DE3003955C2 - Signalverstärkerschaltung mit Ausgangsstrombegrenzung - Google Patents

Signalverstärkerschaltung mit Ausgangsstrombegrenzung

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DE3003955C2 DE3003955A DE3003955A DE3003955C2 DE 3003955 C2 DE3003955 C2 DE 3003955C2 DE 3003955 A DE3003955 A DE 3003955A DE 3003955 A DE3003955 A DE 3003955A DE 3003955 C2 DE3003955 C2 DE 3003955C2
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Description

Die Erfindung betrifft eine Signalverstärkerschaltung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Eine Signalverstärkerschaltung der genannten Art ist aus der DE-AS 22 38 348 bekannt Bei dieser Schaltung enthält die Eingangsschaltung zwei Transistoren in Differenzverstärkerkonfiguration, deren Kollektoren mit den Kollektoren zweier die Stromspiegelschaltung bildenden Transistoren verbunden sind. Die Eingangsschaltung steuert eine Zwischenstufe mit einem weiteren Transistor, dessen Kollektor mit einer Stromquelle und dessen Emitter über einen Emitterwiderstand mit der Spannungsquelle verbunden sind. An den Kollektor dieses Transistors ist die eigentliche Ausgangsverstärkerstufe angeschlossen. Eine Strombegrenzung für den Fall des Kurzschlusses der Ausgangsklemmen ist bei dieser bekannten Schaltung nicht vorgesehen. Der Emitterwiderstand des Transistors in der Zwischen- oder Kopplungsstuie dient nicht als Strommeßwiderstand.
F i g. 1 zeigt eine Ausführung einer Signalverstärkerschaltung mit Ausgangsstrombegrenzung für den Fall eines Kurzschlusses der Ausgangsklemmen. Die Signalverstärkerschaltung verwendet einen Differenzverstärker als Eingangsstufe mit einer Stromspiegelschaltung als Last. Dies bedeutet, daß die Eingangsstufe ein differenzielles Paar von npn-Transistoren Ql, Q2 besitzt, deren Emitter gemeinsam über eine Konstantstromquelle 15 an eine negative Stromversorgungsklemme 12 angeschlossen sind, sowie pnp-Transistoren Q 3 und Q 4, welche jeweils zwischen die Kollektoren aer Transistoren Ql, Q2 und eine positive Stromversorgungsklemme 11 geschaltet sind.
In der Stromspiegelschaltung ist der Kollektor des Transistors Q 3 mit dem Kollektor des Transistors Q1 und sein Emitter mit der positiven Stromversorgungsklemme 11 sowie seine Basis mit der Basis des Transistors Q 4 verbunden, während der Kollektor des Transistors Q 4 mit dem Kollektor des Transistors Q 2 und sein Emitter mit der positiven Stromversorpngskiemme 11 verbunden ist Der Transistor Q 4 ist als Diode geschaltet, d. h. daß sein Kollektor mit seiner Basis kurzgeschlossen ist.
In der Ausgangsstufe ist die Basis eines pnp-Ausgangstransistors Q 5 mit dem Kollektor des Transistors Q 3, sein Kollektor mit einer Ausgangsklemrne 17, die eine externe Klemme einer integrierten Schaltung sein kann,
und über eine Konstantstrornlast 16 mit der negativen Stromversorgungsklemme 12 verbunden, während sein Emitter Ober einen Schutzwiderstand 19 an die positive Stromversorgungsklemme 11 angeschaltet ist Eine Last 18, etwa ein Lautsprecher oder andere Schaltungen, ist zwischen die Ausgangsklemme 17 und Masse geschaltet Die Ausgangsklemme 17 ist mit der Basis des Transistors Q 2 über eine negative Rückkopplungsschaltung verbunden, welche aus Widerständen 20, 21 und einem Kondensator 22 besteht Die Basis des Transistors Q1 ist über einen Widerstand 14 mit Masse und ferner mit einer Signalquelle 13 verbunden.
Wird in der Signalverstärkungsschaltung die Ausgangsklemme 17 mit Masse kurzgeschlossen, dann fließt ein Kollektorstrom gegeben durch
Vcc Re
den Ausgangstransistor Q 5, wobei Re der Widerstandswert des Schutzwiderstandes 19 ist Ist der Widerstandswert Re des Schutzwiderstander. 19 groß, dann kann der Kollektorstrom des Transistors Q 5 während eines Kurzschlusses der Ausgangsklemme auf einen verhältnismäßig geringen Strom begrenzt werden, wodurch ein Durchbruch des Ausgangstransistors Q 5 infolge eines zu hohen Stromes verhindert wird.
Wird jedoch der Widerstandswert Re des Schutzwiderstandes 19 größer ausgelegt, dann wird die von der Ausgangsklemme 17 unter Normalbedingungen abgeleitete Spannung verringert. Das heißt daß die Ausnutzung der Versorgungsspannung reduziert wird. Die Ausgangsspannung VO ist gegeben durch
KO(MAX) = -^
Rl
Re+ Rl
J5
wobei Ä/den Widerstandswert der Last 18 bedeutet.
Will man eine größtmögliche Ausgangsspannung ohne Durchbruch des Ausgangstransistors erreichen, dann ist es erforderlich, einen Schutzwiderstand mit einem geringen Widerstandswert und einen großen und teuren Ausgangstransistor mit einem größeren Arbeitsstrom zu verwenden. Selbst in diesem Fall wird es schwierig, einen ausreichenden Schutzeffekt zu erzielen.
Um diesen Nachteil zu vemeiden, kann ein Schutztransistor Q6 in der in Fig. 1· gezeigten Weise vorgesehen werden. Dies ist äquivalent zu Strombegrenzungsvorrichtungen, welche in einem Ausgangsverstärker vorgesehen werden, der in F i g. 8 auf S. 258 der Zeitschrift IEEE Transaction on Broadcast and Television Receivers, November 1972, Band BTR-18, Nr. 4, gezeigt ist
Bei Verwendung des Schutztransistors O 6 dient der Widerstand 19 ate Strommeßwidersland zur Feststellung des Stromes durch den Ausgangstransistor Q 5. Der Widerstand 19 wird derart gewählt, daß beim Fließen eines zu begrenzenden großen Stromes durch den Ausgangstransistor Q 5 ein Spannungsabfall über dem Widerstand 19 auftritt, der den Schutztransistor Q 6 leitend macht. Wird der Schutztransistor Q 6 leitend, dann wird der Ausgangstransistor Q 5 durch Vorspannung gesperrt. Bei Verwendung des Schutztransistors Q 6 kann der Widerstand 19 einen kleinen Widerstandswert besitzen und auch der Ausgangstran- b5 sistor kann für einen geringen Strom ausgelegt sein.
Da jedoch der Kollektor des Transistors Q 6 mit einem Zweig hoher Impedanz verbunden ist, der vom Kollektor des Transistors O 3 zur Basis des Transistors
0 5 führt, besteht die Gefahr einer unerwünschten Schwingung infolge einer Streukapazität welche in dem Pfad zwischen Kollektor und Basis des Transistors Q 6 vorhanden ist Außerdem wird die Ausgangsstrom-Begrenzung infolge der Streukapazität nicht schnell genug durchgeführt
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Signalverstärkerschaltung mit Ausgangsstrombegrenzung zu schaffen, bei der die Versorgungsspannungs-Ausnutzung und die Ausgangsstrom-Begrenzungslunktion verbessert sind und ein Ausgangstransistor mit geringer Strombelastbarkeit verwendet werden kann, so daß sich eine große Ausgangsspannung ergibt welche annähernd gleich der Versorgungsspannung ist Die Signalverstärkerschaltung soll für eine integrierte Schaltung geeignet sein.
Die Erfindung ist durch die Merkmale des Anspruches
1 gekennzeichnet. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Fließt ein hoher, über einem gestimmten Wert liegender Strom durch die Ausgangstran-istorstufe, d. h. durch den Strommeßwiderstand, dann wird der Spannungsabfall am Strommeßwiderstand größer als die Summe der Emitter-Basis-Spannung des ersten Transistors und der Einschaltspannung der Schutzdiode. Hierdurch wird die Schutzdiode leitend und es fließt ein Strom durch sie. Dies bewirkt daß die Stromspiegellastschaltung einen negativen Rückkopplungsstrom an die Basis der Ausgangstransistorstufe abgibt wodurch der Kollektorstrom des Ausgangstransistors begrenzt wird.
Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. Es zeigt
F i g. 1 ein Schaltbild einer Signalverstärkerschaltung mit Ausgangsstrombegrenzung;
F i g. 2 ein Schaltbild einer Signalverstärkerschaltung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
Fig.3 eine abgewandelte Ausführungsfonn der Schaltung nach F i g. 2, welche als integrierte Schaltung geeignet ist; und
F i g. 4 eine Modifikation der Erfindung.
Ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist in F i g. 2 gezeigt wobei gleiche Bezugszsichen zur Bezeichnung gleicher Teile oder Elemente entsprechend denjenigen in der Schaltung gemäß F i g. 1 verwendet werden; der Einfachheit halber wird keine weitere Erläuterung derselben gegeben.
Wie aus F i g. 2 ersichtlich, ist gemäß der Erfindung eine Schutzdiode D zwischen den Kollektor des als Diode geschalteter Transistors Q 4 der Stromspiegelschaltung der Eingangsverstärkerstufe und dem Verbindungspunkt zwischen dam Emitter des Ausgangstransif tori QS und des Strommeßwiderstandes 19 geschaltet. Die Schutzdiode D wird leitend, wenn der Spannungsabfall am Stromineßwiderstand 19 größer als die Summe (etwa 1,4 V) der Emitter-Basis-Spannung Vbe'i des Transistors Q 3 und der Anlauf- bzw. Einschaltspannung Virder Diode D wird, so daß Strom durch letztere fließt Unter normalen Bedingungen ist der Spannungsabfall über dem Widerstand 19 verhältnismäßig klein, so daß die Diode D nichtleitend wird. Wird die Ausgangsklemme 17 mit Masse kurzgeschlossen, dann steigt der Kollektorstrom des Transistors Q 5 erheblich über denjenigen be· normalen Bedingungen, so daß ein Strom durch die Diode D fließt.
Fließt ein Strom durch die Schutzdiode D, dann steigt der Kollektorstrom /C3 des Transistors O 3 gemäß dem
Diodenstrom an. Da der Basisstrom Ir % des Ausgangstransistors 05 gleich ist dem Kollektorstrom /< ι des Transistors Q1 minus dem Kollektorstrom /, ) des Transistors 03, wird der Basisstrom des Ausgangstransistors 05 bei einem Anstieg von /, -. geringer. Hieraus ergibt sich, daß der Kollektorstrom /< τ des Ausgangstransistors begrenzt wird auf einen Wert unterhalb
Vbc3 + Vc I1 „hay, Re-
Dies bedeutet, daß beim Fließen eines Stromes durch den Ausgangstransistor 05· der größer als der Begrenzungsstrom ist. eine negative .Stromnickkopplung zur Basis des Transistors QI auftritt, die den Strom des Transistors Q5 auf einen Wert unterhalb des Begrenztingsstroms begrenzt.
Ist beispielsweise -f Vcc- + 10 V. - Wv= -K)1.. We= 100 Ohm und Vbe3+ W= 1.4 V, dann ergibt suh /, i.w.viHps Aiispanpstr;insisiors OS in der Sc h:iliunps anordnung gemäß F i g. 1 "line Verwendung cit.-s Schutztransistors Qf>a\s
Rc
100
während in der Schaltungsanordnung gemiiß Fig. 2
1.4
föö"
14 niA
Dies bedeutet, daß bei gleichem /?:■ >n rier erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung 'Kid ir· der Schaltungsanordnung gemäß Fig. 1 es n'TÜch ist. einen Ausgangstransistor zu verwenden, dessen ,S;roi", belastbarkeit wesentlich kleiner sein kann als derjor.jc bei der Schaltungsanordnung von F i g. I. Wird andere seits ein Ausgangstransistor mit der gleichen Str>.;rl·? lastbarkeit verwendet, dann ist es möglich. ■;>,■.:·■ Strommeßwiderstand mit einem wesentlich gering-:· ■. ι Widerstandswert zu verwenden, so daß Jic m.. ο v.c Ausgangsspannung erhöht werden kann.
Da die Schutzdiode D an die Basiselektroden der Transistoren Q3_und QA geschaltet ist, die eine ausreichend niedrige Impedanz besitzen, ist es möglii r.. unerwünschte Schwingungen zu vermeiden.
Die Schaltung gemäß der Erfindung nach F i g. 2 ist sehr gut als integrierte Schaltung geeignet. Dies bedeutet, daß die Stromspiegel I>;<nsistoren Q3. (^)4. der Transistor (Jl und die Schutzdiode D. welche als diodengeschalteter Transistor ausgebildet werden kann. Huf einem gemeinsamen Isolationsbereich ausgebildet werden können, wodurch die Chipgiöße verringert wird.
Fig 1 zeigt eine Schaltungsanordnung, welche als integrierte Schaltung noch geeigneter ist und bei der als Ausgangstransistorstufe eine invertierte Darlington-Schaltung, bestehend aus einem pnp-Transistor Q7 und einem npn-Transistor Q8, verwendet wird. Im einzelnen ist die Basis des Transistors 07 mit dem Kollektot des l'ransistors Q t, sein kollektor rm der Basis des Transistors Q% und sein Emitter mit dem Kollektor des I'r:msistors C'S verbunden, wählend der Kollektor des Transistors Q8 mit dem Strommeßwiderstand 19 und sein f'.mitter mit der Austrangsklemme 17 verbunden '.iiid. Kim.· derartige invertierte Darlington-Schaitur.E: w-'fiiii· ■!»."Γι! /'·. dem pnp-Ausgangstransistor Qr> der !■' . μ. 2 In der Darlinaton-Schaltunc entsprechen ilie l-t.isis des Transistors Ql der Basis des Transistors (λί, der f mitter des I'ransiMnrs C?8 de'n Kollektor des Transistors Q5 und der Hmitter des Transistors Ql und der Kollektor des Transistors Q8 dem Emitter des Transistors Q5. Der Emitter des Transistors ς)7 kann mit der positiven Stromversorgungsklemme Il verbunden sein, wie dies durch die gestrichelte Linie angezeigt wird, anstatt mil dem Kollektor des Transistors QS. Die S.ha!"ing nach F i g. 3 ist als integrierte Schaltung besonders geeignet, da die letzte Transistorstufe. durch v. eiche ein verhältnismäßig hoher Strom fließt, als ein npn-Transistor ausgebildet ist. der einfach in integrier-' .τ "iv naltung herstellbar ist.
In der ertirdungsgemäßen Schaltungsanordnung ist '. erMe VerstärkersUife nicht auf einen Differenzver- -!..■iker be.scht.irikt. sondern es kann auch ein andern ' c; starker vorgesehen sein, vorausgesetzt daß eine .v.mmspiegelschaltung als Last vorgesehen ist. Bei-■i'i-'lsweise kann die erste Verstärkerstufe gemäß : L' -4 Luig'.-Lv.ut sein. Dies bedeutet, daß der Kollektor J^s r-jn«is!',fi 03 rr.i; a-m Kollektor des Transistor .'." ι ·. .r iiiidcii ist, dessen Basis das Eingangssignal <.Mvifän£t und dessen Emitter über den Widerstand 23 geerdet ist. während der Kollektor des Transistors Q 4 ■iber eine Konstan;s!romqueile 24 an Masse liegt. Der Kollektor des Ausgangstransistors Q5 ist an den Emitter des Transistors 0 1 über einen Rückkopplungswiaerstand 25 angeschaltet.
: Bl.:n

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Signalverstärkerschaltung
mit einer Eingangsschaltung, enthaltend eine Strom-Spiegelschaltung aus einem ersten und einem zweiten Transistor eines ersten Leitfähigkeitstyps, deren Emitter mit einer Stromversorgungsklemme verbunden sind, deren Basiselektroden miteinander verbunden sind und von denen der Kollektor des zweiten Transistors mit dessen Basis verbunden ist; mit einer weiteren Transistorstufe, die einen ersten, einen zweiten und einen dritten Anschluß aufweist, welche dem Emitter, dem Kollektor bzw. der Basis eines Transistors des ersten Leitfähigkeitstyps entsprechen und von denen der dritte Anschluß mit dem Kollektor des ersten Transistors und der zweite Anschluß mit einer Ausgangsklemme verbunden ist; und
mit einem Widerstand, welcher zwischen den ersten Anschluß eier weiteren Transistorstufe und die Stromversorgungsklemme geschaltet ist; dadurch gekennzeichnet, daß die weitere Transistorstufe (QS; Q7, QS) die Ausgangstransistorstufe der Signalverstärkerschalhing ist und an die Ausgangsklemme (17) eine Last (18) anschließbar ist und
daß zwischen den Kollektor des zweiten Transistors (Q 4) und den ersten Anschluß der Ausgangstransistorstufe eine Diode (D) geschaltet ist und leitend wird, wenn der Spannungabfall an dem als Strommeßwiderstand dienenden Widerstand (19) größer als die Summt· aus d-r Emitter-Basis-Spannung des ersten Transistors (Q 3) und der Anlaufspannung der Diode (T^ wird. _
2. Signalverstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Eingangsschaltung ein Differenzverstärker ist
3. Signalverstärkerschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Eingang des Differenzverstärkers (Ql, Q2) der Signaleingang für das zu verstärkende Signal ist und daß der zweite Eingang des Differenzverstärkers mit der Ausgangsklemme (17) der Signalverstärkerschaltung über eine negative Rückkopplungsschaltung (20, 21, 22) verbunden ist
4. Signalverstärkerschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangstransistorstufe einen dritten Transistor (Q 7) des ersten Leitfähigkeitstyps und einen vierten Transistor (QS) eines zweiten Leitfähigkeitstyps enthält, wobei die Basis des dritten Transistors (QT) mit dem Kollektor des ersten Transistors (Q 3), sein Emitter mit dem Strommeßwiderstand (19) und sein Kollektor mit der Basis des vierten Transistors (QS) verbunden sind und wobei der Kollektor des vierten Transistors (QS) mit dem Strommeßwiderstand (19) und sein Emitter mit der Ausgangsklemme (17) der Signalverstärkerschaltung verbunden ist bo
5. Signälvefstlfkersehaltung nach einem der Ansprüche 1-3, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangstransistorstufe einen dritten Transistor (QT) des ersten Leitfähigkeitstyps und einen vierten Transistor (QS) eines zweiten Leitfähigkeitstyps enthält, wobei die Basis des dritten Transistors (Q 7) mit dem Kollektor des ersten Transistors (Q 3), sein Emitter mit der Stromversorgungiklemme (11) und sein Kollektor mit der Basis eines vierten Transistors (QB) verbunden sind und wobei der Kollektor des vierten Transistors (Q 8) mit dem Strommeßwiderstand (19) und sein Emitter mit der Ausgangsklemme (18) der Signalverstärkerschaltung verbunden sind. 6. Signalverstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Eingangsschaltung einen dritten und die Ausgangstransistorstufe einen vierten Transistor aufweisen, daß die Basis des dritten Transistors (Q 1) mit einer Eingangsklemme gekoppelt ist, der Kollektor des dritten Transistors (Q 1) mit dem Kollektor des ersten Transistors (Q 3) verbunden ist und der Emitter des dritten Transistors (Q 1) über einen Rückkopplungszweig (25,23) mit dem Kollektor des vierten Transistors (QS) verbunden ist, und daß der Kollektor des zweiten Transistors (Q 4) mit einer Konstantstromquelle (24) verbunden ist
DE3003955A 1979-02-05 1980-02-04 Signalverstärkerschaltung mit Ausgangsstrombegrenzung Expired DE3003955C2 (de)

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GB (1) GB2047493B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3833654A1 (de) * 1987-12-17 1989-07-06 Orsta Hydraulik Veb K Schaltungsanordnung zum schutz von transistoren

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4634995A (en) * 1982-01-28 1987-01-06 Hitachi, Ltd. Electronic circuitry utilizing an inerted Darlington amplifier output stage to be operable with a low supply voltage
US4533844A (en) * 1982-02-26 1985-08-06 Motorola, Inc. Peak storage amplifier
US4491803A (en) * 1982-11-26 1985-01-01 Tektronix, Inc. Current-limiting mechanism for a precision differential amplifier
JPS59103409A (ja) * 1982-12-03 1984-06-14 Toshiba Corp カレントミラ−回路
DE59810241D1 (de) * 1997-07-22 2004-01-08 Infineon Technologies Ag Verstärkerstufe mit konstanter Eingangsimpendanz
US5973563A (en) * 1997-12-10 1999-10-26 National Semiconductor Corporation High power output stage with temperature stable precisely controlled quiescent current and inherent short circuit protection
US6993960B2 (en) * 2002-12-26 2006-02-07 Woodward Governor Company Method and apparatus for detecting combustion instability in continuous combustion systems
US7096722B2 (en) * 2002-12-26 2006-08-29 Woodward Governor Company Method and apparatus for detecting combustion instability in continuous combustion systems
JP4568046B2 (ja) * 2004-07-13 2010-10-27 三洋電機株式会社 出力回路
US7164320B2 (en) * 2004-12-10 2007-01-16 Sigmatel, Inc. Current threshold circuit
US8416547B2 (en) * 2006-11-29 2013-04-09 National Semiconductor Corporation Short circuit protection with reduced offset voltage

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3760288A (en) * 1971-08-09 1973-09-18 Trw Inc Operational amplifier
US4023111A (en) * 1976-06-03 1977-05-10 National Semiconductor Corporation Current limiting driver circuit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3833654A1 (de) * 1987-12-17 1989-07-06 Orsta Hydraulik Veb K Schaltungsanordnung zum schutz von transistoren

Also Published As

Publication number Publication date
DE3003955A1 (de) 1980-08-07
US4410859A (en) 1983-10-18
GB2047493A (en) 1980-11-26
GB2047493B (en) 1983-04-20
JPS55104109A (en) 1980-08-09

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