DE2744349A1 - Ladesteuerschaltung - Google Patents
LadesteuerschaltungInfo
- Publication number
- DE2744349A1 DE2744349A1 DE19772744349 DE2744349A DE2744349A1 DE 2744349 A1 DE2744349 A1 DE 2744349A1 DE 19772744349 DE19772744349 DE 19772744349 DE 2744349 A DE2744349 A DE 2744349A DE 2744349 A1 DE2744349 A1 DE 2744349A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- charge control
- secondary battery
- control circuit
- voltage
- field effect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
- H02J7/34—Parallel operation in networks using both storage and other dc sources, e.g. providing buffering
- H02J7/35—Parallel operation in networks using both storage and other dc sources, e.g. providing buffering with light sensitive cells
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04C—ELECTROMECHANICAL CLOCKS OR WATCHES
- G04C10/00—Arrangements of electric power supplies in time pieces
- G04C10/02—Arrangements of electric power supplies in time pieces the power supply being a radioactive or photovoltaic source
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/56—Power conversion systems, e.g. maximum power point trackers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S136/00—Batteries: thermoelectric and photoelectric
- Y10S136/291—Applications
- Y10S136/293—Circuits
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S323/00—Electricity: power supply or regulation systems
- Y10S323/906—Solar cell systems
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
- Electromechanical Clocks (AREA)
Description
BLUMBACH · WEoCIR . BSiRGEN · KRAM
ZWIRNER . HIRSCH BREHM
Patenlconsull Radeckestraße 43 8000 München 60 Telefon (089)883603/883604 Telex 05-212313 Telegramme Patentconsult
Patenlconsull Sonnenberger Straße 43 6200 Wiesbaden Telefon (06121)562943/561998 Telex 04-186237 Telegramme Patentconsult
Kabushiki Kaisha Suwa Seikosha 77/8749
j5-4, 4-chome, Ginza, Chuo-ku
Tokyo, Japan
Tokyo, Japan
Ladesteuerschaltung
8098U/0891
München: R. Kramer Dlpl.-Ing. · W. Weser Dipl.-Phys. Dr. rer. nat. . P. Hirsch Dipl.-Ing. . H. P. Brehm Dipl.-Chem. Or. phil. net.
Wiesbaden: P. G. Blumbach Oipl.-Ing. · P. Bergen Dipl.-Ing. Dr. jur. · G. Zwirner Dipl.-Ing. Dipl.-W.-Ing.
27U349
Die Erfindung betrifft eine Aufladesteuerschaltung in einem elektronischen Gerät mit einer Sekundärbatterie als Energiequelle
und einer Vorrichtung zum Aufladen der Sekundärbatterie.
Da übliche tragbare elektronische Geräte, wie elektronische Uhren, als Energiequelle nur auf eine kleine Abmessungen und
geringe Kapazität aufweisende Batterie, beispielsweise eine Quecksilberoxidbatterie oder Silberoxidbatterie, zurückgreifen
können und die Betriebslebensdauer einer solchen Batterie nur etwa zwei Jahre beträgt, muß in bestimmten periodischen
Abständen ein Batteriewechsel vorgenommen werden.
Um diese Schwachstelle auszuschalten ist eine elektronische Uhr entwickelt worden, die eine Ladevorrichtung wie eine
Sonnenbatterie aufweist, um die Sekundärbatterie aufzuladen, so daß die Uhr beliebig lange angetrieben werden kann. Da in
Wirklichkeit Jedoch die Fähigkeit der Sekundärbatterie zur Speicherung elektrischer Energie schlecht ist, kann eine
solche Uhr nicht benutzt werden.
Herkömmlicherweise wird eine knopfförmige, geschlossene Ni-
-Batterie
Cd / als kleine Sekundärbatterie verwendet. Ihre Spannung beträgt Jedoch nur 1,2 V im Vergleich zu 1,3 V der Quecksilber-
8098U/0891
27U349
oxidbatterle und 1,5 V der Silberoxidbatterie, und sie hat nur
eine Stromkapazität von 20 mAh im Vergleich zu 200 mAh der Quecksilberoxidbatterie und 165 mAh der Silberoxidbatterie,
wenn man Batterien mit den Abmessungen 11,6 mm Durchmesser χ 5,6 mm in Betracht zieht, und ferner zeigt sie im Vergleich zu
anderen Batterien ein schlechtes Leckverhalten.
