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Transversalfilter mit Paralleleingängen
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Die Erfindung bezieht sich auf ein Transversalfilter, bei dem die
Stufen eines auf einem dotierten Halbleitersubstrat integrierten, analogen CTD-Schieberegisters
mit Paralleleingängen und diesen zugeordneten Bewertungsschaltungen versehen sind,
bei dem die Bewertungsschaltungen Jeweils ein entgegengesetzt zu dem Substrat dotiertes
Gebiet, ein erstes und zweites Eingangsgate und ein Transfergate aufweisen, wobei
das Transfergate unmittelbar neben dem Transferkanal des CTD-Schieberegisters angeordnet
ist, das eine Eingangsgate mit einem Eingangssignal, das andere Eingangsgate mit
einer konstanten Gleichspannung, das entgegengesetzt dotierte Gebiet mit einer ersten
und das Transfergate mit einer zweiten Taktspannung beschaltet sind, und bei dem
das Ausgangssignal an einem Ausgang des CTD-Schieberegisters abgreifbar ist.
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Ein derartiges Transversalfilter ist aus der Zeitschrift "Electronics
Letters", Bd. 13, Nr. 5, vom 3. März 1977,
Seiten 126 und 127, bekannt.
Die Größe der einzelnen Koeffizienten, mit denen das Eingangssignal an jedem Paralleleingang
individuell bewertet wird, ist dabei durch die Kapazität des zweiten Eingangsgate
gegeben.
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Transversalfilter dieser Gattung bilden auch den Gegenstand der deutschen
Patentanmeldung P 26 43 704.7. Nachteilig ist hierbei, daß große Beträge der Bewertungskoeffizienten
die für das Transversalfilter vorzusehende Halbleiterfläche entsprechend vergrößern.
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Aus den "Proceedings of the 8th Conference (1976 International) on
Solid State Devices, Tokyo, 1976, abgedruckt im "Japanese Journal of Applied Physics",
Vol. 16 (1977) Supplement 16-1, Seiten 387-390 ist ein solches Transveralfilter
bekannt, bei dem ein CCD-Schieberegister mehrere durch Trenndiffusionen gegeneinander
isolierte Transferkanäle aufweitet, die den Paralleleingängen jeweils individuell
zugeordnet sind. Hierbei besteht das in den Bewertungsschaltungen jeweils vorgesehene
Trans3rgate aus der ersten Verschiebeelektrode des zugehörigen Transferkanals. Die
Transferkanäle werden in einer gemeinsamen Ausgangsstufe zusammengeführt, in deren
Bereich die genannten Trenndiffusionen weggelassen sind. Da erfolgt eine Summierung
der über die Kanäle getrennt übertragenen und mit unterschiedlichen Verzõgerungen
eintreffenden Signalanteile zu einem Ausgangssignal. Die Bewertungskoeffizienten,
mit denen das den Paralleleingängen zugeführte Signal belegt wird, sind durch die
Gateflächen in den einzelnen Bewertungsschaltungen gegeben. Nachteilig ist hierbei,
daß die erforderliche Halbleiterfläche mit der Anzahl der Parallel eingänge stark
ansteigt.
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Aus den oben genannten "Proceedings",' abgedruckt in dem "Japanese
Journal of Applied Physics", Vol. 16 (1977), Supplement 16-1, Seiten 391-396, ist
ein weiteres Trans-
versalfilter bekannt, das sich von der eingangs
erwähnten Gattung durch eine andere Ausbildung der Bewertungsschaltungen und der
Paralleleingänge unterscheidet. Jede einzelne Bewertungsschaltung enthält hier zwei
in Serie geschaltete MOS-Feldeffekttransistoren und eine Widerstandsdiffusion, während
jeder Paralleleingang eine mit einer Eingangsdiffusion versehene Stufe eines Vier-Phasen-CCD-Schieberegisters
aufweist. Dabei ist die Eingangsdiffusion mit einem Anschluß des Widerstandes verbunden
und die letzte Verschiebeelektrode zu einer Verschiebeelektrode eines die Summierung
der Signalanteile vornehmenden CCD-Schieberegisters benachbart angeordnet.
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Das Gate des einen MOS-Feldeffekttransistors jeder Bewertungsschaltung
wird mit dem Eingangssignal belegt, das Gate des anderen Jeweils mit einer Gleichspannung,
die durch ihre Größe den durch die Transistoren fließenden Strom und damit den S
Jeweiligen Bewertungskoeffizienten bestimmt. Damit sind die Ubertragungseigenschaften
des Transversalfilters elektrisch einstellbar.
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Die Bewertungsschaltungen und die als CCD-Stufen ausgebildeten Paralleleingänge
erfordern jedoch einen beachtlichen Schaltungsaufwand.
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Es wurde bereits vorgeschlagen, vgl. die ältere deutsche Patentanmeldung
P 26 44 284.2, bei einem Transversalfilter der eingangs genannten Art in den einzelnen
Bewertungsschaltungen zur Realisierung eines Bewertungskoeffizienten jeweils zweimal
hintereinander Ladungsmengen zu bilden und in die zugehörigen Stufen des CTD-Schieberegisters
einzugeben, um die Bewertungsschaltungen flächensparend ausbilden zu können.
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Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein einfach
zu realisierendes Transversalfilter der eingangs genannten Art vorzusehen, dessen
Bewertungskoeffi-
zienten teilweise große Beträge aufweisen, ohne
daß der Flächenbedarf hierdurch wesentlich angehoben wird. Das wird gemäß der Erfindung
durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angeführten Maßnahmen erreicht.
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Der mit der Er,f.i,Eopng g erzielte Vorteil besteht insbesondere darin,
daßrdie Ansteuerung der zusätzlichen, entgegengesetzt dotierten Gebiete einzelner
oder mehrerer Bewertungsschaltungen mittels einer zusätzlichen Taktspannung einzelne
oder mehrere Bewertungskoeffizienten mit einem minimalen Flächenaufwand in ihren
Beträgen stark angehoben werden können. Hieraus ergibt sich eine vielseitige Anwendbarkeit
des erfindungsgemäßen Transversalfilters.
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Die Erfindung wird nachfolgend anhand einiger in der Zeichnung dargestellter,
bevorzugter Ausführungsbeispiele näher erläutert. Dabei zeigt: Fig. 1 eine Prinzipdarstellung
des eingangs erwähnten, bekannten Transversalfilters mit einem CCD-Schieberegister
mit Parallel eingängen und einem Serienausgang, Fig. 2 einen Querschnitt durch eine
Teilschaltung von Fig. 1, Fig. 3 ein Zeitdiagramm der für ein Transversalfilter
nach den Fig. 1 und 2 erforderlichen Betriebsspannungen, Fig. 4 ein Ausführungsbeispiel
der Erfindung und Fig. 5 ein Zeitdiagramm der gemäß Fig. 4 benötigten Beeriebsspannungen.
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Das in Fig. 1 schematisch dargestellte Transversalfilter ist als eine
auf einem dotierten Halbleitersubstrat 1, z.B. p-leitendem Silicium, monolithisch
integrierte
Halbleiterschaltung ausgebildet. Einem Anschluß 2 wird
ein analoges Eingangssignal uc zugeführt, während am Ausgang 3 ein analoges Ausgangssignal
ua abgreifbar ist, dessen zeitlicher Verlauf dem des Signals ue entspricht, nachdem
dieses ein Frequenzfilter mit einer bestimmten Frequenzcharakteristik durchlaufen
hat. Die Frequenzcharakteristik kann beispielsweise die eines Tiefpasses sein. Ein
mit 4 bezeichnetes Schieberegister ist als eine ladungsgekoppelte Anordnung (CCD)
ausgebildet und arbeitet im 3-Pha-en-Betrieb. Sie weist eine Reihe von Elektroden
411, 412, 413, 421, 422, 423 usw. auf, die über einer das Substrat 1 abdeckenden,
dünnen Isolierschicht, z.B. einer Gateoxydschicht aus SiO2, dicht nebeneinanderliegend
in Verschieberichtung R plaziert sind.
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Jeweils drei nebeneinander liegende Elektroden, z.B. 411, 412 und
413 oder 421, 422 und 423, gehören zu einer Schieberegisterstufe, wobei die ersten
Elektroden 411, 421 usw. sämtlicher Stufen an eine Leitung 5 angeschlossen und über
diese mit einer Verschiebetaktspannung 1 beschaltet sind, während die zweiten Elektroden
412, 422 usw. an einer gemeinsamen, mit einer Verschiebetaktspannung 2 beschalteten
Leitung 6 und die dritten Elektroden 413, 423 usw. an einer mit einer Verschiebetaktspannung
3 beschalteten Leitung 7 liegen. Bei einem zeitlichen Verlauf der Spannungen 1 bis
03 gemäß Fig. 3 ergeben sich unterhalb Jeder dritten Elektrode lokale Maxima des
Oberflächenpotentials 8 im Halbleitersubstrat 1, sogenannte Potentialtöpfe, die
im Takte der Spannungen 1 bis 3 in Richtung R schrittweise von Stufe zu Stufe verschoben
werden. InJiziert man nun in diese Jeweils von Raumladungszonen umgebenen Potentialtöpfe
elektrische Ladungen, die eine Polarität aufweisen, die der der Minoritätsladungsträger
des Substrats 1 entspricht, so werden diese mit den Potentialtöpfen verschoben und
können nach-dem Durchlaufen des gesamten Schieberegi
sters 4 in
dessen Ausgangsstufe AS zeitverzögert ausgelesen werden. Bei der in Fig. 1 dargestellten
Ausfuhrungsform des Schieberegisters 4 enthält die Ausgangsstufe AS ein zeitweilig
von äußeren Potentialen freigeschaltetes Diffusionsgebiet 9 (floating diffusion
output). Dieses ist über einen Ausgangsverstärker 10 mit dem Ausgang 3 leitend verbunden.
Das Gebiet 9 stellt zusammen mit einem zweiten Diffusionsgebiet 11, das über einen
Anschluß 12 mit einer Drainspannung VDD beschaltet ist, und einer Gateelektrode
13, die über die Leitung 5 an der Verschiebetaktspannung 01 liegt, einen Feldeffekttransistor
dar, der beim Auftreten der einzelnen Spannungsimpulse von das Gebiet 9 intermittierend
auf ein Referenzpotential setzt.
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Der Eingang 2 des Transversalfilters ist mit einer Reihe von Paralleleingängen
21, 22, 2n verbunden, die Jeweils einzelnen Stufen des Schieberegisters 4 zugeordnet
sind.
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Jeder dieser Paralleleingänge ist mit einer Bewertungsschaltung 81,
82, 8n versehen. Diese weisen jeweils ein entgegengesetzt zum Substrat 1 dotiertes
Gebiet D, ein erstes Eingangsgate G1, ein zweites Eingangsgate G2 und ein Transfergate
G3 auf, wobei die Gebiete D aller Bewertungsschaltungen 81 bis 8n zusammenhängend
ausgebildet und mit einem Anschluß 14 verbunden sind, während die Transfergateelektroden
G3 aller Bewertungsschaltungen ebenfalls zusammenhängend ausgebildet und mit einem
Anschluß 15 versehen sind. Das erste Eingangsgate G1 der Bewertungsschaltung 81
ist mit einem Anschluß E11 versehen, G2 mit einem Anschluß E12. Die entsprechenden
Anschlüsse von 82 sind mit E21 und E22 bezeichnet, die der Bewertungsschaltung 8n
mit En1 und En2. In Fig. 1 sind die Anschlüsse E11, E21 und En1 jeweils mit den
Paralleleingängen 21, 22 und 2n verbunden, während die Anschlüsse E11 und E21 an
einen gemeinsamen Anschluß B1 und der Anschluß En2 an einen Anschluß B2 geführt
sind.
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In Fig. 2 ist die Bewertungsschaltung 81 längs der Linie II-II geschnitten
dargestellt. Dabei sind die bereits in Fig. 1 gezeigten Teile mit denselben Bezugszeichen
versehen. Die dünne Isolierschicht, auf der die Teile 61, 62, 63 und 411 plaziert
sind, ist mit 16 bezeichnet. Die Bewertungsschaltung 81 ist für einen positiven
Bewertungskoeffizienten eingerichtet. Dabei wird dem Anschluß E11 des ersten Eingangsgate
G1 über B1 eine konstante Gleichspannung U1 zugeführt, die höchstens so groß ist
wie das kleinste zu bewertende Eingangs signal ue, so daß sich für das Oberflächenpotential
5 unterhalb von G1 eine feste Potentialschwelle W1 ergibt. Dem Anschluß E12 wird
über den Paralleleingang 21 das Eingangssignal ue zugeführt, wobei sich unterhalb
von G2 Potentialwerte zwischen P1 (für das maximale Signal ue) und P0 (für das mininale
Signal ue) ergeben.
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Unter dem Einfluß der in Fig. 3 dargestellten Taktspannungen P{G und
, die jeweils den Anschlüssen 14 und 15 zugeführt werden, ergeben sich Potentialwerte
D1 bzw. Dg und T1 bzw. T0 innerhalb des dotierten Gebiets D und unterhalb des Transfergate
G3 gemäß Fig. 2. Zum Zeitpunkt t0 (Fig. 3) besteht ein Potentialverlauf Dos W1,
P, Tg und C0,- wobei der Potentialwert P durch die Größe des auftretenden Eingangssignals
ue gegeben ist. Dabei wird der unterhalb von G2 gebildete Potentialtopf mit Ladungsträgern
überschwemmt. Zum Zeitpunkt t1 ist Dg in D1 übergegangen, wobei die Ladungsträger
wieder soweit aus dem Bereich unterhalb von Gl und G2 in das Gebiet D zurückfließen,
daß der unterhalb von G2 gebildete Potentialtopf nur noch bis zu dem durch W1 gegebenen
Rand angefüllt bleibt, was in Fig. 2 durch die schraffierte Fläche F angedeutet
ist. Ist dann T0 in T1 übergegangen (Zeitpunkt t2) so wird die durch F angedeutete
Ladungsmenge entsprechend dem Pfeil 17 unter die Elektrode 411 verschoben, da diese
gleichzeitig mit einer relativ
hohen Verschiebetaktspannung 01
belegt ist, die einen Potentialwert C1 ergibt. Wesentlich ist hierbei, daß bei einer
Ausbildung der Schaltung 81 für einen positiven Bewertungskoeffizienten beim Auftreten
des minimalen Eingangssignals ue wegen P=PO keine Ladungsmenge eingelesen wird,
beim Auftreten des maximalen Eingangssignals ue wegen P=P1 die maximale Ladungsmenge,
die durch die zwischen den Werten PO und P1 liegende Fläche dargestellt werden kann.
Der Einlesevorgang wiederholt sich mit der Frequenz der Verschiebetaktspannung 1
Ist eine Bewertungsschaltung, z.B. die Schaltung 8n in Fig. 1, für einen negativen
Bewertungskoeffizienten eingerichtet, so wird ihrem ersten Eingangsgate über den
Anschluß En1 von einem Parallel-eingang 2n das Eingangssignal ue zugeführt, während
ihr zweites Eingangsgate über einen Anschluß En2 und einen Anschluß B2 nunmehr mit
einer konstanten Gleichspannung U2 belegt ist, die wenigstens so groß ist wie das
maximale zu bewertende Eingangssignal u e und unterhalb von G2 einen festen Potentialwert
W2 ergibt. Unterhalb von G1 ergeben sich dann Potentialwerte P1' für das maximale
Eingangssignal und PO' für das minimale Eingangssignal ue. Das Anfallen des Potentialtopfes
unterhalb von G2 ist dabei nur bis zu dem durch das zum Zeitpunkt t1 anliegende
Eingangssignal ue bestimmten Rand P' möglich, was in Fig. 2 durch die Fläche F'
gekennzeichnet ist. Nach dem Übergang von T0 auf T1 und von CO auf C1 (Zeitpunkt
t2) wird die Ladungsmenge F' wieder unter eine Elektrode des CCD-Schieberegisters
4 verschoben (Pfeil 18). Wesentlich ist, daß bei einem negativen Bewertungskoeffizienten
beim Auftreten des minimalen Eingangssignals ue wegen P'=PO' die maximale Ladungsmenge
eingegeben wird, was in Fig. 2 durch eine Fläche unterhalb von G2 und zwischen den
Potentialwerten Po' und P1' verdeutlicht wrd, während für das maximale Eingangs
signal ue wegen P'=P1' keine Ladungsmenge
eingelesen wird. Auch
dieser Einlesevorgang wiederholt sich mit der Frequenz der Verschiebetaktspannung
.
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Somit finden in dem Schieberegister 4 unter den Elektroden 411, 421
usw. Jeweils beim Auftreten der Verschiebetaktspannungen 1 Summierungsvorgänge statt,
bei denen zu den Jeweils innerhalb des Schieberegisters 4 verschobenen Ladungsmengen
die über die zugehörigen Paralleleingänge eingegebenen Ladungsmengen F bzw. F' addiert
werden. Die auf diese Weise durch mehrfache Summierungsvorgänge angewachsenen Ladungsmengen,
die schließlich in der letzten Stufe des Schieberegisters 4 nacheinander ankommen,
bewirken dann beim Eindringen in das Diffusionsgebiet 9, das zuvor auf Referenzpotential
gebracht wurde, jeweils Potentialverschiebungen, die über den Verstärker 10 ausgewertet
und zu dem gefilterten Ausgangssignal ua zusammengesetzt werden.
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Man kann durch eine mit 19 angedeutete, an sich bekannte Eingangsstufe
des Schieberegisters 4, die beispielsweise in dem Buch von Sequin und Tompsett "Charge
Transfer Devices, Academic Press, New York, 1975, auf den Seiten 48 bis 50, insbesondere
Fig. 3.12 (d), beschrieben ist, zu den über das Schieberegister verschobenen Ladungsmengen
eine konstante Grundladung hinzufügen, die in der Literatur auch als "fat zero"
bezeichnet wird. Hierbei besteht das dieser Eingangsstufe zugeführte Signal aus
einer Gleichspannung.
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Bei dem in Fig. 4 schematisch dargestellten, nach der Erfindung ausgebildeten
Transversalfilter ist das Schieberegister 4 als eine 4-Phasen-CCD-Anordnung ausgebildet.
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Die erste Stufe 401 weist die Verschiebeelektroden 411, 412, 413 und
414 auf, die zweite Stufe 402 die Elektloden 421, 422, 423 und 424. Die dritte Stufe
des Schieberegisters ist mit 403 bezeichnet, weitere Stufen und die
Ausgangsstufe,
die entsprechend der Stufe AS in Fig. 1 aufgebaut sein kann, sind aus Gründen der
Übersichtlichkeit nicht im Einzelnen dargestellt. Die den ersten Schiebeelektroden
sämtlicher Stufen zugeführte Taktspannung ist mit 1 bezeichnet, während den zweiten,
dritten und vierten Elektroden sämtlicher Stufen jeweils die Verschiebetaktspannungen
02 03 und 4 zugeleitet werden.
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Den Stufen 401, 402 und 403 sind die Bewertungsschaltungen 81, 82
und 83 zugeordnet. Sie weisen in der dargestellten Ausführungsform ein gemeinsames,
entgegengesetzt zum Substrat dotiertes Gebiet D auf, das mit einem Anschluß 14 versehen
ist. Die ersten Eingangsgateelektroden sind mit Gil, G21 und G31 bezeichnet, die
zweiten Eingangsgateelektroden mit G12, G22 und G32. In der dargestellten Ausführungsform
sind die ersten und zweiten Eingangsgateelektroden der Bewertungsschaltungen 81
bis 83 untereinander verbunden und mit gemeinsamen Anschlüssen B1 bzw. 2 versehen.
Ein allen Bewertungsschaltungen gemeinsames Transfergate ist mit G13 bezeichnet
und mit einem Anschluß 15 versehen. Beim Zuführen des Eingangssignals ue an den
Anschluß 2 und einer konstanten Gleichspannung U1, die höchstens so groß ist wie
das kleinste Signal ue, an den Anschluß B1, sind die Bewertungsschaltungen 81 bis
83 jeweils für einen positiven Bewertungskoeffizienten eingerichtet. Legt man ue
stattdessen an den Anschluß B1 und eine konstante Gleichspannung U2, die mindestens
so groß ist wie das größte Signal ue, an den Anschluß 2, so ergeben sich nur negative
Bewertungskoeffizienten. Will man einzelnen Bewertungskoeffizienten, z.B. dem der
Schaltung 82, ein negatives Vorzeichen geben, so müssen die betreffenden Eingangsgateelektroden
dieser Schaltung, im betrachteten Fall also G21 und G22, in Abweichung von Fig.
4 von den übrigen Eingangsgateelektroden getrennt werden und mit den Spannungen
u e und U2 beschaltet werden, wobei ue an G21 und U2 an G22 ge-
legt
wird.
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Die Bewertungsstufe 82 weist nun gemäß der Erfindung ein zusätzliches,
entgegengesetzt zum Substrat dotiertes Gebiet D82 auf, das mit einem Anschluß A82
verbunden ist.
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Ebenso ist in der Bewertungsstufe 83 ein zusätzliches Gebiet D83 vorgesehen,
das einen Anschluß A83 aufweist.
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Die Anschlüsse A82 und A83.sind mit einem gemeinsamen Anschluß 14'
verbunden.
