DE2910723A1 - Verfahren zum herstellen von epitaktischen halbleitermaterialschichten auf einkristallinen substraten nach der fluessigphasen-schiebe-epitaxie - Google Patents
Verfahren zum herstellen von epitaktischen halbleitermaterialschichten auf einkristallinen substraten nach der fluessigphasen-schiebe-epitaxieInfo
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Description
■ I
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT Unser Zeichen
Berlin und München VPA 79 P 7 G 3 7 BSO
Verfahren zum Herstellen von epitaktischen Halbleitermaterialschichten
auf einkristallinen Substraten nach der Flüssigphasen-Schiebe-Spitaxie,
Die vorliegende Patentanmeldung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von epitaktischen Schichten aus Halbleitermaterial,
insbesondere aus A-j-jy-B,,-Verbindungen,
auf einkristallinen Substraten nach der Flüssigphasen-Schi ebe-Epitaxie, bei dem auf die Oberfläche eines
Substrats eine Lösung aufgeschoben wird, aus der sich infolge Obersättigung eine epitaktische Schicht auf dem
Substrat abscheidet und anschließend die Lösung vom Substrat und von der darauf befindlichen epitaktischen
Schicht wieder entfernt wird.
Sin solches Flüssigphasen-Schiebe-Spitaxieverfahren sowie
eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens sind in der DT-OS 26 41 347 ausführlich beschrieben.
Üblicherweise entsteht bei dem Verfahren der Flüssigphasen-Schiebe-Epitaxie ein starkes Wachstum an den
Rändern der epitaktischen Schicht (Wulstwachstum). Dies
Edt 1 Plr/15.3.1979
030039/0347
hat zur Folge, daß bei der Herstellung mehrerer Schichtenfolgen
in einem Arbeitsgang
a) Reste der abgeschobenen Lösung an den Wülsten hängenbleiben
und bei dem nächstfolgenden Aufschieben in die folgende Lösung verschleppt werden,
b) Teile des Wulstes beim Überschieben der Lösungskammem
abbrechen und die Epitaxie-Schicht mechanisch verletzen.
Diese Fehler können die Herstellung von Halbleiterbauelementen, wie z. B. Laserdioden, unmöglich machen. Ein
weiterer negativer Einfluß des Wulstes ist dadurch gegeben, daß, falls die Substrate mit einer Planar-Technologie
weiterverarbeitet werden, eine Unscharfe bei der
Abbildung in der Fototechnik entsteht.
Zur Vermeidung des Wulst-Wachstums an den Rändern der
Substrate sind mehrere Verfahren bekannt. So wird beispielsweise in der DT-OS 24 04 017 ein Verfahren beschrieben, bei dem vor dem epitaktischen Prozeß die Randzonen
des Substrats mit einer maskierenden Schicht aus hitzebeständigem Material (Siliziumdioxid oder Siliziumnitrid)
abgedeckt werden.
Bei den aus dem Western Electric Technical Digest Nr. 46, Seite 77 bekannten Verfahren werden die die Schmelze
enthaltenden Kammern zusätzlich durch Heizspulen beheizt, um die Wärmeableitung durch die aus Graphit bestehenden
Kammerwände^ möglichst gering zu halten oder auszuschalten. * - ■
Eine weitere Möglichkeit der Wulstvenainderung wird im
Journal Cryst. Growth 29 (1975) auf den Seiten 62 bis beschrieben. Dabei wird beim epitaktischen Abscheiden
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-,*- VPA 79 P 7 0 3 7 BRD
die sogenannte Step-Cooling-Methode angewandt.
Schließlich ist aus der DT-OS 26 41 347 ein Aufwachsverfahren
nach der Flüssigphasen-Schiebe-Epitaxie zu entnehmen, bei dem zur Verminderung von Wulstbildung an den
Substraträndern die räumliche Orientierung der Substratkanten geändert wird, wobei die Erkenntnis ausgenutzt
wird, daß die Geschwindigkeit des Kristallwachstums an Kanten von der räumlichen Orientierung dieser Kanten abhängig
ist. Es werden deshalb solche Substrate ausgewählt, die so gespalten bzw. gesägt sind, daß die Begrenzungskanten
der Substratoberfläche nicht solche Kanten sind, an denen bevorzugt schnelles Wulstwachsturn
auftritt.
