DE2853292A1 - Optisch aktivierbares halbleiterbauelement - Google Patents
Optisch aktivierbares halbleiterbauelementInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
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Description
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Optisch aktivier bar es. Halbleiterbauelement
Die Erfindung betrifft ein optisch aktivierbares Halbleiterbauelement
mit mindestens einem lichtempfindlichen Oberflächenbereich, der einen PN-Uebergang enthält, welcher bei
Bestrahlung des Bauelementes mit Licht in Sperrichtung vorgespannt ist. Die Erfindung bezieht sich insbesondere auf
lichtzündbare Thyristoren, die eine derartige Struktur aufweisen.
Ein derartiger Thyristor ist beispielsweise aus der DE-OS 2 4o8 079 bekannt. Dieses bekannte Bauelement besteht aus
einem Haupt- und einem zwecks Zündverstärkung integrierten Hilfsthyristor. Die anodenseitige Basiszone wird in einem
schmalen Kanal bis an die kathodenseitige Oberfläche geführt, so dass der durch diese Basiszone und der kathodenseitigen
Basiszone gebildete PN-Üebergang ebenfalls direkt an die kathodenseitige Oberfläche grenzt. Bei Bestrahlung
der kathodenseitigen Oberfläche mit Licht zündet zunächst der Hilfsthyristor, der dann anschliessend eine Zündung
des Hauptthyristors bewirkt.
Um die Lichtintensität des zur Zündung erforderlichen Lichtes möglichst gering zu halten,ist bereits vorgeschlagen
worden, dem an die Oberfläche des Bauelementes tretenden PN-Uebergang eine fingerförmige Struktur zu geben und
die entlang dieser PN-Uebergänge fliessenden Ströme auf einzelne Bereiche der P-Basiszone zu konzentrieren..In
diesen Bereichen wird dann der N-Emitter eines Hilfsthyristors
angeordnet.
Der Nachteil dieser Strukturen besteht darin, dass
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^diese Oberflächengeometrie
eine erhebliche Reduktion der ohne Oberflächeneffekte vorhandenen
Blockierspannung zur Folge hat.
Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, optisch
aktivierbare Halbleiterbauelemente der eingangs beschriebenen Art so weiter zu entwickeln, dass die Reduktion der
Blockierspannung durch Oberflächeneffekte gering gehalten werden kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäss durch die Merkmale des
kennzeichnenden Teils des Anspruchs 1 gelost. Besonders
vorteilhafte Ausgestaltungen dieser Merkmale enthalten die Unt eransprüche.
Weitere Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus den
folgenden, anhand von Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen«
Es zeigenr
Fig. la eine Draufsicht auf den lichtempfindlichen Oberflächenbereich
einer Photodiode, wobei der PN-Uebergang unterschiedliche Gestaltungsformen gemass
der Erfindung aufweist,
Fig.. Ib einen Querschnitt der Diode nach Fig. la entlang
der Linie I-I,
Fig. 2a eine Draufsicht auf den lichtempfindlichen Oberflächenbereich eines lichtzündbaren Thyristors,
und
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Pig. 2h einen Querschnitt dieses Thyristors entlang der Linie II-II.
In Fig. la und Ib ist eine Photodiode 1 mit einem PN-Uebergang
2 dargestellt. Der PN-Uebergang 2 ist an mehreren Stellen an die Oberfläche 3 des Bauelementes geführt und bildet
dort die Teilbereiche 4, 5, 6 und 7. Der an die Oberfläche 3 geführte PN-Uebergang besitzt dort vorzugsweise entweder
eine kreisrunde Gestalt, wie im Bereich 4 oder eine schlauchförmige Gestalt, wie in den Bereichen 5 und 6. Der Radius R
•10 des Kreises bzw. die Breite B des schlauchförmigen Teiles
des PN-Ueberganges 2 ist einerseits vorgegeben durch die
Ausdehnung der Raumladungszone in der N-Zone 8, die sich
bei minimaler Spannung, bei der das Bauelement noch zünden soll ergibt. Diese Ausdehnung liegt je nach Dotierung der
N-Zone etwa zwischen 5 und 50 ium. Andererseits kann der Radius R bzw. die Breite B Null werden; nämlich wie Pig. Ib
für den Bereich 7 zeigt, wenn die P-Zonen S3 9' sich überschneiden
und der Schnittpunkt 10 in der Nähe der bestrahlten Oberfläche liegt. Mit wachsendem Abstand dieses Schnittpunktes
von der Oberfläche muss die zur Zündung erforderliche Lichtstärke'ständig erhöht werden.
Falls das Verhältnis von Länge L zu Breite B der schlauchförmigen PN-Uebergänge etwa zwischen 1 und 5 liegt, steht
eine relativ grosse zusammenhängende Fläche im P-Gebiet zur
Verfügung. Dadurch wird die Querleitfähigkeit verbessert und die Zündempfindlichkeit erhöht.
