DE2908741A1 - Hf-breitbandverstaerker - Google Patents
Hf-breitbandverstaerkerInfo
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0017—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier
- H03G1/0023—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier in emitter-coupled or cascode amplifiers
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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Description
290874
HP-Breitbandverstärker
1) Die Anmeldung betrifft einen HF-Breitbandverstärker,
gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 1.
Bei einem Breitbandverstärker wird in der Regel im Verstärkerzug
ein RC-Glied angeordnet, das die untere Grenzfrequenz
des Verstärkers bestimmt. Wenn beim Ein- bzw. Ausschalten des Verstärkers am Vex~stärkerausgang ein
Potentiiilsprung auftritt, muß dieser erst über den Kondensator
C des RC-Gliedes ausgeglichen werden, was zu relativ langen und vielfach unerwünschten Uins ehalt zeiten
führt. Man war daher bereits bisher bestrebt, derartige PotentialSprünge am Ausgangsanschluß des Verstärkers
zu verhindern. Hierzu wird beispielsweise ein Vierquadranten-Multiplizierer gemäß der Figur 1 verwendet.
Diese Verstärkerschaltung besteht aus zwei Differenzverstärkern,
wobei die eigentliche Signalverstärkung von dem Differenzverstärker mit den Transistoren T-, und T,
bewirkt wird. Der zweite Differenzverstärker aus den
Transistoren T, und 1' dient der Stromübernahme bei abgeschaltetem
Differenzverstärker aus den Transistoren T,
und T1. Bei beiden Differenzverstärkern sind die Emitterelektroden
der beteiligten Transistoren miteinander verknüpft und jeweils in die Kollektorstrecke eines Transistors
Tr bzw. T, geschaltet, deren Emitterelektroden
über WLügrstände R,, und R mit einer Stromquelle verbun-
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290874)
den sind. Die Stromquelle besteht aus einem Transistor T_
mit einem Stroiaeinstellwiderstand R,. im Emitterzweig des
Transistors. Das Potential an der Basiselektrode des Transistors T7 wird mit Hilfe der Dioden D1 und D„, an denen
eine Spannung von ca. 1,4 V abfällt, eingestellt.
Die Basiselektrode des Transistors T1- bildet den Impulseingang
für die Ein- bzw. Abschaltung des Verstärkers. Dieser Eingangsanschluß ist über einen Widerstand R „
mit der Basiselektrode des Transistors T_ verknüpft.
Das Basispotential des Transistors Tß von ca. 2,1 Volt
wird mit Hilfe der Diode D_ eingestellt, die in Reihe
zu den Dioden D.. und D„ geschaltet ist. Eine weitere,
den bereits genannten Dioden in Reihe geschaltete Diode D. bestimmt über die Widerstände R^1 und R1 die Basispotentiale
der Transistoren T. und T- sowie T-, und T^,
wobei am Potentialgriff an der Diode D. ein Potential von ca. 2,8 V herrscht. Im Kollektorzweig des Transistors
T. des Differenzverstärkers liegt der mit der Gleichspannungsquelle verbundene Widerstand R . An der
Verbindung zwischen dem Widerstand R und dem Kollektor des Transistors T. wird das Ausgangssignal abgegriffen
und über einen Ausgangsverstärker T17 und das
RC-Glied C und R„ dem Ausgangsanschluß U zugeführt.
Der genannte Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand R
und dem Kollektor des Transitsors T. ist gleichzeitig mit dem Kollektor des Transistors T„ des zweiten Differenzverstärkers
verbunden.
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Der Breitbandverstärker ist dann eingeschaltet, wenn an
der Eingangsklemme D, die zur Basiselektrode des Transistors Tj- führt, beispielsweise Nullpotential· herrscht.
Dann fließt über den Transistor T, ein Strom, der mit
Hilfe des Widerstandes R1 eingestellt wird. Dieser Strom
beträgt beispielsweise 2 mA. Jeweils die Hälfte dieses Gleichstroms fließt aus der Gleichspannungsquelle über
den Transistor T^ bzw. über den Arbeitswiderstand R und
den Transistor T. des zugehörigen Differenzierstärkers.
Bei einer realisierten Schaltung beträgt bei einem Widerstand R = 1,5 kö und einer Versorgungsgleichspannung
von 6 V, die Verstärkung V = 22, was 26,8 dB entspricht.
Wenn dem Impulseingang D ein positives Signal zugeführt
wird, wird der Transistor T,- gesperrt und damit der Differenzverstärker
aus den Transistoren T_ und T. abgeschaltet.
Der Strom von beispielsweise 2 mA, der bisher über den Differenzverstärker aus den Transistoren T_
und T. floß, fließt nunmehr über den Differenzverstärker
aus den Transistoren T.. und T„ in zwei gleichen Teilen
ab. Da somit über den Transistor T alleine ein Strom von 1 mA fließt, der wiederum über den Widerstand R bezogen
wird, muß das Gleichpotential am Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand R und dem Transistor T. konstant
bleiben, so daß kein die Schaltezeiten beeinflussender Potentialsprung am Ausgang des Verstärkers auftritt.
G3Ö037/G31?
Die Basiselektroden der Transistoren T1 und T„ sind am
gemeinsamen Anschluß A mit einem Kondensator C hochf recjusnzmäßig abgeblockt , so daß der Strom durch den
Transistor T„ nicht moduliert wird, so daß hierdurch
keine Hochfrequenzspannung am Arbeitswiderstand R erzeugt
wird. Dabei wird davon ausgegangen, daß am Signaleingang
B weiterhin ein HF-Signal anliegt. Ein 1'eii dieser HF-Eingangswechselspannung wird jedoch über die
nicht vermeidbare Kollektor-Basiskapazität C^„ , des
Transistors T. auC den Widerstand R gelangen. In der
Figur 1 ist diese baueleinentspezifische Kapazität C
in das Schaltbild eingefügt. Bei bestimmten Breitbandvers bärkern wird gefordert, daß zwischen der Ausgangswochsolspannung
im eingeschalteten Zustand des Verstärkers und der noch vorhandenen Restwechselspannung bei
ausgoschaltehem Verstärker ein unterschied von beispielsweise
8O dii besteht. Dia Abschwächung muß daher,
wenn man von einer Verstärkung von 26,8 dB bei-eingeschaltete«·.
Verstärker ausgeht, im dargestellten Beispiel 53,2 dB betragen, was dem 46Ofcichan Wert entspricht.
Dies würde bei der Schaltung gemäß der Figur bedeuten, daß die Kapazität C_R nicht größer cils
—3
25 . 10 pF sein dürfte. Die Kapazität eines integrierten Transistors liegt jedoch in der Regel etwa 100 mal
über dem genannten Wert, so detß die angestrebte Abschwächung
mit ο int; r Schaltung gemäß der Figur 1 nicht realisiert
werden kann.
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Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen schaltbaren HF-Breitbandverstärker mit
einer unteren Grenzfrequenz von beispielsweise 100 kHz anzugeben, der innerhalb weniger MikroSekunden von Verstärkung
auf extreme Äbschwächung umgeschaltet werden
kann. Das Verhältnis Verstärkung zu Abschwächung soll in der Größenordnung von 80 dB liegen. Die Schaltung
soll monolithisch integrierbar sein und mit möglichst wenigen Schaltelementen auskommen. Diese Aufgabe wird
bei einem schaltbaren HF-Breitbandverstärker durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruches 1 gelöst.
um die Basis des zusätzlichen Transistors TD hochfre-
qucnzniäßig ηiederoluaig mit dem Bezugspotential zu verbinden,
wird ein niederohmiger differentieller Wider-F'.tand,
der beispielsweise aus in Durchlaßrichtung betriebenen Dioden besteht, zwischen die Basiselektrode
und Bezugspotontial geschaltet. Dabei handelt es sich vorzugsweise um die Dioden in der Spannungsteilerschaltung, die zur Potentialeinstellung am Differenzverstärker
herangezogen werden.
Dabei ist es möglich, mit der gleichen Anzahl von Dioden
in der Spannungsteilerschaltung wie bei der Schaltung nach Figur 1 auszukommen, wenn in Weiterbildung der Erfindung
die Stromquelle des Differenzverstärkers im
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Stromzweig zwischen den Emitterelektroden der Differenzverstärkertransistoren
und dem Bezugspotential angeordnet ist und wenn Schaltungsmittel vorgesehen sind, durch
die gleichzeitig die Stromquelle und der Ableitstromzweig
so geschaltet werden können, daß jeweils nur in einem der gemmnten Stromzweige Strom fließen kann.
Dabei ist es möglich, die Stromquelle über einen Schalttransistor direkt mit dem Bezugspotential zu verbinden
und diesen Schalttransistor über ein extern zugeführtes Steuerkommando anzusteuern. Das Steuerkommando wird dabei
auf einen Schalttransistor im Ableitstromzweig gegeben, über den der der Stromquelle nachgeschaltete
Schalttransistor in einer noch näher zu erläuternden Art und Weise angesteuert wird.
Andererseits besteht auch die Möglichkeit, die Stromquelle dadurch abzuschalten, daß die von dex~ Spannungsteilerschaltung
abgeleitete Betriebsspannung der Stromquelle mit Hilfe eines über das Steuerkommando angesteuerten
Schalttransistors kurzgeschlossen wird, über einen weiteren, gleichzeitig angesteuerten Schalttransistor
wird dann der Ableitstromzweig durchgesteuert, so daß sich die am Ärbeitswiderstand anliegende Gleichspannung
unabhängig vom Betriebszustand des Differenzverstärkers nicht verändert. Ein Umschalten des Differenzverstärkers
zwischen Verstärkung und Abschwächung
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bzw. umgekehrt kann dann in einer Zeit erfolgen, die wesentlich kürzer ist als der Reziprokwert der unteren
Grenzfrequenz.
Mit Hilfe der erfindungsgemäßen Schaltung konnte ein
Verhältnis zwischen Verstärkung zu Abschwächung erzielt werden, das im Minimum 80 dB beträgt. Dieses Ergebnis
wurde bei einer Schaltung erreicht, die mit einer stabilisierten Gleichspannung von nur 6 V betrieben wurde.
Die Erfindung und ihre weitere vorteilhafte Ausgestaltung soll im folgenden noch anhand eines Ausführungsbeispiels entsprechend den Figuren 2 bis 5 näher erläutert
werden.
Die Schaltung gemäß der Figur 2 besteht wiederum aus einem Differenzverstärker mit den Transistoren T~ und
T., deren Emitterelektroden zusammengschaltet sind und mit einer Stromquelle in Verbindung stehen. Die Basiselektroden
der Transistoren T_ und T. bilden die invertierende bzw. nichtinvertierende Eingangsklemme des
Verstärkers.
Die Stromquelle besteht aus dem Transistor T„, dessen
Kollektorelektrode mit den Emitterelektroden der Transistoren
T^. und T. verbunden ist und der in seinem Emitterzweig
einen Widerstand R. und die Kollektor-Emitter-
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strecke eines Schalttransistors Tg aufweist. Die Basis-Gleichspannung
für den Transistor T_ wird an der Reihenschaltung aus gleichrichtenden Bauelementen D1 bis D.
abgegriffen, die wiederum in Reihe zum Widerstand R
zviischen die Pole der Gleichspannungsquelle geschaltet
ist- Bei der Schaltung gemäß Figur 2 sind die Dioden D1
und D„ parallel zur Basis-Emitterstrecke des Transistors
T^ und dem Emitterstromz*?eig dieses Transistors geschaltet.
An dar Basiselektrode von T_ liegt somit beispielsweise die Spannung von 1,4 V. Die Größe des Widerstandes
R1 in der Emitterstrecke des Transistors T7 bestimmt
den durch den Differenzverstärker fließenden Gesamtstrom, der bei einem geeigneten Ausführungsbeispiel wiederum
ca. 2 inA betragen soll.
Die Basisgleichspannung für die Transistoren T- und T.
wird über die Vorwiderstände R^_ und R11 an der Diode D_
abgegriffen, die zu den Dioden D.. und D„ in Reihe geschaltet
ist. Am Potentialabgriff E liegt beispielsweise die Spannung von 2,1 Van.
In Reihe zu den genannten Dioden ist eine vierte Diode
D4 geschaltet, an der die Basisgleichspannung für den
Transistor T„ abgegriffen wird, dessen Kollektor-Emitterstrecke
in den Kollektorzweig des Transistors T. geschaltet ist. An der Basis des Transistors Tfi liegt so-
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mit die Gleichspannung von ca. 2,8 V. Die Kollektorelektrode
des genannten zusätzlichen und in Basisschaltung betriebenen Transistors T„ ist an den Arbeitswiderstand
R angeschlossen, dessen andere Anschlußelektrode mit
der Gleichspannungsquelle von beispielsweise + 6 V verbunden ist.
Am Verbindungspunkt zwischen dem Arbeitswiderstand R
und dem Kollektor des Transistors T0 wird das verstärk-
te Signal abgegriffen und über einen Ausgangsverstärker
aus dem Transistor T.„ und das nachgeschaltete RC-Glied
aus der Kapazität C und dem Widerstand R~ zum Anschluß
ü , abgeführt. Der Transistor T12 wird an der Basis
angesteuert und weist in seinem Emitterzweig den Widerstand
R_ auf. Diesem Widerstand R^ ist die Reihenschaltung
aus der Kapazität C und dem Widerstand R„ parallel
geschaltet; am Verbindungspunkt zwischen den beiden letzt genannten Bauelementen ist die Ausgangsklemme
U angeschlossen.
Zur Ein- oder Abschaltung des Differenzverstärkers dient
der Schaltungsteil aus den Transistoren'T..^, T.... und
Tq. Die Basiselektrode des Transistors T., bildet den
Impulseingang D, während die Kollektorelektrode dieses Transistors zur Bildung des Ableitstromzweiges über
einen Widerstand R,- an den Verbindungspunkt zwischen
dem Arbeitswiderstand R und dem Transistor T„ ange-
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schlossen ist. Die Emitterlektrode des Transistors T1
führt zur Basis des nachgeschalteten Transistors T11,
der seinen Kollektorstrom über den Widerstand R. von der Gleichspannungsquelle bezieht. An den Kollektor
dieses Transistors T11 ist wiederum die Basis des
Schalttransistors Tq angeschlossen, dessen Kollektor-Emitter
strecke im Emitterstromzweig des Transistors ΤΙ
regt.
Bei der Schaltung gemäß der Figur 2 wird die untere Grenzfrequenz des Breitbandverstärkers mit Hilfe des
RC-Gliedes aus dem Widerstand R0 und dem Kondensator C
eingestellt. Sie beträgt beispielsweise f = 100 kHz. Die obere Grenzfrequenz ist beispielsweise f = 1O MHz.
Die Schaltung gemäß Figur 2 funktioniert in ihrem für die Erfindung wesentlichen Teil wie folgt:
Wenn am Impulseingang D Massepotential anliegt, ist der Transistor T1n und damit auch der nachgeschaltete Transistor
T11 gesperrt. Durch das relativ hohe Potential
an der Kollektorelektrode des Transistors T11 wird der
Transistor Tq in die Sättigung geschaltet, so daß über den Differenzverstärker aus den Transistoren T_ und T.,
der mit Hilfe des Widerstandes R1 eingestellte Strom
fließen kann. Dieser Strom beträgt beispielsweise wiederum 2 irA und teilt sich somit zu gleichen Teilen auf
die Kollektorstrecken der Transistoren T, und T. mit je 1 ma. auf. Der Kollektorstrom des Transistors T4
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fließt über den Arbeitswiderstand R und die Kollektor-Emitterstrecke
des zusätzlichen und in Basisschaltung betriebenen Transistor T0. Dieser Transistor T0 itfeist
ο ο
eine Stromverstärkung von etwa α<\y 1 auf. Beim dargestellten
Ausführungsbeispiel hat der Arbeltswiderstand R einen Wert von ca. R = 1,5 kfi. Durch den zusätzlich
eingefügten Transistor T„ wird die Spannungsverstärkung des Differenzverstärkers gegenüber der Schaltung nach
Fig. 1 nicht geändert. Sie beträgt bei den genannten Strom- und Widerstandsverhältnissen beispielsweise
26,8 dB.
Im Vergleich zu der Schaltung gemäß Figur 1 entfallen bei der erfindungsgemäßen Schaltung die Transistoren Tr
und T,- sowie der Differenzverstärker aus den Transisto-6
ren T1 und T„. Durch dan Wegfall der Stromverteilerschalter
aus den Transistoren T„ und T^, die nunmehr
b 6
durch den im Sättigungsbereich arbeitenden Schalttransistor Tq ersetzt werden, können die Basiselektroden
der Transistoren Ί' und T. des Differenzverstärkers
mit einer um 1 IL,-, geringeren Vorspannung als bei der
üb
Schaltung gemäß Figur 1 betrieben werden.
Durch das Einfügen des zusätzlichen Transistors T„, der
eine um 1 U„„ höhere Basisvorspannung als der Differenzverstärker
aus den Transistoren T und T. benötigt, beträgt die Spannung am Basisanschluß des Transistors T0
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4 U_,__,f was etwa dem Wert von 2,8 V entspricht. Der KoI-lektor
des Transistors T„ der am Widerstand R liegt,
kann somit mit der gleichen Wechselspannungsamplitude
ausgesteuert warden, wie dies bei der Schaltung gemäß Figur 1 der Fall war. Somit laßt sich ohne Veränderung
der Größe der Versorgungsgleichspaniiung das gleiche Maß der Aussteuerung erzielen.
Zum Ausschalten des Differenzverstärkers wird an den
Impulseingang D eine positive Eingangsspannung angelegt.
Damit wird der Transistor T1n und somit auch
der Transistor T11 durchgesteuert. Die Kollektorelektrode
das Transistors T.„ wird auf Massepotential gesogen
und der Transistor T„ dadurch gesperrt. Die Transistoren T,, und T4 können somit keinen Strom mehr übernehmen.
Dar bei eingeschaltetem Differenzverstärker durch den Arbeitswiderstand R fließende Strom von beispielsweise
1 mA wird nunmehr über den Widerstand R1-abgeführt.
Der Widerstand R1- muß so gewählt werden,
daß der durch ihn fließende Strom bei durchgesteuerten
Transistoren T1 und T11 dem Wert entspricht, der zuvor
durch den Arbeitswiderstand bei eingeschaltetem Differenzverstärker
floß. Der Widerstand Rn. kann daher beispielsweise
auch durch eine KonstantstromquellG oder ein geeignetes anderes Stromeinstellelement ersetzt
werden. Da sich somit der Strom durch den Arbeitswiderstand R , unabhängig vom Schaltzustand des Verstärkers,
nicht verändert, entsteht am Ausgang des
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Verstärkers kein Potentialsprung, so daß extrem kurze Ein- und Abschaltzeiten möglich sind.
Das weiterhin anliegende Eingangssignal am Eingang B greift jedoch weiter über die Kollektor-Basiskapazität
C_o des Transistors T, auf dessen Kollektor durch. Die
Zuschaltung des zusätzlichen Transistors TR bewirkt
jedoch, wie sich aus dem Schaltungsausschnitt gemäß Figur 3 ergibt, eine wesentliche Abschwächung dieser
kapazitiven Kopplung. Gemäß Figur 3 gelangt das Eingangssignal U. über die Koliektor-Basiskapazität Cn^. des
Transistors T4 zum Emitteranschluß des Transistors T„.
Die zusätzliche Abschwächung wird durch die Sparmungsteilung
über die Emitter-Basis-Sperrschichtkapazität
C„„o des gesperrten Transistors T0 auf den differen-
hiid ο
biellen Widerstand R und der nachfolgenden Teilung durch die Kollektor-Basis-Sperrschichtkapazität C^„„
des Transistors TR auf den Arbeitswiderstand R erreicht.
Der von den Stabilisationsdioden D1 — D. (Fig. 2}
gebildete differentielle Widerstand R beträgt ca. lOO Ώ.
Bei einer realisierten Schaltung betrug das Verhältnis Versbärkung zu Abschwächung bei 7 MHz 84 dB bei einem
beibehaltenen Wert des Arbeitswiderstandes R = 1,5 kn,
womit die gestellten Anforderungen sogar wesentlich überschritten wurden.
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Bei der erfindungsgemäßen Schaltung gemäß Figur 2 entfällt
neben dem Differenzverstärker aus den Transistoren T1 und T9 auch in der bei der Schaltung gemäß
Figur 1 erforderliche Kondensator C .
Das Hochfrequenzverhalten der Schaltung gemäß Figur 2
kann in Richtung erhöhter Verstärkung im oberen Frequenzbereich noch verbessert werden, wenn der Arbeitswiderstand
R als Spannungsteiler ausgebildet wird und dar Widerstand Rj- des Ableitstromzweigs an den Abgriff dieses
Spannungsteilers angeschlossen wird. Eine derart modifizierte Schaltung ergibt sich beispielsweise aus
der Figur 4, bei der der Widerstand R in zwei gleiche Teile aufgeteilt wurde. Dadurch wird insbesondere der
unvermeidbare kapazitive Einfluß des Widerstandes R1- bzw.
eines entsprechenden Stromeinstellelementes reduziert.
Bei einer^hälftigen Aufteilung des Arbeitswiderstandes
R muß dann allerdings der Widerstand R5 bzw. das entsprechende
Stromeinstellelement so gewählt werden, daß durch ihn bei abgeschaltetem Differenzverstärker ein
doppelt so großer Strom fließt, wie durch die Teile des Arbeitswiderstandes bei eingeschaltetem Differenzverstärker
abgeleitet wird. Bei der Schaltung gemäß Figur und einem Strom von beispielsweise 1 mA durch den Transistor
T4 bei eingeschaltetem Differenzverstärker bedeutet
dies, daß der Widerstand R5 so gewählt sein muß, daß durch ihn bei abgeschaltetem Differenzverstärker
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ein Strom von 2 mA fließt. Bei diesen Stromverhältnissen
ist sichergestellt, daß an der Basiselektrode des Transistors T-J2' unabhängig vom Schaltzustand des Differenzverstärkers,
stets das gleiche Gleichspannungspotential anliegt.
Der Widerstand R kann auch in jedem beliebigem anderen
Verhältnis aufgeteilt werden, wenn der Widerstand R5
mit einem Wert versehen wird, der die Aufrechterhaltung
des Gleichspannungspotentials an der Basiselektrode des Transistors T17 gewährleistet.
In Figur 5 ist als weiteres Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen
Schaltung eine Aüsführungsform dargestellt,
die bezüglich des Ableitsfcromzweigs und des die Umschaltung der Stromquelle des Differenzverstärkers
bewirkenden Schaltungsteils von der Schaltung gemäß Figur 2 und 4 abweicht.
Der Einströmwiderstand R^ der Stromquelle ist dabei direkt
zwischen die Emitterelektrode des zur Stromquelle gehörenden Transistors T7 und Bezugspotential geschaltet.
Parallel zu den Dioden D. und D„ in der Spannungsteilerschaltung,
an denen die Betriebsspannung der Stromquelle abfällt, ist die Kollektor-Emitterstrecke eines
Schalttransistors T.... geschaltet, der an der Basis über einen
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Vorwiderstand R13 an das Steuerkommando angeschlossen
ist. An den Eingang D für das Steuerkommando ist gleichzeitig über einen Widershand 14 die Basiselektrode eines
weiteren Schalttransistors T' angeschlossen, dessen Kollektor-Emitterstrecke im Ableitstromzweig liegt.
Wenn ara Eingang D Bezugspotential anliegt, sind beide
Schalt transis toren T1-. und T1, gesperrt, so daß einerseits
über den Äbleitstromzweig kein Strom fließen kann und andererseits die Stromquelle und damit der Differenzverstärker
eingeschaltet ist.
Wenn ara Eingang D ein positives Steuerkommando anliegt,
werden beide Transistoren T^., und T1- in die Sättigung
gesteuert. Dadurch wird das Basispotential des Transistors T- in der Stromquelle auf Bezugspotential gezogen,
so daß dieser Transistor gesperrt und damit die Stromquelle abgeschaltet wird. Zugleich wird aber der
Ableitstromzweig über den Transistor T14 eingeschaltet,
so daß nun der zuvor über den Arbeitswiderstand R fließende Gleichstrom unter Aufrechterhaltung der am
Arbeitswiderstand anliegenden Gleichspannung über den Widerstand R1. und den Transistor T*. abgeleitet wird.
Die Figur 6 zeigt noch ein Oszillogramm der Eingangsund
Ausgangsspannungen· In einer ersten Phase liegt beispielsweise am Eingangsanschluß B der Schaltung ge-
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maß Figur 2 eine Wechselspannung mit einem Effektivwert
von 200 mV. Am Impulseingang D liegt positives Potential, so daß der Differenzverstärker abgeschaltet ist.
In einer zweiten Phase liegt am Eingang B ein Wechselsignal mit einer Spannung von 2 mV __. Am Impulseingang
D liegt Massepotential/ so daß der Differenzverstärker eingeschaltet ist. Das Eingangssignal wird somit
am Ausgang U , verstärkt erscheinen. Der Verstärkungsfaktor beträgt beispielsweise 26,8 dB. In einer
dritten Phase liegt am Eingang B wiederum eine Spannung von 200 mV _?J~, während über den Eingang D der
Differenzverstärker wieder abgeschaltet wird. Am Ausgang ü , tritt dann wie in der ersten Phase ein Ausgangssignal
auf, das gegenüber dem der zweiten Phase um mindestens 80 dB abgeschwächt ist. Die extreme Veränderung
des Eingangssignals bei ein- bzw. ausgeschaltetem Differenzverstärker wird beispielsweise durch
externe Schaltungen zwangsläufig bewirkt. Wie man der Fig. 6. entnimmt, sind die Ein- bzw. Abschaltzeiten
am Ausgang sehr kurz und liegen bei beispielsweise 2 μΞβσ, während der Reziprokwert der gewählten unteren
Grenzfrequenz des Verstärkers von 100 kHz 10 \isec beträgt.
Das Verhältnis zwischen Verstärkung zu Abschwächung beträgt bei einer realisierten Schaltung gemäß
der Fig. 2, die bereits erläutert wurde, bei einer Meßfrequenz von 7 MFIz 84 dB.
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2!
Erwähnt sei noch, daß bei einer Schaltung mit symmetrischen Äusgangsanschlüssen an beiden Transistoren
der Differenzverstärker-Eingangsstufe vorzugsweise in jedem Kollektorstrompfad dieser Transistoren ein zusätzlicher
in Basisschaltung betriebener Transistor (Tg)
angeordnet wird» Beide Arbeitswiderstände in den KoI-lektorstromzweigen
der Differenzverstärkertransistoren werden dann über je einen Widerstand an den gemeinsamen,
im Ableitstromzweig liegenden Schalttransistor
angeschlossen.
Die erfindungsgemäße Schaltung gemäß den Figuren 2-5
wird beispielsweise ausschließlich mit bipolaren npn-Transistoren realisiert, wobei dann auch die Dioden D1 - D.
vorzugsweise als Dioden geschaltete Transistoren sind. Alle Bauelemente werden in einer integrierten monolythischen
Halbleiterschaltung untergebracht, in der zugleich auch weitere Funktionsstufen einer komplexeren Schaltung
enthalten sein können.
030037/031?
e e r s e
Claims (13)
1)j HF-Breitbandverstärker, der durch ein externes Steuerkomxnando
zwischen Verstärkung und Abschwächung schaltbar ist, mit einer Differenzverstärker-Eingangsstufe, einer
zwischen die Pole der Versorgungsspannung geschalteten Spannungsteilerschaltung zur Potentialexnstellung am Differenzverstärker
und mit einem Ableitstromzweig, durch den im abgeschalteten Zustand des Differenzverstärkers
ein die am Arbeitswiderstand anliegende Gleichspannung aufrechterhaltender Gleichstrom fließt, dadurch gekennzeichnet,
daß zur ausgangsseitigen extremen Abschwächung
des im ausgeschalteten Zustand am Eingang des Verstärkers anliegenden Wechselsignals in mindestens einen Kollektorstromzweig
der Differenzverstärkertransistoren {T_ oder T.) zwischen dem Kollektor und dem im Stromzweig liegenden Arbeitswiderstand
(R ) die Emitter-Kollektorstrecke eines zusätzlichen Transistors T„ geschaltet istf wobei die
Basis des in Basisschaltung betriebenen Transistors T0
HP-mäßig niederohmig gegen Bezugspotential geschaltet ist, so daß die kapazitive Kopplung zwischen dem Eingang und
Ausgang der Verstärkerschaltung reduziert wird»
036037/0317
2) HF-Breitbandverstärker nach. Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Basis des zusätzlichen Transistors T0
über einen niederohmigen differentiellen Widerstand (D1 D.)
der Spannungsteilerschaltung mit dem Bezugspotential verbunden ist.
3) HF-Breitbandverstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der niederohraige differentielle Widerstand aus der Reihenschaltung von in Durchlaßrichtung
betriebenen gleichrichtenden Bauelementen wie Dioden oder als Dioden geschalteten Transistoren besteht.
4) HF-Breitbandverstärker nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterelektrode
des zusätzlichen Transistors T„ mit der Kollektorelektrode eines Transistors (T.) des Differenzverstärkers
verbunden ist, während die Kollektorelektrode des zusätzlichen Transistors T„ an den mit der Versorgungsgleichspannungsquelle
verbundenen Arbeitswiderstand R angeschlossen ist, wobei am Verbindungspunkt zwischen
dem Arbeitswiderstand Έ. und dem zusätzlichen Transistor
T0 der Ableitstromzweig angeschlossen ist.
5) HF—Breitbandverstärker nach einem der vorangehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromquelle (T7, R1) der Differenzverstärker-Eingangsstufe im Stromzweig
zwischen den Emitterelektroden der Differenzver-
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ORIGINAL INSPECTED
Stärkertransistoren (Τ-., T-) und dem Bezugspotential
angeordnet ist, und daß Schaltungsmittel vorgesehen sind, durch die gleichzeitig die Stromquelle und der Ableitstromzweig
derart schaltbar ist, daß jeweils nur in einem der genannten Stromzweige Strom fließen kann.
6) HF-Breitbandverstärker nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die Stromquelle {Τ-, R1) des Differenzverstärkers
über einen Schalttransistor (Tq) mit Bezugspotential verbunden ist, wobei dieser Schalttransistor
über einen weiteren vorgeschalteten Transistor (T1n),
der im Äbleitstromzweig liegt, mit Hilfe eines extern zugeführten Steuerkommandos umschaltbar ist.
7) HF-Breitbandverstarler nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß dem an das Steuerkommanäo angeschlossenen Transistor (T10) ein Transistor (T-i-i) nachgeschaltet
ist, dessen Kollektor über einen Vorwiderstand (R,,) an die Gleichspannungsquelle angeschlossen ist und der
den Schalttransistor (Tq) im die Stromquelle enthaltenden
Stromzweig steuert.
8) HF-Breitbandverstärker nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung der
Stromquelle des Differenzverstärkers ein Widerstand (R1)
an die Emitterelektrode eines Transistors (T7) ange-
037/0317
290874t
schlossen ist, dessen Kollektorelektrode mit den Emitterelektroden
der Differenzverstärkertransistoren (T^, T.)
verbunden ist, während die Basiselektrode des Transistors T7 mit einem Potentialabgriff an der Spannungsteilerschaltung
(D. - D) verbunden ist.
9) HF-Breitbandverstärker nach Anspruch 5 und 8, dadurch
gekennzeichnet, daß an die Basiselektrode des zur Stromquelle gehörenden Transistors T_ ein gegen Bezugspotential
geschalteter und vom Steuerkommando angesteuerter Schalttransistor T1... angeschlossen ist, durch den die
Stromquelle ab- und anschaltbar ist, und daß ein weiterer im Ableitstromzweig liegender und gleichfalls vom
Steuerkommando angesteuerter Schalttransistor T14 vorgesehen
ist, so daß, abhängig vom anliegenden Steuerkommando, beide Schalttransistoren T^-, und T^, entweder leitend
oder gesperrt sind.
10) HF-Breitbandverstärker nach einem der vorangehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß im Ableitstromzweig ein Stromeins te lie lenient wie beispie lsx-/eise ein
ohmscher Widerstand (R1.) oder eine Konstantstromquelle
angeordnet ist.
11) HF-Breitbandverstärker nach einem der vorangehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Arbeitswiderstand IL , an den der zusätzliche Transistor T0 anaeschlos-
A ο
08Ö037/0317
'1 Ö Πι Q T / t
sen ist, als Spannungsteiler (Fig. 4) ausgebildet ist
und daß der Äbleitstromzweig an den Abgriff dieses Spannungsteilers
angeschlossen ist.
12} HF-Breitbandverstärker nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß an den Ausgang
der Verstärkerschaltung ein, die untere Grenzfrequenz des Breitbandverstärkers bestimmendes RC-Glied angeschlossen
ist und daß, bedingt durch die ständige Aufrechterhaltung der am Arbeitswiderstand anliegenden
Gleichspannung, ein Umschalten zi^ischen Verstärkung und
Abschwüchung bzw. umgekehrt in einer wesentlich kürzeren
Zeit erfolgen kann, als durch den Reziprokwert der unteren Grenzfrequenz 1/f gegeben ist.
13) HF-Breitbandverstärker nach einem der vorangehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß alle Transistoren vom gleichen, beispielsweise npn-Leitungstyp sind.
030037/0317
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DE2908741A DE2908741C2 (de) | 1979-03-06 | 1979-03-06 | HF-Breitbandverstärker |
NL8001269A NL8001269A (nl) | 1979-03-06 | 1980-03-03 | Omschakelbare, over een brede band van frequenties werkzame versterker. |
US06/127,864 US4354161A (en) | 1979-03-06 | 1980-03-06 | H.F. Broadband amplifier |
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ID=6064637
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JPS5060941U (de) * | 1973-10-02 | 1975-06-05 |
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- 1979-03-06 DE DE2908741A patent/DE2908741C2/de not_active Expired
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AEG-Telefunken Datenbuch 1979/80, Integrierte Schaltungen: TBA 120 S * |
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NL8001269A (nl) | 1980-09-09 |
DE2908741C2 (de) | 1983-07-14 |
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8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
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