Die herkömmlicherweise als Primärbatterie verkaufte Silberoxidbatterie
kann Jedoch praktisch als Sekundärbatterie verwendet werden, wenn geeignete Ladebedingungen ausgewählt werden.
Wenn beispielsweise eine knopfförmige geschlossene Silberoxidbatterie
aufgeladen wird, muß man mit der Gefahr des Auslaufens oder der Explosion rechnen; eine solche Gefahr kann
man nur durch Steuern der Aufladespannung vermeiden. Wenn Gas in der Batterie entsteht, läuft Elektrolyt aus dem Batteriegehäuse
aus oder kann die Batterie aufgebläht werden. Wenn die Sekundärbatterie jedoch aufgeladen wird, indem ihre Batteriespannung
auf 1,8 V festgelegt wird, und wenn das Aufladen angehalten wird, wenn ihre Spannung über 1,8 V liegt, zeigt sich
keine Gaserzeugung und ist die Ladekapazität stabil. Diese Wirkung kann man nicht nur bei einer Silberoxidbatterie erreichen,
indem man die Sekundärbatteriespannung zur Ladungssteuerung bestimmt, d. h. die Aufladesteuerspannung, sondern
auch bei einer Quecksilberoxidbatterie und einer Ni-Cd-Batterie.
Im Hinbliok darauf besteht die Aufgabe der Erfindung darin, eine Schaltung zur Steuerung der Aufladung verfügbar zu machen.
8098U/0891
Dabei ist es ein erstes Ziel, eine Aufladesteuerschaltung zu verwirklichen, mit welcher für die Sekundärbatterie eine
Sicherheit geschaffen wird. Da die innere elektronische Schaltung in elektronischen Geräten, wie einer elektronischen Uhr
oder einem elektronischen Rechner, auf einem Chip integriert ist, besteht der Wunsch, daß die Ladesteuerschaltung selbst
mit der elektronischen Schaltung integriert wird, und. zwar im Hinblick auf eine Kostensenkung und eine Vereinfachung des
Herstellungsvorgangs.
Ein zweites Ziel der Erfindung besteht darin, eine Ladesteuerschaltung
verfügbar zu machen, die praktisch und einfach mit den herkömmlichen elektronischen Schaltungen integriert werden
kann. In elektronischen Geräten wie einer elektronischen Uhr oder einem elektronischen Rechner, bei denen eine Flüssigkristallanzeige
vorrichtung verwendet wird, hat man der Absenkung des Stromverbrauchs große Beachtung geschenkt, da die
Stromkapazität der für eine solche elektronische Schaltung benutzten Batterie begrenzt ist, und auch dann, wenn eine
Ladevorrichtung vorgesehen ist und die Ladesteuerschaltung Strom der Sekundärbatterie verbraucht, ist deren Wirkung nicht
groß.
Deshalb verbraucht bei der vorliegenden Erfindung die Ladesteuerschaltung
Strom aus der Ladevorrichtung, und sie wird entsprechend der Sekundärbatteriespannung gesteuert. Ferner
8098U/0891 " 9 -
-*- 27U349
gibt eine solche Konstruktion die Möglichkeit, die Ladesteuerschaltung
immer zu betätigen und mehr Sicherheit zu erhalten.
Bei einem Schaltungsaufbau, der von einem großen Stromverbrauch der Sekundärbatterie begleitet wird, wird unter Verwendung sehr
kurzer Impulse, wie einige msec, die Sekundärbatteriespannung festgestellt. Die Differenz zwischen der Sekundärbatteriespannung
und ihrer Aufladesteuerspannung wird verglichen, und durch Verwendung eines langen Impulses, wie mehrere hundert msec, in
der Umkehrzeit, wird das Ergebnis des Vergleichs gespeichert. Wenn in diesem Fall die Sekundärbatteriespannung unter der
Ladesteuerspannung liegt, wird von der Ladeschaltung ein Strom an die Sekundärbatterie geliefert. Und wenn die Sekundärbatteriespannung
über der Ladesteuerspannung liegt, da die Sekundärbatterie
spannung zur Speicherzeit größer als die Ladesteuerspannung wird, selbst wenn die Sekundärbatteriespannung beim
kurzen Impuls niedriger als die Ladesteuerspannung ist, wird die Sekundärbatterie weitgehend verbraucht. Dagegen kann bei
der Ladesteuerschaltung, bei welcher der Stromverbrauch aus der Ladevorrichtung gedeckt wird, die erwähnte Gefahr vermieden
werden, da die Steuerschaltung jederzeit wirksam ist.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsformen erläutert. In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 ein Blockschaltbild eines Beispiels einer erfindungsgemäßen
Ladesteuerschaltung;
8098U/0891 -10-
Fig. 2 und 4 bis 8 AusfUhrungsformen der in Fig. 1 gezeigten
Schaltung;
Fig. 3 eine Erläuterungsdarstellung eines C-MOS; und
Fig. 9 ein Blockschaltbild gemäß der in Fig. 8 gezeigten
Ausführungsform.
In den Zeichnungen bedeuten
1 eine Sekundärbatterie
2 eine Detektorschaltung zum Feststellen der Sekundärbatteriespannung
3 eine Nebenschlußschaltung
4 eine Ladevorrichtung
5 eine Diode zur Vermeidung eines RUcklaufstroms
6 eine Sonnenbatterie
7, 9# 11* 18 und 21 P-Kanal-Transistoren
8 einen variablen Widerstand
10, 16, 17, 19, 22, 23 und 25 N-Kanal-Transistoren
12 ein N-leitendes Substrat
13 eine P-leitende Mulde
14 eine stark dotierte N-leitende Diffusionsschicht
15 eine stark dotierte P-leitende Diffusionsschicht
S und D Source und Drain von P-Kanal-Transistoren
P P
8098U/0891
27U349
S und Dn Source und Drain von N-Kanal-Transistoren
20 einen Widerstand (Diffusion, polykristallines
Silicium)
2h einen NPN-Transistor
26 einen Schalterkreis.
26 einen Schalterkreis.
Bei einer erfindungsgemäßen Ladesteuerschaltung, wie sie als Blockschaltbild in Pig. 1 gezeigt ist, wird die Spannung der
Sekundärbatterie 1 über die einen Rücklaufstrom verhindernde Diode von der Spannungsdetektorschaltung 2, die parallel zur
Ladevorrichtung 4 geschaltet ist, mit der Ladesteuerspannung verglichen, und die Nebenschlußschaltung 3 schließt aufgrund
des Vergleichsergebnisses die Ladevorrichtung kurz, um den Ladestrom aufzunehmen. Die Schaltungen 2 und 3 bilden einen
Spannungsregler.
Als AusfUhrungsbeispiel dieser in Pig. I gezeigten Blockschaltung
ist Fig. 2 gezeigt, bei der als ladendes Element eine Sonnenbatterie und für die Schaltungselemente 2 und J5 MOS-Transistoren
(Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate) verwendet werden.
Der Grund für die Verwendung von MOS-Transistoren bei dieser AusfUhrungsform ist der, daß bei vielen elektronischen Uhren
oder elektronischen Rechnern mit Flüssigkristallanzeigevorrichtung eine integrierte MOS- oder C-MOS-Schaltung, bei der
es sich um AUS-Logik handelt, verwendet wird.
8098U/0891
- 12 -
In der in Pig. 2 gezeigten Schaltung wird die Spannung der Sekundärbatterie 1 in den Spannungswert umgewandelt, den die
Spannung auf der Minusseite der Standard-Sonnenbatterie 6 aufweist, und zwar durch den P-Kanal-Transistor 7» der als
Spannungswertumsetzer verwendet wird, und den äußeren Widerstand 8 zur Bestimmung des Spannungswertes. Der P-Kanal-Transistor
9 und der N-Kanal-Transistor 10 bilden einen Komparator, der die Sekundärbatteriespannung mit der Ladesteuerspannung
vergleicht, und das Ausgangssignal dieses Komparators beeinflußt den Nebenschlußtransistor 11. Der Stromverbrauch
wird seitens der Sonnenbatterie gedeckt, da die aus den Transistoren 7» 9 j 10 und dem Widerstand 8 zusammengesetzte
Spannungsdetektorschaltung auf der Seite der Sonnenbatterie gebildet und mit der Sekundärbatterie über die Rückstrom
sperrende Diode 5 verbunden ist. Aus diesem Grund ist die Sekundärbatteriespannung auch nur die Gate-Eingangsgröße
der P-Kanal-Transistoren 7 und 9· Bei der erfindungsgemäßen Schaltung, bei der die Sekundärbatteriespannung auf der Seite
der Sonnenbatterie festgestellt wird, ist die Schwellenwertspannung der P-Kanal-Transistoren 7 und 9 so gewählt, daß
deren Strom in dem Bereich, in welchem die Sekundärbatteriespannung niedriger als die Ladesteuerspannung ist, und in dem
die Spannung der Sonnenbatterie höher als die Sekundärbatteriespannung ist, gesättigt sein kann. Wenn die Transistoren
nicht im Sättigungsbereich betrieben werden, hängt der von den Transistoren 7 oder 9 zum Widerstand 8 oder zum Transistor
8098U/0891 -13-
10 fließende Strom stark von der Sonnenbatteriespannung ab, so daß die Aufladung nicht durch die Sekundärbatteriespannung
gesteuert werden kann. Bei der vorliegenden Ladungssteuerschaltung wird ein N-leitendes Substrat für eine integrierte
Schaltung verwendet, auf dem der Transistor gebildet ist. Bei einer auf einem N-leitenden Substrat gebildeten C-MOS-Schaltung
gemäß Fig. J> ist der P-Kanal-Transistor unter Verwendung
einer stark dotierten P-Diffusionszone 15 auf dem N-Substrat 12 als Source S und Drain N aufgebaut, und ein
N-Kanal-Transistor ist unter Verwendung einer stark dotierten N-Diffusionszone 14 als Source S und Drain D auf der
schwach dotierten P-leitenden Mulde IJ>
gebildet. Deshalb kann der P-Kanal-Transistor auf dem N-Substrat das Substrat nicht
auf ein anderes als das bestimmte Potential (Erdpotential in Fig. 2) bringen. Da Jedoch das Substrat des N-Kanal-Transistors
durch die P-Mulde getrennt ist« kann frei bestimmt werden, daß
sein Potential niedriger als das des N-Substrats liegt. Somit ist die rückstromvermeidende Diode 5 außen mit der Minusseite
der Sekundärbatterie verbunden, wie es Fig. 2 zeigt, so daß die umgewandelte Spannung der Sekundärbatteriespannung, die
durch den Transistor 8 und den Widerstand 8 gebildet wird, die Gate-Eingangsgröße des N-Kanal-Transistors 10 sein kann.
In einem P-leitenden Substrat dagegen wird 16 anstelle von 7 verwendet; 9 anstelle von 17; 10 anstelle von 18; 11 anstelle
von 19, wie es in Flg. 4 gezeigt ist, und die rückstromverhindernde
Diode ist außen auf der Plusseite der Sekundärbatterie angeschlossen, und der Widerstand zur Bestimmung der Lade-
8098U/0891
- 14 -
Steuerspannung ist auf der Plusseite der Sonnenbatterie angeschlossen.
Der Schwellenwertspannungspegel der P-Kanal-Transistoren 7 und 9 zumindest stellt die Sättigung dieser Transistoren
sicher, wenn die Ubergangsspannung des aus den Transistoren 9 und 10 gebildeten Komparators etwa bei der Schwellenwertspannung
des N-Kanal-Transistors liegt und die Spannung der Sekundärbatterie 1 die Ladesteuerspannung wird, und bis
die Spannung am Außenwiderstand 8 gleich der Schwellenwertspannung
des N-Kanal-Transistors wird. Mit anderen Worten, der Strom der Transistoren 7 und 9 muß gesättigt sein, wenn die
Spannung der Sonnenbatterie höher als die der Sekundärbatterie und die Spannung der Sekundärbatterie niedriger oder
gleich wenigstens der Ladesteuerspannung ist. Dies kann man erreichen, wenn die Schwellenwertspannung der Transistoren
7 und 9 immer höher als die des Transistors 10 ist.
In Fig. 4 ist die Schwellenwertspannung der Transistoren 16
und 17 höher als die des Transistors 18. Wenn 9 und 17 anstelle des Widerstands verwendet werden, so daß sie nicht
gesättigt zu sein brauchen, ist es lediglich erforderlich, daß die Schwellenwertspannung von 7 und 16 höher ist als die
von 10 bzw. l8.
Es wird nun die Arbeitsweise der erfindungsgemäßen Ladesteuerschaltung
nach Pig. 2 erläutert. Wenn die Spannung der Sekundärbatterie 1 niedriger als die Ladesteuerspannung
8098U/0891 ~ 1^ -
ist, ist der vom pegelwandelnden P-Kanal-Transistor 7 zum
Widerstand 8 fließende Strom so klein, daß der Komparator-N-Kanal-Transistor
10 durch die Spannung am Widerstand nicht EIN geschaltet wird. Deshalb liegt der Komparatorausgang auf
Erdpotential und ist der Nebenschluß-P-Kanal-Transistor AUS
und lädt die Sonnenbatterie 6 die Sekundärbatterie. Wenn dagegen die Spannung der Sekundärbatterie 1 höher als die Ladesteuerspannung
ist, gelangt, da ein großer Strom von 7 nach 8 fließt und der Transistor 10 durch die Spannung am Widerstand
EIN ist, der Komparatorausgang auf das Sonnenbatterie-Minuspotential, 11 ist EIN und absorbiert den Ladestrom, so daß
die Sekundärbatterie 1 nicht mehr geladen wird. Der Nebenschlußtransistor 11 muß natürlich so ausgelegt sein, daß er
den Ladestrom von 6 oder einen größeren Strom absorbieren kann.
Als gegenüber Fig. 2 abgewandelte Ladungssteuerschaltungen sind folgende Schaltungen möglich: eine in Fig. 5 gezeigte
Schaltung, bei der anstelle des Transistors 9 ein Widerstand 20 vorgesehen ist, bei dem es sich um einen Widerstand aus
polykristallinem Silicium oder um einen diffundierten Widerstand handelt, der monolithisch in der integrierten Schaltung
untergebracht ist; eine in Fig. 6 gezeigte Schaltung, bei der die Polaritäten der Komparatortransistoren 9 und 10 den Polaritäten
von Invertertransistoren 21 bzw. 22 entsprechen und 23 ein Nebenschlußtransistor ist; eine in Fig. 7 gezeigte
Schaltung, bei der anstelle des in Fig.6 gezeigten N-Kanal-Transistors 23^ g U , q 3 g j
-16-
NPN-Transistör 24 benutzt wird, der mit dem Herstellungsprozeß
fUr den MOS-Teil hergestellt worden ist; eine in Fig. 8 gezeigte
Schaltung, die nicht einen Nebenschlußtransistor sondern
einen Schaltertransistor 25 anstelle des in Fig. 2 gezeigten Transistors 11 benutzt, und dieser Schaltertransistor ist in
Reihenschaltung zwischen die Ladevorrichtung und die Sekundärbatterie eingefügt. Die in Fig. 8 gezeigte Schaltung erhält man
durch Umwandeln der in Fig. 1 gezeigten Schaltung in eine in Pig· 9 gezeigte Schaltung, bei der ein Schalterkreis 26 anstelle
der Nebenschlußschaltung J> benutzt wird. Zudem ist es
möglich, die in Fig. 4 gezeigte Schaltung in die in Fig. 9 gezeigte Schaltung abzuwandeln, genauso wie es möglich ist,
die in Fig. 2 gezeigte Schaltung in eine in Fig. 3 gezeigte Form umzusetzen.
Die vorausgehende Erläuterung betrifft die Anwendung der erfindungsgemäßen
Ladesteuerschaltung für MOS-Transistoren. Auf der Basis der in den Fig. 1 und 9 gezeigten Grundblockschaltungen
kann die erfindungsgemäße Ladesteuerschaltung auch mit denselben Abwandlungen für Bipolar-Transistorschal tungen angewendet
werden.
Die erfindungsgemäße Aufladungsschaltung kann nicht nur im Zusammenhang mit einer Sonnenbatterie verwendet werden, sondern
auch im Zusammenhang mit einer Aufladevorrichtung, wie eine, bei der eine Induktionsmethode zur Anwendung kommt.
8098U/0891 -17-
27U349
Öle Erfindung läßt sich wirksam einsetzen bei elektronischen
Uhren und elektronischen Rechnern oder dergleichen, die Teiler-, Oszillator- und Treibschaltungen und eine Sonnenbatterie aufweisen.
8098U/0891
Claims (1)
- 27U349Patentansprüche( 1. Ladesteuerschaltung zur Steuerung der Aufladung einer
Sekundärbatterie auf der Basis der Sekundärbatteriespannung, dadurch gekennzeichnet, daß der zum Betreiben
der Ladesteuerschaltung erforderliche Strom von einer
Ladevorrichtung (4) stammt.2. Ladesteuerschaltung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Spannungsdetektorschaltung (2) zur Ermittlung der
Sekundärbatteriespannung und eine Ladestromabsorbierschal tungJ>. Ladesteuerschaltung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Spannungsdetektorschaltung (2) zur Ermittlung der Sekundärbatteriespannung und. eine Ladestrom-Unterbrechungsschaltung (26).4. Ladesteuerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet, daß deren aktive Elemente alle durch Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate gebildet sind.5. Ladesteuerschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Bipolar-Transistor (24) für die Ladestromabsorbierschaltung eingesetzt ist, der beim gleichen Herstel-- 2 B098H/0Ö91lungsvorgang hergestellt worden 1st, der zur Herstellung komplementär verbundener Feldeffekttransistoren mit Isoliertem Gate angewendet worden 1st.6. Ladesteuerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, da3 ein Anschluß der Sekundärbatterie (l) nur an das Gate eines Feldeffekttransistors mit isoliertem Gate angeschlossen ist.7. Ladesteuerschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens einer der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, dessen Gate mit einem Anschluß der Sekundärbatterie (l) verbunden ist, wenigstens dann, wenn die Sekundärbatteriespannung niedriger als die Ladesteuerspannung und die Spannung über der Ladevorrichtung (4) größer als die Sekundärbatteriespannung ist, im Stromsättigungsbereich betrieben wird.8. Ladesteuerschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Minuspol der Sekundärbatterie (Ϊ) mit dem Gate eines P-Kanal-Transistors (7) verbunden ist, wenn das Substrat, auf dem der Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate gebildet ist, N-Leitfähigkeit aufweist, und daß der Pluspol der Sekundärbatterie (1) an das Gate eines N-Kanal-Transistors (16) angeschlossen ist, wenn das Substrat, auf dem der Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate gebildet ist, P-Leitfähigkeit aufweist.6098U/0891 -3-9. Ladesteuerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine Diode (5) zur Unterbindung eines RücklaufStroms vorgesehen ist, die zwischen die negativen Anschlüsse von Sekundärbatterie und Ladeschaltung geschaltet ist, wenn das Substrat für den Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate N-Leitfähigkeit aufweist, und die zwischen den positiven Anschluß von Sekundärbatterie und Ladevorrichtung geschaltet ist, wenn das Substrat für den Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate P-Leitfähigkeit aufweist.10. Ladesteuerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine integrierte Schaltung vorgesehen ist, bei der die Schwellenwertspannung des P-Kanal-Translstors höher als die des N-Kanal-Transistors ist, wenn das Substrat für den Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate N-leitend ist, und bei dem die Schwellenwertspannung des N-Kanal-Transistors höher als die des P-Kanal-Transistors ist, wenn das Substrat P-leitend ist.11. Ladesteuerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5* bei welcher der Transistor vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat des N-Kanal-Transistors mit der Minusseite der Ladevorrichtung verbunden ist, wenn das Substrat für den Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate N-leitend- 4 -8098H/0881ist, und daß das Substrat des P-Kanal-Transistors mit der Plusseite der Ladevorrichtung verbunden ist, wenn das Substrat für den Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate P-leitend ist.12. Ladesteuerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß als Ladevorrichtung (4) eine Sonnenbatterie (6) vorgesehen ist.15. Ladesteuerschaltung zum Steuern einer Aufladung aus einer Sonnenbatterie, dadurch gekennzeichnet, daß sie monolithisch mit einer integrierten MOS-Schaltung vereint ist, die Teiler-, Oszillator- und Treiber-Funktionen für eine Uhr oder einen Tischrechner aufweist.14. Elektronischer Rechner mit einer Ladevorrichtung, einer Sekundärbatterie und einer Ladesteuerschaltung, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladesteuerschaltung die Aufladung der Sekundärbatterie auf der Basis der Sekundärbatteriespannung steuert und daß der zum Betreiben der Ladesteuerschaltung erforderliche Strom von der Ladevorrichtung stammt.15. Elektronische Uhr mit einer Ladevorrichtung, einer Sekundärbatterie und einer Ladesteuerschaltung, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladesteuerschaltung die Aufladung der Sekundärbatterie auf der Basis der Sekundärbatterie-8098U/0891 ~5~27U349spannung steuert und daß der zum Betreiben der Ladesteuerschaltung erforderliche Strom von der Ladevorrichtung stammt.- 6 -8098U/0891
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11964176A JPS5344845A (en) | 1976-10-05 | 1976-10-05 | Electronic watch |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2744349A1 true DE2744349A1 (de) | 1978-04-06 |
DE2744349C2 DE2744349C2 (de) | 1985-03-21 |
Family
ID=14766469
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2744349A Expired DE2744349C2 (de) | 1976-10-05 | 1977-10-01 | Schaltungsanordnung zur Steuerung der Aufladung einer Sekundär-Batterie |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4266178A (de) |
JP (1) | JPS5344845A (de) |
CH (1) | CH622924B (de) |
DE (1) | DE2744349C2 (de) |
GB (1) | GB1583904A (de) |
HK (1) | HK11684A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2490890A1 (fr) * | 1980-09-25 | 1982-03-26 | Bosch Gmbh Robert | Installation pour le chargement de batteries d'accumulateurs |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5743526A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-11 | Seiko Instr & Electronics | Charge control circuit |
JPS6070935A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-22 | セイコーエプソン株式会社 | 太陽電池付電子機器のリミツタ−回路 |
JPS60106339A (ja) * | 1983-11-10 | 1985-06-11 | セイコーエプソン株式会社 | 太陽電池充電制御回路 |
GB2166306A (en) * | 1984-10-26 | 1986-04-30 | Aurora Mechatronics Corp | Solar-energised computer |
JPS61221530A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-10-01 | シャープ株式会社 | 電子装置 |
US4882239A (en) * | 1988-03-08 | 1989-11-21 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Light-rechargeable battery |
JP3291011B2 (ja) * | 1990-11-30 | 2002-06-10 | ナルデック株式会社 | 太陽電池を有する車両の電子デバイスのための保護装置 |
US5481177A (en) * | 1992-08-18 | 1996-01-02 | Hamley; James P. | Electronic charging system |
JP3368124B2 (ja) * | 1995-10-26 | 2003-01-20 | キヤノン株式会社 | 過充電防止回路 |
JP3088296B2 (ja) * | 1996-08-02 | 2000-09-18 | 松下電器産業株式会社 | 携帯電話装置 |
JP3628123B2 (ja) * | 1996-08-21 | 2005-03-09 | シチズン時計株式会社 | 充電式電子時計 |
DE19737286C2 (de) * | 1997-08-27 | 2000-05-31 | Webasto Karosseriesysteme | Solarmodul |
JP2007097330A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Kyocera Corp | 充電装置及び端末装置 |
FR2904127B1 (fr) * | 2006-07-19 | 2008-10-17 | Somfy Sas | Procede de fonctionnement d'un dispositif de capteur domotique autonome pour detecter l'existence et/ou mesurer l'intensite d'un phenomene physique |
JP2013074749A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Seiko Instruments Inc | 過充電防止回路及び半導体装置 |
EP3419170B1 (de) * | 2016-02-18 | 2021-01-13 | Rohm Co., Ltd. | Schutzsystem |
CN107332308A (zh) * | 2017-07-18 | 2017-11-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 充电转灯电路 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3531707A (en) * | 1967-11-28 | 1970-09-29 | Texas Instruments Inc | Battery charger and charge terminator |
DE2254618A1 (de) * | 1971-12-02 | 1973-06-07 | Rca Corp | Schaltungsanordnung zur referenzspannungserzeugung |
DE2213529B2 (de) * | 1971-03-26 | 1975-08-14 | Gates Rubber Co | Batterieladegerät |
US3979656A (en) * | 1973-12-25 | 1976-09-07 | Kabushiki Kaisha Suwa Seikosha | Battery charging circuit |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3447059A (en) * | 1966-10-25 | 1969-05-27 | Us Navy | Shunt charge current controller for sealed electrochemical cells with control electrodes |
US3549983A (en) * | 1968-06-18 | 1970-12-22 | Union Carbide Corp | High efficiency high power d.c. series type voltage regulator |
