DE29824631U1 - Matrix für einen Magneto-Random-Access Memory (MRAM) - Google Patents
Matrix für einen Magneto-Random-Access Memory (MRAM)Info
- Publication number
- DE29824631U1 DE29824631U1 DE29824631U DE29824631U DE29824631U1 DE 29824631 U1 DE29824631 U1 DE 29824631U1 DE 29824631 U DE29824631 U DE 29824631U DE 29824631 U DE29824631 U DE 29824631U DE 29824631 U1 DE29824631 U1 DE 29824631U1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- power supply
- supply line
- matrix
- supply lines
- components
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims description 23
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1675—Writing or programming circuits or methods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Matrix für einen Magneto-Random-Access Memory (MRAM) oder dgl. zur Steuerung von Bauelementen, mit einer ersten Stromzuleitung und einer zweiten Stromzuleitung, die sich an einem Bauelement überschneiden.
Eine solche Matrix wird im allgemeinen Stand der Technik erörtert und ist in Fig. 2 dargestellt.
Magneto-Random-Access Memorys (MRAMs) sollen als Alternative zu den bisherigen Dynamik-Random-Access Memorys (DRAMs) eingesetzt werden. Dabei werden die Eigenschaften der MRAMs basierend auf dem Giant Magneto Resistance (GMR)- bzw. Tunneling Magneto Resistance (TMR)- Effekt berücksichtigt. Grundlegend für MRAMs auf GMR- bzw. TMR-Basis ist die Widerstandsänderung der angesprochenen Bauelemente. Die Widerstandsänderung ist abhängig von der Magnetisierung von den beteiligten Magnetschichten zueinander. Durch diese Eigenschaft lassen sich logisch 0 und 1 darstellen.
Das Magnetfeld zum Einschreiben bzw. Auslesen der Information soll über Ströme in den Stromzuleitungen erzeugt werden. Der Speicher wird als Matrix aufgebaut. In Fig. 2 ist schematisch der Aufbau einer 3x3 Matrix dargestellt, wie er im Stand der Technik im Zusammenhang mit MRAMs vorgesehen wird.
Wenn z. B. ein Bauelement (X &khgr; Y) angesteuert werden soll, so muß ein Strom durch die Stromzuleitungen X und Y in einer solchen Stärke fließen, daß ein Schalten des Elements (X &khgr; Y) bewirkt wird.
Ein Nachteil der Anordnung aus Fig. 2 ist, daß die Ströme orthogonal zueinander stehen und sich damit die Ströme (und Magnetfelder) der Stromzuleitungen X und Y nicht optimal addieren. Die Folge davon ist ein erhöhter Stromverbrauch und eine höhere Belastung der Stromzuleitungen X, Y durch die Ströme in denselben.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist daher, eine Matrix für einen Magneto-Random-Access Memory oder dgl. zu schaffen, mit dem Bauelemente unter geringerer Stromstärke angesprochen oder geschaltet werden können.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die zweite Stromzuleitung auf einem Abschnitt im Bereich des Bauelements parallel zu der ersten Stromzuleitung angeordnet ist.
Mit der erfindungsgemäßen Matrix wird erreicht, daß die Ströme der ersten und zweiten Stromzuleitung im Bereich des Bauelements parallel fließen und sich somit optimal addieren. Dadurch wird ein im Verhältnis zu der eingesetzten Stromstärke maximales Magnetfeld erzeugt. Ein weiterer Vorteil der kleineren Schaltströme ist, daß im Falle der Höchstintegration, das heißt, bei schmalen Leiterbahnen mit hohen Stromdichten, Elektromigrationseffekte verringert werden.
15
15
Ein weiterer Vorteil gemäß Anspruch 2 beruht darin, daß eine Reihe von ersten Stromzuleitungen und eine zweiten Stromzuleitungen und eine Gruppe von Bauelementen vorgesehen sind, wobei jede erste Stromzuleitung jede zweite Stromzuleitung an einem Bauelement überschneidet. Dadurch lassen sich bei einer 3 &khgr; 3-Matrix neun Bauelement ansprechen bzw. Schalten.
Von besonderem Vorteil ist gemäß Anspruch 3, daß die zweite Stromzuleitung mäanderförmig ausgebildet ist. Durch die mäanderförmige Stromzuleitung kann das Merkmal der parallelen Anordnung der ersten und zweiten Stromzuleitung im Bereich eines Bauelements besonders platzsparend erreicht werden.
Gemäß Anspruch 4 ist es von Vorteil, daß die Mäanderanordnung den parallelen Abschnitt der zweiten Stromzuleitung im Bereich der ersten Stromzuleitung aufweist. Durch diese Maßnahme wird die platzsparende Anordnung der zweiten Stromzuleitung genutzt für die Optimierung der Stromstärke und somit des Magnetfeldes im Bereich des entsprechenden Bauelements.
Ein Vorteil gemäß Anspruch 5 beruht darin, daß die ersten Stromzuleitungen eine alternierende Stromeinprägung aufweisen. Dadurch ist es möglich, die mäanderförmige zweite Stromzuleitung auf jeweils aufeinanderfolgenden ersten Stromzuleitungen in entgegengesetzte Richtungen zu führen.
5
5
Ein weiterer Vorteil gemäß Anspruch 6 beruht darin, daß die Bauelemente magnetische Bauelemente sind.
Eine Ausfuhrungsform der vorliegenden Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Draufsicht auf eine Matrix gemäß vorliegender Erfindung;
Fig. 2 eine schematische Draufsicht einer Matrix des Standes der Technik.
In Fig. 1 ist schematisch eine Draufsicht einer erfmdungsgemäßen 3 &khgr; 3-Matrix dargestellt. Die Matrix umfaßt drei erste Stromzuleitungen 1.1, 1.2, 1.3, drei zweite Stromzuleitungen 2.1,2.2,2.3 und neun Bauelemente 3.1, 3.2,..., 3.9. Die Wahl einer 3 &khgr; 3-Matrix zur Beschreibung der Erfindung ist rein willkürlich getroffen, und es kann für die erfindungsgemäße Matrix auch jede größere Anzahl ersten und zweiten Stromzuleitungen verwendet werden.
Die ersten. Stromzuleitungen 1.1, 1.2,1.3 verlaufen in Fig. 1 in gerader Linie vertikal von oben nach unten. Die zweiten Stromzuleitungen 2.1,2.2, 2.3 verlaufen in Fig. 1 im wesentlichen horizontal von links nach rechts. Eine erste Stromzuleitung 1.1 schneidet an den Bauelementen 3.1, 3.4, 3.7 jeweils eine der zweiten Stromzuleitungen 2.1, 2.2 bzw. 2.3. Eine weitere erste Stromzuleitung 1.2 schneidet an den Bauelementen 3.2, 3.5, 3.8 jeweils eine der zweiten Stromzuleitungen 2.1, 2.2 bzw. 2.3. Die weitere erste Stromzuleitung 1.3 schneidet an den Bauelementen 3.3,3.6 und 3.9 jeweils eine der zweiten Stromzuleitungen 2.1,2.2 bzw. 2.3.
Die zweiten Stromzuleitungen 2.1, 2.2, 2.3 sind mäanderförmig ausgebildet. Im Bereich des Bauelements 3.1 weist die zweite Stromzuleitung 2.1 einen ersten Abschnitt 2.11 auf,
der in vertikaler Richtung, also parallel zu der ersten Stromzuleitung 1.1, verläuft. Im Bereich des Bauelements 3.2 weist die zweite Stromzuleitung 2.1 einen zweiten Abschnitt 2.12 auf, der parallel zu der ersten Stromzuleitung 1.2 verläuft und im Bereich des Bauelements 3.3 weist die zweite Stromzuleitung 2.1 einen dritten Abschnitt 2.13 auf, der parallel zu der ersten Stromzuleitung 1.3 parallel verläuft. Entsprechend mäanderförmig sind auch die zweiten Stromzuleitungen 2.2 und 2.3 zu den entsprechenden ersten Stromzuleitungen 1.1, 1.2, 1.3 angeordnet. So weist die zweite Stromzuleitung 2.2 Abschnitte 2.21, 2.22, 2.23 auf, die parallel zu den entsprechenden ersten Stromzuleitungen 1.1, 1.2 bzw. 1.3 verlaufen. Die zweite Stromzuleitung 2.3 weist Abschnitte 2.31, 2.32, 2.33 auf, die parallel zu den entsprechenden ersten Stromzuleitungen 1.1,1.2 bzw. 1.3 verlaufen.
Die Abschnitte 2.11, 2.21, 2.31 der zweiten Stromzuleitungen 2.1, 2.2, 2.3 sind zu den Abschnitten 2.12, 2.22, 2.23 bzw. zu den Abschnitten 2.13, 2.23. 2.33 derart ausgerichtet, daß ein durch eine zweite Stromzuleitungen 2.1, 2.2, 2.3 fließender Strom in den Abschnitten 2.11,2.21, 2.31 in gleicher vertikaler Richtung fließt, wie in den Abschnitten 2.13, 2.23, 2.33 und in einer zu den Abschnitten 2.12, 2.22, 2.32 entgegengesetzten vertikalen Richtung. Aufgrund dessen haben die ersten Stromzuleitungen 1.1, 1.2, 1.3 eine alternierende Stromeinprägung II, -12,13. In Fig. 1 ist das durch ein negatives Vorzeichen dargestellt.
In Fig. 2 ist eine schematische Draufsicht einer Matrix des Standes der Technik dargestellt. Auch hier dient die Auswahl einer 3 &khgr; 3-Matrix nur als Beispiel. X-Stromzuleitungen (erste Stromzuleitungen) kreuzen Y-Stromzuleitungen (zweite Stromzuleitungen) im rechten Winkel in unmittelbarer Nähe von Bauelementen (B). Die in den X- und Y-Stromzuleitungen fließenden Ströme stehen somit orthogonal zueinander und addieren sich nicht optimal.
Die in Fig.. 1 und in Fig. 2 verwendeten Bauelemente sind vorzugsweise magnetische Bauelemente, wie z. B. Giant Magneto Resistance (GMR)- bzw. Tunneling Magneto Resistance (TMR)-EIemente.
Claims (6)
1. Matrix für einen Magneto-Random Access Memory oder dgl. zur Steuerung von Bauelementen mit einer ersten Stromzuleitung und einer zweiten Stromzuleitung, die sich an einem Bauelement überschneiden, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Stromzuleitung (2.1, 2.2, 2.3) auf einem Abschnitt (2.11, 2.12, 2.13; 2.21, 2.22, 2.23; 2.31, 232, 2.33) im Bereich des Bauelements (3.1, 3.2, 3.3, 3.4, 3.5, 3.6, 3.7, 3.8, 3.9) parallel zu der ersten Stromzuleitung (1.1, 1.2, 1.3) angeordnet ist.
2. Matrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Reihe von ersten Stromzuleitungen (1.1, 1.2, 1.3) und eine Reihe von zweiten Stromzuleitungen (2.1, 2.2, 2.3) und eine Gruppe von Bauelementen (3.1, 3.2, 3.3, 3.4, 3.5, 3.6, 3.7, 3.8, 3.9) vorgesehen sind, wobei jede erste Stromzuleitung (1.1, 1.2, 1.3) jede zweite Stromzuleitung (2.2, 2.2, 2.3) an einem Bauelement (3.1, . . ., 3.9) überschneidet.
3. Matrix mach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Stromzuleitung (2.1, 2.2, 2.3) mäanderförmig ausgebildet ist.
4. Matrix nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Mäanderanordnung der zweiten Stromzuleitung (2.1, 2.2, 2.3) im Bereich der ersten Stromzuleitung (1.1, 1.2, 1.3) den parallelen Abschnitt (2.11, 2.12, 2.13; 2.21, 2.22, 2.23; 2.31, 232, 2.33) aufweist.
5. Matrix nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Stromzuleitungen (1.1, 1.2, 1.3) eine alternierende Stromeinprägung (11, 12, 13) aufweisen.
6. Matrix nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Bauelemente (3.1, . . ., 3.9) magnetische Bauelemente sind.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE29824631U DE29824631U1 (de) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | Matrix für einen Magneto-Random-Access Memory (MRAM) |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19818483A DE19818483A1 (de) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | Matrix für einen Magneto-Random-Access Memory (MRAM) |
DE29824631U DE29824631U1 (de) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | Matrix für einen Magneto-Random-Access Memory (MRAM) |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE29824631U1 true DE29824631U1 (de) | 2002-02-28 |
Family
ID=7865749
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE29824631U Expired - Lifetime DE29824631U1 (de) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | Matrix für einen Magneto-Random-Access Memory (MRAM) |
DE19818483A Withdrawn DE19818483A1 (de) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | Matrix für einen Magneto-Random-Access Memory (MRAM) |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19818483A Withdrawn DE19818483A1 (de) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | Matrix für einen Magneto-Random-Access Memory (MRAM) |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (2) | DE29824631U1 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6590803B2 (en) * | 2001-03-27 | 2003-07-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic memory device |
JP4729836B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2011-07-20 | Tdk株式会社 | 磁気記憶セルおよび磁気メモリデバイスならびに磁気メモリデバイスの製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4805140A (en) * | 1986-11-21 | 1989-02-14 | Westinghouse Electric Corp. | Cross-tie random access memory |
-
1998
- 1998-04-24 DE DE29824631U patent/DE29824631U1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-04-24 DE DE19818483A patent/DE19818483A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19818483A1 (de) | 1999-10-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69629264T2 (de) | Ferromagnetisches GMR Material | |
DE69932589T2 (de) | Magnetischer tunnelübergang mit geringer umschaltfeldstärke für magnetische mehrzustandsspeicherzelle | |
DE69927487T2 (de) | Verfahren zum Schreiben und Lesen von magnetoresistiven Speichern | |
DE69930129T2 (de) | Mram speicher mit mehreren speicherbanken | |
DE60107853T2 (de) | Mram architekturen mit erhöhter schreibeselektivität | |
DE10314812A1 (de) | Magnetische Kleinbereichs-Speichervorrichtungen | |
EP1141960B1 (de) | Schreib-/lesearchitektur für mram | |
DE10249869A1 (de) | Magnetisches Dünnfilmspeichervorrichtung zum Durchführen eines Datenschreibvorgangs durch Anlegen eines Magnetfelds | |
EP1202284B1 (de) | Verfahren zur Verhinderung unerwünschter Programmierungen in einer MRAM-Anordnung | |
DE112010003400B4 (de) | Speicherarchitektur und Verwendung eines magnetischen Racetrack-Speichers | |
DE102006008264B4 (de) | MRAM Zelle mit Domänenwandumschaltung und Feldauswahl | |
WO1999014760A1 (de) | Speicherzellenanordnung und deren verwendung als magnetisches ram und als assoziativer speicher | |
DE10032271C2 (de) | MRAM-Anordnung | |
DE60307459T2 (de) | Mram-zelle und speicherarchitektur mit maximalem lesesignal und reduzierter elektromagnetischer interferenz | |
DE19823826A1 (de) | MRAM-Speicher sowie Verfahren zum Lesen/Schreiben digitaler Information in einen derartigen Speicher | |
DE102007032379B4 (de) | Magnettransistorstruktur | |
EP1174924A2 (de) | MRAM-Speicherzelle | |
DE10307926A1 (de) | Magnetische Dünnfilmspeichervorrichtung mit Unterdrückung interner magnetischer Störungen | |
DE10037976C2 (de) | Anordnung zum verlustarmen Schreiben eines MRAMs | |
DE2810610A1 (de) | Josephson-speicherzelle | |
DE19810838C2 (de) | Sensoreinrichtung mit mindestens einem magnetoresistiven Sensor auf einer Substratschicht eines Sensorsubstrats | |
EP1202283A2 (de) | MRAM-Anordnung | |
WO2001018816A1 (de) | Speicherzellenanordnung und verfahren zu deren betrieb | |
DE10342359A1 (de) | MRAM mit zwei Schreibleitern | |
DE1186509B (de) | Magnetspeicher mit einem mit zueinander senkrechten Bohrungen versehenen Magnetkern |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R207 | Utility model specification |
Effective date: 20020404 |
|
R150 | Utility model maintained after payment of first maintenance fee after three years |
Effective date: 20020515 |
|
R151 | Utility model maintained after payment of second maintenance fee after six years |
Effective date: 20040510 |
|
R152 | Utility model maintained after payment of third maintenance fee after eight years |
Effective date: 20060512 |
|
R071 | Expiry of right |