliche Verdampfung 2 Λ je Sekunde beträgt, besteht die Gefahr, daß Flüssigtropfen oder kleine Bruchstücke des Verdampfungsmaterials aus dem Schiffchen auf die Platte spritzen und darauf festkleben. Ist andererseits die Verdampfungsgeschwindigkeit erheblich niedriger als die Geschwindigkeit, die zu einer mittleren Verdampfungsgeschwindigkeit von

2 A/sec führt, verschlechtert sich die Ebenheit des aufgedampften Films.

Erfindungsgemäß variieren die jeweiligen Elemente in Richtung auf die Tiefe des dünnen Films und weisen innerhalb des dünnen Films einen Gradienten auf. Deshalb ist, obwohl die beschriebene Verdampfungsmethode grundsätzlich anwendbar ist. ein weiterer Kunstgriff nötig. Hierzu wurde das Ausgangsmaterial für die Verdampfung in dem anderen Schiffchen (zweites Schiffchen), das das As3oTe;o-Material enthielt, zunächst um etwa

to die Hälfte (bezogen auf das Gewicht) bei geschlossener Blende verdampft. Nach Verdampfung des Materials aus dem ersten Schiffchen zu einer Filmdicke von etwa 200 A wurde die Blende des ersten Schiffchens schrittweise geschlossen und die Blende des zweiten Schiffchens schrittweise geöffnet. Darüber hinaus wurde, als die Filmdicke etwa 300 A erreicht hatte, ebenfalls die Blende des dritten Schiffchens, das das Selenmaterial enthielt, langsam und schrittweise geöffnet. Die Blenden wurden derart geregelt, daß, wenn eine Filmdicke von etwa

is 400 A erreicht worden war, die Blenden des zweiten und dritten Schiffchens völlig geöffnet waren, während die Blende des ersten Schiffchens völlig geschlossen war. Dann waren die Verdampfungen vollständig. Das verdampfte Produkt aus dem zweiten Schiffchen enthielt nur etwa 12 Atomprozent Arsen.

Dadurch, daß die Oberfläche so hergestellt wurde, daß sie hauptsächlich Selen enthielt, wird erreicht, daß AszOj-rvrisiaüc nicht auftreten. Darüber hinaus kann durch Anwendung der beschriebenen Vorrichtung und Verfahrensweise bei Bedingungen, bei denen der Arsenanteil im Verhältnis zum Telluranteil in der Nachbarschaft der Oberfläche sehr klein ist, das Auftreten von As2Oj-Kristallen nach Aufzeichnung mit einem Laserstrahl noch weiter vermindert werden.

Man soll in der Nähe der Oberfläche nur die Menge Tellur erhöhen. Hierdurch bildet sich jedoch, wenn das Aufzeichnungselement längere Zeit aufgehoben wird, ein Oxidfilm von Tellur, der zusätzliche Aufzeichnung

verhindert Deshalb ist es besser, daß Selen in dem Film enthalten ist Weil Selen jedoch relativ anfällig gegenüber Hitze ist. wird daher, wenn es nur alleine vorkommt, ein Teil über einen tiefen Bereich von der

Filmoberfläche aus gebildet, der große Mengen Selen enthSit. Hierdurch tritt die Gefahr der Kristallisation des Filmes auf, die vermieden werden muß. Die Informationsaufzeichnung im wie beschrieben hergestellten Film wurde gemäß Fig.3 durchgeführt.

Während der Rotation der Glasplatte 21 mit hoher Geschwindigkeit (1800 U/min) wurde ein Aufzeichnungskopf 36 mit einem Halbleiterlaser nahe an die Platte mit einem festen Abstand gebracht; ein Laserstrahl 37 einer Wellenlänge von 8300 A mit einem Punktdurchmesser von 1,5 μΐη wurde verdichtet und durch eine Linse projiziert, die Bestandteil des Aufzeichnungskopfes war. Die Längen und Intervalle des pulsierenden Laserstrahls wurden entsprechend der aufzuzeichnenden Information moduliert Die Bereiche des aufgedampften

Films des Aufzeichnungselements, die mit dem Laserstrahl bestrahlt wurden, wurden mit elliptischen Vertiefungen mit kleineren Durchmessern von etwa 1,0 μπι durch Verdampfung der Materialien und/oder deren Bewegung zur Peripherie versehen, wodurch die Aufzeichnung erfolgte. Hinsichtlich der Rauschverminderung und des Ablesens eines akuraten Bildes besteht eine wesentliche Bedingung darin, daß die Konturen der Vertiefungen weich sind. Der Aufzeichnungskopf wurde entlang einer Linie parallel zu einer radialen Richtung der Platte

in Übereinstimmung mit der Rotation der Platte geführt.

Das Ablesen der Aufzeichnung wurde wie folgt durchgeführt Die Platte wurde mit 1800 U/min gedreht; hierbei wurde der Ablesekopf in einem festen Abstand dicht an der Platte gehalten. Ein Halbleiterlaserstrahl wurde verdichtet und mittels einer Linse projiziert, wobei die Intensitätsänderungen des reflektierten Lichtes mit einem Detektor bestimmt wurden.

Das Signalrauschverhältnis wurde wie folgt gemessen. Beim Rotieren der Platte mit 1800 U/min wurden pulsierende Trägersignale mit einer Pulsfolgefrequenz von 6 MHz und einer Pulsbreite von 65 ns zuvor mittels eines Halbleiterlaserstrahls (Wellenlänge 8300 A) mit einer Kraft von etwa 15 nW aufgezeichnet Die aufgezeichneten Signale wurden unter Verwendung der Intensitätswechsel eines reflektierten Strahls durch Verwendung des gleichen Halbleiterlaserstrahls abgelesen. Das gemessene Signalrauschverhältnis wurde in das Signaiso rauschverhältnis für Farbvideosignale umgewandelt.

Im vorragenden Fall wurde ein Signalrauschverhältnis von etwa 40 dB erhalten.

Die Verwendung von Aufzeichnungselementen gemäß der Erfindung erlaubt die Aufzeichnung eines Bildes, dessen Qualität sogar besser ist als die von Bildern, die in bekannten Magnetplatten und Magnetbändern aufgezeichnet wurden.

Der bevorzugte Dickenbereich des Aufzeichnungsfilms betrug 200 bis 1000 A.

F i g. 14 ist ein charakteristisches Diagramm, das die Veränderungen gegen die Zeit eines erfindungsgemäßen Aufzeichnungselements wiedergibt Die Kurve 61 gibt die Veränderung des Signalrauschverhältnisses in dem Fall wieder, in dem die Aufzeichnung und Ablesung durch Verwendung eines zuvor beschriebenen Aufzeichnungselements durchgeführt wurde. Kurve 62 zeigt die Veränderung des Signalrauschverhältnisses in dem Fall

an. in dem ein Aufzeichnungsfilm verwendet wurde, in dem zwei Schichten von arsenhaltigen Chalkogeniden geschichtet waren. Bei dem geschichteten Aufzeichnungsfilm war die Schicht auf der Oberflächenseite aus As (5 Atomprozent)-Selen (70 Atomprozent)-Tellur (25 Atomprozent) hergestellt während die Schicht auf der Substratseite aus As (20 Atomprozent)-Se!en (40 Atomprozent)-Tellur (40 Atomprozent) bestand Die Aufzeichnungsschichten wurden in einer Atmosphäre bei 60° C aufbewahrt Aus F i g. 14 geht hervor, daß der erfindungs-

gemäße Aufzeichnungsfilm besser ist. Es reicht zur Verlängerung der Lebensdauer nicht aus. daß lediglich die Arsenkonzentration der Oberflächenschicht niedrig ist: aber es ist wichtig, daß sich die Arsenkonzentration nichl abrupt ändert

Als Substrat kann das Glassubstrat durch ein Polymethylmethacrylatharzsubstrat einer Dicke von etwa 1 nur

ersetzt werden. Die Aufzeichnung und Ablesung kann durch Projektion von Licht von der Substratseite her erfolgen. Darüber hinaus ist es möglich, den Aufzeichnungsfilm derart gemäß Fig.4 zu schützen, daß der As-Te-Se-FiIm 1 mit einer organischen Substanz 3 beschichtet wird, die, wie PMMA. Polvinylalkohol und/oder Celluloseacetat Bindungswirkung haben, worauf eine Platte 4 aus einem organischen Harz, Glas, Metall oder ähnlichem klebt. Das Plattensubstrat ist mit 2 bezeichnet. Vorzugsweise beträgt die Dicke des auf As-Te-Se basierenden aufgedampften Films in diesem Fall von 50 bis 500 A.

Die Fig.5 bis 13 geben beispielhaft verschiedene Zusammensetzungsprofile innerhalb der erfindungsgemäßen dünnen Aufzeichnungsfilme wieder. Selbstverständlich ist die Erfindung nicht auf diese beschränkt. F i g. 5 ZfWt den Normalfall, bei dem Arsen linear in Richtung auf das Substrat zunimmt, während Selen linear abnimmt und Tellur wiederum linear zunimmt. Dieser Verteilungszustand ist wie gesagt am bevorzugsten. Natürlich kann für bestimmte Fälle Selen und Tellur gegeneinander vertauscht sein. Obwohl hinsichtlich Tellur nicht besonders darauf hingewiesen wurde, können Zusammensetzungen, in denen es mit Selen vertauscht ist, ebenso verwendet werden. Jedoch ist, wie ausgeführt, die Verteilung, bei der Selen mehr auf der Oberflächenseite des Aufzeichnungsfilms enthalten ist, vorteilhafter.

In Tabelle 1 werden Beispiele aufgeführt, bei denen Arsen veränderlich im Zusammensetzungsprofil gemäß F i g. 5 verteilt ist. Bei allen Beispielen werden gute Langzeiteigenschaften erzielt.

Tabelle 1 Proben Filmdicke Arseneehalt Nr. (A) Oberflächen- Gradient Durchschnitts

schicht (Atom-%/A) gehalt

(Atom-%) (Atom-%)

Selengehalt Oberflächen- Gradient schicht (Atom-%)

(Alom-%)

Tellur-Durchschnitts- gehalt gehalt (Atom-%)

1	1000	5	1 25
2	500	5	1 50
3	1000	15	1 100
4	500	5	1 15

25,0	50
10.0	50
20,0	50
21,5	50

1 25	30
1 12,5	30
1 25	30
1 12,5	30

Rest ²⁵

Rest

Rest

Rest

In F i g. 6 wird ein Beispiel wiedergegeben, bei dem im Zusammensetzungsprofil gemäß F i g. 5 die Selenverteilung sich bis in den Bereich des zentralen Teils des Aufzeichnungsfilms erstreckt. F i g. 7 zeigt ein Beispiel, bei dem die Verteilungskurve von Selen leicht gebogen ist. F i g. 8 zeigt ein Beispiel, bei dem die Arsenverteilung einen festen Wert im Bereich des zentralen Teils erreicht, wobei dieser feste Wert bis zum Bereich des Substrats beibehalten wird F i g. 9 zeigt sin Beispiel, in. dem die Seknverteilung im Bereich des zentralen Teils einen Minimumwert erreicht Fig. 10 zeigt ein Beispiel, bei dem zusätzlich Ge als anderes Element anwesend ist Ebenso kann zumindest ein weiteres Element als Ge, nämlich S, Tl, Sn. Pb, In und/oder Ta verwendet werden. Der Durchschnittsgehalt des zusätzlichen Elements oder der zusätzlichen Elemente sollte 2 bis 15 Atomprozent betragen. Ebenso können ein solches viertes Element oder solche Zusatzelemente zu den anderen beschriebenen Zusammensetzungen zugefügt werden. F i g. 11 zeigt daß, wenn die Selenverteilung ihr Maximum in der Nähe der Oberfläche besitzt eine solche erfindungsgemäße Platte ebenfalls verwendbar ist. F i g. 12 zeigt den Fall, bei dem die Selenverteilung auf den Bereich des zentralen Teils hin in Form einer leicht gekrümmt verlaufenden Kurve abnimmt F i g. 13 zeigt ein Beispiel, bei dem die Änderung der Arsenverteilung in Richtung der Filmdicke nicht gleichförmig ist Hierbei muß sich die Arsen verteilung in Richtung der Filmdicke nicht immer gleichförmig ändern.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

1. Patentansprüche:

   1 Aufzeichnungselement mit einem Substrat (2) und einem auf dem Substrat befindlichen dünnen Film (1), in dem zum Zweck der Informationsaufzeichnung Vertiefungen (6) ausgebildet werden, wobei der dünne Film aus einem anorganischer. Material besteht, das Arsen, Selen und Tellur enthält, dadurchgekennzeichnet daß die Konzentrationen von Selen bzw. Arsen innerhalb des Films (1) derart sind, daU

   a) in einer an die Filmoberfläche angrenzenden Schicht des Films die Selenkonzentration wenigstens

   b) die auf^eTganzenWm bezogene,durchschnittliche Konzentration des Selens nicht mehr als 40 Atom-

   c) die^rsenkonzentration in der an die Filmoberfläche angrenzenden Schicht des Films nicht mehr als

   15 Atomprozent beträgt und
   d) die auf den ganzen Film bezogene, durchschnittliche Konzentration des Arsens zwischen 5 und