DE2929612B1 - Schaltungsanordnung in Microstrip-Bauweise fuer mit Leistungstransistoren bestueckte Schaltungen der Hoechstfrequenztechnik - Google Patents
Schaltungsanordnung in Microstrip-Bauweise fuer mit Leistungstransistoren bestueckte Schaltungen der HoechstfrequenztechnikInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung in Microstrip-Bauweise laut Oberbegriff des Hauptanspruches.
ίο Schaltungsanordnungen dieser Art sind bekannt. Die
Dicke der Trägerplatte ist hierbei so gewählt, daß sich für die darauf ausgebildeten Microstripleitungen ein
Wellenwiderstand von etwa 50 Ohm ergibt, der also dem Wellenwiderstand der in Deutschland üblichen
Koaxialkabel entspricht, mit dene solche Schaltungsanordnungen meist verbunden sind. Je dicker diese
dielektrischen Trägerplatten gewählt werden, um so breiter können auch die auf der Vorderseite der Platte
ausgebildeten Microstrip-Leiterstreifen gewählt werden, also auch die ohmschen Verluste dieser Microstrip-Leitungen
verringert werden. Aus diesen elektrischen Gründen und auch aus rein mechanischen Gründen
werden solche Trägerplatten meist einige Millimeter dick ausgewählt. Die elektrische Verbindung zwischen
den Anschlußfahnen des Leistungstransistors, der meist in einer der Form seines Kühlflansches entsprechend
ausgefrästen Ausnehmung der Trägerplatte eingesetzt ist und meist auf einem darunter angebrachten
Kühlblock aufgeschraubt ist, und den zu dieser
jo Ausnehmung geführten Microstrip-Leitungen auf der
Vorderseite der Trägerplatte mußte bisher immer durch eine bleibende Lötverbindung hergestellt werden, da an
dieser Anschlußstelle außerdem stets noch Transformations-Schaltungs-EIemente
angelötet werden mußten, um den relativ niederohmigen Eingangswiderstand des Leistungstransistors, der nur etwa 1 bis 3 Ohm beträgt,
an den demgegenüber relativ hochohmigen Wellenwiderstand der Microstrip-Leitungen, der wie gesagt
meist etwa 50 Ohm beträgt, anzupassen. Mußten bei solchen bekannten Anordnungen Leistungstransistoren
ausgewechselt werden, so mußten diese Lötverbindungen gelöst werden, und nach dem Einbau des neuen
Transistors mußten dann wieder erneut Abgleicharbeiten zur Wellenwiderstandsanpassung durchgeführt
werden. Die Herstellung solcher bekannter Schaltungsanordnungen ist relativ kompliziert und erfordert sehr
präzise Handlötarbeiten und zusätzliche elektrische Abgleicharbeiten, und ein Auswechseln eines Leistungstransistors ohne Neuabgleich der Schaltung ist bei den
bekannten Anordnungen praktisch nicht möglich.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, eine Schaltungsanordnung in Microstrip-Bauweise für mit Leistungstransistoren bestückte Schaltungen der Höchstfrequenztechnik,
insbesondere der UHF- bzw. VHF-Nachrichtentechnik, zu schaffen, die einfach herstellbar ist
und bei der vor allem auch das einfache Auswechseln des Leistungstransistors ohne erneute Abgleicharbeiten
möglich ist.
Diese Aufgabe wird ausgehend von einer Schaltungsanordnung laut Oberbegriff des Hauptanspruches durch
dessen kennzeichnende Merkmale gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Gemäß der Erfindung sind die Anschlußfahnen des Leistungstransistors mit Microstrip-Leitungen verbunden,
die auf einem zusätzlichen kleinen Trägerfolienstück mit wesentlich kleinerem Wellenwiderstand als
auf der dickeren Trägerplatte ausgebildet sind, also mit
ORIGINAL INSPECTED
einem Wellenwiderstand, der etwa dem Eingangswiderstand des Transistors entspricht. Aus diesem Grunde
sind an der Kontaktstelle zwischen den Anschlußfahnen des Leistungstransistors und diesen Microstrip-Leitungen
der Trägerfolie keinerlei Anpassungsmaßnahmen nötig. Es ist daher möglich, die galvanische Verbindung
zwischen diesen Anschlußfahnen und diesen Microstrip-Leitungen der Trägerfolie lösbar auszubilden und diese
beiden Teile nur durch ein geeignetes Klemmteil zur Herstellung des Verbindungskontaktes aneinander
anzudrücken. Nach dem Abnehmen dieses Klemmtciles kann auf diese Weise ein Transistor einfach abgenommen
und gegen einen neuen ersetzt werden; die Anschlußfahnen des neu eingesetzten Transistors
werden über das Klemmteil dann wieder unmittelbar an der gleichen Stelle wie die Anschlußfahnen des
ausgewechselten Transistors mit den Microstrip-Leitungen auf der Leiterfolie in Kontakt gebracht, so daß ein
Neuabgleich der Schaltung nicht nötig ist. Gemäß der Erfindung ist es also erstmals möglich, bei solchen
Schaltungsanordnungen die Leistungstransistoren einfach auszuwechseln. Die elektrische Verbindung zwischen
den Microstrip-Leitungen auf der dünnen Trägerfolie mit den Microstrip-Leitungen der dickeren
Trägerplatte wird durch die erfindungsgemäße Maßnähme relativ weit weg von den Anschlußfahnen gelegt.
Es ist damit möglich, die zum Übergang von der Microstrip-Leitung mit relativ geringem Wellenwiderstand
auf die Microstrip-Leitung von relativ großem Wellenwiderstand der Trägerplatte erforderlichen bekannten
Anpassungsmaßnahmen in einem Bereich vorzunehmen, der von der eigentlichen Transistor-Anschlußstelle
entfernt liegt, wodurch die Herstellung solcher Schaltungsanordnungen sehr vereinfacht und
verbilligt wird. Für eine breitbandige Wellenwider-Stands-Anpassung können an dieser vom eigentlichen
Transistoranschluß abgesetzten Stelle auch zusätzliche Transformationsnetzwerke angebracht werden.
Bei bestimmten Leitungstransistoren wird der Emitteranschluß unmittelbar durch den den Transistor
tragenden Kühlflansch gebildet. In diesem Fall muß der auf Masse liegende Emitteranschluß möglichst induktionsarm
mit der rückseitigen Metallkaschierung der dünnen Trägerfolie elektrisch in Kontakt gebracht
werden. Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung hat es sich daher als zweckmäßig erwiesen, in die den
Transistor aufnehmende Ausnehmung der Trägerplatte eine zusätzliche Kontaktfeder einzusetzen, die mit der
Seitenfläche des Kühlflansches des Transistors guten elektrischen Kontakt macht und die außerdem unmittelbar
großflächigen Kontakt mit der rückseitigen Metallkaschierung der Trägerfolie herstellt.
Die Erfindung wird im folgenden anhand schematischer Zeichnungen an zwei Ausführungsbeispielen
näher erläutert.
F i g. 1 zeigt den Ausschnitt einer dielektrischen Trägerplatte 1, auf deren Vorderseite in Microstrip-Bauweise
verschiedene Leiterstreifen 2 angebracht sind und auf deren Rückseite eine durchgehende Massekaschierung
16 angebracht ist. Auf dieser Trägerplatte 1 sind außerdem zusätzliche, nicht dargestellte Bauelemente
der Schaltungsanordnung angebracht. Im Bereich eines mit den Microstrip-Leitungen 2 elektrisch zu
verbindenden Leitungstransistors 3 ist auf der Trägerplatte 1 ein Stück einer relativ dünnen Trägerfolie 4
aufgebracht. Die Rückseite dieser Trägerfolie 4 aus dielektrischem Material ist mit einer durchgehenden
Metallkaschierung 4' versehen, und auf der Vorderseite sind in Microstrip-Bauweise entsprechende Microstrip-Leiterstreifen
12 aufgebracht Die Dicke dieser Trägerfolie 4 ist wesentlich geringer als die Dicke der
Trägerplatte 1 gewählt; die Trägerplatte 1 besitzt beispielsweise eine Dicke von 1,6 mm, die Trägerfolie
nur eine Dicke von 0,12 mm, sie ist also nur etwa Vio so dick wie die Trägerplatte 1. Auf der relativ dicken
Trägerplatte 1 können die Microstrip-Leitungen mit üblichen Breiten und dem gewünschten relativ hohen
Wellenwiderstand von etwa 50 Ohm realisiert werden, während auf der wesentlich dünneren Trägerfolie 4 die
Microstrip-Leitungen mit wesentlich geringerem Wellenwiderstand von beispielsweise nur 1 bis 3 Ohm
ebenfalls mit üblichen Breiten für die Leiterstreifen realisiert werden können. Im Bereich der Trägerfolie 4
ist auf der Vorderseite der Trägerplatte 1 eine durchgehende Metallkaschierung 16' vorgesehen, die
mit der rückseitigen Massekaschierung 16 in Verbindung steht und mit der auSerdem die rückseitige
Massekaschierung 4' der Trägerfolie 4 verlötet ist Die Trägerfolie 4 und die Trägerplatte 1 besitzen zu diesem
Zweck in diesem Bereich eine Vielzahl von durchgehenden Lötlöchern 5. Das Auflöten der Trägerfolie 4 kann
in einem Arbeitsgang mit der Herstellung der Trägerplatte 1 und deren Bestückung mit entsprechenden
Bauelementen im Lötbad erfolgen. Im Befestigungsbereich für den in Fig. 1 nach oben abgehoben
gezeichneten Leistungstransistor 3 ist in der Trägerfolie 4 und in der Trägerplatte 1 eine Ausnehmung 6
vorgesehen, die in ihrem Umriß der Form des Kühlflansches 7 des Leistungstransistors entspricht Auf
der Rückseite der Leiterplatte 1 ist ein relativ dicker Kühlblock 8 befestigt, der in seinem in der Ausnehmung
6 freiliegenden Bereich Befestigungslöcher 9 für die Schrauben 10 des Kühlflansches 7 aufweist Im
eingebauten Zustand des Transistors decken sich die seitlich abstehenden Anschlußfahnen U mit den auf der
Vorderseite der Leiterfolie 4 ausgebildeten Anschlußleitungszügen 12, die vom Rand der Folie 4 bis unmittelbar
an den Rand der Ausnehmung 6 reichen. Die Anschlußfahnen 11 liegen flach auf den Enden dieser
Leitungszüge 12 auf. Sie werden durch einen über Schrauben 13 von oben auf die Leiterplatte aufgeschraubten
Klemmring 14 in festem Kontakt gehalten. Vorzugsweise erfolgt das Andrücken der Anschlußfahnen
auf die darunterliegenden Leiterstreifen 12 über Nippel 15, die federnd in der Stirnfläche des Ringes 14
eingesetzt sind. Am Obergang 23 von den einen geringen Wellenwiderstand aufweisenden Microstrip-Leitungen
der Folie 4 auf die einen größeren Wellenwiderstand aufweisenden Microstrip-Leitungen
2 der Trägerplatte 1 können bekannte Transformationsanordnungen 23' vorgesehen sein, die entweder auf der
Trägerfolie 4 oder auf dem anschließenden Bereich der Trägerplatte 1 ausgebildet sind, also auf jeden Fall in
einem Berich, der relativ weit von den Klemmstellen der Transistoranschlußfahnen entfernt liegt, und die daher
durch die vorgesehene Klemmbefestigung nicht gestört werden.
Fig.2 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel, und
zwar für einen Leistungstransistor, dessen Emitteranschluß unmittelbar elektrisch mit dem Kühlflansch 7
verbunden ist Der Kühlflansch wird wieder wie beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 Ober Schrauben 10auf
die in der Ausnehmung 6 freiliegende Oberfläche des Kühlblockes 8 aufgeschraubt. Damit der elektrische
Anschluß zwischen dem Emitter — metallischem Kühlflansch 7 — und der rückseitigen Massekaschie-
rung 4' der Trägerfolie 4 möglichst induktivitätsarm hergestellt wird und nicht nur über den Kühlblock 8
erfolgt, der mit der rückseitigen Massekaschierung 16 der Trägerplatte 1 und über die zum Anlöten der Folie 4
vorgesehenen Lötbohrungen 5 auch mit der rückseitigen Metallkaschierung der Trägerfolie 4 elektrisch in
Verbindung steht, sind auf den gegenüberliegenden Längsseiten der in diesem Fall rechteckigen Ausnehmung
6 zusätzliche metallische Kontaktfederleisten 17 angebracht, die nach dem Einsetzen des entsprechend
rechteckigen Kühlflansches 7 mit den Seitenflächen 18 dieses Flansches guten elektrischen Kontakt machen.
Die Kontaktfedern 17 sind schmale Blechstreifen, die zwischen Folie 4 und Trägerplatte 1 mit eingelötet sind
und an denen senkrecht nach unten in die Ausnehmung abstehende Schränkkontakte angebracht sind. Der
Kühlflansch 7 wird federnd zwischen den gegenüberliegenden Kontaktfedern 17 gehalten. Die nach beiden
Seiten abstehenden Anschlußfahnen 19 des Leistungstransistors 3 werden wieder wie beim Ausführungsbeispiel
nach F i g. 1 durch ein Klemmteil auf die bis zur Ausnehmung geführten Leiterstreifen 12 auf der
Vorderseite der Trägerfolie 4 angedrückt, und zwar besteht in diesem Ausführungsbeispiel das Klemmteil
aus einem Blechteil 20, das zusammen mit dem Kühlflansch 7 mittels der Schrauben 10 am Kühlblock 8
angeschraubt wird. Seitlich von diesem Blechteil sind nach unten abgebogene Andrückfinger 21 vorgesehen,
die an ihrem Ende jeweils Isoliermaterialschuhe 11 tragen und durch welche die über die Leiterstreifen 12
ίο ragenden Anschlußfahnen 19 fest an die Leiterzüge 12
angedrückt werden.
Die Befestigung der Trägerfolie 4 auf der Trägerplatte 1 kann anstelle durch Löten auch durch andere
bekannte Befestigungsmaßnahmen erfolgen, beispielsweise durch Klemmen.
Entsprechendes gilt für die Klemmverbindung zwischen den Anschlußfahnen 11 bzw. 19 und den
Leiterstreifen 12. Hierfür sind beispielsweise auch einfache Schraubverbindungen geeignet, wenn die
Anschlußfahnen entsprechende Löcher aufweisen.
Claims (8)
1. Schaltungsanordnung in Microstrip-Bauweise für mit Leistungstransistoren bestückte Schaltungen
der Höchstfrequenztechnik, bei der jeder Leistungstransistor jeweils in einer Ausnehmung der Microstrip-Trägerplatte
eingesetzt und mit seinen Anschlußfahnen elektrisch mit den Microstrip-Leitungen
verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Vorderseite der Trägerplatte (1)
eine Microstrip-Trägerfolie (4) angebracht ist, auf der Microstrip-Leitungen (12) ausgebildet sind, die
mit den Microstrip-Leitungen (2) der Trägerplatte (1) verbunden sind und einen gegenüber diesen
wesentlich geringeren und an den Eingangswiderstand des Transistors (3) angepaßten Wellenwiderstand
aufweisen, und die Anschlußfahnen (11,19) des
Transistors (3) über ein auf der Trägerplatte (1) befestigtes Klemmteil (14, 20) auf diese Microstrip-Leitungen
(12) der Trägerfolie (4) angedrückt sind.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß im Übergangsbereich zwischen den
Mikrostrip-Leitungen (12,2) der Trägerfolie (4) und der Trägerplatte (1) bekannte Transformationsschaltungselemente
angebracht sind.
3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerfolie (4) so dünn
gewählt ist, daß der Wellenwiderstand ihrer Microstrip-Leitungen (12) etwa '/5 bis </io des
Wellenwiderstandes der Microstrip-Leitungen (2) auf der Trägerplatte (1) ist.
4. Anordnung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Dicke der Trägerfolie (4) nur etwa 1A bis Vio der Dicke der Trägerplatte (1) gewählt ist.
5. Anordnung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß im Befestigungsbereich der Trägerfolie (4) auf der Vorderseite der Trägerplatte (1) eine
durchgehende Massekaschierung (16') vorgesehen ist, mit der die rückseitige Massekaschierung der
Trägerfolie (4) galvanisch verbunden ist, insbesondere verlötet ist.
6. Anordnung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß das Klemmteil ein Ringteil (14) aus Isoliermaterial ist, in welchem auf die Anschlußfahnen
(11) des Leistungstransistors (3) drückende federnde Nippel (15) eingesetzt sind
7. Anordnung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche für Leistungstransistoren,
deren Emitteranschluß durch deren Kühlflansch gebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß an
mindestens einem Rand der den Kühlflansch (7) aufnehmenden Ausnehmung (6) der Trägerplatte (1)
ein Kontaktfeder (17) angebracht ist, die mit der rückseitigen Metallkaschierung der Trägerfolie (4)
elektrisch verbunden, insbesondere verlötet ist und die bei eingesetztem Leistungstransistor (3) mit den
Seitenflächen (18) des Kühlflansches (7) Kontakt macht.
8. Schaltungsaufbau nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Klemmteil ein zusammen
mit dem Kühlflansch (7) anschraubbares Blechteil (20) ist, an dem seitliche abstehende, an ihren Enden
Isolierschuhe (22) tragende und mit diesen auf die entsprechend seitlich abstehenden Anschlußfahnen
(19) des Leistungstransistors (3) drückende Klemmfinger (21) ausgebildet sind.
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