DE2931117A1

DE2931117A1 - Thermische einlagerung von feinen leitern in einen festkoerper aus einem halbleitermaterial

Info

Publication number: DE2931117A1
Application number: DE19792931117
Authority: DE
Inventors: Thomas Richard Anthony; Harvey Ellis Cline; Douglas Eugene Houston
Original assignee: General Electric Co
Current assignee: General Electric Co
Priority date: 1978-09-13
Filing date: 1979-07-31
Publication date: 1980-03-27
Also published as: US4159213A; JPS55117228A; GB2040180A

Description

Thermische Einlagerung von feinen Leitern in einen Festkörper aus einem Halbleitermaterial

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Hindurchwandernlassen einer Schmelze eines Metalls durch einen Festkörper aus einem Halbleitermaterial mittels des Temperaturgradienten-Zonenschmelzvorgangs und insbesondere auf die gleichmäßige Einleitung der Wanderung bzw. Einlagerung durch Verbesserung des Eindringens der Schmelzen in das Material an der Oberfläche für den Fall, daß feine, flüssige, linien- bzw. drahtförmige Leiter wandern gelassen werden.

Aus den US-Patentschriften 2 813 048 und 2 739 (W.G. Pfann) sind Verfahren zum Hindurchbewegen von Metallschmelzen durch einzelne bzw. spezielle Regionen eines Festkörpers aus einem Halbleitermaterial mittels des Temperaturgradienten-Zonenschmeizvorgangs bekannt. Die Instabilität der geschmolzenen, linien- bzw. drahtförmigen Leiter (nachstehend einfach auch als "Leiter" bezeichnet) und Tröpfchen führte jedoch zu einem Zerfall

XI/rs

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] der wandernden Leiter und Tröpfchen, weshalb nicht immer zufriedenstellende Halbleiterbauelemente und Anordnungen solcher Bauelemente erhalten werden konnten.

Kürzlich wurde von Thomas R. Anthony und Harvey E. Cline festgestellt, daß auch bevorzugte Ebenenorientierungen der Oberflächen des Körpers aus dem Halbleitermaterial und eine bevorzugte Wechselbeziehung zwischen der Wanderungsachse und den Ausrichtungs- bzw. Orientierungsachsen der Leiter erforderlich sind, um flüssige, drahtförmige metallische Leiter und/oder Metalltröpfchen durch den Festkörper wandern zu lassen. In diesem Zusammenhang sei z. B. auf die US-Patentschriften 3 899 362 und 3 904 442 hingewiesen. Diese Verbesserungen im Temperaturgradienten-Zonenschmelzverfahren führten zu einer geschäftlichen bzw. industriellen Ausnutzung des Verfahrens. Die Breite der Leiter, die wandern gelassen werden, wird jedoch kleiner, und es war schwierig, in wiederholter Weise im industriellen Maßstab allein mittels eines Temperaturgradienten ein Eindringen von feinen, flüssigen Leitern mit einer Breite von weniger als 51 um undvorzugsweise 25 \xm und von kleinen Flüssigkeitströpfchen mit einem Durchmesser von weniger als 153 μΐη von der Oberfläche einer Scheibe bzw. eines Plättchens oder eines Körpers aus einem Halbleitermaterial ausgehend zu erreichen. Zwar ist ein Temperaturgradient stark genug, um eine Wanderung der kleinen Flüssigkeitszonen zu verursachen, sobald sich diese einmal im Volumen bzw. im Inneren des Halbleitermaterials gebildet haben, die Kraft des Temperaturgradienten reicht jedoch nicht zur Überwindung der Oberflächenspannungskräfte aus, durch die feine Flüssigkeitszonen oder feine, flüssige, drahtförmige Leiter auf der Oberfläche eines Körpers oder einer Scheibe festgehalten werden. Trotz weiterer

*" Verbesserungen in den Bearbeitungsverfahren mittels des

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' Temperaturgradienten-Zonenschmelzvorgangs, ζ. B. der Bildung einer Legierung des abgeschiedenen Metalls an bzw. mit der Oberfläche (US-Patentschrift 3 897 277) und einer Sinterung des abgeschiedenen Metalls (US-Patentschrift 4 006 040) besteht das Problem weiter, wenn man beabsichtigt, im industriellen Maßstab feine drahtförmige Leiter wandern zu lassen. Als Ergebnis war das Temperaturgradienten-Zonenschmelzverfahren bis jetzt auf Leiter mit Dimensionen beschränkt, wie sie für Isolierungs-Gitternetze in Festkörper-Leistungsbauelementen typisch sind, und es hatte im industriellen Maßstab keinerlei Auswirkungen auf Verfahren zur Herstellung von Bauelementen bzw. Bauelementanordnungen in Form von integrierten Schaltkreisen, bei denen eine

'5 viel feinere Geometrie der dotierten Regionen erforderlich ist,

Aufgabe der Erfindung ist demnach ein Verfahren zum Hindurchwandernlassen von feinen, geschmolzenen ^w linien- bzw. drahtförmigen Leitern aus Metall durch einen Festkörper aus einem Halbleitermaterial durch Bearbeitung mittels des Temperaturgradienten-Zonenschmelzvorgangs, durch das die Mängel der bekannten Verfahren beseitigt

werden.
25

Die Erfindung wird nachstehend kurz erläutert.

Durch die Erfindung wird ein neues und verbessertes

Verfahren zum Hindurchwandernlassen von geschmolzenen,

drahtförmigen, metallischen Leitern mit einer Breite von 51 μΐη oder weniger durch einen Festkörper oder eine Matrix aus einem Halbleitermaterial zur Verfügung gestellt. Das verbesserte Verfahren besteht darin, daß man einen einseitig gerichteten Temneraturgradienten einstellt und aufrechterhält, dessen Richtung von der normalerweise für die thermische Wanderung bevor-

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zugten Achse um 2° bis 10° abweicht. Wenn der Körper eine Hauptoberfläche mit der bevorzugten Kristallebenenorientierung (100) hat, wird der Temperaturgradient in dem Körper in einer Richtung eingestellt und aufrechterhalten, die von der Ooo^-Achse des Matrixkörperkristalls in Richtung auf eine aus <0iT) und <0?1) ausgewählte Achsenrichtung abweicht.

Schmelzen von drahtförmigen Aluminiumleitern mit einer Breite von 51 μΐη und weniger sind mit Erfolg wandern gelassen bzw. eingelagert worden. Das Metall drang bei der Einleitung der Wanderung gleichmäßig entlang der gesamten Länge jedes drahtförmigen Leiters ein. Die Leiter waren während der Wanderung stabil, und jeder Leiter in den Anoxdnungen bzw. Reihen von drahtförmigen Leitern drang während der gleichen Zeitdauer des Wanderns bzw. Eindringens jeweils bis zu im wesentlichen der gleichen Tiefe ein.

Die Erfindung wird nächstehend näher erläutert.

Ein Körper aus Halbleitermaterial mit einem bestimmten Wert des spezifischen Widerstandes und einem — ersten Leitfähigkeitstyp wird ausgewählt. Der Körper besitzt einander gegenüberliegende Hauptoberflächen, durch die die Ober- bzw. die Unterseite des Körpers gebildet wird. Das Halbleitermaterial, aus dem der Körper besteht, kann Silicium, Germanium, Siliciumcarbid, Galliumarsenid, eine Verbindung aus einem Element der Gruppe II und einem

° Element der Gruppe VI und eine Verbindung aus einem Element der Gruppe III und einem Element der Gruppe V "sein. '

Die thermische Wanderung der metallischen, draht-

förmigen Leiter erfolgt vorzugsweise unter Beachtung der in der nachstehenden Tabelle angegebenen Bedingungen für die Orientierung der.Ebenen, die Richtungen der

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— Q —

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1 thermischen Wanderung und die stabile Ausrichtung bzw. Orientierung und die stabile Ausdehnung der drahtformigen Leiter.

Scheiben ebene

(100)

¹⁵ (110) (111)

Wanderungs richtung

<100>

Stabile Richtung Stabile Ausder drahtförmigen dehnung

Leiter ^_ bzw. Größe

der drahtförmigen Leiter

(um)

<OT1>
<lT0>*

a) <0lT>
<10T>
<1TO>

c) Irgendeine
andere *
Richtung in
der -(HD-Ebene

<100 <100 <150

<500

30 ■* Die Stabilität des wandernden drahtförmigen Leiters ist empfindlich hinsichtlich der Ausrichtung des Tempe- - raturgradienten gegenüber bzw. mit der <1OO>-, <11O>bzw. . {111>-Achse.
Gruppe a) ist stabiler als Gruppe b), die ihrerseits

35 stabiler als Gruppe c) ist.

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Das Temperaturgradienten-Zonenschmelzverfahren und die zugehörige Vorrichtung bilden keinen Teil der Erfindung. Das im erfindungsgemäßen Verfahren angewandte Temperaturgradienten-Zonenschmelzverfahren und die für dieses Verfahren eingesetzte Vorrichtung werden in den nachstehend angegebenen US-Patentschriften näher erläutert: 3 901 736 ("Method of Making Deep Diodes"); 4 010 ("Deep Diode Devices and Method and Apparatus"); 3 898 106 ("High Velocity Thermomigration Method of Making Deep Diodes"); 3 902 925 ("Deep Diode Device Having Dislocation-Free P-N Junctions and Method"); 3 899 361 ("The Stabilized Droplet Method of Making Deep Diodes Having Uniform Electrical Properties"); 3 979 230 ("Method of Making Isolation Grids in Bodies of Semiconductor Material") und 3 899 362 ("Thermomigration of Metal-Rich Liquid Wires Through Semiconductor Materials").

Erfindungsgemäß wurde festgestellt, daß ein Temperaturgradient mit einer von der Achse abweichenden Richtung ausgenutzt werden kann, um feine, flüssige, drahtförmige Leiter in Gang zu setzen und durch einen Festkörper aus einem Halbleitermaterial hindurchwandern zu lassen. Die Stabilität des wandernden feinen, flüssigen, ^ drahtförmigen Leiters wird während der Wanderung beibehalten.

Die Veröffentlichung von Anthony und Cline: "Random Walk of Liquid Droplets Migrating in Silicon" in Journal of Applied Physics, 47, 2316 (1976) wurde nochmals überprüft, obwohl zunächst schien, daß diese Veröffentlichung nicht relevant ist, und es wurde festgestellt, daß es möglich war, zu erreichen, daß in einer ähnlichen Weise wie bei der Beziehung des von der Achse

abweichenden Temperaturgradienten zum Hindurchwandernlassen von Tröpfchen durch einen Festkörper die gleichen Prinzipien für das Hindurchwandernlassen von feinen, flüs-

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sigen, drahtförmigen Leitern zutreffen · Der Temperaturgradient wird in einer Richtung eingestellt, die von der in der Tabelle gezeigten, bevorzugten Kristallachse der Wanderung um 0° bis 10° abweicht. Erfindungsgemäß wurde festgestellt, daß alle feinen,drahtförmigen, metallischen Leiter ihre Wanderung gleichmäßig und zugleich einleiteten und in stabiler Weise durch den Festkörper hindurchwanderten. So wurde nachgewiesen, daß auf einer der vorderen Flächen des wandernden, geschmolzenen, drahtförmigen Leiters eine bevorzugte Auflösung erfolgt, weil diese Fläche immer eine höhere Durchschnittstempe" ratur als die anderen Flächen des wandernden Leiters hat. Der von der Achse abweichende Temperaturgradient verhindert die regellosen bzw. ungeordneten, durch Versetzungen induzierten, seitwärts gerichteten Verschiebungen, die beobachtet werden, wenn der Temperaturgradient zu der bevor-' zugten Kristallachse der Wanderung parallel ist. Daher wird in erfolgreicher Weise eine gleichmäßige bzw. stetige, geordnete bzw, nicht regellose Verschiebung des wandernden, geschmolzenen Leiters in einer Richtung erzielt, die durch den geringfügig von der Achse abweichenden Temperätmrgradienten festgelegt wird, was zu Anordnungen bzw. Reihen von feinen, linien- bzw, drahtförmigen Leitern mit einer Breite von 51 μπι und weniger

führt. ■

Erfindungsgemäß wird die Verwendung von Scheiben bzw. Plättchen bevorzugt, die in einer (100)-Kristallebene orientiert sind und bei denen eine ^T00)--Kristallachse der Wanderung bevorzugt ist. Aus der US-Patentschrift 3 998 662 ("Migration of Fine Lines For Bodies Of Semiconductor Materials Having A (100) Planar Orientation of A Major Suface") der Erfinder ist bekannt, daß die geschmolzenen, drahtförmigen Leiter bei .einer Scheibe mit der Orientierung der (100)-Ebene zur Selbsteinleitung bzw. zum von selbst erfolgenden Ingangsetzen der Wanderung neigen, was zum Ergebnis hat, daß eine

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geringere Verschiebung in seitlicher Richtung eintritt. Infolgedessen behält der wandernde, drahtförmige Leiter fast die gleiche Breite wie die abgeschiedene Metallschicht, während die rekristallisierten Regionen, die bei den anderen Ebenenorientierungen gebildet werden, eine größere Breite als die abgeschiedenen, drahtförmigen Leiter haben und breiter sind als die Regionen, die bei Scheiben bzw. Plättchen mit der Ebenenorientierung (100) gebildet werden.

Bei erfindungsgemäßen Untersuchungen des Hindurchwandernlassens von Aluminium durch Silicium wurde festgestellt, daß die erhaltenen dünnen Regionen von rekristallisiertem Halbleitermaterial bei der Orientierung in der (100)-Kristallebene gelegentlich eine wellenförmige Konfiguration hatten und daß sich das Metall jedes drahtförmigen Leiters nicht immer gleichzeitig in Gang setzte bzw. seine Wanderung nicht immer gleichzeitig einleitete, was zu gebrochenen Linien und/oder zu einer ungleichmäßigeren Eindringtiefe während der gleichen vorbestimmten Zeitdauer der Durchführung des Temperaturgradienten-Zonenschmelzvorgangs führte. _ ;

Durch Anwendung des Prinzips^der Verwendung eines ^: Materials mit einer um 2° bis 10° vonder Achse abweichenden Ausrichtung war es daher erfindungsgemäß möglich, in reproduzierbarer Weise mit Aluminium dotierte Regionen von rekristallisiertem Silicium-Halbleitermaterial mit einer Breite von 51 μΐη und weniger zu bilden. Der ^ Temperaturgradient wird in dem Fest- oder Matrixkörper in Form eines einseitig gerichteten ■Temperaturgradienten eingestellt und aufrechterhalten, der eine von der Ό00)-Achse des Matrixkörperkristalls um 2° bis 10° auf eine aus (O1T) und {0Ϊ1) ausgewählte Richtung hin abweichende Richtung hat. Z. B.

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wurden erfindungsgemäß 51 μπι breite, drahtförraige Aluminiumleiter durch Siliciumscheiben wandern gelassen, deren Hauptoberflächen so geschnitten worden waren, daß ihre Normale um 4° + 0,5° von der ^100^-Kristallachse der Wanderung abwich. Als Drehachse wurde die Kristallachse der Richtung (oil} angewandt. Der Temperaturgradient wurde in einer zu den einander gegenüberliegenden Hauptoberflächen der Scheiben senkrechten Richtung gerichtet, wodurch sich eine von der Achse abweichende Komponente in der <011>-Richtung ergab. Das Metall wurde auf den Seheibenoberflächen parallel zur Kristallachsenrichtung {01O abgeschieden.

Die thermische Wanderung der Anordnung bzw. Reihe von Leitern führte zu einem gleichmäßigen Eindringen jedes drahtförmigen metallischen Leiters in die Oberfläche, und zwar entlang der gesamten Länge des jeweiligen Leiters. Als Ergebnis wanderte die Anordnung bzw. Reihe von drahtförmigen metallischen Leitern in gleichmäßiger Weise, und die Untersuchung von Scheiben, bei denen die Einlagerung mit verschiedener Zeitdauer durchgeführt worden war, ergab, daß die Wanderungstiefe bei jedem Leiter gleichmäßig war und daß die Wanderungstiefe im allgemeinen bei allen Leitern in der Anordnung bzw. Reihe im Verhältnis zueinander im wesentlichen gleich war.

Der einseitig gerichtete Temperaturgradient wird vorzugsweise in einer Richtung gehalten, die von der für die stabilen Richtungen des drahtförmigen Leiters bevorzugten Kristallachse der Wanderung um 2° bis 10 abweicht. Je größer die von der Achsenrichtung abweichende Komponente der Wanderung wird, um so mehr neigt der wandernde Leiter (unter der Voraussetzung, daß diese Komponente nicht in der gleichen Kristallebene wie der stabile, drahtförmige

Leiter liegt) dazu, während der Wanderung instabil zu werden, obwohl ein gleichmäßiges Eindringen der Schmelze

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erreicht wird.

Es gibt jedoch eine Ausnahme. Stabile metallische, drahtförmige Leiter aus Aluminium sind mit den stabilen Leiterrichtungen <112>, <211> und <121> durch Siliciumscheiben mit. der Ebenenorientierung (111) mit einer von der Achse abweichende Komponente von bis zu 50 hindurchwandern gelassen worden. Dies kann für (111)-Scheiben mit den anderen stabilen Leiterrichtungen nicht durchgeführt werden.

Die Wanderung in einer von der Achse abweichenden Richtung kann erzielt werden, indem man die Scheiben absichtlich so schneidet, daß die Normalen ihrer .Hauptoberflächen um einen vorbestimmten Winkel von der Achse abweichen. Daher weicht der einseitig gerichtete Temperaturgradient, wenn er senkrecht zu den zwei Hauptoberflächen der Scheibe oder des Matrixkörpers eingestellt wird, um eine vorbestimmte Anzahl von Graden von der Achse ab, so daß die von der Achse abweichende Wänderungskomponente der gewünschten Kristallachse der Wanderung er- ; zielt wird. V : V ;

Nachdem bewiesen worden war, daß es möglich ist, das Einlagerungsverfahren mit einem von der Achse abweichenden Temperaturgradienten praktisch anzuwenden, konnte dann das Temperaturgradienten-Zonenschmelzverfahren in der bekannten Weise durchgeführt werden.

Die Oberfläche des Festkörpers aus dem Halbleitermaterial wird durch übliche Halbleiter-Bearbeitungsver-■ "fahren für die Abscheidung des Metalls vorbereitet, das durch diesen Festkörper hindurchwandern gelassen werden soll. Das Metall kann durch irgendwelche geeigneten Mit-

tel bzw. Vorrichtungen auf der Oberfläche abgeschieden

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werden, auf der die Wanderung der Schmelze eingeleitet werden soll. Für den Fäll, daß der Körper ein Silicium-Halbleitermaterial vom N-Typ ist und daß die Schmelze, die wandern gelassen werden soll,, wenigstens teilweise aus Aluminium besteht, wurde z. B. festgestellt, daß die Aufdampfung der Schicht des Aluminiummetalls bei einem Druck von annähernd 13 nbar, jedoch nicht höher als 67 nbar, durchgeführt werden sollte. Bei einem Druck über 67 nbar wurde erfindungsgemäß gefunden, daß im Falle der Aufdampfung von Aluminiummetall das Eindringen des Aluminiums in das Silicium und das Hindurchwandern des Aluminiums durch den Körper nicht leicht vonstatten gehen. Es wird angenommen, daß die Aluminiumschicht mit Sauerstoff gesättigt ist und eine Reduktion der sehr dünnen Siliciumoxidschicht zwischen dem abgeschiedenen Aluminium und dem Silicium durch das Aluminiummetall verhindert. Daher wird die anfängliche Schmelze von Aluminium und Silicium, die für die Wanderung erforderlich ist, nicht erhalten, weil die Aluminiumschicht nicht fähig ist, das darunterliegende Silicium zu benetzen und mit diesem eine Legierung zu bilden. In einer ähnlichen Weise ist das durch Aufspritzen abgeschiedene Aluminium nicht so günstig, weil aufgespritztes Aluminium anscheinend mit Sauerstoff, der von dem Aufspritzverfahren herrührt,

■" gesättigt ist, wodurch die Reduktion von irgendwelchem dazwischenliegenden Siliciumoxid verhindert wird. Die bevorzugten Verfahren für die Abscheidung von Aluminium auf dem Siliciumkörper sind das Elektronenstrahlverfahren und ähnliche Verfahren, bei denen im Aluminium wenig oder

überhaupt kein Sauerstoff eingefangen bzw. festgehalten werden kann.

Der bearbeitete Körper wird in eine für die Bearbeitung durch den Temperaturgradienten-Zonenschmelzvor-

gang geeignete Vorrichtung hineingebracht, und die draht-

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-T-. förmigen, metallischen Leiter werden durch den Festkörper aus dem Halbleitermaterial hindurchwandern gelassen.

Durch die Entwicklung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Hindurchwandernlassen bzw. Einlagern von drahtförmigen metallischen Leitern mit einer Breite von 51 um und weniger, bei dem ein von der Achse abweichender Temperaturgradient angewendet wird, können in erfolgreicher Weise Halbleiter—Bauelemente und Anordnungen solcher Bauelemente hergestellt werden, diä mit einer Technologie zur Herstellung feiner draht- bzw. linienförmiger Leiter für die Bildung von Regionen mit einem dünnen (51 μιη oder weniger) Querschnitt verbunden sind.

Auch andere geometrische Konfigurationen, bei denen die Querschnittsfläche der anfänglichen Metallkonfiguration eine Breitendimension von 51 μιη oder weniger hat, können in erfolgreicher Weise durch die Bearbeitung mittels des Temperaturgradienten-ZonenschmelzVorgangs wandern gelassen bzw. eingelagert werden, Beispiele für solche Konfigurationen sind kreisförmige Konfigurationen für Material mit der Ebenehorientieruhg (111) und einer von der Achse abweichenden Ausrichtung.

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Claims

10 Patentansprüche

1,. Verfahren zum Hindurchbewegen einer Schmelze eines metallreichen Halbleitermaterials durch einen Festkörper aus einem Halbleitermaterial durch Bearbeitung mittels eines Temperaturgradienten-Zonenschmelzvorgangs, bei dem

(a) ein Körper aus einem Einkristall-Halbleitermaterial ausgewählt wird, der einen ersten Leitfähigkeitstyp, einen ausgewählten spezifischen Widerstand und mindestens eine Hauptoberfläche mit einer bevorzugten, aus der (100)-, (110)- und (111)-Orientierung der Ebenen der Kristallstruktur ausgewählten Orientierung hat, wobei die Vertikalachse des Körpers mit einer ersten Achse der Kristallstruktur im wesentlichen ausgerichtet ist, bei dem

(b) die Oberfläche mit der bevorzugten Orientierung einer Ebene der Kristallstruktur vorbereitet wird, um auf dieser Oberfläche eine physikalische Konfiguration oder mehrere physikalische Konfigurationen einer Metallschicht aufzunehmen, bei dem

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(c) auf der ausgewählten Oberfläche des Körpers aus dem Halbleitermaterial mindestens eine Menge eines Materials in Form eines drahtförmigen metallischen Leiters abgeschieden wird, wobei jede Menge des metallisehen Materials eine bevorzugte geometrische Konfiguration hat, bei dem

(d) der Körper und das Metall auf eine Temperatur erhitzt werden, die dazu ausreicht, daß auf der Oberfläche des Körpers eine Schmelze von metallreichem Material gebildet wird, bei dem

(e) im wesentlichen entlang der Vertikalachse des Körpers und der ersten Achse der Kristallstruktur ein Temperaturgradient eingestellt wird und bei dem

(f) die metallreiche Schmelze entlang der ersten Achse der Kristallstruktur durch den Körper hindurchwandern gelassen wird, um den Körper in eine Vielzahl von Regionen des ersten Leitfähigkeitstyps aufzuteilen

und um mindestens eine Region oder mehrere Regionen , aus rekristallisiertem Material des Körpers zu bilden, wobei eine feste Löslichkeit des aufgedampften Metalls in dem rekristallisierten Material vorliegt und durch ^ das Metall mindestens ein zur Dotierung dienendes Fremdstoffmaterial in das rekristallisierte Material hineingebracht wird, wodurch dem rekristallisierten Material ein zweiter, entgegengesetzter Leitfähigkeitstyp und ein bestimmter Wert des spezifischen Widerstandes

3O₁.,,

verliehen werden,

dadurch gekennzeichnet, daß man den Temperaturgradienten in einer um 2° bis 10° von der vertikalen Kristallachse des Körpers;abweichenden Richtung einstellt, um ein im wesentlichen gleichmäßiges Ingangsetzen der Schmelze

für die in den Körper hinein und durch diesen hindurch erfolgende Wanderung bzw. Einlagerung zu erzielen.

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2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die Orientierung der (100)-Kristallebene bevorzugt und daß man den von der Achse abweichenden Temperaturgradienten in einer einseitig gerichteten Weise einstellt, und zwar in einer Richtung, die von der {iOO}-Kristallachse zu einer Richtung hin abweicht, die aus der <0il>- und der (θίΊ>-Richtung ausgewählt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man als Halbleitermaterial Silicium und als Metall der Schicht Aluminium einsetzt.

4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß man als Halbleitermaterial Silicium und als Metall der Schicht Aluminium einsetzt.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß man den Temperaturgradienten in einer um 4 +_ 0,5

von der Ooo^-Kristallachse abweichenden Richtung einstellt.

6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht die Konfiguration eines drahtähn-

liehen Leiters hat und daß der drahtähnliche metallische Leiter eine stabile Leiterrichtung hat, die so orientiert bzw. gerichtet ist, daß sie mit mindestens einer der anderen Achsen der Kristallstruktur des Körpers im wesentlichen übereinstimmt,

wobei die Richtung bzw. Orientierung jedes metalli-■schen Leiters mit einer der stabilen Leiterrichtungen übereinstimmt, wenn die Ebenenorientiecung (111) bevorzugt wird,

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wobei die Richtung bzw. Orientierung jedes drahtförmigen Leiters mindestens eine der aus <O11> und {Ö11 ^ ausgewählten Leiterrichtungen ist, wenn

die Ebenenorientierung (100) bevorzugt wird, und 5

wobei jeder drahtförmige Leiter die Richtung bzw. Orientierung (011} hat, wenn die Ebenenorientierung (110) bevorzugt wird.

■

7. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht die Konfiguration eines drahtähnlichen Leiters mit einer stabilen Leiterrichtung hat, die so orientiert bzw. gerichtet ist, daß sie mit einer der aus <O11> und <011> ausgewählten Leiterrichtungen im wesentlichen übereinstimmt.

8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß man als Halbleitermaterial Silicium und als Metall -der-..Schicht Aluminium einsetzt.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß man den Temperaturgradienten in einer um 4 +_ 0,5 von der {100}-Kristallachse abweichenden Richtung einstellt. ■ . ■ - "

10. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß man die Ebenenorientierung (111) bevorzugt und daß man die stabile Leiterrichtung aus den Richtungen <112), <211> und <12*1> auswählt.

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