Der Erfindung liegt die gleiche Aufgabe zugrunde wie den eben genannten Verfahren, nämlich das Wachstum von
Wulsten an den Substraträndern zu unterbinden. Die Erfindung beschreitet einen anderen Weg und löst die gestellte
Aufgabe durch ein Verfahren der eingangs genannten Art dadurch, daß durch die Auskleidung zumindest
des unteren Bereiches der die Lösung enthaltenden Kammern mit einem Substratmaterial der Ort des Wulstwachstums
vom eigentlichen Substrat weg auf die Auskleidung verlegt wird. .Es liegt im Rahmen des Erfindungsgedankens, daß die Seitenwände der die Lösung enthaltenden
Kammern der Schiebeanordnung mit dem gleichen Halbleitermaterial ausgekleidet werden, aus dem das Substrat
besteht. Durch diese Maßnahme wird im Effekt das Substrat vergrößert und der Ort des Wulstwachstums auf die Halbleitermaterialauskleidung
der Kammern verlegt. Dem erfindungsgemäßen Verfahren liegt die Erkenntnis zugrunde,
daß ein Wulstwachstum immer an der Dreiphasengrenze Halbleitermaterial-LÖsung-externe Phase auftritt.
Das Verfahren findet insbesondere Anwendung bei der Her-
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stellung von epitaktischen Galliumarsenid-, Galliumaluminiumarsenid-
und (Ga, In) (As, P)-Mischkristallschichten für Lumineszenz- und Laserdioden.
Weitere Einzelheiten sind anhand eines Ausführungsbeispiels, welches sich auf die Herstellung von epitaktischen
Galliumarsenidschichten bezieht und der in der Zeichnung befindlichen Figur, welche in Perspektive
eine Lösungskammer aufgeschnitten darstellt, zu entnehmen. Die in dem Kammerkörper 1 aus Graphit angeordneten
Lösungskammem 2, deren Seitenwände zumindest in ihrem unteren Bereich mit Galliumarsenid 3 ausgekleidet
sind, nehmen die gesättigten oder leicht übersättigten Lösungen 4 von Gallium als Lösungsmittel und
einer gemäß der Wachstumstemperatur und dem Löslichtkeitsdiagramm eingewogenen Menge von einigen Atom %
Arsen in Form von Galliumarsenid sowie die entsprechenden Dotierstoffe auf. Am Boden der Kammern 2 befindet
sich eine im Kammerkörper 1 verschiebbar angeordnete Graphitträgerplatte 5, welche in einer Vertiefung das
mit der Graphitträgerplatte 5 verschiebbare Substrat 6, bestehend aus einer einkristallinen Galliumarsenidscheibe,
enthält.
Durch Verschieben der Graphitträgerplatte 5 relativ zu den Lösungskammern 2 können die verschieden dotierten
Galliumarsenlösungen nacheinander mit dem Substrat 6 in Berührung kommen und epitaktische Schichten auf dem
Substrat abgeschieden werden. Ein Vorteil dieses Verfahrens
ist, daß zwischen den einzelnen Wachstumsschichten die epitaktisch aufgewachsenen Schichten nicht der
Atmosphäre ausgesetzt und so auch nicht oxidiert werden können.
Durch das Vorhandensein der an den Seitenwänden der
Lösungskammern 2 befindlichen Galliumarsenid-Auskleidun-
03003 97 0347
->- VPA 79 P7 0 3 7 BRO
gen 3 wird das bei bekannten Verfahren auftretende starke Randwaehstum vom Substrat 6 weg auf die Galliumarsenid-Auskleidung
3 in den Bereich 7 verlegt und es werden epitaktische Schichten von hoher Ebenheit auch
bei Mehrfachbeschichtungen und bei Hetero strukturen
erzielt.
3 Patentansprüche
1 Figur
1 Figur
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Claims (3)
1. Verfahren zum Herstellen von epitaktischen Schichten
aus Halbleitermaterial, insbesondere aus Aj^-j-By-Verbindungen,
auf einkristallinen Substraten nach der Flüssigphasen-Schiebe-Epitaxie, bei dem auf die Oberfläche
eines Substrats eine Lösung aufgeschoben wird, aus der sich infolge Übersättigung eine epitaktische Schicht
auf dem Substrat abscheidet und anschließend die Lösung vom Substrat und von der darauf befindlichen epitaktischen
Schicht wieder entfernt wird, dadurch gekennzeichnet, daß durch die Auskleidung
zumindest des unteren Bereiches der die Lösung enthaltenden Kammern mit einem Substratmaterial der Oft
des ¥ulstwachstums vom eigentlichen Substrat weg auf die Auskleidung verlegt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Seitenwände der die
Lösung enthaltenden Kammern der Schiebeanordnung mit dem gleichen Halbleitermaterial ausgekleidet werden, aus
dem das Substrat besteht.
3. Anwendung des Verfahrens nach Anspruch 1 und 2 zum
Herstellen von GaAs-, (Ga, Al) As- und (Ga, In) (As, P)-Mischkristall-Schichten
für Lumineszenz- und Laser-Dioden.
030039/0347
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