US3636378A (en) * | 1968-08-09 | 1972-01-18 | Hitachi Ltd | Series-shunt-type semiconductor switching circuit |
US3553562A (en) * | 1968-12-12 | 1971-01-05 | Woodbro Corp | Battery charging circuit |
JPS5026320B2 (de) * | 1972-03-30 | 1975-08-30 | ||
US3919618A (en) * | 1974-06-10 | 1975-11-11 | Gates Rubber Co | Hysteresis battery charger |
JPS5634073B2 (de) * | 1974-08-30 | 1981-08-07 |
-
1976
- 1976-10-05 JP JP11964176A patent/JPS5344845A/ja active Pending
-
1977
- 1977-10-01 DE DE2744349A patent/DE2744349C2/de not_active Expired
- 1977-10-03 GB GB40990/77A patent/GB1583904A/en not_active Expired
- 1977-10-05 CH CH1218177A patent/CH622924B/de unknown
- 1977-10-05 US US05/839,522 patent/US4266178A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-02-09 HK HK116/84A patent/HK11684A/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3531707A (en) * | 1967-11-28 | 1970-09-29 | Texas Instruments Inc | Battery charger and charge terminator |
DE2213529B2 (de) * | 1971-03-26 | 1975-08-14 | Gates Rubber Co | Batterieladegerät |
DE2254618A1 (de) * | 1971-12-02 | 1973-06-07 | Rca Corp | Schaltungsanordnung zur referenzspannungserzeugung |
US3979656A (en) * | 1973-12-25 | 1976-09-07 | Kabushiki Kaisha Suwa Seikosha | Battery charging circuit |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
DE-Z.: Elektronik 1975, H.12, S.75 * |
DE-Z.: Elektronik, 1975, H.6, S.71 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2490890A1 (fr) * | 1980-09-25 | 1982-03-26 | Bosch Gmbh Robert | Installation pour le chargement de batteries d'accumulateurs |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1583904A (en) | 1981-02-04 |
DE2744349C2 (de) | 1985-03-21 |
US4266178A (en) | 1981-05-05 |
CH622924GA3 (de) | 1981-05-15 |
JPS5344845A (en) | 1978-04-22 |
HK11684A (en) | 1984-02-17 |
CH622924B (de) |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2744349A1 (de) | Ladesteuerschaltung | |
DE69113399T2 (de) | Integrierte Ladungspumpenschaltung mit reduzierter Substratvorspannung. | |
DE69930168T2 (de) | Stromversorgungsvorrichtung, stromversorgungsverfahren, tragbares elektronisches gerät und elektronisches uhrwerk | |
DE2818085A1 (de) | Integrierte halbleiterschaltung | |
KR910007405B1 (ko) | 반도체집적회로 | |
DE4221575C2 (de) | Integrierter CMOS-Halbleiterschaltkreis und Datenverarbeitungssystem mit integriertem CMOS-Halbleiterschaltkreis | |
DE2643455C2 (de) | Elektronische Uhr mit einer Spannungswandlereinrichtung | |
DE69928496T2 (de) | Stromversrgungsgerät, stromversorgungsverfahren, tragbares elektronisches gerät und elektronische uhr | |
DE2906706A1 (de) | Speicherelement zum elektrisch wiederholt programmierbaren dauerhaften speichern | |
DE19900859B4 (de) | CMOS-Schaltung geringer Leistung | |
DE69903927T2 (de) | Integrierte schutzschaltung für eine lithium batterie | |
DE1952203B2 (de) | Elektronisch regulierter zeitmesser mit niedrigem energieverbrauch | |
DE69703525T2 (de) | Oszillatorschaltung und Elektronischer Schaltkreis, und Halbleiteranordnung, Uhrwerk, und elektronisches Gerät mit diesem Modul | |
DE2654311A1 (de) | Einrichtung zum aufladen einer batterie aus einer quelle elektrischer energie | |
DE3206507A1 (de) | Statischer direktzugriffspeicher | |
DE10123879A1 (de) | Substratpotential-Erfassungsschaltung und Substratpotential-Erzeugungsschaltung | |
DE2622307C2 (de) | Integrierte Halbleiterspeichervorrichtung | |
DE69728034T2 (de) | Electronisches gerät (insbesondere uhreneinheit) mit einer akkulatorladevorrichtung mit photovoltaischer zelle | |
DE3880802T2 (de) | Schwingungsschaltung. | |
DE2934641A1 (de) | Schaltungsanordnung zur steuerung der sperrvorspannung von halbleiterbauelementen | |
DE19502116C2 (de) | MOS-Schaltungsanordnung zum Schalten hoher Spannungen auf einem Halbleiterchip | |
DE2711523A1 (de) | Halbleiter-speichervorrichtung | |
DE2723190A1 (de) | Schaltung fuer elektronische uhr | |
DE3729926A1 (de) | Cmos-ausgangsstufe | |
DE2806183B2 (de) | Integrierte Schaltung für eine Uhr |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: KABUSHIKI KAISHA SUWA SEIKOSHA, SHINJUKU, TOKIO-TO |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition |