DE2855168C2 - Bipolarer Spannungsdetektor - Google Patents
Bipolarer SpannungsdetektorInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen bipolaren Spannungsdetektor mit einer Eingangsklemme für ein bipolares Eingangssignal,
einer Ausgangsklemme für ein Ausgangssignal, einem Bezugsspannungsgenerator zum Erzeugen
einer ersten und zweiten Bezugsspannung, wobei die erste Bezugsspannung größer ist als die zweite Bezugsspannung, mit einem ersten Transistorpaar mit einem ersten und einem zweiten Transistor, deren Emitter
miteinander verbunden sind, wobei der erste Transistor an seiner Basiselektrode die erste Bezugsspannung
empfängt und der zweite Transistor an seiner Basiselektrode das bipolare Eingangssignal, mit einem zweiten
Transistorpaar mit einem dritten und einem vierten Transistor, deren Emitter miteinander verbunden sind,
wobei der dritte Transistor an seiner Basiselektrode das bipolare Eingangssignal empfängt und der vierte
Transistor an seiner Basiselektrode die zweite Bezugsspannung empfängt und wobei die Kollektorelektroden
des ersten Transistors und des dritten Transistors über eine Verbindungsleitung mit einer Versorgungsspannung
verbunden sind, und mit einer Ausgangsschaltung, die mit den Kollektorelektroden des zweiten und vierten
Transistors verbunden ist und das Ausgangssignal erzeugt
Ein bipolarer Spannungsdetektor der herkömmlichen Art, wie er beispielsweise in einem Rauschunterdrücker
in einer Schaltung verwendet wird, wie sie von LCalandrino in »Alta Frequenza«, Band 36, Seite 726—731
(Nr.8, August 1967) beschrieben wurde, wird im folgenden anhand der Fig. 1 und 2 beschrieben. Dieser
herkömmliche Spannungsdetektor weist den Nachteil auf, daß die Spannungsdetektionspegel stark von der
Umgebungstemperatur und der Stromversorgung abhängen und daß der Detektor eine große Anzahl von
Schaltungselementen aufweisen muß, wie etwa Kondensatoren, die dem Grundbestandteil des Detektors hinzugefügt
werden, der durch einen monolithischen integrierten Schaltkreis realisiert wird.
Ein bipolarer Spannungsdetektor gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches ist bekannt aus der DE-AS
18 15 681. Bei diesem bekannten bipolaren Spannungsdetektor sind zwei Transistorpaare vorgesehen, die einen
ersten und einen zweiten Komparator bzw. Differenzverstärker bilden. Dabei sind jeweils die invertierten
Ausgänge bzw. die nicht invertierten Ausgänge des ersten und zweiten Komparators miteinander verbunden.
Um ein Ausgangssignal zu erhalten, wenn das Eingangssignal größer als die obere Schwelle oder kleiner als
die untere Schwelle ist, müssen die beiden miteinander verbundenen invertierten bzw. nicht invertierten Ausgänge
miteinander verglichen werden. Hierzu ist eine relativ komplizierte Schaltung notwendig, die entweder ein
Relais oder eine weitere Differenzverstärkerschaltung erforderlich macht
Ein ähnlicher bipolarer Spannungsdetektor ist auch bekannt aus der DE-AS 24 31 433. Bei dieser Schaltung
wird das Eingangssignal jeweils an die invertierenden Eingänge der Komparatoren angelegt, und es werden
Ausgangsimpulse erzeugt, deren Anstiegs- bzw. Abfallflanken den Ausgangssignalen der Komparatoren entsprechen.
Für die Erzeugung eines Ausgangssignales ist aber bei diesem bekannten Spitzenspannungsdetektor
eine bistabile Schaltung nötig, um ein Ausgangssignal aus den Ausgangsimpulsen der beiden Komparatoren zu
bilden. Deshalb ist dieser bekannte Spitzenspannungsdetektor nicht geeignet für eine Implementierung in
[ίί monolithische integrierte Halbleiterschaltkreise.
ri 55 Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, einen bipolaren Spannungsdetektor der eingangs be-
; ft schriebenen Art zu schaffen, der für eine Implementierung in monolithische integrierte Halbleiterschaltkreise
.'' geeignet ist
, r Diese Aufgabe wird eifindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Kollektorelektroden des zweiten und des
; vierten Transistors miteinander direkt verbunden sind.
Durch diese erfindungsgemäße Ausgestaltung des Spannungsdetektors, bei welcher der invertierende Ausgang
des ersten Komparators und der nicht invertierende Ausgang des zweiten Komparators miteinander
verbunden sind, wird vorteilhafterweise direkt ein Ausgangssignal erzeugt, wenn das Eingangssignal außerhalb
des durch die beiden Schwellen betimmten Bereiches liegt, ohne daß hierfür zusätzliche Vergleichsschaltungen
notwendig wären. Dadurch kann der erfindungsgemäße bipolare Spannungsdetektor ohne Probleme in integrierte
Halbleiterschaltungen implementiert werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand der Zeichnungen näher beschrieben. Es zeigt
F i g. 1 die Schaltung eines herkömmlichen bipolaren Spannungsdetektors;
; F i g. 2 die Eingangs- und Ausgangs-Kennlinie des Detektors nach F i g. 1;
F i g. 1 die Schaltung eines herkömmlichen bipolaren Spannungsdetektors;
; F i g. 2 die Eingangs- und Ausgangs-Kennlinie des Detektors nach F i g. 1;
F i g. 3 die Schaltung eines erfindungsgemäßen bipolaren Spannungsdetektors;
: F i g. 4 die Eingangs-Ausgangs-Kennlinie des Detektors nach F i g. 3;
F i g. 5 die Temperaturabhängigkeit der Spannungsdetektionspegel des Detektors nach F i g. 3 gegenüber der
eines herkömmlichen bipolaren Spannuirgsdetektors;
Fig.6 die Schaltung eines bipolaren Spannungsdetektors gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der
. Erfindung und
F i g. 7 einen Teil einer AVR-Schsütung, die gegenüber dem in F i g. 6 dargestellten Detektor eine Modifizierung
aufweist
Zum besseren Verständnis wird zuerst ein in den Fig.! und 2 dargestellter herkömmlicher bipolarer Spannungsdetektor
10 beschrieben. Der Detektor 10 weist eine Eingangsklemme 11 für ein bipolares Eingangssignal ίο
Vi, und eine Ausgangsklemme 12 auf, an der eine Folge von Ausgangsimpulsen als ein Ausgangssignal V0
abgenommen wird. Wie am besten aus F i g. 2 zu ersehen ist, muß das Eingangssignal Vi, nicht sinusförmig sein.
Das Eingangssignal Vm wird einem ersten Transistor 15 über einen ersten Kondensator C zugeführt, der als
Gleichspannungs-Sperrkondensator dient Der Basis des Transistors 15 wird durch einen ersten und zweiten
/ Widerstand 16 und 17, die in Reihe zwischen einer Stromversorgungsklemme V1x für die Zuführung der Strom-
'' Versorgungsspannung V1x (der Einfachheit halber werden die gleichen Bezugszeichen verwendet) und Erde
geschaltet sind, eine Basisvorspannung zugeführt und der Kollektor ist über einen dritten Widerstand 18 mit der
.Stromversorgungsklemme V« und der Emitter über einen vierten Widerstand 19 mit Erde verbunden. Das
Eingangssignal Vi, wird durch den Tranrätor 15 phasengeteilt, so daß am Emitter und Kollektor positive und
> negative Komponenten auftreten. Die positiven Komponenten werden einem zweiten Transistor 21 zugeführt,
und zwar über einen als Gleichspannungssperrkondensator dienenden zweiten Kondensator 23 und eine erste
§; Diode 24 zur Gleichrichtung der positiven Komponenten. Die negativen Komponenten werden in ähnlicher
% dritte und vierte Diode 28 und 29 dient zur Absorbierung bzw. Dämpfung der in umgekehrter Richtung
verlaufenden Spannungsstöße. Der Detektor 10 kann auch als ein bipolares Detektionssystem verwendet
werden, das einen Verstärker (nicht dargestellt) mit einer Ausgangsklemme aufweist, die direkt mit der Ein-
gangsklemme U verbunden ist
if zweiten Diode 24 und 26 gleich der Basisemitter-Durchlaßspannung Vix des zweiten Transistors 21. Jede dieselöl
Spannungen V« und Vix ist typischerweise 0,7 V in einer monolithischen integrierten Schaltung. Wie aus F i g. 2
zu ersehen ist, treten an der Ausgangsklemme 12 rechteckige Ausgangsimpulse als Ausgangssignal Vb auf, wenn
§ der Absolutwert | Vi, | des Eingangssignals Vm die folgende Gleichung erfüllt:
I Vi, I δ Vu+ Vbc-lVbe (1)
Die Gleichung (1) zeigt, daß der Spannungsdetektionspegel für die jeweiligen positiven und negativen Komponenten
des Eingangssignals V1n bestimmt wird durch die Basis-Emitter-Durchlaßspannung Vix und gleich etwa
1,4 V ist Die Spannungsdetektionspegel ändern sich damit mit der Umgebungstemperatur. Insbesondere steigt
die Spannungsdetektionsempfindlichkeit mit der Umgebungstemperatur an, da die Basis-Emitter-Durchlaßspannung
Vfce einen negativen Temperaturkoeffizienten aufweist, der typischerweise gleich —2 mV/0 C ist
Darüber hinaus sind die spannungsabhängigen Spannungsdetektionspegel lediglich stufenweise unter Verwendung
von zwei oder mehr, in Reihe geschalteten Dioden an Stelle von beiden oder einer der ersten und zweiten
Dioden 24 und 26 veränderbar. Es ist daher erforderlich, die Spannungsverstärkung des Verstärkers der ersten
Stufe durch wahlweises Verändern der Spannungsdetektionspegel des gesamten Systems zu verändern. Der
Verstärker muß eine hohe Spannungsverstärkung aufweisen, wenn das System selbst bei niedriger Temperatur
arbeiten sollte. Dies macht das System unstabil. Zusätzlich dazu weist der Detektor 10 drei Kondensatoren C, 23
und 25 auf.
F i g. 3 zeigt nun ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen bipolaren Spannungsdetektors 30,
bei dem gleiche Teile mit den gleichen Bezugszeichen, wie etwa 11, 12, C und V1x gekennzeichnet sind. Die
Eingangs- und Ausgangssignale und die Stromversorgungsspannung werden dargestellt durch Vn, V0 und V0C
Der Detektor 30 weist eine Vielzahl von Differenz-Verstärkerstufen auf, wie etwa ein erstes und zweites
Transistorpaar 31, 32 Das erste Transistorpaar 31 weist einen ersten und zweiten Transistor Qi und φ auf,
deren Emitter miteinander und über eine erste Konstantstromschaltung 30 mit vorgewähltem Strom /q mit Erde
verbunden sind. Das zweite Transistorpaar 32 weist einen dritten und vierten Transistor Qz und Qa auf, deren
Emitter miteinander und über eine zweite Konstantstromschaltung 34 mit dem vorgewählten Strom I0 mit Erde
verbunden sind. Ein gemeinsamer Widerstand Ra eine Diode 36 und eine Zenerdiode 37 sind in Reihe geschaltet
zwischen der Stromversorgungsklemme Vx und Erde und liefern eine stabilisierte Spannung V1 an der Reihenschaltung
aus den Dioden 36 und 37. Dem ersten Transistor Q\ wird eine erste Basisvorspannung Vi zugeführt,
die aufgrund einer Spannungsteilung durch einen ersten Widerstand R\ und eine Reihenschaltung aus zweitem
und dritten Widerstand A2 und R3 der stabilisierten Spannung V1 abgenommen wird. Dem zweiten Transistor Qz
wird eine zweite Basisvorspannung V2 zugeführt, die durch Spannungsteilung der stabilisierten Spannung V1 in
Folge des vierten und fünften Widerstands Ra und Ri abgenommen wird. Dem dritten Transistor Qs wird eine
dritte Basisvorspannung V3 zugeführt, die im dargestellten Ausführungsbeispiel gleich der zweiten Basisvorspannung
V2 ist Der zweite und dritte Widerstand R2 und A3 ciisnen zur Zuführung einer vierten Basisvorspannung
Va zum vierten Transistor Qa- Die erste Basisvorspannung Vi ist höher als die zweite Basisvorspannung V2
und die dritte Basisvorspannung Vj ist höher als die vierte Basisvorspannung V*.
Wie aus F i g. 3 zu ersehen ist wird über eine Verbindungsleitung 41 den Kollektoren des ersten und dritten
Transistors Qi und Q3 die Stromversorgungsspannung V1x zugeführt Die Kollektoren des zweiten und vierten
Transistors Q2 und Q4 sind mit einer Verbindungsleitung 42 verbunden, die mit der Ausgangsklemme 12 über
einen Stromreflektor 45 verbunden ist, der einen ersten und zweiten PNP-Transistor 46 und 47 aufweist, deren
Emitter mit der Stromversorgungsklemme V^ verbunden sind. Der erste PNP-Transistor 46 wird als Diode
verwendet Die Transistoren 46 und 47 weisen zueinander gleiche Emitterbereiche in einem monolithischen
integrierten Schaltkreis auf. Ein Lastwiderstand 49 ist zwischen der Ausgangsklemme 12 und Erde geschaltet.
Das Eingangssignal Vin wird über den ersten Kondensator Q der der einzige Kondensator bei dem erfindungsgemäßen
bipolaren Spannungsdetektor ist, den Basiselektroden des zweiten und dritten Transistors Q? und Qj
zugeführt Die ersten und zweiten Transistorpaare 31 und 32 dienen jeweils zur Verarbeitung der positiven und
negativen Komponenten des Eingangssignals V1n. Das Ausgangssignal Vo wird über die Verbindungsleitung 42
ίο abgenommen. Die Spannung von Spitze zu Spitze der Ausgangsimpulse des Ausgangssignals V0 wird bestimmt
durch ein Produkt /o · r, wobei r den Widerstandswert des Lastwiderstands 49 darstellt.
Die stabilisierte Spannung V1 ist kaum von der Stromversorgungsspannung V«- abhängig und ändert sich nur
wenig mit der Umgebungstemperatur, da die Diode 36 einen negativen Temperaturkoeffizienten von —2 mV/
"C, wie bereits oben beschrieben wurde, und die Zenerdiode 37 einen positiven Temperaturkoeffizienten von
+2 mV/°C aufweist Aber selbst wenn eine Schwankung in der stabilisierten Spannung Vz auftritt so werden
durch die Spannungsteiiung die Schwankungen in den Basisvorspannungen Vj bis V4 klein gemacht Die
Basisvorspannungen Vi bis V4 sind daher im wesentlichen lediglich vom Widerstandsverhältnis des ersten bis
fünften Widerstands R\ bis A5 abhängig, die für die Spannungsteilung verwendet werden. Damit können die
Schwellenwertspannungen oder Spannungsdetektionspegel V,/,(+) und V,A(_) für die positiven und negativen
Vrt(+, = V1-V2
= V,[(R2 +R3)Z(Ri+R2 +R3)-R5Z(R4 +R5)] (2)
VfA(_, = V3-V4
= V2[R5Z(R4 +R5)-R3Z(Ri +R2 +R3)] (3)
= V2[R5Z(R4 +R5)-R3Z(Ri +R2 +R3)] (3)
wobei Ri, R2, R3, R4 und R5 die Widerstandswerte des ersten bis fünften Widerstands Ri bis A5 darstellen und die
gleichen Bezugszeichen verwendet wurden. Die Schwellenwertspannungen Va, (wobei die Indizes (+) und (—)
weggelassen werden) sind damit frei wählbar und können bis zu 0,1 V klein sein. Darüber hinaus können die
Schwellenwertspannungen V,h mit hoher Genauigkeit ausgewählt werden, da hoch präzise Widerstandsverhältnisse
in einem monolithischen integrierten Schaltkreis zur Verwendung in den Gleichungen (2) und (3) leicht
realisiert werden können. Die Spannung von Spitze zu Spitze der Ausgangsimpulse ist durch die Wahl des
Widerstandswerts rdes Lastwiderstands 49 wählbar. Diese Vorzüge ergeben einen weiteren Vorzug, nämlich die
Möglichkeit der Anpassung an die Erfordernisse des Verstärkers der vorhergehenden Stufe und damit dessen
leichtere Konzipierung.
Wie aus den F i g. 4 und 5 ersichtbar ist bauen sich die Ausgangsimpulse des Ausgangssignals V0 schnell auf
und ab, sobald das Eingangssignal V/„ bezüglich seines Absolutwerts die Schwellenwertspannungen ν,Λ(+) und
Vt/, (_) für die positiven und negativen Komponenten überschreitet Daraus ist auch zu ersehen, daß die Eingangsspannung 0 in F i g. 4 die gemeinsame Basisvorspannung des zweiten und dritten Transistors Q2 und Q3 darstellt
Die Spannungsdetektionspegel des bipolaren Spannungsdetektors 30 werden konstant gehalten, wie es durch
die Linie 51 und in F i g. 5 dargestellt ist Die des herkömmlichen bipolaren Spannungsdetektors, wie etwa des
Detektors 10, nehmen bei zunehmender Umgebungstemperatur ab, wie es bereits oben beschrieben wurde und
durch eine weitere Linie 52 dargestellt ist
so dargestellt Der Lastwiderstand 49 ist mit der Verbindungsleitung 42 für die Kollektoren des zweiten und vierten
Transistors Q2 und Q4 sowie mit der Spannungsversorgungskiemme V'cc verbunden. Dem ersten Transistor Qi
wird eine erste Basisvorspannung Vi zugeführt, die durch Spannungsteilung durch den ersten und zweiten
Widerstand 61 und 62 von der stabilisierten Spannung V2 abgenommen wird. Die erste Basisvorspannung wird
über einen gemeinsamen Basiswiderstand 63 der Basis eines ersten Hilfstransistors Qs zugeführt, um die zweite
Basisvorspannung V2 für den zweiten Transistor Q2 von der Emitterelektrode des Hilfstransistors Qs abzunehmen.
Die erste Basisvorspannung Vi wird auch der Basis eines zweiten Hilfstransistors Qe zugeführt, der eine dritte
Basisvorspannung V3 für den vierten Transistor Q4 an seiner Emitterelektrode liefert Dem dritten Transistor Q3
wird eine vierte Basisvorspannung V4 von einem Verbindungspunkt zwischen dem gemeinsamen Basiswiderstand
63 und der Basis des ersten Hilfstransistors Q5 zugeführt Das Eingangssignal Vn, wird der zweiten
Basisvorspannung V2 an der Basis des zweiten Transistors Qi überlagert und der vierten Basisvorspannung V4
an der Basis des dritten Transistors Q3. F i g. 7 zeigt eine veränderte Ausführungsform des erfindungsgemäßen
bipolaren Spannungsdetektors mit einem Stromspiegel 45, der einen ersten und zweiten PNP-Transistor 46 und
47 wie in F i g. 3 aufweist Der Lastwiderstand 49 weist einen mit der Verbindungsleitung 42 über den Stromspiegel
45 verbundenen ersten Lastwiderstand 66 und einen zweiten Lastwiderstand 67 auf, der zwischen dem
Widerstand 66 und Erde geschaltet ist Ein Teil des in F i g. 7 dargestellten bipolaren Spannungsdetektors kann
damit als eine Veränderung des in F i g. 3 dargestellten Detektors 30 aufgefaßt werden. Auf jeden Fall wird eine
Folge von Ausgangsimpulsen mit einer Spannung von der Spitze zu Spitze = /0 · r'am zweiten Lastwiderstand
entwickelt, wobei r'den Widerstandswert des Widerstands 67 darstellt. Parallel zum zweiten Lastwiderstand
ist ein Kondensator 69 mit einer relativ großen Kapazität geschaltet, wie etwa ein Elektrolytkondensator. Es
wird daher eine geglättete Spannung an der Gleichspannungsklemme 71 abgenommen, die mit der nicht
geerdeten Elektrode des Elektrolytkondensators 69 verbunden ist Die geglättete Spannung wird einem Transistor 72 zur automatischen Regelung der Verstärkung eines Verstärkers (nicht dargestellt) zugeführt, dessen s Eingangsklemme mit einer AVR-(automatische Verstärkungsrege!un£)Klemme verbunden ist. Insbesondere
ändert sich die Impedanz des AVR-Transistors 72 mit der geglätteten Spannung. Die Verstärkung des Verstärkers wird damit in Übereinstimmung mit dem Verhältnis eines Eingangswiderstands (nicht dargestellt), der
zwischen einer Signalquelle (nicht dargestellt) und der AVR-Klemme 75 geschaltet ist, und der Impedanz
geregelt )0
ist ein Kondensator 69 mit einer relativ großen Kapazität geschaltet, wie etwa ein Elektrolytkondensator. Es
wird daher eine geglättete Spannung an der Gleichspannungsklemme 71 abgenommen, die mit der nicht
geerdeten Elektrode des Elektrolytkondensators 69 verbunden ist Die geglättete Spannung wird einem Transistor 72 zur automatischen Regelung der Verstärkung eines Verstärkers (nicht dargestellt) zugeführt, dessen s Eingangsklemme mit einer AVR-(automatische Verstärkungsrege!un£)Klemme verbunden ist. Insbesondere
ändert sich die Impedanz des AVR-Transistors 72 mit der geglätteten Spannung. Die Verstärkung des Verstärkers wird damit in Übereinstimmung mit dem Verhältnis eines Eingangswiderstands (nicht dargestellt), der
zwischen einer Signalquelle (nicht dargestellt) und der AVR-Klemme 75 geschaltet ist, und der Impedanz
geregelt )0
Claims (1)
- Patentanspruch:Bipolarer Spannungsdetektor mit einer Eingangsklemme (11) für ein bipolares Eingangssignal, einer Ausgangsklemme (12) für ein Ausgangssignal, einem Bezugsspannungsgenerator (Ra Ru Ri und A3) zumErzeugen einer ersten und zweiten Bezugsspannung, wobei die erste Bezugsspannung größer ist als diezweite Bezugsspannung, mit einem ersten Transistorpcar mit einem ersten und einem zweiten Transistor (Q1, Q2), deren Emitter miteinander verbunden sind, wobei der erste Transistor an seiner Basiselektrode die erste Bezugsspannung empfängt und der zweite Transistor an seiner Basiselektrode das bipolare Eingangssignal, mit einem zweiten Transistorpaar mit einem dritten und einem vierten Transistor (Qi, Q4), deren Emitterto miteinander verbunden sind, wobei der dritte Transistor an seiner Basiselektrode das bipolare Eingangssignal empfängt und der vierte Transistor an seiner Basiselektrode die zweite Bezugsspannung empfängt, und wobei die Kollektorelektroden des ersten Transistors (Qi) und des dritten Transistors (Q3) über eine Verbindungsleitung (41) mit einer Versorgungsspannung (Vcc) verbunden sind, und mit einer Ausgangsschaltung (45,49), die mit den Kollektorelektroden des zweiten und vierten Transistors (Qi, Q4) verbunden ist und dasAusgangssigna] erzeugt, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorelektroden des zweiten und des vierten Transistors miteinander direkt verbunden sind.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP52153935A JPS6052380B2 (ja) | 1977-12-20 | 1977-12-20 | 両極性電圧検出回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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DE2855168A1 DE2855168A1 (de) | 1979-06-21 |
DE2855168C2 true DE2855168C2 (de) | 1986-02-06 |
Family
ID=15573285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE2855168A Expired DE2855168C2 (de) | 1977-12-20 | 1978-12-20 | Bipolarer Spannungsdetektor |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4292552A (de) |
JP (1) | JPS6052380B2 (de) |
DE (1) | DE2855168C2 (de) |
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JPS56168168A (en) * | 1980-05-29 | 1981-12-24 | Toshiba Corp | Window comparator circuit |
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IT1227494B (it) * | 1988-11-24 | 1991-04-12 | Sgs Thomson Microelectronics | Rivelatore di livello di tipo bipolare integrabile per segnali sinusoidali ad alta frequenza |
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JPS4978132A (de) * | 1972-12-01 | 1974-07-27 | ||
US4061932A (en) * | 1976-02-17 | 1977-12-06 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Window comparator |
US4088905A (en) * | 1977-02-15 | 1978-05-09 | Precision Monolithics, Inc. | Self-adjusting compatibility circuit for digital to analog converter |
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1977
- 1977-12-20 JP JP52153935A patent/JPS6052380B2/ja not_active Expired
-
1978
- 1978-12-19 US US05/971,148 patent/US4292552A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-12-20 DE DE2855168A patent/DE2855168C2/de not_active Expired
Also Published As
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---|---|
DE2855168A1 (de) | 1979-06-21 |
US4292552A (en) | 1981-09-29 |
JPS6052380B2 (ja) | 1985-11-19 |
JPS5485779A (en) | 1979-07-07 |
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Legal Events
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