DE2904298A1 - Niederdruckquecksilberdampfentladungslampe - Google Patents

Niederdruckquecksilberdampfentladungslampe

Info

Publication number
DE2904298A1
DE2904298A1 DE19792904298 DE2904298A DE2904298A1 DE 2904298 A1 DE2904298 A1 DE 2904298A1 DE 19792904298 DE19792904298 DE 19792904298 DE 2904298 A DE2904298 A DE 2904298A DE 2904298 A1 DE2904298 A1 DE 2904298A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
pressure mercury
mercury vapor
discharge lamp
vapor discharge
low pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19792904298
Other languages
English (en)
Other versions
DE2904298C2 (de
Inventor
Hielke Aukus Van Engelen
Petrus Johannes Mari Willemsen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE2904298A1 publication Critical patent/DE2904298A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2904298C2 publication Critical patent/DE2904298C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02Details
    • H01J61/30Vessels; Containers
    • H01J61/35Vessels; Containers provided with coatings on the walls thereof; Selection of materials for the coatings

Landscapes

  • Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)

Description

N.V. Philips' GiOuüarnpsfiiabiioken, Eindhoven;
28-9-1978 χ- PHN 9037
"Niederdruckquecksilberdampfentladungslampe".
Die Erfindung betrifft eine Niederdruckquecksilberdampf entladungslampe mit einem zylinderförmigen Kolben, dessen Innenwand wenigstens teilweise mit einer Leuchtstoffschicht bedeckt ist, wobei zwischen Kolben- " innenwand und Leuchtstoffschicht über einen Teil des Umfangs zwischen den Enden des Kolbens eine Reflektionsschicht vorhanden ist, die Titandioxyd enthält. Eine derartige Lampe ist aus der US-PS 3 379 917 bekannt.
Bei derartigen Lampen befindet sich die Reflektorschicht auf einem Teil der Kolbeninnenwand, während darauf über den ganzen Lampenumfang eine Leuchtstoffschicht vorhanden ist. ¥eiter ist es möglich, dass sich die Leuchtstoffschicht ausschliesslich über die Reflektions-
It
schicht erstreckt, wodurch eine spaltförmige Öffnung entsteht, die sowohl frei von reflektierendem als auch von lumineszierendem Material ist. Diese Lampen werden häufig in Kopiergeräten benutzt. Die Lichtstärke des durch den Spalt heraustretenden Lichts ist im Vergleich zu einer Lampe ohne Reflektionsschicht grosser.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Lichtausbeute der erwähnten Lampen durch Verbesserung der Reflektionseigenschaften der Reflektionsschicht zu erhöhen.
Eine Niederdruckquecksilberdampfentladungslampe der eingangs erwähnten Art ist erfindungsgemäss da-
90983 3/0661
2304298
28-9-1978 «*' ' PHN 9037
durch, gekennzeichnet, dass die Reflektionsschicht bis zu 10 Gew.$ feinkörniges Siliziumdioxyd, enthält.
Versuche haben erwiesen, dass bei einem Zusatz einiger Gewichtsprozente an feinkörnigem Siliziumdioxyd (beispielsweise mit einer Korngrösse unter 1 mm) zur Titandioxyd enthaltenden Reflektionsschicht die Lichtausbeute von Lampen mit einer derartigen Reflektionsschicht im Vergleich zu Lampen mit einer Reflektionsschicht ohne Siliziumdioxyd um ungefähr 6 °/o höher ist. Vorteilhafte Ergebnisse wurden beispielsweise mit Siliziumdioxyd mit einer mittleren Teilchengrösse von 0,25 /um, wie "Hisil" oder "Aerosil" (Warenbezeichnungen), erhalten.
- Bei einer besonderen Ausführungsform einer erfindungsgemässen Niederdruckquecksilberdampfentladungslampe enthält die Reflektionsschicht weiter bis zu 5 Gew.$ Antimontrioxyd. Der Zusatz von Antimontrioxyd zu einer erfindungsgemässen Reflektionsschicht übt einen vorteilhaften Einfluss auf die Zündung der Lampe aus. Ebenfalls bleibt die Lichtausbeute der Lampe während des Betriebs auf einem möglichst hohen ¥ert.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachstehend an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen
Fig. 1 schematisch einen Längsschnitt durch eine erfindungsgemässe Niederdruckquecksil'berdampf entladungslampe mit einer Leistung von 25 Watt, und
Fig. 2 einen vergrösserten Querschnitt durch die gleiche Lampe.
Der Glaskolben 1 einer Entladungslampe ist
an seiner Innenseite mit einer Leuchtstoffschicht 2 bedeckt, die beispielsweise aus grün leuchtendem, mit Terbium aktiviertem Cermagnesiumaluminat besteht. An den Enden des Entladungskolbens (Länge ungefähr kk cm, Innendurchmesser 25 mm) befinden sich Elektroden 3 und h. Weiter ist im Kolben 1 eine Quecksilber- und eine Edelgasmenge oder eine Kombination von Edelgasen (beispielsweise Argon mit einem Druck von 3 Torr) vorhanden. Über nahezu die ganze Länge des Kolbens 1 befindet sich zwischen der Leuchtstoffschicht 2 und der Glaswand eine dünne Schicht 5 ö.us reflektierendem Material.
90 9 8 33/0661
.9. 1978 " ' .3O PHN 9037
Die Schicht 5 bedeckt, wie aus dem Querschnitt nach Fig. ersichtlich ist, etwa 3/4 des Röhrenumfangs des Entladungskolbens
Mit dieser Lampe sind einige Versuche durchgeführt worden, wobei die Lichtausbeute nach 100 Stunden bestimmt wurde. Die Reflektionsschicht 5 bestand aus Titandioxyd mit zugesetztem etwa 20 Gew.$ Sb_O (Lampe j) und aus Titandioxyd plus 2 Gew.$ Sb 0 mit zugesetztem etwa 3 Gew.'fo fein verteiltem Siliziumdioxyd ("Aerosil", mittlere Korn-
lOgrösse ungefähr 0,25/Um) (Lampe II). Es zeigte sich, dass die Lichtausbeute der Lampe II nach 100 Brennstunden um etwa höher war als die der Lampe

Claims (1)

  1. 28-9-1978 /C PHN 9037
    PATENTANSPRÜCHE.
    λ). Niederdruckquecksilber dampf entladungslampe
    mit einem zylinderförmigen Entladungskolben, dessen Innenwand wenigstens teilweise mit einer Leuchtstoffschicht bedeckt ist, wobei zwischen Kolbeninnenwand und Leuchtstoff- - schicht über einen Teil des Umfangs zwischen den Enden des Entladungskolbens eine Reflektionsschicht vorhanden ist, die Titandioxyd enthält, dadurch gekennzeichnet, dass die Reflektionsschicht (5) bis zu 10 Gew.°/o an feinkörnigem Siliziumdioxyd enthält.
    1,0 2. Niederdruckquecksilberdampf entladungslampe
    nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, d*ass die Reflektionsschicht (5.) bis zu 5 Gew.°/o Antimontrioxyd enthält.
    '909833/06 61
DE19792904298 1978-02-10 1979-02-05 Niederdruckquecksilberdampfentladungslampe Granted DE2904298A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7801534A NL7801534A (nl) 1978-02-10 1978-02-10 Lagedrukkwikdampontladingslamp.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2904298A1 true DE2904298A1 (de) 1979-08-16
DE2904298C2 DE2904298C2 (de) 1990-01-04

Family

ID=19830309

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19792904298 Granted DE2904298A1 (de) 1978-02-10 1979-02-05 Niederdruckquecksilberdampfentladungslampe

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4255687A (de)
JP (2) JPS54115578A (de)
BE (1) BE874048A (de)
DE (1) DE2904298A1 (de)
FR (1) FR2417186A1 (de)
GB (1) GB2019080B (de)
NL (1) NL7801534A (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8200973A (nl) * 1982-03-10 1983-10-03 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een lagedrukkwikdampontladingslamp en lagedrukkwikdampontladingslamp vervaardigd volgens die werkwijze.
JPS6199258A (ja) * 1984-10-18 1986-05-17 Matsushita Electronics Corp 光学機器用反射形螢光ランプ
US4786841A (en) * 1987-06-22 1988-11-22 Gte Products Corporation Low-pressure arc discharge lamp having increased surface brightness
JPH07104562B2 (ja) * 1989-06-02 1995-11-13 富士ゼロックス株式会社 カラー画像記録装置の照明用光源
AU3967293A (en) * 1993-03-22 1994-10-11 Edward G. Heflin Light plus
JP3145249B2 (ja) * 1994-06-07 2001-03-12 シャープ株式会社 放電ランプ及びそれを用いた照明装置並びに液晶表示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE830983C (de) * 1949-03-24 1952-02-11 Patra Patent Treuhand Verfahren zur Erzielung einer duennen UEberzugsschicht aus feinkoernigen Pulverstoffen auf den Glasgefaessen elektrischer Lampen u. dgl.
DE1021072B (de) * 1955-08-26 1957-12-19 Philips Nv Niederdruckleuchtstofflampe mit reflektierender Schicht
US3541376A (en) * 1968-11-13 1970-11-17 Sylvania Electric Prod Fluorescent lamp with filter coating of a mixture of tio2 and sb2o3
DE1539560B2 (de) * 1965-10-27 1974-10-31 Gte Sylvania Inc., Wilmington, Del. (V.St.A.) Reflektor-Leuchtstofflampe

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3141990A (en) * 1960-04-06 1964-07-21 Sylvania Electric Prod Fluorescent lamp having a tio2 coating on the inner surface of the bulb
JPS4947508A (de) * 1972-09-11 1974-05-08
JPS5344956B2 (de) * 1973-05-25 1978-12-02

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE830983C (de) * 1949-03-24 1952-02-11 Patra Patent Treuhand Verfahren zur Erzielung einer duennen UEberzugsschicht aus feinkoernigen Pulverstoffen auf den Glasgefaessen elektrischer Lampen u. dgl.
DE1021072B (de) * 1955-08-26 1957-12-19 Philips Nv Niederdruckleuchtstofflampe mit reflektierender Schicht
DE1539560B2 (de) * 1965-10-27 1974-10-31 Gte Sylvania Inc., Wilmington, Del. (V.St.A.) Reflektor-Leuchtstofflampe
US3541376A (en) * 1968-11-13 1970-11-17 Sylvania Electric Prod Fluorescent lamp with filter coating of a mixture of tio2 and sb2o3

Also Published As

Publication number Publication date
GB2019080A (en) 1979-10-24
NL7801534A (nl) 1979-08-14
US4255687A (en) 1981-03-10
BE874048A (fr) 1979-08-08
JPS54115578A (en) 1979-09-08
FR2417186A1 (fr) 1979-09-07
GB2019080B (en) 1982-04-21
FR2417186B1 (de) 1984-01-20
JPS641735Y2 (de) 1989-01-17
JPS63145252U (de) 1988-09-26
DE2904298C2 (de) 1990-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0338637B1 (de) Hochdruck-Quecksilberdampfentladungslampe
DE2624897A1 (de) Aluminiumoxyd-ueberzuege fuer quecksilberdampf-lampen
DE2431128C2 (de) Quecksilberdampf-Hochdrucklampe
DE69014349T2 (de) Leuchtstofflampe mit einer Ultraviolettstrahlenreflexionsbeschichtung.
DE69131315T2 (de) Fluoreszente Lampe
DE3322390A1 (de) Niederdruckquecksilberdampfentladungslampe
DE3201606C2 (de)
DD270614A5 (de) Gasentladungslampe
DE69010258T2 (de) Niederdruckquecksilberdampfentladungslampe.
DE3850738T2 (de) Mit Edelgas von niedrigem Druck gefüllte Glühkathodenleuchtstoffentladungslampe.
DE2908890C2 (de)
DE2611894A1 (de) Uv-leuchtstoffentladungslampe mit reflektorfilm im innern
DE4433040A1 (de) Elektrodenlose Entladungslampe hoher Intensität
EP1160834B1 (de) Niederdruck-Quecksilber-Entladungslampe mit Aussenkolben
DE69117316T2 (de) Leuchtstofflampe und ihr Herstellungsverfahren
DE2904298A1 (de) Niederdruckquecksilberdampfentladungslampe
DE2953446C2 (de) Hochdruck-Metalldampfentladungslampe
DE69429105T2 (de) Tellurlampe
DE2225308B2 (de) Hochdruckgasentladungslampe
DE69201339T3 (de) Metalldampfentladungslampe.
DE69032825T2 (de) Niederdruckedelgasentladungslampe
DE69013958T2 (de) Beleuchtungseinrichtung.
DE3024438A1 (de) Niederdruckquecksilberdampfentladungslampe
DE10001763A1 (de) Warmton-Leuchtstofflampe
DE69104866T2 (de) Metalldampfentladungslampe.

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8328 Change in the person/name/address of the agent

Free format text: KUPFERMANN, F., DIPL.-ING., PAT.-ANW., 2000 HAMBURG

8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee