DE2931428A1 - Mikrowellenoszillator - Google Patents
MikrowellenoszillatorInfo
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- DE2931428A1 DE2931428A1 DE19792931428 DE2931428A DE2931428A1 DE 2931428 A1 DE2931428 A1 DE 2931428A1 DE 19792931428 DE19792931428 DE 19792931428 DE 2931428 A DE2931428 A DE 2931428A DE 2931428 A1 DE2931428 A1 DE 2931428A1
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- H—ELECTRICITY
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1817—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a cavity resonator
- H03B5/1823—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a cavity resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/01—Varying the frequency of the oscillations by manual means
- H03B2201/014—Varying the frequency of the oscillations by manual means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances
- H03B2201/015—Varying the frequency of the oscillations by manual means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances the element being a cavity
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
-
- Mikrowellenoszillator
- Die Erfindung bezieht sich auf einen Mikrowellenoszillator mit einem Hohlraumresonator und mit einem Festkörper-3auelement, das mit dem Hohlraumresonator gekoppelt ist, und mit einer Vorspannungsschaltung für das Festkorper-Bauelement.
- Ein solcher Mikrowellenoszillator ist durch die DE-AS 19 03 518 bekannt. Durch die DE-OS 27 34 397 ist es bekannt, bei einer Baugruppe aus einem metallischen Gehäuse für elektrische Schaltkreise mit einem Mikrowellen-Oszillator als Festkörper-Bauelement einen Transistor zu verwenden.
- In Funkeinrichtungen werden zunehmend Trägerversorgungen mit quarzgenau nachgeregelten Mikrowellenoszillatoren eingesetzt, die aus einem in seinen Abmessmngen frequenzbestimmenden Hohlraumresonator mit dem aktiven Oszillatorelement und der Nachregelsohaltung bestehen.
- Verbesserte Halbleitertechnologien ermöglichen es, daß in zunehmendem Maße Transistoren als Oszillatorelement bis in den Frequenzbereich von einigen GHz verwendet werden. Deren Vorteile gegenüber den aktiven Zweipolen, wie z.B. Gunnelementen oder Impattdioden, bestehen darin, daß sie ein sehr geringes Rauschen und einen hohen Wirkungsgrad besitzen. Ein Problem beim Einsatz von Transistoren besteht darin, daß die Anschlüsse zum einen die Versorgungsspannungen# zugeführt bekommen und zum anderen die richtigen Impedanzen zur Ankopplung an das elektromagnetische Feld im Resonator erhalten. Dabei sollen diese Ankopplungen zur Anpassung unterschiedlicher Transistoren leicht abstimmbar und zur Vermeidung von störenden mechanischen Schwingungen stabil dimensioniert sein.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Mikrowellenoszillator zu schaffen, der die vorstehend genannten Forderzngen hinsichtlich der Anschluß- und-Koppelelemente in einfacher t.Seize erfüllt.
- Diese Aufgabe wird bei einem#MikrowelIenoszillator der eingangs beschriebenen Art gemäß der Erfindung in der Weise gelöst, daß das aus einem Transistor bestehende Festkörper-Bauelement innerhalb einer von einem topfförmigen Resonator überdeckten metallischen Grundplatte angeordnet und mit dem Masseanschluß metallisch leitend auf einem in der Grundplatte befestigten Schraubfuß aufgebracht ist, und daß auf dem S#chraubfuß eine den Transistor ringförmig umschließende Scheibe aus Isolierstoff zur Aufnahme von Ankoppelflächen befestigt ist, auf denen die Anschlußbändchen des Transistors und weitere, die Ankoppelflächen vergrößernde Bändchen mit freistehenden Enden elektrisch kontaktierend aufgebracht sind.
- In vorteilhafter Ausgestaltung und Weiterbildung des Erfindungsgegenstandes ist vorgesehen, daß die Scheibe aus einer Leiterplatte mit einer niedrigen Dielektrizltätskonstanten, beispielsweise aus glasfaserverstärktem Teflon, besteht, daß sie beidseitig metallisiert ist und die Ankoppelflächen durch Ätzverfahren hergestellt werden und daß die Stromzuführung zum Transistor über dünne Drähte erfolgt, die auf der einen Seite mit den Ankoppelflächen und auf der anderen Seite mit in der Grundplatte befestigten Durchführungskondensatoren verbunden sind.
- Nachstehend wird die Erfindung an Hand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert.
