DE2908485A1 - Verfahren zum einbetten von halbleiter-bauelementen in kunststoff - Google Patents

Verfahren zum einbetten von halbleiter-bauelementen in kunststoff

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Description

2808435
HH 79/02 - 2 -
Licentia Patent-Verwaltungs-GmbH 6000 Frankfurt/Main 70, Theodor-Stern-Kai 1
"Verfahren zum Einbetten von Halbleiter-Bauelementen in Kunststoff"
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren nach dem Oberbegriff von Anspruch 1.
Die Anwendung von Halbleiter-Bauelementen, z. B. von Solarzellen, erfordert in der Regel, daß diese durch ein witterungsbeständiges Material allseitig umgeben werden. Hierfür eignen sich bestimmte Kunststoffe, wie beispielsweise glasfaserverstärkte Epoxyharze oder Polyester.
Aus der DE-OS 24 15 042 ist ein terrestrischer Solärzellengenerator bekannt, dessen Solarzellen gegen schädliche Umwelteinflüsse dadurch geschützt sind, daß die Solarzellen mit ihren Verbindungselementen allseitig von einem einzigen Werkstoff umgeben sind. Als Werkstoff ist die Verwendung eines glasfaserverstärkten Kunststoffes, eines Thermoplastes oder von Glas vorgesehen.
Viele bisher bekannte Anordnungen zeigen ein nicht ausreichendes Bewitterungsverhalten. Insbesondere treten Spannungsrisse in der Kunststoff oberfläche, Delamination, d. h. ein Abheben bzw. Ablösen zwischen den Halbleiter-Bauelementen und der Kunststoffschicht sowie eine Degradation der Transparenz des Kunststoffes auf. Dieses schlechte Bewitterungsverhalten ist durch die Herstellung von dünnen Kunetstoffschichten mit chemischen Mitteln bedingt, da die verwendeten Kunetstoffharze einen hohen Prozentsatz an Härtern und/oder Beschleunigern benötigen, um eine vollständige Aushärtung der Kunststoffe zu erhalten.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Einbetten von Halbleiter-Bauelementen in Kunststoff vorzuschlagen, bei denen die obenbezeichneten, bei den bekannten" Anordnungen auftretenden Beschädigungen vermieden werden und ein ausreichendes Be-
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030037/0237
BAD ORIGINAL
29Ö8485
HH 79/02 - 3 -
witterungsverhalten sichergestellt ist.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die die Halbleiter-Bauelemente umgebende Kunststoffschicht nach dem Aufbringen auf die Halbleiter-Bauelemente durch Bestrahlung mit energiereichen Strahlen ausgehärtet wird.
Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen 2 bis 4 beschrieben.
Ein Forteil der Erfindung ist neben der verhältnismäßig kurzen Aushärtezeit, die eine sofortige Weiterverarbeitung der Anordnung und somit eine rationelle kontinuierliche Fertigung ermöglicht, in der Möglichkeit der Herstellung und Aushärtung dünner Kunststoffschichten ohne Zusatz von Reaktionsprodukten, wie z. B. Peroxyd, zu sehen. Es kann eine definierte Aushärtung in Bezug auf Grad und Zeit erfolgen, d. h. daß keine Nachhärtung und Einstellung des Rest-Monomergehaltes während der Bewitterungsphase vorgesehen ist. Spannungsrisse in der Kunststoffoberfläche werden vermieden. Ein weiterer erfindungsgemäßer Vorteil liegt in der Verbesserung der Haftung zwischen den Halbleiter-Bauelementen und der Kunststoffschicht durch die Elektronenbestrahlung. Die Haftung kann durch die im Unteranspruch 2 beanspruchte Einbringung eines Haftvermittlers zwischen die Halbleiter-Bauelemente und der Kunststoffschicht weiter verbessert werden, wobei die Haftvermittlerschicht ebenfalls mit energiereichen Strahlen bestrahlt werden kann.
Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung wird die Dicke der ausgehärteten Kunststoffschicht und/oder der ausgehärteten Haftvermittlerschicht durch Dosierung der Strahlenenergie in Abhängigkeit von den physikalischen Eigenschaften der energiereichen Strahlen gezielt eingestellt. So ist es z.B. möglich, daß im Falle der Verwendung von Polyester mit einer Bestrahlungsdosis von ca. 15 - 20 Mrad. an der Oberfläche eine extrem harte Aushärtung stattfindet, während gleichzeitig an der Oberflächenseite zum Halbleiter-Bauelement hin durch die Restdosis von ca. 10 - 12 Mrad. eine (weiche) Aushärtung stattfindet. Hierdurch können die unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten zwischen Halbleiter-Bauelement und Kunststoffschicht angepaßt werden.
030037/0237

Claims (5)

  1. HH 79/02 1. März 1979
    Patentansprüche
    rl.. Verfahren zum Einbetten von Halbleiter-Bauelementen in Kunststoff, insbesondere von Solarzellen, dadurch gekennzeichnet, daß die die Halbleiter-Bauelemente umgehende Kunststoffschicht nach dem Aufbringen auf die Halbleiter-Bauelemente durch Bestrahlung mit enerffiereichen Strahlen ausgehärtet wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die Einbringung eines Ilaftvermittlers zwischen die Halbleiter-Bauelemente und der Kunststoffschicht.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß neben der Kunststoffschicht auch die Haftvermittlerschicht mit energiereichen Strahlen bestrahlt wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der ausgehärteten Kunststoffschicht und/oder der Haftvermittlerschicht durch Dosierung der Strahlenenergie in Abhängigkeit von den physikalischen Eigenschaften der energiereichen Strahlen gezielt eingestellt wird.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 1, 2,3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Grad der Aushärtung als Funktion der Schichtdicke des Kunststoffes und der Strahlenenergie gezielt eingestellt wird.
    030037/0237
    BAD ORIGINAL
DE19792908485 1979-03-05 1979-03-05 Verfahren zum einbetten von halbleiter-bauelementen in kunststoff Ceased DE2908485A1 (de)

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