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In Fig. 4 entspricht die Breite der ersten und zweiten Eingangsgateelektroden,
z.B. G11 und G12, der Länge der zugeordneten Stufe des Schieberegisters 4, z.B.
der Länge von 401. Hierdurch wird erreicht, daß während des gesamten Zeitintervalls
A T, in dem sich der durch die Verschiebetaktspannungen gebildete Potentialtopf
unterhalb der Elektroden dieser Stufe befindet, aus der zugehörigen Bewertungsschaltung
Ladungsmengen eingelesen werden können. Ist die Breite der genannten Eingangsgateelektroden
kleiner, so verringert sich AT entsprechend. Entspricht die Breite lediglich der
Länge einer CCD-Elektrode, z.B. 411, so reduziert sich AT etwa auf ein Viertel.
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Fig. 5 zeigt die Verschiebetaktspannungen 01 bis 4 des Schieberegisters
4, sowie die den Bewertungsschaltungen 81 bis 83 zuzuführenden Takt spannungen in
ihrem zeitlichen Verlauf. Zu den letzteren gehört wieder eine erste Taktspannung
D die dem gemeinsamen Anschluß 14 zugeführt wird, und eine zweite Taktspannung G'
die an den Anschluß 15 gelegt ist. Zusätzlich ist eine Taktspannung D' vorgesehen,
die aus der Spannung D über ein Verzögerungsglied abgeleitet wird, wobei die Verzögerung
so gewählt ist, daß jeweils ein Spannungsimpuls von jeder der Spannungen D und D'
innerhalb des Zeitintervalles AT liegt. Das bedeutet, daß innerhalb von nur eine
durch die Fläche von G12 bestimmte Ladungsmenge
in die Stufe 401
eingelesen wird, während im gleichen Zeitraum zwei durch G22 bestimmte Ladungsmengen
in 402 und zwei durch G32 bestimmte Ladungsmengen in 403 eingelesen werden.
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Durch die zusätzliche Ansteuerung der Schaltung mittels D' gelingt
es, die Beträge der in den Schaltungen 82 und 83 gebildeten Bewertungskoeffizienten
gegenüber den durch die Gateflächen bestimmten Werten ohne zusätzlichen Flächenaufwand
zu verdoppeln. würde diese Verdoppelung durch eine entsprechende Vergrößerung der
Gateflächen von G22 und G32 erzielt werden, was im dargestellten Beispiel nur durch
eine Vergrößerung der Längen L und L' möglich wäre, so würden die Einlesevorgänge
auch wesentlich längere Einlesezeiten beanspruchen, was den Arbeitsfrequenzbereich
des Transversalfilters nach oben begrenzen wird.
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Die dem Transfergate Ei 3 zugeführte zweite Taktspannung muß für ,edlen
der zeitlich getrennt auftretenden Impulse der ersten Taktspannungen D und D1 einen
verzögerten Impuls aufweisen. Das wird in einfacher Weise dadurch erreicht, daß
G aus der Summenspannung von D und über einen Inverter und ein Verzögerungsglied
abgeleitet wird.
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Obwohl das Schieberegister 4 bisher lediglich als eine CCD-Anordnung
beschrieben wurde, kann es aus irgendeiner der unter dem Begriff Ladungsverschiebeanordnungen
(CTD, Charge Transfer Device) zusammengefaßten, an sich bekannten Anordnungen bestehen,
wie sie beispielsweise in dem Buch von Sequin und Tompsett "Charge Transfer Devices"
Academic Press, New York, 1975, Seiten 1 bis 18, beschrieben sind. Eine solche Ladungsverschiebeanordnung
kann dabei entsprechend ihrem Aufbau im 2-Phasen-, 3-Phasen- oder 4-Phasen-Betrieb
arbeiten.
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Das Transversalfilter nach der Erfindung ist mit Vorteil als eine
auf einem Halbleitersubstrat monolithisch integrierte Halbleiterschaltung aufgebaut.
Dabei kann die elektrische Verbindung zwischen dem Anschluß 14' und den Anschlüssen
A82 und A83 als ein kanalförmiges, entgegengesetzt zu dem Substrat dotiertes Halbleitergebiet
ausgebildet sein. Die Verbindungen von den Anschlüssen A82 und A83 zu den Gebieten
D82 und D83 können durch Leiterbahnen realisiert werden, die in der Ebene der Gateelektroden
liegen.
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4 Patentansprüche 5 Figuren