- In den Fig. 1 und 2 ist ein Mikrowellenoszillator in einer geschnittenen Seitenansicht und einer geschnittenen Draufsicht dargestellt. Der Mikrowellenoszillator besteht aus einer Grundplatte 1 und einem auf diese aufgesetzten, topfförmig ausgebildeten Resonator 2, in den eine Abstimmschraube 16 eintaucht. Der Transistor 3 als aktives Element des Mikrowellenoszillators ist in die Grundplatte 1 eingesetzt, und zwar in der Art, daß er mit seinem Nasseanschluß metallisch leitend auf einem Schraubfuß 4 befestigt,z.B aufgelötet oder mit Leitkleber aufgeklebt ist. Der Schraubfuß 4 ist in eine stufenförmig abgesetzte Bohrung der Grundplatte 1 eingesetzt und wird mittels einer von der Unterseite der Grundplatte 1 her aufsohraubbare Mutter 5 in der Grundplatte befestigt. Im Bereich der Auflagefläche des Schraubfußes 4 auf dem stufenförzeigen Absatz der Grundplatte 1 ist ein Kontaktblech 6 zwischengelegt. Auf der Oberseite des Schraubfußes 4 isteine den Transistor 3 konzentrisch umschließende Scheibe 8 aus Isolierstoff befestigt. Diese Scheibe 8 besteht beispielsweise aus einer Leiterplatte mit niedr#iger Dielektrizitätskonstante frs wie z.B. glasfaserverstärktes Teflon. Die Unterseite der Scheibe ist metallisiert, auf der Oberseite sind Ankoppelflächen 9, 10 in Form metallischer Beläge aufgebracht, auf denen die -Anschlußbändchen 11 des Transistors 3 z.B. durch Löten fest ange- schlossen sind. Die Scheibe kann in vorteilhafter Weise auch beids#eitig metallisiert sein, wobei die Ankoppelflächen im Ätzverfahren hergestellt werden. Die Stromzuführung zum Transis#tor 3 erfolgt über dünne Drähte 12, die auf der einen Seite mit den Ankoppelflächen 9, 10 und auf der anderen Seite mit in der Grundplatte 1 befestigten Durchführungskondensatoren 15 verbunden sind.
- Auf den Ankoppelflächen 9, 10 sind außerdem weitere Bändchen 13, 14 mit freistehenden Enden befestigt. Durch diese beispielsweise durch Löten aufgebrachten Bändchen 13-, 14 werden die Ankoppelflächen 9, 10 #entsprechend vergrößert. Die freistehenden Enden der Bänd#chen 13, 14 können durch Biegen mehr oder weniger an den Resonanzraum angekoppelt#werden und ermöglichen somit den Toleranzausgle ich Durch Verwendung unterschiadlicner Bändchen 13, 14, andere Koppelflächen 9, 10 (größer oder kleiner) und andere Isolierstoffe können beliebige Oszillatortransistoren im jeweiligen Frequenzbereich verlustarm an den Resonator angekoppelt werden.
- 4 Patentansprüche 2 Figuren Leerseite
Claims (4)
- Patentansprüche 1. Mikrowelle noszillator mit einem Hohlraumresonator und mit einem Festkörper-Bauelement, das mit dem Hohlraumresonator gekoppelt ist und mit einer Vorspannungsschaltung für das Festkörper-Bauelement, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß das aus einem Transistor (3) bestehende Festörper-Baelement innerhalb einer von einem topfförmigen Resonator (2) überdeckten metallischen Grundplatte (1) angeordnet und mit dem Masseanschluß metallisch leitend auf einem in der Grundplatte (1) befestigten Schraubfuß (4) aufgebracht ist, und daß auf dem Schraubfuß (4), den Transistor (3) konzentrisch umschließend, eine Scheibe (8) aus Isolierstoff zur Aufnahme von Ankoppelflächen (9, 10) betestigt ist, auf denen die Anschlußbändchen (11) des Transistors (3) und weitere, die Ankoppelflächen (9, 10) vergrößernde Bändchen (13, 14)- mit freistehenden inden elektrisch kontaktierend aufgebracht sind.
- 2. Mikrowellenoszillator nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c hn e t , daß die Scheibe (8) aus einer Leiterplatte mit niedriger Dielektrizitätskonstanten besteht.
- 3. Mikrowellenoszillator nach Anspruch 1 oder 2, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e daß die Scheibe (8) aus Isolierstoff zur Aufnahme der Ankoppelflächen beidse#itig metalliniert ist, und daß die Ankoppeiflächen (9, 10) durch Ätzverfahren hergestellt werden.
- 4. Mikrowellenoszillator nach #einem der Ansprüche 1 bis 3, d ad u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Stromzuführung für den Transistor über dünne Drähte erfolgt, die auf der einen Seite mit den Ankoppelflächen und auf der anderen Seite mit in der Grundplatte befestigten Durchfuh#rungskondensatoren verbunden sind.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792931428 DE2931428C2 (de) | 1979-08-02 | 1979-08-02 | Mikrowellenoszillator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792931428 DE2931428C2 (de) | 1979-08-02 | 1979-08-02 | Mikrowellenoszillator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2931428A1 true DE2931428A1 (de) | 1981-02-05 |
DE2931428C2 DE2931428C2 (de) | 1982-03-04 |
Family
ID=6077492
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19792931428 Expired DE2931428C2 (de) | 1979-08-02 | 1979-08-02 | Mikrowellenoszillator |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2931428C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4922211A (en) * | 1988-04-15 | 1990-05-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Microwave oscillator in which the dielectric resonator is hermetically sealed |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1075440A (en) * | 1965-01-06 | 1967-07-12 | Motorola Inc | Transistor circuit |
DE1591590A1 (de) * | 1966-11-22 | 1970-10-22 | Sanders Associates Inc | Kleinst-Topfkreis fuer Mikrowellen |
DE1903518B2 (de) * | 1968-01-25 | 1977-03-03 | Varian Associates, PaIo Alto, Calif. (V.StA.) | Hochfrequenzoszillator |
DE2734397A1 (de) * | 1977-07-29 | 1979-02-01 | Siemens Ag | Baugruppe fuer elektrische schaltkreise mit einem mikrowellenoszillator |
-
1979
- 1979-08-02 DE DE19792931428 patent/DE2931428C2/de not_active Expired
Patent Citations (4)
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US4922211A (en) * | 1988-04-15 | 1990-05-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Microwave oscillator in which the dielectric resonator is hermetically sealed |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2931428C2 (de) | 1982-03-04 |
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