DE3001389A1 - Schaltungsanordnung in integrierter schaltungstechnik mit feldeffekttransistoren - Google Patents
Schaltungsanordnung in integrierter schaltungstechnik mit feldeffekttransistorenInfo
- Publication number
- DE3001389A1 DE3001389A1 DE19803001389 DE3001389A DE3001389A1 DE 3001389 A1 DE3001389 A1 DE 3001389A1 DE 19803001389 DE19803001389 DE 19803001389 DE 3001389 A DE3001389 A DE 3001389A DE 3001389 A1 DE3001389 A1 DE 3001389A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- circuit
- flip
- transistors
- flop
- circuit arrangement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title claims description 13
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 9
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
- H03K19/094—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
- H03K19/096—Synchronous circuits, i.e. using clock signals
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/01—Modifications for accelerating switching
- H03K19/017—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Description
PHILIPS PATENTVERWALTUIiG GASH PHD 80-005
Schaltungsanordnung in integrierter Schaltungstechnik mit Feldeffekttransistoren
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung in integrierter Schaltungstechnik mit Feldeffekttransistoren
in NMOS-Technologie mit einer von D-Flip-Flops angesteuerten
und in sogenannter Interlace-Technik aufgebauten, verschiedene Stränge aufweisenden Matrix, bei der das Potential
eines Schaltungspunktes am Eingang des.D-Flip-Flops zur weiteren Verarbeitung um eine Taktperiode verzögert
durch das betreffende D-Flip-Flop weitergeschaltet wird und zur richtigen Erkennbarkeit der Information das Potential
dieses Shaltungspunktes, also logisch Eins oder Null, durch eine Aufladung und eine Entladung bestimmt wird.
Eine derartige Schaltungsanordnung ist aus den ICs der
Typen SAB 3022B, SAB 3032D usw. der Anmelderin bekannt.
Dabei wurde für eine NMOS-Schaltung in sogenannter dynamischer
Zweiphasentechnik folgende Schaltungsanordnung verwendet :
Ein sogenanntes D-Flip-Flop, das von den nicht sich zeitlich überlappenden Takten <[)1 und §2 getaktet wurde, übertrug
den Pegel eines Schaltungsknotens D, d.h. logisch Eins oder Null, innerhalb des D-Flip-Flops über sogenannte
Transmissions-Feldeffekttransistoren mit einer Verzögerung um einen Takt auf einen Ausgang Q bzw. QN. Dabei war der
Pegel des Schaltungsknotens D insofern kritisch, weil dieser Schaltungspunkt zur sicheren Weitergabe der Information
dann, wenn die Information ei-ntraf, ein bestimmtes Potential annehmen mußte, also z.B. logisch Eins, d.h. z.B.
mußte er dann auf einer Spannung von vier Volt stehen, oder logisch Null, d.h., er mußte dann sich auf dem Potential
des Bezugspotentials befinden, also z.B. auf Masse. Es wurde festgestellt, daß in·der normalen Auslegung eines
130030/0313
<2 3, PHD 80-005
D-Flip-Flops an diesem Schaltungspunkt Schwierigkeiten dadurch auftraten, daß sowohl die Aufladung zu langsam
erfolgte als auch die Entladung, weil nämlich zahlreiche Schaltungsstränge mit angeschlossen waren, die sowohl auf
als auch entladen werden mußten.
Die Aufgabe der Erfindung bestand darin, eine Schaltungsanordnung
anzugeben, mit der es möglich war, die Verarbeitungsgeschwindigkeit einer Information zu erhöhen, d.h.
auch mit schnelleren Takten arbeiten zu können.
Zur Lösung dieser Aufgabe werden bei einer Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art nach der Erfindung für
jeden Strang ein Aufladetransistor angeordnet, und zur
Trennung der einzelnen Stränge voneinander ist je Strang ein als UND-Gatter geschalteter Transistor angeordnet,
dessen Gateanschlüsse jeweils am Strang liegen und dessen Source- und Drainanschlüsse in Reihe zwischen dem gemeinsamen
Bezugspunkt und dem Eingang des jeweiligen D-Flip-Flops angeordnet sind.
Der Vorteil der Schaltungsanordnung nach der Erfindung besteht
darin, daß gegenüber einer bisher üblichen Taktfrequenz von 50 kHz nunmehr mit Taktfrequenzen von 500 kHz
gearbeitet werden kann, d.h. die Schaltungsanordnung arbeitet zehnmal schneller. Die Entladezeiten waren bisher
z.B. 20 /usec, während sie nunmehr bei Einsatz der Erfindung 2 /usec betragen.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben.
Die Zeichnung zeigt also eine Schaltungsanordnung in integrierter Schaltungstechnik mit Feldeffekttransistoren in
sogenannter NMOS-Technologie. Es gibt also Transistoren
vom sogenannten Anreieherungstyp, wie die Transistoren T13,
130030/0313
y μ PHD 80-005
T14 und T15» und Transistoren vom sogenannten Verarmungstyp,
das sind die Transistoren T1 , TJ5, T5 und T8.
Die Schaltungsanordnung arbeitet an einer Betriebsspannung. Diese ist mit UB bezeichnet und beträgt z.B. +5 V. Es gibt
ein gemeinsames Massepotential, das in der Zeichnung in bekannter Weise mit dem Massepotentialzeichen bezeichnet
wurde.
"10 Zwei Takte steuern die Schaltungsanordnung. Diese beiden Takte sind mit (j)1 und lj)2 bezeichnet. Sie liegen an den
entsprechend beschrifteten Leitungen. Diese Takte schalten von logisch Null auf logisch Eins, wobei logisch Eins z.B.
an einem betreffenden Schaltungspunkt dann eine Spannung von +4 V ist.
Die Schaltungsanordnung besteht im wesentlichen aus drei Teilen, und zwar ein Teil ist das abgewandelte bisher
übliche D-Flip-Flop, bestehend aus den Transistoren T2 bis einschließlich T9. Der mit D bezeichnete Schaltungspunkt
war bisher kritisch, weil er nämlich zur Übernahme einer Information aus der sogenannten Matrix schnell auf- und
wieder entladen werden muß, wobei der Takt (j)2 der Aufladetakt
ist und der Takt ψ\ der Entladetakt, daher die Bezeichnung
dynamische Zweiphasentechnik für eine Arbeitsweise einer derartigen Schaltungsanordnung.
Der zweite Teil besteht aus der sogenannten Matrix, die aus einer großen Violzahl von Strängen besteht. In den
Strängen sind nur die am Takt (]J1 liegenden Transistoren
mit TA, TB, TC bezeichnet. Es gibt also zu jedem Flip-Flop zugeordnet zahlreiche derartiger Stränge, wie an sich bekannt.
In den Strängen liegen ebenfalls Feldeffekttransistoren vom unterschiedlichen Leitungsfähigkeitstyp und
an den Eingängen dieser Transistoren, also an dessen Gates, liegt die Information, also an den Klemmen, die mit A1, Α2,
13 0030/03 13
/f 5 pHD 80-005
A3, B1, B2, B3, C1, C2, C3 usw. bezeichnet sind. Die Information,
die sich durch Verknüpfung eines D-Flip-Flops mit einer derartigen Matrix ergibt, erscheint an den Ausgängen
Q bzw.QN des D-Flip-Flops und wird von diesen an den
nächsten D-Flip-Flop bzw. direkt an den Ausgang weitergeleitet.
Wie oben bereits genannt, geht es darum, den Schaltungspunkt D schnell auf- und schnell wieder zu entladen, damit
eine höhere Taktfrequenz verwendet werden kann, und dazu sind nun nach der Erfindung bei einer Matrix" mit drei
Strängen sieben zusätzliche Transistoren eingeschaltet, die den dritten Teil der Schaltungsanordnung ausmachen.
Diese Transistoren sind auf der Eingangsseite die Transistoren T10, T11 und T12, sie liegen am Takt $2, und wenn
(])2 auf logisch Eins steht, werden die Schaltungspunkte DA, DB, DC aufgeladen. Gleichzeitig sind weitere zusätzliche
Transistoren T1, T13, T14 und T15 angeordnet, die gegenüber der bisher intern bekannten Schaltungsanordnung eine
Trennung zwischen den einzelnen Strängen schaffen. Ist z.B. eine Information vom Strang A zu übertragen, dann muß der
Schaltungspunkt DA schnell auf- bzw. entladen werden, und da bisher diese Stränge A, B und C alle gemeinsam am
Schaltungspunkt D lagen, mußte bisher nicht nur der Strang A, sondern es mußten auch die parallel dazu liegenden
Stränge mit entladen bzw.. aufgeladen werden, was eine erhebliche Zeit in Anspruch nahm. Zu diesem Zweck sind nun diese
Transistoren T1, T13, T14 und T15 eingeschaltet, wodurch
es möglich wird, nur den Punkt TA bzw. TB bzw. TC zu entladen. Das geht viel schneller, denn nur die eine Kapazität
des einen Stranges A, B oder C ist jetzt wirksam, und auch die Aufladung.geht schneller, weil nämlich nur die
Kapazitäten innerhalb des einen Stranges schneller aufladbar sind.
130030/0313
% io PHD 80-005
Weiterhin war bisher nur ein gemeinsamer Aufladetransistor
für alle Stränge, die einem Flip-Flop zugeordnet waren, vorhanden, d.h. z.B. der Transistor T10, und es gab nicht
die Transistoren T11 und T12, es gab auch nicht die Transistoren
T13, T14 und T15, sondern der Punkt DA war mit den
Punkten DB und DC unmittelbar verbunden und war auch gleich dem Punkt D, und damit das D-Flip-Flop richtig arbeitete,
war zwischen dem Schaltungspunkt D und dem Takteingang für den Takt $1 ein als Kapazität geschalteter Transistor angeordnet,
der auch noch die Taktleitung belastete.
Diese Nachteile fallen jetzt fort.
Die Wirkungsweise einer derartigen NMOS-Schaltung in sogenanrter
dynamischer Zweiphasentechnik ist also die folgende:
Ein D-Flip-Flop, das von den sich zeitlich nicht überlappenden Takten <])1 und <j)2 getaktet wird, überträgt das
Potential des Knotens D, also logisch Eins oder logisch Null, über die sogenannten Transmissions-Transistoren T2
und T7 verzögert um eine Taktperiode T auf den Ausgang Q bzw. den invertierten Ausgang QN. Das Potential des
Knotens D ergibt sich in der Schaltungsanordnung nach der Erfindung aufgrund der Potentiale der Schaltungsknoten DA,
DB, DC für die einzelnen Stränge. Bisher wurde während der Aufladephase, also wenn der Takt (j)1 logisch Eins war, der
Knoten D, d.h. die Summe der dort wirksam werdenden Kapazitäten über einen Transistor vom Anreicherungstyp, also
den Transistor T10, auf eine Spannung von 4 V aufgeladen.
Es mußten also alle benachbarten Stränge mit aufgeladen werden. Nach der Erfindung ist das nicht mehr erforderlich.
Da die einzelnen Stränge voneinander getrennt sind, müssen nur noch die Kapazitäten in dem jeweils zugeordneten Strang
aufgeladen werden. Durch die Art der Verknüpfung bzw. der gewünschten Information stellen sich die Signale an den
Gates der in Serie liegenden Transistoren in den einzelnen
13 0030/0313
fir- 1 PHD 80-005
Strängen der Matrix, nämlich an den Punkten A1, A2, A3 usw.
sowie B1, B2, BjS "bzw. C1, C2, C3 usw., die von den Ausgängen
Q "bzw. QN gleichartiger D-Flip-Flops stammen können,
auf'ihre Pegel, nämlich Null oder Eins, ein. Die in der
Zeichnung gezeigte Ausführung für die Stränge A, B und C ist eine sogenannte kombinatorische Beschaltung, und sie
wird je nach der zu. verwirklichenden Verknüpfungsart bzw.
nach der gewünschten Funktion unterschiedlich aufgebaut, daher ist die in der Zeichnung dargestellte Art eine beispielsweise.
In NMOS-Technologie ist bei einer derartigen Matrix die Anordnung sehr platzsparend zu verwirklichen.
Die Anzahl der parallelen Stränge sowie die Anzahl und der Typ der einzelnen verwendeten Transistoren, also Anreieherungs-
oder Verarmungstyp, der in einem Strang in Serie geschalteten
Transistoren hängt also von der gewünschten zu verknüpfenden Funktion ab.
Während der Abfragephase, also wenn der Takt (JJ1 auf logisch
Eins steht, werden die Stränge A, B und C über die Transistoren
TA, TB und TC zum gemeinsamen Bezugspunkt, also meistens 0 V, durchgeschaltet, so daß sich die Stränge entladen,
vorausgesetzt, daß alle Transistoren eines Stranges leitend sind. Leitend sind alle Transistoren vom Verarmungstyp unabhängig von dem am Gate anliegenden Pegel, während
die Transistoren vom Anreicherungstyp nur dann leitend sind, wenn an deren Gate der Pegel mit logisch Eins anliegt. Zum
Aufladen des Schaltungsknotens D genügt es nach der Erfindung, daß nur einer der Stränge ganz durchschaltet, um
die Ladung des betreffenden Stranges zum gemeinsamen Bezugspunkt hin abzuleiten. Gleichzeitig während der Abfragephase,
also wenn der Takt §1 auf logisch Eins steht, schaltet der Transistor T2 durch, wobei bei der bisher bekannten, also
im internen Stand der Technik bekannten Schaltungsanordnung ein Transistor als Kondensator geschaltet war, um eine Anhebung
des Potentials am Knoten D zu bewirken, und zwar um den Ladungsabfluß zum Gate des Transistors T4 hin auszu-
130030/0313
f n PHD 80-005
gleichen. Es wurde festgestellt, daß die höchste mögliche Taktfrequenz einer derart aufgebauten Schaltung, also einer
sogenannten dynamischen Logikschaltung, somit unmittelbar von den für die Auf- und Entladung der in der Schaltung befindlichen
Kapazitäten abhängt. Besonders kritisch war die Entladung des Schaltungspunktes D bzw. des Gates des Transistors
Τ4, wenn im sogenannten kombinatorischen Teil, also in der Matrix, sehr viele parallele Stränge am Schaltungsknoten
D hängen, von denen jedoch nur einer für die augenblickliche Funktion durchschalten mußte, während von den
anderen nur die Kapazitäten sich störend und '-damit zeitlich verzögernd auswirken. Dies ist z.B. dann der Fall, wenn nur
der Strang A Signale an den Punkten A1, A2 und A3 auf logisch Eins hat und die Signale an den Gates bei B3 und C3
jedoch beide auf Null liegen. In diesem Fall können während des Taktes (|i auf logisch Eins die Ladungen in den Strängen
B und C nicht über TB und TC nach Masse, also zum gemeinsamen
Bezugspunkt, hin abfließen, sondern müssen mit über den Strang A abgeführt werden, wodurch die Ladezeit sich
erheblich verlängerte. Ungünstig wirkte sich weiterhin die durch den oben genannten Transistor gebildete Kapazität aus,
da sie die Taktleitung <JJ1 belastete und außerdem auch noch
mit entladen werden mußte.
Die Schaltungsanordnung nach der Erfindung schafft nun hier eine erhebliche Erhöhung der Geschwindigkeit, denn die
Stränge A, B und C und evtl. weitere werden jetzt, wie oben bereits erwähnt, über zusätzliche Transistoren T10, T11 und
T12 und evtl. weitere, je nach Anzahl de^Stränge, während
der Aufladephase, also wenn der Takt J)2 auf logisch Eins
steht, aufgeladen. Dadurch schalten die Transistoren vom Anreicherungstyp T13, T14 und T15 und evtl. weitere, ebenfalls
wieder je nach Anzahl der Stränge, ein und ziehen den Schaltungsknoten D auf das Potential Null.
V30030/0313
8- 0} PHD 80-005
Während der Abfragephase, also wenn der Takt ^1 auf logisch
Eins steht, werden alle Stränge über die Transistoren TA, TB, TC usw. an Masse gelegt. Wenn jetzt die Gates der in
einem Strang liegenden Anreicherungstransistoren, z.B. die Gates A1, A2, A3, alle auf dem Pegel logisch Eins liegen,
dann tritt eine vollständige Entladung nur dieses einen Stranges ein. Im Unterschied zu der intern bekannten Schaltungsanordnung
müssen jetzt keine Ladungen mehr aus den Parallelsträngen BC usw. abgeführt werden, wodurch sich die
Geschwindigkeit bei der Abfragephase erheblich steigert, d.h. mit dem Endeffekt, daß erheblich höhere ,'"also z.B. wie
oben-angegeben, zehnmal so große bzw. höhere Taktgeschwindigkeiten
verwendet werden können.
Durch die vollständige Entladung nur eines Stranges geht
nun auch das angeschlossene Gate des betreffenden Transistors, nämlich T13 bzw. T14 bzw. T15, auf den Nullpegel, so
daß der jeweilige Transistor T13, T14, T15 gesperrt und infolgedessen
der Transistor T1 den Knoten auf das Potential logisch Eins aufladen kann, und zwar mit erhöhter Geschwindigkeit.
Da in der Abfragephase, also während der Takt (fJ1
auf logisch Eins steht, der Transistor T2 durchgeschaltet ist, stellt sich auch am Gate des Transistors T4 der am
Schaltungsknoten D vorhandene Pegel ein, wo er auch erhalten bleibt, wenn am Ende der Abfragephase d?r Transistor T2
wieder sperrt.
Die anderen Transistoren T3, T5, T6, T8, T9 und T7 sind in einer Schaltungsanordnung geschaltet, wie sie bisher von
D-Flip-Flops üblich und auch bekannt sein dürfte. Zu beachten ist nur, daß durch den Einsatz der Erfindung, d.h.
durch den Einsatz der Transistoren T13, T14 und T15, verbunden
mit T1 als Ladetransistor, das Ausgangssignal bei Q
bzw. QN gegenüber der bisher intern bekannten Anordnung logisch invertiert ist, weil ein Inverter mehr im Signalweg
angeordnet ist.
13 0030/0313
? AQ PHD 80-005
Zusammenfassend ergeben sich also folgende Vorteile: Eine Schaltungsanordnung, wie intern bekannt, arbeitete zu
langsam, und zwar deswegen, weil bei der Umschaltung eines Schaltungspunktes vom Potential logisch Eins auf logisch
Null zu viel Zeit dadurch verloren ging, daß in den benachbarten Strängen die Kapazitäten sämtlichst mit entladen
werden mußten und auch dann wieder aufgeladen werden mußten, obgleich in der Verknüpfungsschaltungsanordnung, die an
diesem Schaltungspunkt angeschlossen war, nur jeweils ein Strang durchschaltete. Diese Zeitverzögerungen konnten dadurch
aufgehoben weicen, indem sowohl im Aufla'dekreis als
auch im Entladekreis eine Trennung der einzelnen Stränge der Verknüpfungsschaltungsanordnung mit dem Eingangsschaltungspunkt
des zugeordneten D-Flip-Flops vorgenommen wurde.
Kürzere Entlade- und damit Abfragezeiten sind also dadurch möglich, daß nur ein Strang durchgeschaltet wird und die
Kapazitäten nur dieses einen Stranges entladen werden müssen, nicht die Kapazitäten der benachbarten Stränge. Da für die
erneute Aufladung auch nur die vorher entladenen Stränge jeweils aufgeladen werden mußten, trat eine Verringerung
des Ladestromes ein und damit eine geringere Belastung der Batteriespannung UB. Weiterhin entfällt bei der Schaltungsanordnung
nach der Erfindung der bisher in D-Flip-Flops üblicherweise eingeschaltete und nur als Kondensator wirksame
Feldeffekttransistor. Dieser muß nicht mehr mit auf- und entladen werden, wodurch sich ein erheblicher Zeitgewinn,
insbesondere bei der Aufladung,-,ergibt. Weiterhin war
der Fortfall dieses als Kapazität geschalteten Transistors deswegen interessant, weil nämlich eine geringere kapazitive
Belastung auf der Taktleitung für den Takt $1 auftritt.
130030/0313
Claims (1)
- >e PHD 80-005PATENTANSPRUCH:Schaltungsanordnung in integrierter Schaltungstechnik mit Feldeffekttrara. stören in NMOS-Technologie mit einer von D-Flip-Flops angesteuerten und in sogenannter Interlace-Technik aufgebauten, verschiedene Stränge aufweisenden Matrix, bei der das Potential eines Schaltungspunktes am Eingang des D-Flip-Flops zur weiteren Verarbeitung um eine Taktperiode verzögert durch das betreffende D-Flip-Flop weitergeschaltet wird und zur richtigen Erkennbarkeit der Information das Potential dieses Schaltungspunktes, also logisch Eins oder Null, durch eine Aufladung und eine Entladung bestimmt wird, dadurch gekennzeichnet, daß für jeden Strang (A, B, C) ein Aufladetransistor (TH", T12, T13) angeordnet ist und zur Trennung der einzelnen Stränge (A, B, C) voneinander je Strang (A, B, C) ein als UND-NICHT-Gatter geschalteter Transistor (Tl 5, T16, T17) angeordnet ist, dessen Gateanschlüsse jeweils am Strang (A, B, C) liegen, und dessen Source- und Drainanschlüsse in Reihe zwischen dem gemeinsamen Bezugspunkt (Vco) und dem Eingang (D) des jeweiligen D-Flip-Flops angeordnet sind.130050/0313
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19803001389 DE3001389A1 (de) | 1980-01-16 | 1980-01-16 | Schaltungsanordnung in integrierter schaltungstechnik mit feldeffekttransistoren |
US06/223,198 US4415819A (en) | 1980-01-16 | 1981-01-08 | Dynamic MOS-logic in interlace-techniques |
DE19813100308 DE3100308C2 (de) | 1980-01-16 | 1981-01-08 | Verknüpfungsschaltung in 2-Phasen-MOS-Technik |
GB8100819A GB2069271B (en) | 1980-01-16 | 1981-01-12 | Dynamic mos-logic in interlace-technique |
IT19107/81A IT1135013B (it) | 1980-01-16 | 1981-01-13 | Complesso circuitale logico a mos,di tipo dinamico,in accordo con la tecnica ad interlacciamento |
JP370981A JPS56106428A (en) | 1980-01-16 | 1981-01-13 | Integrated digital circuit |
AU66196/81A AU538856B2 (en) | 1980-01-16 | 1981-01-14 | Dynamic mosfet ligic circuit |
FR8100794A FR2473815A1 (fr) | 1980-01-16 | 1981-01-16 | Perfectionnement a un circuit logique mos dynamique realise en technique d'entrelacement |
SG424/84A SG42484G (en) | 1980-01-16 | 1984-06-09 | Improvement to dynamic moslogic in interlace-technique |
HK753/84A HK75384A (en) | 1980-01-16 | 1984-10-04 | Improvement to dynamic mos-logic in interlacetechnique |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19803001389 DE3001389A1 (de) | 1980-01-16 | 1980-01-16 | Schaltungsanordnung in integrierter schaltungstechnik mit feldeffekttransistoren |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3001389A1 true DE3001389A1 (de) | 1981-07-23 |
Family
ID=6092176
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19803001389 Withdrawn DE3001389A1 (de) | 1980-01-16 | 1980-01-16 | Schaltungsanordnung in integrierter schaltungstechnik mit feldeffekttransistoren |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4415819A (de) |
JP (1) | JPS56106428A (de) |
AU (1) | AU538856B2 (de) |
DE (1) | DE3001389A1 (de) |
FR (1) | FR2473815A1 (de) |
GB (1) | GB2069271B (de) |
HK (1) | HK75384A (de) |
IT (1) | IT1135013B (de) |
SG (1) | SG42484G (de) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3047222A1 (de) * | 1980-12-15 | 1982-07-15 | Naamloze Vennootschap Philips' Gloeilampenfabrieken, 5621 Eindhoven | Verknuepfungsschaltung in 2-phasen-mos-technik |
US4496851A (en) * | 1982-03-01 | 1985-01-29 | Texas Instruments Incorporated | Dynamic metal oxide semiconductor field effect transistor clocking circuit |
GB2120029B (en) * | 1982-05-12 | 1985-10-23 | Philips Electronic Associated | Dynamic two-phase circuit arrangement |
CA1257343A (en) * | 1986-07-02 | 1989-07-11 | Robert C. Rose | Self-timed programmable logic array with pre-charge circuit |
US5208489A (en) * | 1986-09-03 | 1993-05-04 | Texas Instruments Incorporated | Multiple compound domino logic circuit |
US5015882A (en) * | 1986-09-03 | 1991-05-14 | Texas Instruments Incorporated | Compound domino CMOS circuit |
JPS63228494A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-22 | Fujitsu Ltd | ダイナミツク型デコ−ダ回路 |
JPS6482819A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Toshiba Corp | Programmable logic array |
US4851714A (en) * | 1987-12-11 | 1989-07-25 | American Telephone And Telgraph Company, At&T Bell Laboratories | Multiple output field effect transistor logic |
US5262687A (en) * | 1992-03-09 | 1993-11-16 | Zilog, Inc. | Decoder circuit with bypass circuitry and reduced input capacitance for greater speed |
US6201425B1 (en) | 1999-01-25 | 2001-03-13 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for reducing charge sharing and the bipolar effect in stacked SOI circuits |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3573487A (en) * | 1969-03-05 | 1971-04-06 | North American Rockwell | High speed multiphase gate |
JPS48101846A (de) * | 1972-04-03 | 1973-12-21 | ||
JPS4942414A (de) * | 1972-08-28 | 1974-04-22 | ||
JPS568666B2 (de) * | 1974-06-26 | 1981-02-25 | ||
US3982138A (en) * | 1974-10-09 | 1976-09-21 | Rockwell International Corporation | High speed-low cost, clock controlled CMOS logic implementation |
US4107548A (en) * | 1976-03-05 | 1978-08-15 | Hitachi, Ltd. | Ratioless type MIS logic circuit |
US4123669A (en) * | 1977-09-08 | 1978-10-31 | International Business Machines Corporation | Logical OR circuit for programmed logic arrays |
-
1980
- 1980-01-16 DE DE19803001389 patent/DE3001389A1/de not_active Withdrawn
-
1981
- 1981-01-08 US US06/223,198 patent/US4415819A/en not_active Expired - Fee Related
- 1981-01-12 GB GB8100819A patent/GB2069271B/en not_active Expired
- 1981-01-13 JP JP370981A patent/JPS56106428A/ja active Pending
- 1981-01-13 IT IT19107/81A patent/IT1135013B/it active
- 1981-01-14 AU AU66196/81A patent/AU538856B2/en not_active Ceased
- 1981-01-16 FR FR8100794A patent/FR2473815A1/fr active Granted
-
1984
- 1984-06-09 SG SG424/84A patent/SG42484G/en unknown
- 1984-10-04 HK HK753/84A patent/HK75384A/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU6619681A (en) | 1982-04-22 |
JPS56106428A (en) | 1981-08-24 |
IT1135013B (it) | 1986-08-20 |
IT8119107A0 (it) | 1981-01-13 |
GB2069271A (en) | 1981-08-19 |
FR2473815B1 (de) | 1984-04-27 |
FR2473815A1 (fr) | 1981-07-17 |
SG42484G (en) | 1985-02-08 |
AU538856B2 (en) | 1984-08-30 |
HK75384A (en) | 1984-10-12 |
US4415819A (en) | 1983-11-15 |
GB2069271B (en) | 1984-02-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3050199C2 (de) | Logikschaltung | |
DE2544974B2 (de) | Schaltkreis zur Realisierung logischer Funktionen | |
DE2707451C2 (de) | Paralleladdierwerk mit durchlaufendem Übertrag zum Addieren von wenigstens zwei aus mehreren Bits bestehenden Summanden | |
EP0633662B1 (de) | Schaltungsanordnung für einen Ringoszillator | |
EP0262412A1 (de) | Lastangepasster Taktgenerator in CMOS-Schaltungen | |
DE3001389A1 (de) | Schaltungsanordnung in integrierter schaltungstechnik mit feldeffekttransistoren | |
DE1462855B2 (de) | Mit Feldeffekttransistoren aufgebautes, im Mehrphasentakt betriebenes, binär arbeitendes Verknüpfungsglied mit kapazitiver Last | |
EP0639309B1 (de) | Asynchrone logikschaltung für den 2-phasen-betrieb | |
DE69109888T2 (de) | Taktfrequenzverdoppler. | |
DE1953975B2 (de) | Hochgeschwindigkeits-Mehrphasengatter | |
DE60201778T2 (de) | Spannungskomparatorschaltung | |
DE69030575T2 (de) | Integrierte Halbleiterschaltung mit einem Detektor | |
DE19949144C1 (de) | Digitale Treiberschaltung | |
DE68922506T2 (de) | Frequenzteilerschaltung. | |
DE69126832T2 (de) | BiCMOS logische Schaltung | |
DE2833211C2 (de) | Asynchroner binärer Vorwärts-Rückwärtszähler | |
DE2929148C2 (de) | Flankengetriggertes Flipflop | |
DE2165160C2 (de) | CMOS-Schaltung als exklusives ODER-Glied | |
DE2544434A1 (de) | Integrierte schaltung in dynamischer cmos-technik | |
DE2052519C3 (de) | Logische Schaltung | |
DE2853517A1 (de) | Vielstufige logikschaltung | |
DE69018343T2 (de) | Präzisionszeitschaltung. | |
DE69303086T2 (de) | Phasen- und Frequenzkomparator | |
DE69006033T2 (de) | Schnelle dynamische cmos-schaltung. | |
DE69120218T2 (de) | Frequenzteilerschaltung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8143 | Lapsed due to claiming internal priority |