DE2921084A1

DE2921084A1 - Stromansteuerschaltung fuer eine induktionsspule

Info

Publication number: DE2921084A1
Application number: DE19792921084
Authority: DE
Inventors: Hajime Aoi; Minoru Enomoto; Noriaki Hatanaka; Makoto Koizumi; Nobuo Kunimi; Takashi Tamura
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1978-05-24
Filing date: 1979-05-23
Publication date: 1979-11-29
Also published as: JPS6131521B2; JPS54153615A; US4249219A; DE2921084C2

Description

BESCHREIBUNG

Die Erfindung bezieht sich auf eine Strornansteuerschaltung für eine Magnetspule und richtet sich insbesondere auf eine für einen Magnetspeicher geeignete Schaltung.

Die Erfindung läßt sich auf eine Schaltung zur Ansteuerung eines Magnetaufzeichnungskopfes, eines Schrittmotors, eines elektrischen Schalters, eines Relais und insbesondere auf eine Schaltung zum Ansteuern eines Magnetaufzeichnungskopfes in einem Magnetspeicher verwenden. Bei einem Magnetkopf in einem Magnetspeicher, wie etwa einem Magnetplattenspeicher oder einem Magnetbandspeicher, ist eine Induktionsspule um einen magnetischen Kern gewickelt, der einen von nicht-magnetischem Werkstoff erfüllten Spalt enthält. Eine Magnetkopfansteuerschaltung betreibt den Kopf und zeichnet digitale Signale in einem magnetischen Aufzeichnungsmedium auf. Die Schaltung umfaßt eine Einrichtung zum Anlegen einer bestimmten Vorspannung an einen Nittelabgriff der Spule, eine Schreibschaltung zur Umschaltung der Stromrichtung in der Spule auf ein Eingangssigral hin und eine parallel zur Spule liegende Leseschaltung zum Auslesen von im Aufzeichnungsmedium gespeicherten Sigralen. Ein Magnetspeicher weist mehrere Magnetköpfe und irehrere Schreib- und Leseschaltungen auf, die jeweils mit einem der Magnetköpfe verbunden sind. Diese Scfcreib- und Leseschaltungen sind i."- integrierter Schaltungsbauveise aufgebaut. Jede Leseschaltung weist einen Differenzverstärker auf, welcher ein Paar von Transistoren mjc direkt verbundenen Emittern und eine mit den Emittern gemeinsam verbundene Konstantstromquelle umfaßt.

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Wenn die Stromrichtung in der Spule zur Aufzeichnung von Signalen umgekehrt wird, wird eine Rücklaufspannung oder, mit anderen Worten, eine gegenelektromotorische Kraft in der Spule induziert und auf die Basen des Transistorenpaares einer zugehörigen Leseschaltung gegeben. Die Durchbruchsspannung zwischen den Basen der beiden Transistoren ist gleich der Summe aus dem Vorwärtsspannungsabfall (VgE) zwischen Basis und Emitter jedes der Transistoren und der Rückwärtsdurchbruchspannung (Vebo) zwischen Emitter und Basis jedes der Transistoren. Wenn die oben erwähnte gegenelektromotorische Kraft die Summe (Vgg + Vggg) übersteigt,, fällt die Emitterverstärkerkonstante hpE der Transistoren der Leseschaltung ab. Dies führt zu einer Absenkung des Ausgangspegels der Leseschaltung. Der Eingangswiderstand R^.

der Leseschaltung, die Spuleninduktivität, die Spulenkapazität und die Eingangskapazität der Leseschaltung bilden einen Resonanzkreis. Mit der Verstärkerkonstanten hpg sinkt auch der Eingangswiderstand R^. Wenn der Widerstand R^ sinkt, nimmt die Dämpfung des Resonanzkreises zu, weshalb ein kleinerer Teil der Auslesespannung des Kopfes auf die Leseschaltung in der Nähe der Resonanzfrequenz übertragen wird. Daher nimmt der Ausgangspegel der Leseschaltung ab.

Bekanntes hierzu ist in der US-Patentschrift 3 763 beschrieben.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine Stromansteuerschaltung zu schaffen, welche die in einer Spule induzierte gegenelektromotorische Kraft unterdrücken kann. Vorzugsweise soll die Schaltung dabei in integrierter Schaltungstechnik ausführbar sein.

Zur Lösung dieser Aufgabe umfaßt die Stromansteuerschaltung gemäß der Erfindung eine Klemmschaltung, welche die gegenelektromotorische Kraft auf weniger als die Durchbruchspannung der Leseschaltung unterdrückt.

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Eine Ausführungsform der Erfindung wird im folgenden anhand der einzigen Figur der Zeichnung beschrieben.

Gemäß der Figur umfaßt ein Magnetkopf einen kreisförmigen Magnetkern 10 und um diesen in der gleichen Richtung gewickelte Induktionsspulen 12A und 12B. Jeweils einer der beiden Anschlüsse der Spulen 12A und 12B ist mit einem Mittelabgriff 14 verbunden, während die anderen Anschlüsse der Spulen über Zweige 18A und 18B mit einer Schreibschaltung 22 verbunden sind. Die Schreibschaltung 22 umfaßt ein Paar von Transistoren 24A und 24B, deren Kollektoren mit den Zweigen 18A und 18B und deren Emitter gemeinsam mit einer Konstantstromquelle 26 verbunden sind.

Eine Leseschaltung 30 ist ebenfalls mit den Zweigen 18A und 18B verbunden. Diese Leseschaltung 30 umfaßt einen zwischen die Zweige 18A und 18B gelegten Dämpfungswiderstand 20/ Transistoren 32A und 32B, deren Basen jeweils mit einem der Zweige 18A und 18B verbunden sind, einen Transistor 34, dessen Kollektor mit den Emittern der Transistoren 32A und 32B zusammengeschaltet ist, einen Widerstand 36, dessen einer Anschluß mit dem Emitter des Transistors 34 verbunden ist, eine Versorgungsspannung V_Ej? von -4 Volt, die am anderen Anschluß des Widerstands 36 angeschlossen ist, ein Paar von Widerständen 38A und 38B, die jeweils mit einem der Kollektoren der Transistoren 32A und 32B verbunden sind, und einen Differenzverstärker 40, der mit den Kollektoren der Transistoren 32A und 32B verbunden ist. Die anderen Anschlüsse der Widerstände 38A und 38B sind an eine Versorgungsspannung V^g-j von 5,1 Volt angeschlossen. Ein Signal wird in einem magnetischen Aufzeichnungsmedium (nicht gezeigt) aufgezeichnet, indem im Kern 10 ein magnetischer Fluß erzeugt wird, dessen Richtung sich abhängig von dem aufzuzeichnenden Signal ändert. Ein Vorspannungssignal WS, welches auf einen hohen Pegel von 3,5 Volt

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eingestellt ist, wird an den Mittelabgriff 14 über eine Leitung 16 von einer Vorspannungsquelle (nicht gezeigt) her geliefert. An die Basen der Transistoren 24A und 24B gelegte Signale W und W nehmen je nach dem aufzuzeichnenden Signal einen hohen Pegel von -1 Volt oder einen niedrigen Pegel von -1,4 Volt an.. Ein auf die Basis des Transistors 34 gegebenes Signal RS wird zum Sperren bzw. Abschalten des Transistors auf -4 Volt eingestellt. Es fließt also ein Strom entweder von einem Anschluß der Spule 12a oder von einem Anschluß der Spule 12B, abhängig von dem aufzuzeichnenden Signal. Stromflüsse durch die Spulen 12A und 12B mit unterschiedlichen Richtungen induzieren magnetische Flüsse mit unterschiedlichen Richtungen .

Ein in einem magnetischem Medium aufgezeichnetes Signal wird folgendermaßen ausgelesen. Das Vorspannungssignal WS wird auf niedrigen Pegel von 0 Volt gesetzt und die Stromquelle 26 abgeschaltet. Das auf die Basis des Transistors 34 gegebene Signal RS wird auf einen hohen Pegel von -2,6 Volt eingestellt und der Transistor 34 geöffnet bzw. eingeschaltet. Eine aus dem Transistor 34, einem Widerstand 36 und einer Spannungsquelle V_EE gebildete Konstantstromquelle liefert einen Strom an die Transistoren 32A und 32B. In den Spulen 12A und 12B wird ein Lesesignal induziert, wobei die Polarität des Signals von der Richtung des Magnetflusses abhängt, welcher den Spalt des Kerns 10 schneidet. Daher steigt die Spannung eines der Zweige 18A und 18B an und die Spannung des anderen fällt ab bezüglich der Vorspannung von 0 Volt. Daher leitet derjenige der Transistoren 32A und 32B, welcher die höhere Vorspannung hat, und ein Spannungsfall über einem der beiden Widerstände 38A und 38B wird durch den Differenzverstärker 40 nachgewiesen.

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Die Erfindung ist durch eine Klemmschaltung 560 charakterisiert, welche die in den Spulen 12A und 12B während eines Schreibvorgangs induzierten gegenelektromotorischen Kräfte auf einen gewünschten Wert unterdrückt. Die gegenelektromotorischen Kräfte werden induziert/ wenn Signale aufgezeichnet werden. Die Schaltung 560 ist von den Zweigen 18A und 18B entkoppelt, wenn Signale ausgelesen werden. Wenn die Spannungsdifferenz der Basen der Transistoren 32A und 32B zu groß ist, fällt die Emitterschaltungsverstärkerkonstante h_FE der Transistoren 32A und 32B ab.

Die Klemmschaltung 560 umfaßt eine Schaltstufe 50 und eine Klemmspannungserzeugerschaltung 60. Die Schaltung 60 erzeugt eine Referenzspannung von typischerweise 1,4 Volt auf einer Leitung 700. Die Schaltung 50 umfaßt Transistoren 51A und 51B sowie Dioden 54A und 54B. Die Referenzspannung wird an die Basen der Transistoren 51A und 51B geliefert. Die Emitter der Transistoren 51A und 51B sind jeweils mit einem der Zweige 18A und 18B verbunden. Die Diode 54 A liegt zwischen dem Zweig 18B und dem Kollektor des Transistors 51A. Die Diode 54B liegt zwischen dem Zweig 18A und dem Kollektor des Transistors 51B.

Die Wirkungsweise der Schaltung der Figur wird nun an dem Beispiel erläutert, daß sich das Signal W von -1,4 nach -1 Volt und das Signal W von -1 nach -1,4 Volt ändert.

Unter diesen Bedingungen ändert der Transistor 24A seinen Zustand von Aus nach Ein, während der Transistor 24B seinen Zustand von Ein nach Aus ändert. Als Folge davon steigt auf dem Zweig 18A rasch ein Strom an, während der Strom,der im Zweig 18B fließt, rasch abnimmt. Infolge dieser raschen Stromänderungen in den Spulen 12A und 12B werden in diesen gegenelektromotorische Kräfte induziert. Die in der Spule 12A induzierte gegenelektromotorische Kraft vermindert die Spannung des Zweiges 18A auf weniger

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als die 3,5 Volt des Signals WS, Die in der Spule 12B induzierte gegenelektromotorische Kraft erhöht die Spannung des Zweiges 18B auf mehr als 3,5 Volt, Der Transistor 51A leitet, wenn die Spannung des Zweiges 18A einen Wert von unqefähr 0,7 Volt erreicht, was um den Vorwärtsspannungsabfall VgE (0,7 Volt) zwischen Emitter und Basis weniger als die Basisspannung (1,4 Volt) des Transistors 5IA ist. Als Folge davon wird der Zweig 18A bei einerSpannung von 0,7 Volt geklemmt unter welche er nicht abfällt. Mit anderen Worten, es wird die Amplitude der in der Spule 12A induzierten gegenelektromotorischen Kraft auf weniger als 2,8 Volt begrenzt.

Da die Spulen 12A und 12B eng gekoppelt sind, wird die Amplitude der in der Spule 12B induzierten gegenelektromotorischen Kraft auch auf weniger als 2,8 Volt beschränkt. Es ist zu beachten, daß die in der Spule 12B induzierte gegenelektromotorische Kraft die Spannung des Zweiges 18B von 3,5 Volt, was gleich der Spannung des Signals WS ist, auf 6,3 Volt verstärkt.

Unterdessen beginnt der Strom,- welcher durch den Transistor 24B über Leitung 18B/unmittelbar bevor der Transistor 24B seinen Zustand von Ein nach Aus andert,fließt, durch die Diode 54A und die Transistoren 51A und 24A zu fließen. Ansprechend auf die Änderung des Zustandes des Transistors 24B ändert der Transistor 24A seinen Zustand von Ein nach Aus, und der Transistor 51A ist infolge der gegenelektromotorischen Kraft leitend, wie oben erläutert wurde. Der in Leitung 18B fließende Strom nimmt also rasch ab. Im Ergebnis ist die Abnahmegeschwindigkeit des Stroms in Spule 12B trotz der Begrenzung der gegenelektromotorische Kraft nicht in dem Maße verlangsamt. Deshalb ist ein Aufzeichnen mit hoher Frequenz weiterhin erzielbar.

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Die maximale Spannungsdifferenz zwischen den Zweigen 18A und 18b erreicht 5,6 Volt nach dem Schalten der Transistoren 24A und 24B. Die Durchbruchsspannung zwischen den Basen der Transistoren 32A und 32B ist gleich der Summe aus dem Vorwärtsspannungsabfall V^;von 0,7 Volt zwischen Emitter und Basis und der Rückwärtsdurchbruchsspannung VgBQ von 5,6 Volt zwischen Emitter und Basis. Das hei3t, die Durchbruchsspannung zwischen den beiden Basen ist gleich 6,3 Volt, was größer als die maximale Spannungsdifferenz zwischen den beiden Zweigen 18A und 18B ist.

Die Emitterverstärkerkonstanten hpg der Transistoren 32A und 32B sind also nicht vermindert. Im Vergleich dazu erreicht ohne Begrenzung der Spannungsdifferenz zwischen den beiden Zweigen 18A und 18B die Spannungsdifferenz 8 Volt, und die Verstärkerkonstanten hpg der Transistoren 32A und 32B werden abgesenkt.

Im folgenden wird die Arbeitsweise der Klemmspannungserzeugungsschaltung 60, wenn Signale aufgezeichnet werden, erläutert. Während des Aufzeichnens werden Signale CE1, WS und CEW1 auf 5,1, 3,5 bzw. -2,6 Volt eingestellt. Eine Versorgungsspannung V^e ^ist gleich -4,0 Volt. Transistoren 62 und 66 sind leitend und die Emitterspannung des Transistors 62 ist gleich (V_A - V_Bg), was typischerweise 2,8 Volt beträgt, wobei V_A die Spannung des Signals WS und Vgg den Vorwärtsspannungsabfall zwischen Emitter und Basis eines Transistors darstellt, über zwei parallel geschaltete Transistoren 70 und 72, eine in Sperrichtung vorgesehene Diode 74 und einen Widerstand 80 fließt ein Strom vom Emitter des Transistors 62 zur Spannungsquelle V^e · Die Kollektorspannung des Transistors 70 ist gleich (V_A - V_B - 0,1 Volt), was gleich 2,7 Volt ist. Der Spannungsabfall über der Diode 74 ist gleich der Rückwärtsdurchbruchspannung Vg_B0 zwischen Emitter und Basis eines

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Transistors. Die beiden Widerstände 76 und 78 haben den gleichen Widerstandswert. Die Spannung im gemeinsamen Punkt der beiden Widerstände 76 und 78 beträgt (V& - V_BE -

- 0,1 Volt - 1/2 V_EB0)/ was gleich -0,1 Volt ist. Transistoren 82 und 86 befinden sich im Durchlaßzustand und eine Diode 84 im Sperrzustand, wenn die Signale CEW1 und CE1 -2,6 bzw. 5,1 Volt betragen und die Basisspannung des Transistors 82 gleich -0,1 Volt ist. Infolgedessen ist die Emitterspannung des Transistors 82 (V^ - 2V_BE - 0,1 Volt - 1/2 V_EB0), was gleich -0,8 Volt ist. Unter diesen Bedingungen sind Transistoren 92, 98 und 100 alle im Durchlaßzustand. Der Transistor 100 und Widerstände 102 und 104 bestimmen die Spannung auf einer Leitung 120, die mit dem Kollektor des PNP-Transistors 98 verbunden ist. Die Widerstände 102 und 104 sind auf 3,1 bzw. 1 kO-eingestellt. Die bestimmte Spannung ist um 4,1 V_ßE höher als die Emitterspannung des Transistors 82 und beträgt (VA +2,1 V_BE - 0,1 Volt - 1/2 V_EB0), was gleich 2,1 Volt ist. Infolgedessen ist eine Diode 106 nicht-leitend.

Wenn die Spannung des Zweiges 18A den Wert (V_A + 0,1 V_BE -

- 0,1 Volt - 1/2 V_EB0} erreicht, was gleich 0,7 Volt ist, leiten die Transistoren 51A und 110, und die Spannung des Zweiges 18A wird nicht niedriger als ungefähr (V_A - 1/2 V_EBq), was gleich 0,7 Volt ist. In gleicher Weise wird der Zweig 18B bei einer Spannung von 0,7 Volt geklemmt, weil die Transistoren 51B und 108 leiten, wenn die Spannung des Zweiges 18B den Wert (V_A +0,1 V_BE - 0,1 Volt - 1/2 V_EB0) erreicht.

Die maximale Spannungsdifferenz zwischen den beiden Zweigen 18A und 18B beträgt V_EB0. Die Durchbruchsspannung der beiden Transistoren 32A und 32B ist gleich (V_ebq + + V_BE). V_ebq Und V_BE können um 0,25 bzw. 0,02 Volt bezüglich ihrer typischen Werte infolge von Prozeßbedingungsschwankungen

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variieren. Die Durchbruchsspannung (V_E£q + V_BE) kann also um 0,27 Volt variieren. Es ist jedoch klar, daß die maximale Spannungsdifferenz von V_EB0 zwischen den beiden Zweigen 18A und 18B trotz dieser Schwankung die Durchbruchsspannung (V_EB0 + V_BE) nicht überschreiten kann.

Die Schaltung 60 kann also eine Referenzspannung liefern, welche trotz der Prozeßschwankung ein Absinken der Konstanten h_FE verhindert.

Es ist darauf hinzuweisen, daß natürlich für gewisse Zwecke die Referenzspannung unabhängig von V_ERQ eingestellt werden kann. Die Gewinnung einer Schaltung für diese Zwecke ist für den Fachmann ohne weiteres erreichbar.

Während des Auslesens ist die Klemmschaltung 60 durch Einstellen der Signale CE1, WS und CEW1 auf 5,1, 0 bzw. -4,0 Volt von den Zweigen 18A und 18B entkoppelt. Deshalb sind alle Transistoren der Schaltung 60 mit Ausnahme der Transistoren 108 und 110 im Sperrzustand. Die Spannung der Leitung 120 ist bei einer Spannung von -V"_BE geklemmt. Während des Aufzeichnungsvorgangs befindet sich die Leitung 120 auf einer Spannung von 2,1 Volt. Wenn der Auslesevorgang beginnt, wird die Leitung 120 über einen Pfad, der die Widerstände 102 und 104, eine Diode 84 und die Widerstände 78 und 80 enthält, mit der Spannungsquelle V_EE verbunden. Die Leitung 120 wird dann über diesen Pfad rasch auf die durch die Diode 106 bestimmte Spannung - V_BE entladen. Infolgedessen leiten die Transistoren 51A, 51B, 108A und 108B nicht, es sei denn die Zweige 18A und 18B werden auf die Spannung -3 Vgg abgesenkt. Bei einem herkömmlichen Magnetspeicher ist das Lesesignal nicht so groß, daß die Spannung auf den Zweigen 18A und 18B auf eine solch niedrige Spannung abgesenkt wird. Die Schaltung 560 ist also während des Lesevorgangs von den Zweigen 18A und 18B entkoppelt.

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Es ist zu beachten, daß sich die Stromansteuerschaltung gemäß der Erfindung aus herkömmlichen Schaltkreiselenenten aufbauen läßt. Die Diode 74 muß in Sperrichtung arbeiten, kann jedoch eine herkömmliche Diode sein, weil der durch sie fließende Strom ein Gleichstrom von nur 1 mA ist. Die Schaltung gemäß der Erfindung kann daher als integrierte Schaltung des Mutterscheibentyps (master slice type) realisiert sein.

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Leerseite

Claims

ΡΛ^ΕΓΝ TANWÄ LTE SCHIFF ν. FÜNER STRti-HL SCHÜBEL-HOPF EBBIiMGHAUS FINCK WIARiAH[LFi=1LATZ 2 & 3, MÜNCHEN 9O POSTADRESSE: POSTFACH 9i> O1 fiO, D-8OOO MDWCHEN 93 HITACHI, LTD. 23ο Mai 1979 DEÄ-5922 Stromansteuerschaltung für eine Induktionsspule PATENTANSPRÜCHE

1. Stromansteuerschaltung für eine Induktionsspule, gekennzeic hnet durch eine mit der Induktionsspule (12A/ 12B) verbundene Stromquelleneinrichtung zur Lieferung eines Stromes in der Spule selektiv über einen ersten oder einen zweiten Anschluß der Spule; eine mit der Induktionsspule verbundene Vorspannungsquelleneinrichtung zur Lieferung einer Vorspannung an die Spule; eine mit dem ersten und dem zweiten Anschluß der Induktionsspule verbundene Einrichtung, welche auf Spannungen des ersten und des zweiten Anschlusses anspricht; eine Referenz-

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Spannungseinrichtung zur Lieferung einer Referenzspannung; eine erste Schalteinrichtung mit einer Steuerelektrode,, die mit der Referenzspannungseinrichtung verbunden ist, und einer Ausgangselektrode ^ die mit dem ersten Anschluß der Induktionsspule verbunden ist, wobei die erste Schalteinrichtung leitet und den ersten Anschluß der Induktionsspule mit einer von der Referenzspannung abhängigen Klemmspannung versieht/ wenn die Differenz zwischen der Spannung der Steuerelektrode und der Spannung der Ausgangselektrode der ersten Schalteinrichtung einen bestimmten Wert erreicht; und eine zweite Schalteinrichtung mit einer Steuerelektrode/ die mit der Referenzspannungseinrichtung verbunden ist, und eine Ausgangselektrode, die mit dem zweiten Anschluß der Induktionsspule verbunden ist, wobei die zweite Schalteinrichtung leitet und den zweiten Anschluß der Induktionsspule mit der Klemmspannung versieht, wenn die Differenz zwischen der Spannung der Steuerelektrode und der Spannung der Ausgangselektrode der zweiten Schalteinrichtung den bestimmten Wert erreicht. 20

2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schalteinrichtung eine mit dem zweiten Anschluß der Induktionsspule (12A, 12B) verbundene Eingangselektrode aufweist und einen Stromfluß zwischen ihrer Eingangs- und Ausgangselektrode gestattet, wenn sie leitet; und daß die zweite Schalteinrichtung eine mit dem ersten Anschluß der Induktionsspule verbundene

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Eingangselektrode aufweist und einen Stromfluß zwischen ihrer Eingangs- und Ausgangselektrode gestattet, wenn sie leitet.

3. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schalteinrichtung einen ersten Transistor (51A) umfaßt, dessen Kollektor mit dem zweiten Anschluß der Induktionsspule (12A, 12B), dessen' Emitter mit dem ersten Anschluß der Induktionsspule und dessen Basis mit der Referenzspannungsquelleneinrichtung verbunden ist; und daß die zweite Schalteinrichtung einen zweiten Transistor (51B) umfaßt, dessen Kollektor mit dem ersten

Anschluß der Induktionsspule, dessen Emitter mit dem zweiten Anschluß der Induktionsspule und dessen Basis mit der Referenzspannungsquelleneinrichtung verbunden ist.

4. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Eingangselektrode der ersten Schalteinrichtung und die Eingangselektrode der zweiten Schalteinrichtung mit dem zweiten Anschluß bzw. ersten Anschluß über eine erste bzw. zweite einseitig gerichtete Einrichtung verbunden sind, welche einseitig gerichtete Stromflüsse vom zweiten und vom ersten Anschluß der Induktionsspule zur Ausgangselektrode der ersten bzw. der zweiten Schalteinrichtung gestatten.

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5. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß die Kollektoren des ersten und des zweiten Transistors (5IA, 51B) mit dem ersten und dem zweiten Anschluß der Induktionsspule (12A, 12B) über Dioden (54A, 54B) verbunden sind.

6. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß die Referenzspannungseinrichtung einen dritten Transistor und einen vierten Transistor (108, 110) umfaßt, deren Emitter mit der Basis des ersten bzw. zweiten Transistors (51A, 51B) verbunden sind.

7. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet , daß die auf Spannungen des ersten und des zweiten Anschlusses ansprechende Einrichtung ein Paar von Transistoren (32A, 32B) umfaßt, deren Basen mit dem ersten bzw. zweiten Anschluß der Induktionsspule (12A, 12B) verbunden und deren Emitter gekoppelt sind, und daß die Referenzspannungseinrichtung eine Referenzspannung liefert, welches sich proportional zur Hälfte einer Durchbruchsspannung zwischen Emitter und Basis jedes der Transistoren des Paares ändert.

8. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet , daß die Referenzspannungseinrichtung mit der Vorspannungseinrichtung ver-

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bunden ist und die Referenzspannung in Abhängigkeit vom Wert der Vorspannung liefert.

9. Schaltung nach Anspruch 7, dadurch g e k e η η zeichnet, daß die Referenzspannungseinrichtung mit der Vorspannungseinrichtung verbunden ist und die Referenzspannung in Abhängigkeit vom Wert der Vorspannung liefert.

10. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch g e k e η η zeichnet, daß die Vorspannungsquelle mit der Induktionsspule (12A, 12B) über einen Mittelabgriff (14) der Induktionsspule verbunden ist.

11. Stromansteuerschaltung für eine Induktionsspule zum Schreiben von Information in und zum Lesen von Information aus einem Magnetspeicher, gekennzeichnet durch eine Schreibeinrichtung mit einer Stromquelleneinrichtung , welche mit der Induktionsspule (12A, 12B) zur Lieferung eines Stromes in dieser selektiv durch einen ersten oder einen zweiten Anschluß der Induktionsspule verbunden ist; eine mit der Induktionsspule verbundene Vorspannungsquelleneinrichtung zur Lieferung einer Vorspannung an diese; eine mit dem ersten und dem zweiten Anschluß der Induktionsspule verbundene Leseeinrichtung, welehe auf Spannungen des ersten und des zweiten Anschlusses anspricht; eine Referenzspannungseinrichtung zur Lieferung

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einer Referenzspannung; eine erste Schalteinrichtung mit einer Steuerelektrode, welche mit der Referenzspannungseinrichtung verbunden ist, und einer Ausgangselektrode, welche mit dem ersten Anschluß der Induktionsspule verbunden ist, wobei die erste Schalteinrichtung leitet und an den ersten Anschluß der Induktionsspule eine von der Referenzspannung abhängige Klemmspannung liefert, wenn die Differenz zwischen der Spannung auf der Steuerelektrode und der Spannung auf der Ausgangselektrode der ersten Schalteinrichtung einen bestimmten Wert erreicht; und eine zweite Schalteinrichtung mit einer Steuerelektrode, welche mit der Referenzspannungseinrichtung verbunden ist, und einer Ausgangselektrode, welche mit dem zweiten Anschluß der Induktionsspule verbunden ist, wobei die zweite Schalteinrichtung leitet und an den zweiten Anschluß der Induktionsspule eine Klemmspannung liefert, wenn die Differenz zwischen der Spannung der Steuerelektrode und der Spannung der Ausgangselektrode der zweiten Schalteinrichtung den bestimmten Wert erreicht, wobei der Spannungswert, auf den der erste und der zweite Anschluß geklemmt sind, unter einer Durchbruchsspannung der Leseeinrichtung liegt, um ein Zusammenbrechen der Leseeinrichtung zu verhindern, wenn durch die Schreibeinrichtung gerade Information in den Magnetspeicher geschrieben wird. 25

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12. Schaltung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet , daß die Schreibeinrichtung einen ersten Transistor (24A), dessen Kollektor-Emitterpfad zwischen dem ersten Anschluß der Induktionsspule (12A, 12B) und der Stromquelle (26) liegt, und einen zweiten Transistor (24B), dessen Kollektor-Emitterpfad zwischen dem zweiten Anschluß der Induktionsspule und der Stromquelle liegt, umfaßt.

13. Schaltung nach Anspruch 11 oder 12, dadurch g e kennzeichnet, daß die Leseeinrichtung ein Paar von Transistoren (32A, 32B) umfaßt, deren Basen mit dem ersten Anschluß bzw. zweiten Anschluß der Induktionsspule (12A, 12B) verbunden und deren Emitter gekoppelt sind, und daß die Referenzspannungseinrichtung eine Referenzspannung liefert, welche sich proportional zur Hälfte einer Durchbruchsspannung zwischen Emitter und Basis jedes der Transistoren des Paares ändert.

14. Schaltung nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß eine Einrichtung vorgesehen ist, welche die erste und die zweite Schalteinrichtung nicht-leitend macht, wenn die Leseeinrichtung gerade Information aus dem Magnetspeicher ausliest.

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