DE2942394C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE2942394C2 DE2942394C2 DE2942394A DE2942394A DE2942394C2 DE 2942394 C2 DE2942394 C2 DE 2942394C2 DE 2942394 A DE2942394 A DE 2942394A DE 2942394 A DE2942394 A DE 2942394A DE 2942394 C2 DE2942394 C2 DE 2942394C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- wire
- connection
- patch
- spots
- ultrasonic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05556—Shape in side view
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0601—Structure
- H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/061—Disposition
- H01L2224/0612—Layout
- H01L2224/06179—Corner adaptations, i.e. disposition of the bonding areas at the corners of the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/4901—Structure
- H01L2224/4903—Connectors having different sizes, e.g. different diameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/4905—Shape
- H01L2224/49051—Connectors having different shapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
- H01L2224/49173—Radial fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78313—Wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/788—Means for moving parts
- H01L2224/78801—Lower part of the bonding apparatus, e.g. XY table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/851—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector the connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
- H01L2224/85206—Direction of oscillation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0101—Neon [Ne]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01039—Yttrium [Y]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiteranordnung,
insbesondere auf die Formen von längs des Umfangs einer
Hauptfläche eines Halbleiterplättchens angeordneten Anschlußflecken.
Die Form des Anschlußfleckens
des Plättchens in der Halbleiteranordnung gemäß der
Erfindung eignet sich besonders für ein Ultraschalldrahtverbindungsverfahren,
bei dem der zu bildenden Drahtschleife
eine begrenzte Richtungseinstellung auferlegt
ist.
Bei der Herstellung einer Halbleiteranordnung, wie z. B.
einer integrierten Schaltung, wird üblicherweise ein
Anschlußrahmen aus einer gemusterten Metallplatte verwendet, wie
sie in Fig. 1 dargestellt ist. Ein solcher Anschlußrahmen
enthält gewöhnlich in seinem mittleren Teil ein
"Anhänger" genanntes Rechteck 1, auf dem ein Halbleiterplättchen
2 angebracht ist. Der Anschlußrahmen enthält
außerdem eine Mehrzahl von Zuführungsleitern 4, die
vom äußeren Rahmen 3 nach innen vorspringen und deren
inneren Enden nahe des und um den Anhänger 1 angeordnet
sind. Weiter ist der Anschlußrahmen mit einem "Damm" genannten
Verbindungsteil 5 versehen, der eine Kunstharzeinformzone
6 umgibt, um das Abfließen von Kunstharz aus dem
geformten abgetrennten Bereich zu vermeiden. Beim Zusammenbau
wird das Halbleiterplättchen 2 am Anhänger 1 befestigt (Plättchenverbindung),
und die inneren Enden der Zuführungsleiter 4
werden durch Drähte 8 mit zugehörigen rechteckigen Anschlußflecken
7 (im folgenden auch einfach als Flecken bezeichnet)
verbunden, die längs des Umfangs der Oberseite
des Halbleiterplättchens 2 angeordnet sind (Drahtverbindung).
Danach wird die Kunstharzeinformzone 6 mit Kunstharz gefüllt,
und eine gewünschte Halbleiteranordnung wird fertiggestellt,
nachdem der unnötige Damm 5 und der äußere Rahmen 3
weggeschnitten sind.
Mit einem steigenden Bedarf an integrierten Schaltungen
mit hoher Integration und Vielfunktionscharakteristik
wurde die weitere Miniaturisierung der Schaltung zwecks
Senkung der Herstellungskosten erforderlich. Für das Halbleiterplättchen
bedeutet dies einen feinen Entwurf und eine
Hochdichte-Verdrahtung, die die Abmessungsverringerung
der Flecken und die Verkleinerung des Abstandes zwischen
benachbarten Flecken (Kunstharzteilung) erfordern. Der obige
Bedarf an gedruckten Schaltungen erforderte auch die
Erhöhung der Zahl von Zuführungsleitern zur Verbindung mit
äußeren Schaltungen (die im folgenden auch einfach als
Zuführungen bezeichnet werden). Da die Teilung der äußeren
Enden der Zuführungen in irgendeiner fertiggestellten
Halbleiteranordnung im voraus je nach den festgelegten
Normen definiert ist, ist es erforderlich, einen solchen
Anschlußrahmen, wie er in Fig. 1 gezeigt ist, zu verwenden,
der in vier senkrechten Richtungen verlaufende Zuführungen
aufweist. Bei dieser Art von Anschlußrahmen neigen die
Zuführungen nahe den Ecken des Rahmens dazu, vom Plättchen
zurückzutreten und auch sich geneigt zu den Flecken zu
erstrecken. Als Ergebnis hat, wie in Fig. 2 gezeigt ist,
der zwischen einem Verbindungsbereich 9 der Zuführung 4
und dem Flecken 7 ausgestreckte Draht 8 einen großen
Neigungswinkel R bezüglich eines Seitenpaars des rechteckigen
Fleckens 7. Daher verfehlt, wenn bei der Drahtverbindung
der Draht 8 unter auch nur geringer Abweichung
von einer gewünschten Richtung gespannt wird oder wenn
die Einstellung des Drahtes 8 bezüglich des Fleckens 7
etwas von einer bestimmten Ausrichtung abweicht, der
Verbindungsteil 10 des Drahtes 8 leicht eine korrekte Ausrichtung
zum Flecken 7. Infolgedessen ist eine verläßliche und
sichere Drahtverbindung mit dem Flecken 7 besonders an der
Ecke des Anschlußrahmens unmöglich, und außerdem ist die
Drahtverbindungsfläche des Fleckens sehr stark begrenzt,
so daß die brauchbare Fläche des Fleckens trotz einer verhältnismäßig
erheblichen Abmessung des Fleckens wesentlich
verringert ist. Weiter neigt die Außenkante des fehlausgerichteten
Verbindungsteils 10 oder des Endteils des
Drahtes 8 dazu, den Nachbarflecken 7 zu berühren und dadurch
einen Kurzschlußfehler zu verursachen. Diese Nachteile
existieren mehr oder weniger auch bei der Drahtverbindung
auf der Seite der Zuführungen 4. Wenn die Fleckenabmessung
und die Fleckenteilung geringer sind, treten solche
Probleme häufiger auf und wirken daher der Miniaturisierung
der Flecken und der Verringerung der Fleckenteilung entgegen,
was zu einer Erhöhung der Abmessung des Halbleiterplättchens
und damit der Halbleiteranordnung führt. Diese Probleme
sind der Geometrie der Flecken auf dem Halbleiterplättchen eignen.
Die obigen Probleme sind einer Anzahl von Drahtverbindungsverfahren
gemeinsam, und sie sind besonders bei
einem Ultraschalldrahtverbindungsverfahren ("Ultraschall-Drahtbonden") ernsthaft,
bei dem einer zu bildenden oder zu spannenden Drahtschleife
eine bestimmte Richtungseinstellung auferlegt
wird, d. h., daß die Drahtverbindung nur in einer mit
der Schwingungsrichtung der verwendeten Ultraschallschwingungsenergie
übereinstimmenden Richtung vorgenommen
werden kann. Dies soll anhand der Fig. 3 beschrieben
werden. Fig. 3 veranschaulicht schematisch ein Ultraschall-Drahtbonden,
und man erkennt einen
Wandler 30 , der einen Vibrator 31, der mit einem (nicht
dargestellten) Hochfrequenzoszillator verbunden ist,
ein Schallabstrahlorgan 32 und einen dazwischen eingefügten
Koppler enthält. Der Wandler 30 ist auf einem nicht dargestellten)
X-Y-Tisch montiert, so daß er in den X- und
Y-Richtungen bewegt werden kann. Das Schallabstrahlorgan
32 trägt eine mittels einer Schraube oder auf andere
Weise angebrachte Nadel 33. Die Nadel besteht beispielsweise
aus Wolframkarbid und hat einen flach oder genutet aufgebauten Spitzenboden, der
parallel zu der Oberflächen verläuft,
an der ein Draht angebracht wird. Diese Anordnung des
Wandlers 30 und der Nadel 33 ist so ausgelegt, daß sich die
Nadel 33 in der durch einen Pfeil A angedeuteten Richtung
bewegen läßt und daß sicher Wandler 30 in der durch einen
Pfeil B angedeuteten Richtung bewegen läßt. Ein Verbindungsdraht
35 aus Al, Au oder irgendeinem anderen geeigneten
Metall, der von einer Drahtvorratsrolle 34 zugeführt wird,
kann durch den Spitzenteil der Nadel 33 geführt werden.
Auf einem Arbeitstisch 36 zum Drehen der zu verbindenden
Gegenstände sind in vereinfachter Weise ein mit dem
Anhänger 1 eines Anschlußrahmens verbundenes Plättchen 2,
Flecken 7 auf dem Plättchen 2 und Zuführungen 4 des
Anschlußrahmens entsprechend den Flecken 7 dargestellt.
Beim Betrieb der obigen Anordnung wird die Nadel 33
nach unten bewegt, um den Draht 35 in Kontakt mit dem
Flecken 7 auf dem Plättchen 2 zu bringen und gleichzeitig
den Draht 35 auf den Flecken 7 zu drücken. Wenn Ultraschallschwingungen
mit einer Amplitude von etwa 1 µm,
wie durch einen Pfeil C angedeutet, durch die Nadel 33
übertragen werden, wird die Kontaktgrenzfläche zwischen
dem Draht 35 und dem Flecken 7 plastisch verformt,
so daß der Draht 35 und der Flecken 7 miteinander verbunden
werden. Dieser Verbindungsmechanismus beruht offenbar
sowohl auf der Erhitzung der Grenzfläche bis zu Temperaturen
über der Rekristallisationstemperatur durch die Ultraschallschwingungen
als auch auf der gegenseitigen Diffusion
der Atome im Draht 35 und im Flecken 7 durch den einwirkenden
Druck. Dann wird die Nadel 33 nach oben bewegt, und der
Wandler 30 wird nach rechts (in der X-Richtung) über
die Zuführung 4 unter der Steuerung des X-Y-Tisches bewegt.
Die Nadel 33 wird erneut nach unten zur Verbindung des
Drahtes 35 mit der Zuführung 4 bewegt. Nach dem Verbinden
des Drahtes 35 und der Zuführung 4 oder der Bildung einer
ersten Drahtschleife zwischen dem Flecken 7 und der
Zuführung 4 wird der Draht 35 z. B. durch eine (nicht dargestellte)
Drahtklemme durchgetrennt. Dann wird der X-Y-Tisch
in der Y-Richtung bewegt, um eine zweite Drahtschleife
zwischen dem nächsten Flecken und der zugehörigen Zuführung
zu bilden, und der gleiche Verbindungsvorgang wird
wiederholt, um die Drahtverbindung zwischen einer Reihe
von Flecken und den entsprechenden Zuführungen zu vollenden.
Danach wird der Arbeitstisch 36 gedreht, und der obige
Prozeß wird an der nächsten Reihe von Flecken und den
entsprechenden Zuführungen wiederholt. So wird die
Drahtverbindung zwischen vier Reihen von Flecken 7 und
den entsprechenden Zuführungen 4 durch die Bewegung der
Nadel 33 in der X-Richtung und in der Y-Richtung unter
Steuerung des X-Y-Tisches und die Drehung der zu verbindenden
Teile unter der Steuerung des Arbeitstisches 36
vorgenommen.
Wie sich aus der vorstehenden Beschreibung ergibt, ist
es, da die Verbindung des Drahtes 35 mit dem Flecken 7
oder der Zuführung 4 nur in der Schwingungsrichtung
der Ultraschallwellen, d. h. in der zur Schwingungsrichtung C
der Fleckenwellen parallelen Kontaktgrenzfläche erfolgt,
nötig, den Verbindungsdraht in der gleichen Richtung wie der
der Ultraschallschwingung zu richten oder zu spannen, um
die Verbindung zu ermöglichen. Wenn die Erstreckungsrichtung
des Drahtes nur an den Verbindungspunkten des
Fleckens 7 und der entsprechenden Zuführung 4 parallel zur
Schwingungsrichtung und zwischen dem Flecken 7 und der
Zuführung 4 nicht parallel gemacht wird, würde der
Lageeinstellungsvorgang kompliziert sein, und außerdem
würde der verbundene Draht dazu neigen, sich am Verbindungspunkt
leicht zu lösen oder zu brechen. Da das Plättchen
notwendigerweise wegen dieser der zu bildenden Drahtschleife
auferlegten Richtungseinstellung gedreht werden muß, muß
die Lageeinstellung beim Verbinden, d. h. die Anordnung
der Nadel des Ultraschalldrahtverbindungsgerätes
auf dem Flecken mit hoher Genauigkeit erfolgen. Es ist
auch erforderlich, die Verbindungsfläche beim Ultraschall-Bonden
im Vergleich mit einem Thermokompressionsverbindungsverfahren
oder einem Keilverbindungsverfahren
unter Berücksichtigung der Verbindungsfestigkeit
zu erhöhen. Daher ist die Automatisierung
des Ultraschall-Bondens, bei dem die Verbindungsbedingungen
kritisch sind und es viele Unstabilitätsfaktoren
gibt, verzögert und außerdem solchen Nachteilen,
wie im Zusammenhang mit Fig. 2 beschrieben,
aufgrund der Abweichung der Richtung unterworfen, in der
der Draht zur Zeit der Drahtverbindung zu richten oder
zu spannen ist.
Die anhand der Fig. 1 und 2 erläuterten Probleme treten
auch bei einem LSI-Plättchen nach der DE-OS 23 34 405 auf,
die eine Halbleiteranordnung gemäß dem Oberbegriff des Pa
tentanspruchs 1 beschreibt und in der etwa quadratische
Anschlußflecken dargestellt sind, mit denen auch schräg
gerichtete Drähte verbunden sind.
Aus der US-PS 40 80 512 sind Halbleiterplättchen mit
rechteckigen bzw. quadratischen Anschlußflecken bekannt,
die relativ große gegenseitige Abstände haben und mit
denen zu zwei der Rechteck- bzw. Quadratseiten parallele
Drähte verbunden sind.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einer
Halbleiteranordnung der im Oberbegriff des Patentanspruchs
1 vorausgesetzten Art die Form der Anschlußflecken so auszubilden
daß eine möglichst große Zahl der Anschlußflecken
am Umfang der einen Hauptfläche des Halbleiterplättchens
angeordnet werden kann und trotzdem gleichzeitig eine
hohe Sicherheit vor Kurzschlüssen zwischen benachbarten
Drähten erreicht wird, insbesondere wenn die Drähte durch
Ultraschall-Bonden angebracht werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden
Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst.
Mit diesem Aufbau läßt sich wirksam vermeiden, daß
ein Verbindungsdraht den benachbarten Flecken berührt,
und die Fleckenabmessung und damit die Fleckenteilung lassen
sich verringern, so daß die Abmessung des Halbleiterplättchens
und damit die einer Halbleiteranordnung verringert
werden können.
Eine Ausgestaltung der Erfindung ist Gegenstand des Unteranspruchs.
Die Erfindung wird anhand eines in der Zeichnung veranschaulichten
Ausführungsbeispiels näher erläutert; darin
zeigen:
Fig. 1 eine Aufsicht eines Anschlußrahmens zusammen
mit einem herkömmlichen Halbleiterplättchen;
Fig. 2 in vergrößertem Maßstab einen Teil von Fig. 1,
in dem eine Verbindungsdrahtschleife
zwischen einem Flecken und dem entsprechenden
Zuführungsleiter gebildet ist;
Fig. 3 eine schematische Darstellung zur Veranschaulichung
eines Ultraschall-Bondens; und
Fig. 4 eine Aufsicht eines Teils einer Halbleiteranordnung
nach einem Ausführungsbeispiel gemäß der Erfindung
in vergrößertem Maßstab.
In Fig. 4 sind ein Halbleiterplättchen 11 und Zuführungsleiter 12
teilweise dargestellt. Anschlußflecken 13 sind längs des Umfangs
der Oberseite des Plättchens angeordnet. Eine Strichpunktlinie,
die nach der Darstellung den Mittelpunkt 19
des Fleckens 13 und den Mittelpunkt 14 des inneren Endteils
oder Verbindungsteils 17 des Zuführungsleiters 12
verbindet, ist eine gedachte Mittellinie 21 eines nach
der Auslegung ausgerichteten oder gespannten Drahtes 15.
Die gegenüberliegenden Seiten 20 jedes Fleckens 13 zu
beiden Seiten der gedachten Linie 21 sind parallel zu
der Linie 21 angeordnet.
Dieses Plättchen 11 mit den Flecken 13 dieser Formen
ist auf einem Anhänger 16 durch einen Plättchenverbindungsvorgang
befestigt, und ein Drahtverbindungsvorgang
zur Bildung einer Drahtschleife wird in der Weise
durchgeführt, daß ein Ende des Drahtes 15 am Flecken 13
des Plättchens 11 und das andere Ende des Drahtes 15
am Verbindungsteil 17 des Zuführungsleiters 12 durch
Kompression befestigt und der Draht 15 nahe dem Verbindungsteil
17 abgeschnitten wird. Bei diesem Drahtverbindungsvorgang
stimmt die Richtung, in der der Draht 15
einem Verbindungswerkzeug zugeführt wird, mit der
Richtung der gedachten Linie 21 überein, in der der
Draht zu spannen ist. (Dies ist für ein eine Ultraschallschwingungsenergie
ausnutzendes Drahtbonden
wesentlich.) Daher läßt sich eine weite Abweichung des
Verbindungsteils 18 des Drahtes 15 am Flecken 13 vom Flecken 13
vermeiden, auch wenn es eine geringe Abweichung des
Drahtes 15 von der gedachten Linie 21 gibt Außerdem würde,
da sich der Flecken 13 längs der gedachten Linie 21
mit einer bestimmten Breite erstreckt, eine geringe
Abweichung des Verbindungspunktes des Drahtes am
Flecken nicht verursachen, daß das vom Verbindungsteil
18 vorragende Drahtende bis über den Umfang
des Fleckens 13 hinausreicht. Folglich läßt sich verhindern,
daß das Drahtende oder der Verbindungsteil 18
den Nachbarflecken 13 berührt, so daß sich die Ausbeute
der hergestellten Halbleiteranordnungen verbessern
läßt.
Weiter können nach diesem Ausführungsbeispiel die
Fleckenabmessung und die Fleckenteilung beide verringert
werden. Während beispielsweise ein herkömmliches Plättchen
mit etwa 100 Flecken ein Quadrat von 5,7 mm×5,7 mm
ist, ist ein Plättchen mit der gleichen Anzahl von
Flecken gemäß der Erfindung ein Quadrat von 4,5 mm×4,5 mm.
Bei dem in Fig. 4 gezeigten Ausführungsbeispiel erstrecken
sich auch die gegenüberliegenden Seiten wenigstens
des inneren Endteils 17 jedes Zuführungsleiters 12, womit
der Draht verbunden ist, parallel zur Erstreckungsrichtung des
Drahtes 15. Diese Gestaltung des Zuführungsleiters 12 verringert
die Gefahr, daß die Verbindungsteile oder Drahtendenteile
der Drähte sich an benachbarten Zuführungsleitern
berühren können.
Aus dem Vergleich zwischen den Fig. 2 und 4 wird offenbar,
daß, auch wenn die tatsächliche Verbindungsstelle etwas
von einer gewünschten Stelle abweicht, die Berührungsfläche
zwischen dem Draht und dem Flecken erfindungsgemäß größer
als nach dem Stand der Technik ist. Dies ist unter
Berücksichtigung der Bindefestigkeit vorteilhaft.
Die Erfindung läßt sich auf Halbleiteranordnungen anwenden,
die in einer Auswahl von Einkapselungen des
Harzguß-, keramischen oder Glaseinkapselungstyps od. dgl.
montiert sind.
Obwohl die Formen der Flecken (und Zuführungsleiter) gemäß
der Erfindung bei einer nach verschiedenen Drahtverbindungsverfahren
hergestellten Halbleiteranordnung verwendet
werden können, eignen sie sich besonders vorteilhaft für
das Ultraschall-Drahtbonden, bei dem gemäß
obiger Beschreibung außer der einschränkenden Anforderung,
daß die Richtung einer zu formenden Drahtschleife mit
der Richtung der angewandten Ultraschallschwingungen übereinstimmen
muß, auch noch schwierige Bedingungen
einschließlich derjenigen existieren, daß die Lageeinstellung
der Nadel des Ultraschalldrahtverbindungsgeräts zu den
Flecken und Zuführungsleitern, deren Drehung erforderlich
ist, mit hoher Genauigkeit gesteuert werden muß; sonst würden
ernstliche Nachteile einschließlich des Kurzschlusses
des verbundenen Drahtes mit dem Nachbarflecken (bzw. dem
Nachbarzuführungsleiter) aufgrund der Abweichung der
Spannrichtung des Drahtes auftreten. Durch Verwendung der
Formen der Flecken (und Zuführungsleiter) gemäß der Erfindung
läßt sich eine verläßliche Automatisierung des Ultraschall-Drahtbondens
mit höherer Ausbeute erzielen,
da die Nachteile insbesondere der Kurzschlußfehler vermieden
werden können.
Claims (2)
1. Halbleiteranordnung aus einem rechteckigen Halbleiterplättchen
(11) mit einer Mehrzahl von Anschlußflecken
(13), die längs des Umfangs einer Hauptfläche desselben
angebracht sind, einer der Mehrzahl der Anschlußflecken
entsprechenden Mehrzahl von Zuführungsleitern (12) und
einer Mehrzahl von Drähten (15), deren jeder an einem
Ende einen ersten, mit einem der Zuführungsleiter verbundenen
Verbindungspunkt und am anderen Ende einen
zweiten, mit dem entsprechenden Anschlußflecken verbundenen
Verbindungspunkt aufweist, wobei die Drähte jeweils
zwischen ihren beiden Verbindungspunkten gespannt
sind,
dadurch gekennzeichnet, daß
jeder der Anschlußflecken (13) die Form eines Parallelogramms
hat, das jeweils zwei gegenüberliegende Seiten
(20) aufweist, die sich parallel zur Spannungsrichtung
des zugehörigen Drahtes (15) erstrecken.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß wenigstens ein Teil jedes der Zuführungsleiter (12)
zwei sich gegenüberliegende Seiten aufweist, die sich
parallel zur Spannungsrichtung des zugehörigen Drahtes
(15) erstrecken.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12834878A JPS5555541A (en) | 1978-10-20 | 1978-10-20 | Semiconductor element |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2942394A1 DE2942394A1 (de) | 1980-05-08 |
DE2942394C2 true DE2942394C2 (de) | 1991-05-02 |
Family
ID=14982579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19792942394 Granted DE2942394A1 (de) | 1978-10-20 | 1979-10-19 | Halbleiteranordnung |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5555541A (de) |
DE (1) | DE2942394A1 (de) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2616964B1 (fr) * | 1987-06-19 | 1990-03-02 | Thomson Composants Militaires | Puce de circuit integre avec plots d'entree-sortie allonges |
US4959706A (en) * | 1988-05-23 | 1990-09-25 | United Technologies Corporation | Integrated circuit having an improved bond pad |
JP2768822B2 (ja) * | 1990-11-29 | 1998-06-25 | 株式会社東芝 | ワイヤボンディグ方式半導体装置 |
US5404047A (en) * | 1992-07-17 | 1995-04-04 | Lsi Logic Corporation | Semiconductor die having a high density array of composite bond pads |
US5340772A (en) * | 1992-07-17 | 1994-08-23 | Lsi Logic Corporation | Method of increasing the layout efficiency of dies on a wafer and increasing the ratio of I/O area to active area per die |
US6262434B1 (en) | 1996-08-23 | 2001-07-17 | California Micro Devices Corporation | Integrated circuit structures and methods to facilitate accurate measurement of the IC devices |
JP4523425B2 (ja) * | 2005-01-12 | 2010-08-11 | 株式会社住友金属エレクトロデバイス | 半導体素子搭載用基板 |
DE102008013756B4 (de) * | 2008-03-12 | 2019-08-22 | F&K Delvotec Bondtechnik Gmbh | Verfahren und Drahtbonder zur Herstellung einer Golddraht-Bondverbindung |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3808475A (en) * | 1972-07-10 | 1974-04-30 | Amdahl Corp | Lsi chip construction and method |
CH592366A5 (de) * | 1975-06-05 | 1977-10-31 | Ebauches Sa |
-
1978
- 1978-10-20 JP JP12834878A patent/JPS5555541A/ja active Granted
-
1979
- 1979-10-19 DE DE19792942394 patent/DE2942394A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5555541A (en) | 1980-04-23 |
JPS6211499B2 (de) | 1987-03-12 |
DE2942394A1 (de) | 1980-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69012438T2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Unebenheit auf einer Halbleiterchip-Elektrode und Apparat zur Anwendung dafür. | |
DE68927285T2 (de) | Halbleiteranordnung mit Leiterrahmen | |
DE69633214T2 (de) | Herstellungsverfahren einer Leistungshalbleiteranordnung und Leiterrahmen | |
DE10066446B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit zwei Abstrahlungsbauteilen | |
DE69522600T2 (de) | Halbleiteranordnung und Herstellungsverfahren für diese Halbleiteranordnung | |
DE68926645T2 (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE69405209T2 (de) | Verbindungsvorrichtung für elektronische Halbleiter-Einheiter | |
DE1564354C3 (de) | Metallteil zur Verwendung bei der Serienfertigung von Halbleiterbauelementen | |
DE69523557T2 (de) | Verfahren zum stitchbonden von drähten an integrierten schaltungsbondflächen | |
DE3244323A1 (de) | Drahtverbindungsvorrichtung | |
DE10335622B4 (de) | Harzversiegelte Halbleiterbaugruppe | |
DE1950516B2 (de) | Verbindung elektrischer leiter | |
DE69737320T2 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE69119938T2 (de) | Mit mindestens zwei Trägerteilen versehener Leiterrahmen und Anwendung zu einer im Harz eingebetteten Halbleiter-Einrichtung | |
DE69015854T2 (de) | Anordnung von Halbleiterbauelementen und Verfahren und Vorrichtung zur Montage von Halbleiterbauelementen. | |
DE2942394C2 (de) | ||
DE102011102175A1 (de) | Waferbearbeitungsverfahren | |
DE19803407A1 (de) | Verfahren zum Drahtbonden | |
DE69024731T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer plastikumhüllten Halbleiteranordnung | |
DE2855838A1 (de) | Traegerstreifen fuer runde anschlussstifte und verfahren zur herstellung von traegerstreifen | |
DE69529583T2 (de) | Formbrett und Herstellungsverfahren für eine Halbleiteranordnung | |
DE3780630T2 (de) | Verbindung von elektronischen bauteilen untereinander. | |
DE4308705C2 (de) | Integrierte Schaltungs-Chips und ein Verfahren zu deren Vereinzelung aus einem Halbleiterwafer | |
DE4215471C2 (de) | Halbleiterpackung und Verfahren zur Herstellung einer solchen Packung | |
DE69031963T2 (de) | Bondapparat und Verfahren |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: BEETZ SEN., R., DIPL.-ING. BEETZ JUN., R., DIPL.-I |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |