DE2931825B2 - Magnetblasen-Speichervorrichtung - Google Patents
Magnetblasen-SpeichervorrichtungInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Magnetblasen-Speichervorrichtung
mit einer magnetischen, zum Enthalten von Magnetblasen geeigneten Schicht, einer
ersten Isolierschicht, einem Leitermuster, einer zweiten Isolierschicht und einem Weichmagnetmaterialmuster,
die auf einem nichtmagnetischen Substrat gestapelt sind.
Die herkömmliche Magnetblasen-Speichervorrichtung hat allgemein einen solchen Aufbau, wie er in
Fig. 1 dargestellt ist. Gemäß Fig. 1 sind nacheinander
auf einer magnetischen Schicht 1, die darin Magnetblasen enthalten kann, eine erste Isolierschicht 2, ein
beispielsweise aus einer Goldschicht gebildetes Leitermuster 3, eine zweite Isolierschicht 4, ein Weichmagnetmaterialmuster
5, das gewöhnlich aus einer Ni-Fe-Legierungsschicht
gebildet ist und zur Übertragung oder Erfassung der Magnetblasen verwendet wird, und eine
(nicht dargestellte) Schutzschicht gestapelt. Die magnetische Schicht 1 ist auf einem nichtmagnetischen
Granatsubstrat ausgebildet, das in Fig. 1 nicht dargestellt ist, da es keinen direkten Zusammenhang mit der
Erfindung hat.
Bei einer solchen herkömmlichen Vorrichtung ist, wie F i g. 1 zeigt, die Oberfläche der zweiten Isolierschicht 4
aufgrund der Anwesenheit des Leitermusters 3 nicht flach, und daher ist auch im Weichmagnetmaterialmuster
5 eine Stufe gebildet, wenn ein Teil des Musters 5 das Leitermuster 3 überlappt. Wenn eine solche steile
Stufe, wie sie in F i g. 1 gezeigt ist, im Weichmagnetmaterialmuster
5 existiert, entsteht ein unerwünschter magnetischer Pol, und daher wird der Spielraum eines
Vormagnetisierungsmagnetfeldes zur Übertragung von Magnetblasen beträchtlich verringert. Die obige Störung
infolge der Stufe im Weichmagnetmaterialmuster 5 wird erheblich, wenn der Durchmesser der Magnetblasen
geringer ist Demgemäß ist es, um eine Magnetblasen-Speichervorrichtung mit einer hohen Packungsdichte
herzustellen, erforderlich, das Weichmagnetmaterialmuster flach zu machen, d. h. die Stufe im
Weichmagnetmaterialmuster zu beseitigen. Neuerdings wurde das Lehermuster üblicherweise durch Jonenschleifen
gebildet, um ein feines Muster zu erhalten. Dabei wird die Neigung der Seitenwände des
Leitermusters gleich etwa 80°, d.h. die Seiten wände sind nahezu vertikal, und daher werden die oben
erwähnte Stufe und auch der ungünstige Effekt aufgrund der Stufe ausgeprägter.
Um die durch das Leitermuster verursachte Stufe zu verkleinern und die Senkung des Vormagnetisierungsfeldspielraums
zu vermeiden, wurden bereits mehrere Verfahren beschrieben.
Beispielsweise beschreibt ein Aufsatz »Planar Processing for Magnetic Bubble Devices« von D.K.Rose,
»IEEE Transactions on Magnetics«, Vol. MAG-12,
is No. 6, Nov. 1976, Seiten 618-621 ein Verfahren zum
Machen der Dicke eines Leitermusters gleich der einer Oxidschicht, bei dem zunächst eine AL-Cu-Schicht auf
der gesamten Oberfläche vorgesehen wird und man die Schicht in einem Bereich, wo kein Leitermuster benötigt
4n wird, in ihrer Dicke verringert und dann zur Bildung der Oxidschicht anodisiert. Außerdem beschreibt ein Aufsatz
»Fabrication of Large Bubble Circuits« von J. P. Reekftin & R. Kowalchuk »IEEE Transactions on
Magnetics«, Vol. MAG-9, No. 3, Sept. 1973, Seiten
■»5 485—488 ein Abdeckmaterial-Abhebeverfahren, bei dem eine SiO2-Schicht auf der gesamten Oberfläche
vorgesehen wird, nachdem eine lichtbeständige Abdeckschicht auf einem Leitermuster belassen wurde, und
dann die SiO2-Schicht auf dem Leitermaster zusammen mit der Abdeckschicht entfernt wird.
Bei diesen herkömmlichen Verfahren ist es jedoch schwierig, die Al-Cu-Schicht völlig zu anodisieren oder
die lichtbeständige Abdeckschicht in befriedigender Weise zu beseitigen. Es war daher schwierig, eine
Magnetblasen-Speichervorrichtung mit einem günstigen planaren Aufbau herzustellen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Magnetblasen-Speichervorrichtung zu entwickeln, bei
der die Stufe im Weichmagnetmaterialmuster, die durch das darunterliegende Leitermuster verursacht ist,
abgeflacht werden kann, um den Bereich des Vormagnetisierungsmagnetfeldes zur Übertragung von Magnetblasen
zu erweitern, und mit der daher das bei der bekannten Vorrichtung angetroffene Problem gelöst
werden kann.
Gegenstand der Erfindung, womit diese Aufgabe gelöst wird, ist eine Magnetblasen-Speichervorrichtung
mit einer magnetischen, zum Enthalten von Magnetbla-
sen geeigneten Schicht, einer ersten Isolierschicht, einem Leitermuster, einer zweiten Isolierschicht und
einem Weichmagnetmaterialmuster, die auf einem nichtmagnetischen Substrat gestapelt sind, mit dem
Kennzeichen, daß mindestens die zweite Isolierschicht der beiden Isolierschichten eine gehärtete Schicht aus
einer hitzebeständigen, hochpolymerisierten organischen Verbindung ist und daß die Dicke der gehärteten
Schicht in einem Bereich von einem Minimalwert von 100 nm bis zu einem Maximalwert von 1000 bis 1300 mn
liegt.
Die Erfindung gibt also eine Magnetblasen-Speichervorrichtung
an, bei der eine aus einem hitzebeständigen, hochpolymerisierten organischen Harz hergestellte
gehärtete Schicht mit einer bestimmten Dicke für eine Isolierschicht verwendet wird, die zwischen einem
Leitermuster und einem Weichmagnetmaterialmuster eingefügt ist Bei einer herkömmlichen Magnetblasen-Speichervorrichtung,
bei der die erwähnte Isolierschicht aus S1O2 hergestellt ist, entsteht eine schroi'/'e Stufe im
Weichmagnetmaterialmuster infolge der Existenz des Leitermusters unterhalb eines Teils des Weichmagnetmaterialmusters,
und der Spielraum des Vormagnetisierungsmagnetfeldes ist dadurch verkleinert. Erfindungsgemäß
ist die Stufe verringert und geglättet, und daher läßt sich die Verkleinerung des genannten Spielraums
vermeiden.
Die Erfindung wird anhand der in der Zei hnung veranschaulichten Ausführungsbeispiele näher erläutert;
darin zeigt JO
F i g. 1 eine Schnittansicht eines Hauptteils der schon
erläuterten herkömmlichen Magnetblasen-Speichervorrichtung;
F i g. 2 eine Schnittansicht zur Darstellung eines Teils eines Ausführungsbeispiels einer Magnetblasen- «
Speichervorrichtung gemäß der Erfindung;
F i g. 3 eine Schnittansicht zur Veranschaulichung des Neigungswinkels und der Dicke einer Harzschicht;
F i g. 4 ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen dem Neigungswinkel und der Dicke einer
Harzschicht;
F i g. 5 ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen dem Neigungswinkel und dem Bereich des
Vormagnetisierungsmagnetfeldes;
Fig.6 eine Schnittansicht zur Veranschaulichung eines Teils eines anderen Ausführungsbeispiels einer
erfindungsgemäßen Magnetblasen-Speichervorrichtung; und
Fig. 7A bis 7L Schnittansichten zur Veranschaulichung
der aufeinanderfolgenden Schritte eines Verfah- r>
rens zur Bildung eines Verbindungsgliedes.
Gemäß Fig.2, die ein Ausführungsbeispiel einer Magnetblasen-Speichervorrichtung gemäß der Erfindung
zeigt, ist eine SiCVSchicht 7 mit einer Dicke von 200 nm als die erste Isolierschicht auf einer Granatschicht
1 vorgesehen, die darin Magnetblasen enthalten kann. Eine gehärtete Schicht 9 mit einer Dicke von
300 nm, die aus Polyimidharz, wie z. B. Polyimidisoindrochinazonlindion (im folgenden mit PII bezeichnet)
hergestellt ist, ist als die zweite Isolierschicht zwischen einem Leitermuster 8 aus Gold und einem Weichmagnetmaterialmuster
10 aus 82% Ni, Rest Fe eingefügt. Im übrigen enthält eine tatsächliche Magnetblasen-Speichervorrichtung
außerdem ein nichtmagnetisches Granatsubstrat, auf dem man die Granatschicht 1 epitaktisch aufwachsen läßt, eine Schicht zur Unterdrükkung
harter Blasen und eine Schutzschicht. Da das Substrat und die genannten Schichten keinen direkten
Zusammenhang mit der Erfindung haben, sind sie in den Figuren zur Vereinfachung ausgelassen.
Nachdem das Leitermuster 8 2uf der ersten Isolierschicht 7 gebildet ist, wird eine bestimmte Menge
von in einem Lösungsmittel (z. B. einer Mischung aus gleichen Teilen N-Methyl-2-pyrrolidon und N,N-Dimethylacetamid)
gelöstem PII auf die Oberfläche durch Rotationsüberzugstechniken aufgebracht und dann zur
Bildung der PI !-Schicht 9 erhitzt. Die Dicke der so gebildeten PH-Schicht läßt sich sowohl durch die
PI I-Konzentration als auch durch die Zahl von Drehungen beim Überzugsprozeß steuern. Wenn
beispielsweise eine PI I-Lösung in einer Konzentration von 8 Gew.-% mit einer Drehzahl von 3500 U/min
aufgebracht wird, bildet sich eine ΡίΙ-Schicht mit einer
Dicke von 300 nm nach der Wärmebehandlung. Wenn eine aufgebrachte PII-Schicht eine Stunde auf eine
Temperatur von z. B. 3500C erhitzt wird, härtet die
Pl!-Schicht aus und kann befriedigende Eigenschaften
für die Isolierschicht der Magnetblasen-Speichervorrichtung aufweisen.
Da die Dicke des Leitermusters 8 bei gewöhnlichen Magnetblasen-Speichervorrichtungen etwa 350 nm ist,
entsteht in einem Fall, wo eine SiCb-Schicht mit einer Dicke von 300 nm als zweite Isolierschicht anstelle der
PII-Schicht mit der gleichen Dicke aufgebracht wird, eine steile Stufe, wie in Fig. 1 gezeigt ist, und der
Vormagnetisierungsfeldbereich ist erheblich verringert. Wenn die PII-Schicht als die zweite Isolierschicht
verwendet wird, hat sie, da das aufgebrachte PII in flüssiger Phase ist, ein solches Verhalten, eine glatte
Oberfläche anzunehmen. Demgemäß wird, wenn die PII-Lösung durch Rotationsüberzugstechniken od. dgl.
aufgebracht und so, wie sie ist, für eine bestimmte Zeit gelassen wird, die durch das darunterliegende Leitermuster
8 auf der Oberfläche der PII-Schicht 9 verursachte Stufe beträchtlich verringert, wie Fig. 2 zeigt, und
daher ist auch die in dem auf der PII-Schicht 9 ausgebildeten Weichmagnetmaterialmuster TO gebildete
Stufe im Vergleich mit dem in Fig. 1 dargestellten Fall erheblich verkleinert.
Die Dicke der PII-Schicht 9 ist bei der Erfindung eine Sache von großer Bedeutung. Wenn die PI !-Schicht 9 zu
dünn ist, läßt sich die Stufe nicht genügend verkleinern. Außerdem führt eine äußerst dünne PII-Schicht zu einer
schlechten Isolation zwischen dem Leitermuster 8 und dem Weichmagnetmaterialmuster 10. Wenn dagegen
die PII-Schicht 9 zu dick ist, wird der Abstand zwischen der Granatschicht 1 und dem Weichmagnetmaterialmuster
10 groß, und es ergeben sich mehrere Störungen hinsichtlich der Erfassung der Magnetblasen.
Wie oben bereits angegeben wurde, muß, um die Bildung der Stufe ohne Verursachung solcher Störungen,
wie schlechter Isolation zwischen dem Leitermuster 8 und dem Weichmagnetmaterialmuster 10 und der
unverläßlichen Erfassung der Magnetblasen, die Dicke der PII-Schicht 9 in einem bestimmten Bereich begrenzt
sein. Unter Bezugnahme auf F i g. 3 wird bei einem Aufbau, bei dem die magnetische Schicht 1 zum
Enthalten von Magnetblasen, die erste Isolierschicht 7, das Leitermuster 8 und die PII-Schicht 9 nacheinander
gestapelt sind, angenommen, daß eine auf der PII-Schicht 9 gebildete Stufe einen Neigungswinkel θ
hat und daß die PII-Schicht 9 eine Dicke h hai. Natürlich wira die Stufe niedrig, wenn der Winkel θ kleiner ist.
und ein solcher niedriger Winkel θ ist für Magnetblasen-Speichervorrichtungen
günstig. Wie in Fig. 4 gezeigt ist, ist der Neigungswinkel Θ klein, wenn die
Dicke h der Pl!-Schicht größer ist. Außerdem wird der
Spielraum oder Bereich des Vormagnetisierungsmagnetfeldes merklich verkleinert, wenn der Neigungswinkel
θ größer ist, wie Fig. 5 zeigt. Der Bereich des Vormagnetisierungsmagnetfeldes wird hier als ein
Bereich des Vormagnetisierungsmagnetfeldes definiert, innerhalb dessen eine Magnetblasen-Speichervorrichtung
normalerweise arbeiten kann. Im einzelnen bedeutet die Angabe, daß der Bereich des Vormagnetisierungsmagnetfelds
5% ist, daß die Magnetblasen-Speichervorrichtung normalerweise auch arbeiten kann,
wenn das an die Vorrichtung angelegte Vormagnetisierungsmagnetfeld
vom Nennwert um 5% verschoben wird. Selbstverständlich ist es erwünscht, einen möglichst
großen Bereich zu erzielen.
In gewöhnlichen Magnetblasen-Speichervorrichtungen wird das Vormagnetisierungsmagnetfeld durch
einen Dauermagneten erzeugt. Da jedoch das Vormagnetisierungsmagnetfeld unvermeidlich durch Temperaturänderungen
od. dgl. verändert wird, benötigt man vom praktischen Gesichtpunkt her einen Bereich des
Vormagnetisierungsmagnetfeldes von mehr als 10%. Wie aus F i g. 5 ersichtlich ist, kann der Bereich des
Vormagnetisierungsmagnetfeldes 10% nur in einem Bereich des Neigungswinkels unter etwa 40° überschreiten
und fällt plötzlich ab, wenn der Neigungswinkel größer als 40° wird.
Andererseits ist es, wie in Fig.4 ersichtlich ist, um
einen Neigungswinkel unter 40° zu erhalten, erforderlich, die Dicke h der Pll-Schicht 9 größer als 100 nm zu
machen. Außerdem wird, wenn die Pll-Schicht 9 mit einer Dicke h von weniger als 100 nm verwendet wird,
die Isolation zwischen dem Leitermuster und dem Weichmagnetmaterialmuster schlecht Aus diesen
Gründen benötigt man für die Dicke Ader Pll-Schicht 9 100 oder mehr nm.
Da ein Detektor zum Erfassen der Magnetblasen auf der Pll-Schicht 9 angeordnet wird, verringert sich der
Ausgang des Detektors beträchtlich, wenn der Abstand zwischen dem Detektor und der Granatschicht 1 zum
Enthalten der Magnetblasen zu groß ist. Daher muß der Abstand zwischen dem Detektor und der Granatschicht
geringer als ein bestimmter Wert sein. Im einzelnen muß die Summe der Dicke der ersten Isolierschicht 7 und der
Dicke der zweiten Isolierschicht 9 vorzugsweise geringer als 1400 nm sein. Wenn die Summe der
Schichtdicken 1400 nm übersteigt, ist es sehr schwierig, Magnetblasen mit hoher Genauigkeit zu erfassen.
Weiter soll die erste Isolierschicht 7 in gewissem Ausmaß dick sein, um die Beanspruchung der
Granatschicht, die darin Magnetblasen enthält, zu erleichtern. Wenn jedoch die Schicht 7 zu dick ist, steigt
der zur Erzeugung der Magnetblasen benötigte elektrische Strom stark an. Aus diesen Gründen soll die
Dicke der ersten Isolierschicht 7 im Bereich von 100 bis
400 nm liegen. Dieser Bereich der Schichtdicke gilt in solchen Fällen, in denen die erste Isolierschicht aus
einem der Stoffe SiO2, AI2O3, S13N4 oder aus hitzebeständigem,
hochpolymerisiertem Harz gebildet wird.
Wie sich aus dem Vorstehenden ergibt, ist die minimale Dicke der Pll-Schicht 9, die sich erfindungsgemäß
verwenden läßt, 100 nm, und die Maximaldicke ist 1000 bis 1300 nm.
Fig.6 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel der
Erfindung. Bei diesem Ausfühningsbeispiel ist die Oberseite einer ersten Isolierschicht 12 (einer SiO2-Schicht),
die auf einer zum Enthalten von Magnetblasen geeigneten Granatschicht 11 vorgesehen ist, mit der
Oberseite eines Leitermusters 13 fluchtend gemacht, um einen vollkommen planaren Aufbau zu bilden. Auf der
Oberseite ist eine zweite Isolierschicht 14 (eine Pll-Schicht) vorgesehen, auf derein Weichmagnetmate-)
rialmuster 15 ausgebildet ist. Demgemäß hat das Weichmagnetmaterialmuster keine Stufe. Der obige
Aufbau wird in der folgenden Weise hergestellt. Zunächst wird S1O2 bis zu einer Dicke entsprechend
dem Boden des Leitermusters 13 durch chemische
κι Dampfabscheidung od. dgl. abgeschieden, und dann
wird das Leitermuster 13 auf dem abgeschiedenen S1O2
ausgebildet. Dann wird eine S^-Schicht auf der ganzen Oberfläche vorgesehen, und danach wird diese S1O2-Schicht
auf dem Leitermuster 13 durch Abhebetechniken entfernt. Jedoch bildet sich beim Abhebeverfahren
unvermeidlich ein Spalt zwischen der SiO2-Schicht 12 und den Seitenwänden des Leitermusters 13. Wenn die
zweite Isolierschicht 14 aus SiO2 gemacht wird, läßt sich
der Spalt nicht vollkommen mit SiO2 füllen. Dagegen wird, wenn Pll zur Bildung der zweiten Isolierschicht 14
aufgebracht wird, der Spalt völlig mit PII im Lauf des
Überziehens gefüllt, und daher läßt sich so ein befriedigender planarer Aufbau erhalten.
Natürlich können verschiedene Arten von magneti-
r> sehen Granaten, wie z. B. (YSmLuCaJ^FeGeJsOii, zur
Bildung der magnetischen Schicht zum Enthalten magnetischer Blasen verwendet werden.
Die erste Isolierschicht kann aus SiO2, das allgemein
verwendet wurde, S13N4, AI2O3 oder hitzebeständigem,
hochpolymerisiertem Harz, wie z. B. Pll, hergestellt werden. Jedoch wird AI2O3 aus den Gründen bevorzugt,
daß AI2O3 gut an hitzebeständigem, hochpolymerisiertem
Harz, wie z. B. PII, das die zweite Isolierschicht bildet, haften kann, von hoher Wärmeleitfähigkeit ist
und daher einen übermäßigen Temperaturanstieg infolge des durch das Leitermuster 13 fließenden Stroms
vermeiden kann.
Das Leitermuster kann aus Aluminiumlegierungen, wie z. B. Al-Si- und Al-Cu-Legierungen, oder auch
Aluminium, welche allgemein verwendet wurden, hergestellt werden. Als Material des Leitermusters wird
Gold aus dem Grund bevorzugt, daß eine geringe Gefahr von Drahtbrüchen aufgrund von Elektromigration
auftritt und so eine hohe Verläßlichkeit erzielbar ist.
Jedoch weist Gold eine geringe Haftung an S1O2 und
AI2O3 auf, die zur Bildung der ersten Isolierschicht
verwendet werden. Daher wird vom praktischen Gesichtspunkt bevorzugt, daß Leitermuster aus einer
Doppellagenschicht, die aus einer auf der ersten Isolierschicht vorgesehenen und aus Mo od. dgl.
hergestellten Metallschicht, die gut an der ersten Isolierschicht haftet, und einer auf der ersterwähnten
Metallschicht vorgesehenen Au-Schicht besteht, auszubilden.
In der Beschreibung wird das Ausführungsbeispiel,
das PII als das hitzebeständige, hochpolymerisierte Harz verwendet, erläutert. Jedoch ist das erfindungsgemäß
verwendbare hitzebeständige, hochpolymerisierte Harz nicht auf PII beschränkt, sondern auch andere
ω hitzebeständige, hochpolymerisierte Harze können die
gleiche Wirkung wie PII ergeben. Magnetblasen-Speichervorrichtungen
werden auf eine Temperatur von 150 bis 200° C im Laufe der Herstellung erhitzt
Daher muß das erfindungsgemäß verwendete Harz eine solche Temperatur aushalten. Weiter ist es, um die oben
erwähnte Stufe zu verringern, erforderlich, daß die Viskosität des verwendeten Harzes unter 0,2 Pa · s ist,
daß das Harz keine Brüche oder Risse während der
Verfestigungsdauer erleidet und daß die gehärtete Harzschicht eine dielektrische Festigkeit über 105 V/cm
aufweist. Das Harz, das diese Anforderungen zu erfüllen vermag, wird hierin als das hitzebeständige, hochpolymerisierte
Harz bezeichnet. Es sind viele Harze bekannt, die erfindungsgemäß verwendet werden
können. Zusätzlich zu Polyimidharz, wie z. B. PII, können beispielsweise Epoxyharz, Phenolharz, Polykarbonatharz,
Polyamid-Imidharz und Polybenzimidazolharz verwendet werden. Weiter kann auch eine
Kombination von zwei oder mehr dieser Harze verwendet werden. Jedoch wird das Polyimidharz aus
praktischen Gesichtpunkten am meisten bevorzugt.
Das Weichmagnetmaterialmuster wird aus einer Ni-Fe-Schicht od. dgl. gebildet und hat verschiedene
Formen, v/ie z. B. eine T-Stange. eine I-Stange. ein
Zickzackmuster und eine Halbscheibe.
Es soll nun eine Erläuterung der Bildung eines Verbindungsgliedes gemäß der Erfindung gegeben
werden. Wie schon dargelegt wurde, kann die Erfindung eine Magnetblasen-Speichervorrichtung liefern,die eine
kleine Stufe im Weichmagnetmaterialmuster aufweist und einen großen Arbeitsbereich hat. Wenn jedoch die
erste Isolierschicht aus SiO2 hergestellt wird, haftet das
zur Bildung der zweiten Isolierschicht verwendete Harz nicht gut an der SiCVSchicht oder der ersten
Isolierschicht. Daher besteht eine gewisse Gefahr, daß ein Verbindungsglied an der Grenzfläche zwischen der
ersten Isolierschicht und der zweiten Isolierschicht abgeschält wird. Obwohl sich ein solcher Nachteil durch
Herstellen der ersten Isolierschicht aus AI2O3 erheblich
mildern läßt, erhält man ein günstigeres Verbindungsglied mit einem Aufbau, bei dem die Harzschicht
unterhalb des Verbindungsgliedes entfernt wird. Fig. 7A bis 7E zeigen die aufeinanderfolgenden
Schritte eines Verfahrens zur Herstellung eines solchen Aufbaus. Wie F i g. 7A zeigt, werden auf einer zum
Enthalten von Magnetblasen geeigneten Granatschicht 1 nacheinander eine SiO2-Schicht 22, ein aus einer
Al-Cu-Legierung bestehendes Leitermuster 23, eine PH-Schicht 24, eine Schicht 25 aus 82% Ni, Rest Fe und
ein lichtbeständiges Abdeckmuster 26 gebildet. Wie F i g. 7B zeigt, wird ein Ätzvorgang unter Verwendung
des lichtbeständigen Abdeckmusters als Maske zum Wegätzen des freiliegenden Teils der Schicht 25
durchgeführt. Anschließend wird die PH-Schicht 24 unter Verwendung der Schicht 25 als Maske zum
Freilegen, wie Fig.7C zeigt, eines Teils sowohl des
Leitermusters 23 als auch der SKVSchicht 22 geätzt. Dann wird, wie in Fig. 7D gezeigt ist, eine zweite
SiO2-Schicht 29 auf der gesamten Oberfläche vorgese-
hen, und man bildet eine öffnung 27 in der SKVSchicht
29 bis zu einer der Oberseite der Schicht 25 entsprechenden Tiefe aus. Eine aus Al od. dgl.
bestehende Metallschicht wird aufgebracht und dann dem Photoätzen zur Bildung eines Verbindungsgliedes
28 mit einem in F i g. 7E gezeigten Aufbau unterworfen. Wie in Fig. 7E ersichtlich ist, sind fast alle Teile des
Verbindungsgliedes 28 von der darunterliegenden PH-Schicht 24 frei, und außerdem ist die Stufe in der
Schicht 25 durch die PH-Schicht 24 geglättet. So läßt sich mit dem vorstehend erläuterten Aufbau eine
Magnetblasen-Speichervorrichtung hoher Verläßlichkeit herstellen.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (7)
1. Magnetblasen-Speichervorrichtung mit einer magnetischen, zum Enthalten von Magnetblasen
geeigneten Schicht, einer ersten Isolierschicht, einem Leitermuster, einer zweiten Isolierschicht und
einem Weichmagnetmaterialmuster, die auf einem nichtmagnetischen Substrat gestapelt sind, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens die
zweite Isolierschicht (9; 14) der beiden Isolierschichten (7, 9; 12, 14) eine gehärtete Schicht aus einer
hitzebeständigen, hochpolymerisierten organischen Verbindung ist und daß die Dicke der gehärteten
Schicht in einem Bereich von einem Minimalwert von 100 nm bis zu einem Maximalwert von 1000 bis
1300 nm liegt.
2. Speichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die hitzebeständige, hochpolymerisierte
organische Verbindung Poiyimidharz ist.
3. Speichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die hitzebeständige, hochpolymerisierte
organische Verbindung Polyimidisoindrochinazolindion ist.
4. Speichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die hitzebeständige, hochpolymerisierte
organische Verbindung aus der Gruppe Epoxyharz, Phenolharz, Polykarbonatharz, PoIyamidimidharz
und Polybenzimidazolharz gewählt ist.
5. Speichervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die erste
Isolierschicht (7; 12) aus einem Stoff besteht, der aus der Gruppe von S1O2, AUO3, S13N4 und der
hitzebeständigen, hochpolymerisierten organischen Verbindung gewählt ist.
6. Speichervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Summe
der Dicken der beiden Isolierschichten (7, 9; 12, 14) im Bereich von 200 bis 1400 nm liegt.
7. Speichervorrichtung nach einem Jer Ansprüche 1 bis ö, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke
der ersten Isolierschicht (7; 12) im Bereich von 100 bis 400 nm liegt.
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