Solange ausserdem für den gekrümmten PN-Uebergang des Bereiches 6 die Bedingung r>^B eingehalten wird, sind auch
zusammengesetzte Strukturen der in Fig. la gezeigten Grundformen möglich:. Kreuzpunkte allerdings, wie sie z.B. in der
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BBC Baden 28532^2
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CH-PS 594 984 offenbart werden, haben sich bei den neuen
Bauelementen nicht als zweckmässig erwiesen.
Ein Ausführungsbeispiel für den Zündbereich eines lichtzündbaren Thyristors 11 ist in den Figuren 2a und 2b dargestellt.
Mit 12, 13a 14 sind die entsprechenden Teilbereiche
benannt, die durch den an die kathodenseitige Oberfläche stossenden PN-Uebergang 15 gebildet werden. Während
mit 16 die N -Kathodenzone des Hilfsthyristors gekennzeichnet
ist. Der äussere Graben 17 hat eine Isolationsfunktion zu erfüllen (vgl. auch DE-OS 2 4o8 079). Die gestrichelte
Linie l8 gibt dabei die Grenze des lichtempfindlichen Bereichs an.
Die Erfindung ist nicht auf Dioden und Thyristoren beschränkt
sondern kann' beispielsweise auch bei Phototransistören
verwendet werden.
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Claims (4)
- BBC Aktiengesellschaft P/dhBrown, Boveri & Cie.
Baden (Schweiz)Patent ansprächeOptisch aktivierbares Halbleiterbauelement mit mindestens einem lichtempfindlichen Oberflächenbereich, der einen PN-Uebergang enthält, welcher bei Bestrahlung des Bauelementes mit Licht in Sperrichtung vorgespannt ist, dadurch gekennzeichnet, dass der PN-Üebergang (2, 15) im lichtempfindlichen Oberflächenbereich eine einfache, vorzugsweise kreisförmige oder schlauchförmige geometrische Gestalt besitzt, und damit einen entsprechend geformten Teilbereich (4, 5, 6, J3 12, 13, I1O definiert. - 2. Optisch aktivierbares Halbleiterbauelement nach Anspruch1, dadurch gekennzeichnet, dass das Verhältnis von Länge L, zu Breite B des schlauchförmigen Teilbereichs ^ 5 ist.
- 3. Optisch aktivierbares Halbleiterbauelement nach Anspruch2, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Teilbereich (6) eine gekrümmte schlauchförmige Gestalt besitzt und wobei vorzugsweise der Radius der Krümmung χτ( mindestens 5 mal grosser ist als die Breite des Schlauches.
- 4. Optisch aktivierbares Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der PN-Üebergang (2, 15) im lichtempfindlichen Oberflächenbereich mindestens zwei Teilbereiche (4, 5, 6, 7, 12, 13, 14) definiert.5· Optisch aktivierbares Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet 3 dass es sich bei dem Bauelement um einen lichtzündbaren Thyristor handelt.030024/0501 ORIGINAL INSPgCTEQ
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH1204878 | 1978-11-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2853292A1 true DE2853292A1 (de) | 1980-06-12 |
DE2853292C2 DE2853292C2 (de) | 1992-09-10 |
Family
ID=4379359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19782853292 Granted DE2853292A1 (de) | 1978-11-24 | 1978-12-09 | Optisch aktivierbares halbleiterbauelement |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4366496A (de) |
JP (1) | JPS5572085A (de) |
DE (1) | DE2853292A1 (de) |
FR (1) | FR2442510A1 (de) |
GB (1) | GB2036430B (de) |
NL (1) | NL7908500A (de) |
SE (1) | SE7909541L (de) |
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- 1979-10-18 JP JP13365179A patent/JPS5572085A/ja active Pending
- 1979-11-19 SE SE7909541A patent/SE7909541L/xx not_active Application Discontinuation
- 1979-11-22 NL NL7908500A patent/NL7908500A/nl not_active Application Discontinuation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2036430B (en) | 1983-07-27 |
JPS5572085A (en) | 1980-05-30 |
SE7909541L (sv) | 1980-05-25 |
FR2442510B1 (de) | 1983-07-29 |
GB2036430A (en) | 1980-06-25 |
NL7908500A (nl) | 1980-05-28 |
US4366496A (en) | 1982-12-28 |
DE2853292C2 (de) | 1992-09-10 |
FR2442510A1 (fr) | 1980-06-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OAM | Search report available | ||
OC | Search report available | ||
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: BBC BROWN BOVERI AG, BADEN, AARGAU, CH |
|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: RUPPRECHT, K., DIPL.-ING., PAT.-ANW., 6242 KRONBER |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |