DE2906611A1

DE2906611A1 - Kathodenstrahlroehre und herstellungsverfahren

Info

Publication number: DE2906611A1
Application number: DE19792906611
Authority: DE
Inventors: Artur Ing Grad Schaal
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Current assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date: 1979-02-21
Filing date: 1979-02-21
Publication date: 1980-08-28
Also published as: DE2906611C2

Description

Beschreibung
Kathodenstrahlröhre und Herst ellungsverfahren Die vorliegende Erfindung betrifft eine Farbbildkathodenstrtilröhre mit einer Farbwahlmaske, deren schlitzförmige Elektronendurchtrittsöffnungen in im wesentlichen vertikalen Reihen voneinander getrennt sind.
Farbbildkathodenstrahlröhren der vorstehenden Art sind z. B.
aus der DE-OS 23 43 777 bekannt. Die Begriffe horizontal und vertikal beziehen sich, wie üblich, auf die Gebrauchslage der Röhre, wobei die kurzen Seiten des Rechteckförmigen Leuchtschirms und der Farbwahlmaske im wesentlichen vertikal und die langen Seiten im wesentlichen horizontal verlaufen.
Farbwahlmasken mit schlitzförmigen Öffnungen werden im allgemeinen als Schlitzmasken bezeichnet.
Die die Länge der Schlitzöffnungen begrenzenden Querstege verleihen der Maske die erforderliche mechanische Stabilität an die insbesondere bei der Formgebung des Maskenbleches durch Ziehvorgänge hohe Anforderungen gestellt werden. Elektronenoptisch gesehen sind die Querstege umso störender, je stärker sie Elektronen abschatten.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schattenmaske der eingangs genannten Art anzugeben, die bei verbesserter mechanischer Stabilität eine möglichst geringe unerwünschte Elektronenabschattung aufweist.
GemäRDder Erfindung wird vorgeschlagen, daß die Querstege zumindest im oberen und unteren Bereich der Farbwahlmaske einen im wesentlichen parallelogrammförmigen vertikalen Querschnitt aufweisen und die oberen und unteren Flächen der Querstege im wesentlichen in Richtung der die benachbarten Schlitze durchsetzenden Elektronenstrahlen zur Vertikalen geneigt verlaufen.
Während im Bereich der horizontalen Symmetrieachse der Maske die die Maske durchsetzenden Elektronenstrahlen gegenüber der Vertikalen einen Winkel von etwa 900 aufweisen, wird dieser Winkel mit zunehmender Vertikal-Ablenkung der Elektronenstrahlen immer kleiner. Im oberen und unteren Maskenbereich können sich gegenüber der Vertikalen Winkel von 450 und kleiner ergeben. Durch die erfindungsgemäße Ausbildung der Querstege zumindest im oberen und unteren Bereich der Maske erzielt man einerseits möglichst schmale Querstege, die andererseits einen möglichst großen Querschnitt und damit eine mix licht große mechanische Festigkeit besitzen.
Ardland der Figuren 1 - 5 wird nachfolgend die Erfindung näher erläutert.
Die Fig. 1 zeigt eine Aufsicht auf einen Ausschnitt einer Schlitzmaske 1 mit den aus den Längsschlitzen 2 bestehenden Schlitzreihen, die im wesentlichen vertikal angeordnet sind.
Mit 4 ist die horizontale Symmetrieachse x und mit 5 die vertikale Symmetrieachse y bezeichnet. Die im wesentlichen horizontal verlaufenden Querstege 6 begrenzen die Länge der Schlitze 2. Mit A sind die oberen und unteren Bereiche der Maske bezeichnet.
In Fig. 2 ist im Querschnitt durch einen MajlFenteil die Ausbildung üblicher Querstege 6 dargestellt. In Richtung der Elektronenstrahlen 10 verjüngen sich die Stege 6,um bei ausgelenktem Elektronenstrahl eine stärker Abschattung zu vermeiden. Dadurch wird aber der Querschnitt der Stege und damit deren mechanische Festigkeit verringert. Die Herstellung der Schlitze erfolgt vorwiegend durch Ätzvorgänge, wobei von beiden Seiten unterschiedlich stark geätzt wurde, um die in Fig.
2 gezeigte Form der Stege zu erzielen, In Fig. 3 ist nun ein Querschnitt durch einen oberen Bereich einer erfindungsgemäß ausgebildeten Maske dargestellt.
Mit 10 ist ein einen Maskenschlitz 2 durchsetzender vertikal abgelenkter Elektronenstrahl bezeichnet. Die Querstege 6 besitzen angenähert einen parallelogrammförmigen Querschnitt, wie es durch die gestrichelten Hilfslinien 8 dargestellt ist.
Die Hilfslinien 8 und damit die Flächen 7 der Quarstege 6 verlaufen in etwa parallel zu dem abgelenkten Elektronenstrahl.
Die Krümmungen der Flächen 7 ergeben sich z. B. durch Anwendung dos Ätzverfahrens, mit dem sich die gewünschten geraden Flächen1 wie sie durch die Hilfslinen 8 dargestellt sind, nicht exakt herstellen lassen. Die sich ergebenden Krümmungen der Fläche 7 stellen jedoch eine den praktischen Anforderungen hinreichend genügende Annäherung an die idealen Flächen 8 dar.
Die Fig. 4 zeigt eine Aufsicht auf einen erfindungsgemäß hergestellten Schlitz 2 dar.
Der Elektronenstrahl 10 ist perspektivisch eingezeichnet. Die Darstellung zeigt auch ein bevorzugtes Ätzverfahren gemäß der Erfindung. Die querschraffierte Fläche 11 zeigt die von der Ätzschablone freigelassene etwa keulenfbrmige Fläche auf der einen Seite des Maskenbleches und die gestrichelt dargestellte nicht schraffierte Fläche 12 zeigt die von der Ätzschablone freigelassene etwa keulenförmige Fläche auf der anderen Seite des Maskenbleches.
Die beiden Flächen 11 und 12 sind zumindest in vertikaler Richtung y versetzt. Dieser vertikale Versatz hat wesentlichen Einfluß auf die Schräglage der Flächen 7 der- Querstege 6.
Bei Eintauchen eines in dieser Weise mit einer Ätzschablone, die z. B. eine Wachsschicht oder dergleichen sein kann, verversehenen Maskenbleches ergeben sich Querstege 6 der in Fig. 3 gezeisten Form. Die Linie 13 stellt dabei die Grenzlinie zwischen den zwei von beiden Seiten vorgenommenen Abtragungen dar.
Durch zunehmenden vertikalen Versatz der Flächen 11 und 12 mit zunehmendem Abstand von.der horizontalen Symmetrieachse x, lassen sich die Querstege weitgehend genau an den Durchsetzungswinkel der Elektronenstrahlen anpassen. Die Querstege werden also auf der horizontalen Achse y etwa rechteckigen Querschnitt besitzen und mit zunehmender Entfernung von der Horizontalachse y einen Querschnitt aufweisen, der ein zunehmend schräger werdendes Parallelogramm darstellt. Wenngleich eine solche Ausbildung der Maskenschlitze eine optimale Lösung darstellt, kann es für die Praxis einen kostengünstigen Kompromiß darstellen, nur in den oberen und unteren Bereichen der Schlitzmaske die Erfindung anzuwenden. Der obere und der untere Bereich A der Maske umfaßt dann bevorzugt jeweils 1/3 bis 1/5, insbesondere etwa 1/4, der Maskenfläche.
In Fig. 5 ist eine weitere bevorzugte Form einer Schlitzöffnung 2 dargestellt, wobei durch die Lage der Ätzflächen 511 und 512,wie im Zusammenhang mit Fig. 4 erklärt, die gewünschte Form der Querstege zwischen den Öffnungen 2 hergestellt wird.
Bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel ist der vertikale Versatz der beiden Ätzflächen 511 und 512 mit b bezeichnet.
Gegebenenfalls kann es in den Eckbereichen der Schlitzmaske zweckmäßig sein die beiden Ätzflächen zusätzlich auch horizontal gegeneinander zu versetzen. Dieser horizontale Versatz ist in Fig. 5 mit c bezeichnet.
Leerseite

Claims

Patentansprüche 4);' Farbbildkathodenstrahlröhre mit einer Farbwahlmaske, deren schlitzförmige Elektronendurchtrittsöffnungen il im wesentlichen vertikalen Reihen angeordnet und durch im wesentlichen horizontale Querstege voneinander getrennt sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Querstege (6) zumindest im oberen und unteren Bereich (A) der Farbwahlmaske (i) einen im wesentlichen parall elogranmförmigen vertikalen Querschnitt (8) aufweisen und die oberen und unteren Flächen (7) der Querstege (6) im wesentlichen in Richtung der die benachbarten Schlitze durchsetzenden Elektronenstrahlen (10) zur Vertikalen (y) geneigt verlaufen.
2. Farbbildkathodenstrahlröhre nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der obere und untere Bereich jeweils 1/3 bis 1/5, insbesondere etwa 1/4 der Maskenfläche umfassen.
3. Verfahren zum Herstellen einer Farbwahlmaske für eine Farbbildkathodenstrahlröhre nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die schlitzförmigen Elektronendurchtrittsöffnungen (2) durch beidseitiges Ätzen in das Maskenblech eingebracht werden und die einer Schlitzöffnung (2) zugeordneten Angriffsflächen (11, 12) für das Ätzbad zwecks Erzielung parallelogra förmiger Querstege in vertikaler Richtung (y) gegeneinander versetzt angebracht werden.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Breite der Ätzflächen (1«, 12) in vertikaler Richtung (y) ändert, insbesondere zunimmt oder abnimmt; so daß sich keilförmige oder keulenförmige Ätzflächen ergeben und daß die einer Schlitzöffnung (2) zugeordneten Ätzflächen (11, 12) so gegeneinander ausgerichtet werden, daß jeweils ein breiteres Ätzflächenende einem schmaleren Ätzflächenende gegenüberliegt (Fig. 43.