DE2744349A1 - Ladesteuerschaltung - Google Patents

Ladesteuerschaltung

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DE2744349A1 DE19772744349 DE2744349A DE2744349A1 DE 2744349 A1 DE2744349 A1 DE 2744349A1 DE 19772744349 DE19772744349 DE 19772744349 DE 2744349 A DE2744349 A DE 2744349A DE 2744349 A1 DE2744349 A1 DE 2744349A1
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Description

BLUMBACH · WEoCIR . BSiRGEN · KRAM ZWIRNER . HIRSCH BREHM
PATENTANWÄLTE IN MÜNCHEN UNP WIESBADEN
Patenlconsull Radeckestraße 43 8000 München 60 Telefon (089)883603/883604 Telex 05-212313 Telegramme Patentconsult Patenlconsull Sonnenberger Straße 43 6200 Wiesbaden Telefon (06121)562943/561998 Telex 04-186237 Telegramme Patentconsult
Kabushiki Kaisha Suwa Seikosha 77/8749
j5-4, 4-chome, Ginza, Chuo-ku
Tokyo, Japan
Ladesteuerschaltung
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München: R. Kramer Dlpl.-Ing. · W. Weser Dipl.-Phys. Dr. rer. nat. . P. Hirsch Dipl.-Ing. . H. P. Brehm Dipl.-Chem. Or. phil. net. Wiesbaden: P. G. Blumbach Oipl.-Ing. · P. Bergen Dipl.-Ing. Dr. jur. · G. Zwirner Dipl.-Ing. Dipl.-W.-Ing.
27U349
Beschreibung
Die Erfindung betrifft eine Aufladesteuerschaltung in einem elektronischen Gerät mit einer Sekundärbatterie als Energiequelle und einer Vorrichtung zum Aufladen der Sekundärbatterie.
Da übliche tragbare elektronische Geräte, wie elektronische Uhren, als Energiequelle nur auf eine kleine Abmessungen und geringe Kapazität aufweisende Batterie, beispielsweise eine Quecksilberoxidbatterie oder Silberoxidbatterie, zurückgreifen können und die Betriebslebensdauer einer solchen Batterie nur etwa zwei Jahre beträgt, muß in bestimmten periodischen Abständen ein Batteriewechsel vorgenommen werden.
Um diese Schwachstelle auszuschalten ist eine elektronische Uhr entwickelt worden, die eine Ladevorrichtung wie eine Sonnenbatterie aufweist, um die Sekundärbatterie aufzuladen, so daß die Uhr beliebig lange angetrieben werden kann. Da in Wirklichkeit Jedoch die Fähigkeit der Sekundärbatterie zur Speicherung elektrischer Energie schlecht ist, kann eine solche Uhr nicht benutzt werden.
Herkömmlicherweise wird eine knopfförmige, geschlossene Ni-
-Batterie
Cd / als kleine Sekundärbatterie verwendet. Ihre Spannung beträgt Jedoch nur 1,2 V im Vergleich zu 1,3 V der Quecksilber-
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oxidbatterle und 1,5 V der Silberoxidbatterie, und sie hat nur eine Stromkapazität von 20 mAh im Vergleich zu 200 mAh der Quecksilberoxidbatterie und 165 mAh der Silberoxidbatterie, wenn man Batterien mit den Abmessungen 11,6 mm Durchmesser χ 5,6 mm in Betracht zieht, und ferner zeigt sie im Vergleich zu anderen Batterien ein schlechtes Leckverhalten.
Die herkömmlicherweise als Primärbatterie verkaufte Silberoxidbatterie kann Jedoch praktisch als Sekundärbatterie verwendet werden, wenn geeignete Ladebedingungen ausgewählt werden. Wenn beispielsweise eine knopfförmige geschlossene Silberoxidbatterie aufgeladen wird, muß man mit der Gefahr des Auslaufens oder der Explosion rechnen; eine solche Gefahr kann man nur durch Steuern der Aufladespannung vermeiden. Wenn Gas in der Batterie entsteht, läuft Elektrolyt aus dem Batteriegehäuse aus oder kann die Batterie aufgebläht werden. Wenn die Sekundärbatterie jedoch aufgeladen wird, indem ihre Batteriespannung auf 1,8 V festgelegt wird, und wenn das Aufladen angehalten wird, wenn ihre Spannung über 1,8 V liegt, zeigt sich keine Gaserzeugung und ist die Ladekapazität stabil. Diese Wirkung kann man nicht nur bei einer Silberoxidbatterie erreichen, indem man die Sekundärbatteriespannung zur Ladungssteuerung bestimmt, d. h. die Aufladesteuerspannung, sondern auch bei einer Quecksilberoxidbatterie und einer Ni-Cd-Batterie.
Im Hinbliok darauf besteht die Aufgabe der Erfindung darin, eine Schaltung zur Steuerung der Aufladung verfügbar zu machen.
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Dabei ist es ein erstes Ziel, eine Aufladesteuerschaltung zu verwirklichen, mit welcher für die Sekundärbatterie eine Sicherheit geschaffen wird. Da die innere elektronische Schaltung in elektronischen Geräten, wie einer elektronischen Uhr oder einem elektronischen Rechner, auf einem Chip integriert ist, besteht der Wunsch, daß die Ladesteuerschaltung selbst mit der elektronischen Schaltung integriert wird, und. zwar im Hinblick auf eine Kostensenkung und eine Vereinfachung des Herstellungsvorgangs.
Ein zweites Ziel der Erfindung besteht darin, eine Ladesteuerschaltung verfügbar zu machen, die praktisch und einfach mit den herkömmlichen elektronischen Schaltungen integriert werden kann. In elektronischen Geräten wie einer elektronischen Uhr oder einem elektronischen Rechner, bei denen eine Flüssigkristallanzeige vorrichtung verwendet wird, hat man der Absenkung des Stromverbrauchs große Beachtung geschenkt, da die Stromkapazität der für eine solche elektronische Schaltung benutzten Batterie begrenzt ist, und auch dann, wenn eine Ladevorrichtung vorgesehen ist und die Ladesteuerschaltung Strom der Sekundärbatterie verbraucht, ist deren Wirkung nicht groß.
Deshalb verbraucht bei der vorliegenden Erfindung die Ladesteuerschaltung Strom aus der Ladevorrichtung, und sie wird entsprechend der Sekundärbatteriespannung gesteuert. Ferner
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gibt eine solche Konstruktion die Möglichkeit, die Ladesteuerschaltung immer zu betätigen und mehr Sicherheit zu erhalten.
Bei einem Schaltungsaufbau, der von einem großen Stromverbrauch der Sekundärbatterie begleitet wird, wird unter Verwendung sehr kurzer Impulse, wie einige msec, die Sekundärbatteriespannung festgestellt. Die Differenz zwischen der Sekundärbatteriespannung und ihrer Aufladesteuerspannung wird verglichen, und durch Verwendung eines langen Impulses, wie mehrere hundert msec, in der Umkehrzeit, wird das Ergebnis des Vergleichs gespeichert. Wenn in diesem Fall die Sekundärbatteriespannung unter der Ladesteuerspannung liegt, wird von der Ladeschaltung ein Strom an die Sekundärbatterie geliefert. Und wenn die Sekundärbatteriespannung über der Ladesteuerspannung liegt, da die Sekundärbatterie spannung zur Speicherzeit größer als die Ladesteuerspannung wird, selbst wenn die Sekundärbatteriespannung beim kurzen Impuls niedriger als die Ladesteuerspannung ist, wird die Sekundärbatterie weitgehend verbraucht. Dagegen kann bei der Ladesteuerschaltung, bei welcher der Stromverbrauch aus der Ladevorrichtung gedeckt wird, die erwähnte Gefahr vermieden werden, da die Steuerschaltung jederzeit wirksam ist.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsformen erläutert. In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 ein Blockschaltbild eines Beispiels einer erfindungsgemäßen Ladesteuerschaltung;
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Fig. 2 und 4 bis 8 AusfUhrungsformen der in Fig. 1 gezeigten Schaltung;
Fig. 3 eine Erläuterungsdarstellung eines C-MOS; und
Fig. 9 ein Blockschaltbild gemäß der in Fig. 8 gezeigten Ausführungsform.
In den Zeichnungen bedeuten
1 eine Sekundärbatterie
2 eine Detektorschaltung zum Feststellen der Sekundärbatteriespannung
3 eine Nebenschlußschaltung
4 eine Ladevorrichtung
5 eine Diode zur Vermeidung eines RUcklaufstroms
6 eine Sonnenbatterie
7, 9# 11* 18 und 21 P-Kanal-Transistoren
8 einen variablen Widerstand
10, 16, 17, 19, 22, 23 und 25 N-Kanal-Transistoren
12 ein N-leitendes Substrat
13 eine P-leitende Mulde
14 eine stark dotierte N-leitende Diffusionsschicht
15 eine stark dotierte P-leitende Diffusionsschicht
S und D Source und Drain von P-Kanal-Transistoren P P
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S und Dn Source und Drain von N-Kanal-Transistoren 20 einen Widerstand (Diffusion, polykristallines
Silicium)
2h einen NPN-Transistor
26 einen Schalterkreis.
Bei einer erfindungsgemäßen Ladesteuerschaltung, wie sie als Blockschaltbild in Pig. 1 gezeigt ist, wird die Spannung der Sekundärbatterie 1 über die einen Rücklaufstrom verhindernde Diode von der Spannungsdetektorschaltung 2, die parallel zur Ladevorrichtung 4 geschaltet ist, mit der Ladesteuerspannung verglichen, und die Nebenschlußschaltung 3 schließt aufgrund des Vergleichsergebnisses die Ladevorrichtung kurz, um den Ladestrom aufzunehmen. Die Schaltungen 2 und 3 bilden einen Spannungsregler.
Als AusfUhrungsbeispiel dieser in Pig. I gezeigten Blockschaltung ist Fig. 2 gezeigt, bei der als ladendes Element eine Sonnenbatterie und für die Schaltungselemente 2 und J5 MOS-Transistoren (Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate) verwendet werden.
Der Grund für die Verwendung von MOS-Transistoren bei dieser AusfUhrungsform ist der, daß bei vielen elektronischen Uhren oder elektronischen Rechnern mit Flüssigkristallanzeigevorrichtung eine integrierte MOS- oder C-MOS-Schaltung, bei der es sich um AUS-Logik handelt, verwendet wird.
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In der in Pig. 2 gezeigten Schaltung wird die Spannung der Sekundärbatterie 1 in den Spannungswert umgewandelt, den die Spannung auf der Minusseite der Standard-Sonnenbatterie 6 aufweist, und zwar durch den P-Kanal-Transistor 7» der als Spannungswertumsetzer verwendet wird, und den äußeren Widerstand 8 zur Bestimmung des Spannungswertes. Der P-Kanal-Transistor 9 und der N-Kanal-Transistor 10 bilden einen Komparator, der die Sekundärbatteriespannung mit der Ladesteuerspannung vergleicht, und das Ausgangssignal dieses Komparators beeinflußt den Nebenschlußtransistor 11. Der Stromverbrauch wird seitens der Sonnenbatterie gedeckt, da die aus den Transistoren 7» 9 j 10 und dem Widerstand 8 zusammengesetzte Spannungsdetektorschaltung auf der Seite der Sonnenbatterie gebildet und mit der Sekundärbatterie über die Rückstrom sperrende Diode 5 verbunden ist. Aus diesem Grund ist die Sekundärbatteriespannung auch nur die Gate-Eingangsgröße der P-Kanal-Transistoren 7 und 9· Bei der erfindungsgemäßen Schaltung, bei der die Sekundärbatteriespannung auf der Seite der Sonnenbatterie festgestellt wird, ist die Schwellenwertspannung der P-Kanal-Transistoren 7 und 9 so gewählt, daß deren Strom in dem Bereich, in welchem die Sekundärbatteriespannung niedriger als die Ladesteuerspannung ist, und in dem die Spannung der Sonnenbatterie höher als die Sekundärbatteriespannung ist, gesättigt sein kann. Wenn die Transistoren nicht im Sättigungsbereich betrieben werden, hängt der von den Transistoren 7 oder 9 zum Widerstand 8 oder zum Transistor
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10 fließende Strom stark von der Sonnenbatteriespannung ab, so daß die Aufladung nicht durch die Sekundärbatteriespannung gesteuert werden kann. Bei der vorliegenden Ladungssteuerschaltung wird ein N-leitendes Substrat für eine integrierte Schaltung verwendet, auf dem der Transistor gebildet ist. Bei einer auf einem N-leitenden Substrat gebildeten C-MOS-Schaltung gemäß Fig. J> ist der P-Kanal-Transistor unter Verwendung einer stark dotierten P-Diffusionszone 15 auf dem N-Substrat 12 als Source S und Drain N aufgebaut, und ein N-Kanal-Transistor ist unter Verwendung einer stark dotierten N-Diffusionszone 14 als Source S und Drain D auf der schwach dotierten P-leitenden Mulde IJ> gebildet. Deshalb kann der P-Kanal-Transistor auf dem N-Substrat das Substrat nicht auf ein anderes als das bestimmte Potential (Erdpotential in Fig. 2) bringen. Da Jedoch das Substrat des N-Kanal-Transistors durch die P-Mulde getrennt ist« kann frei bestimmt werden, daß sein Potential niedriger als das des N-Substrats liegt. Somit ist die rückstromvermeidende Diode 5 außen mit der Minusseite der Sekundärbatterie verbunden, wie es Fig. 2 zeigt, so daß die umgewandelte Spannung der Sekundärbatteriespannung, die durch den Transistor 8 und den Widerstand 8 gebildet wird, die Gate-Eingangsgröße des N-Kanal-Transistors 10 sein kann. In einem P-leitenden Substrat dagegen wird 16 anstelle von 7 verwendet; 9 anstelle von 17; 10 anstelle von 18; 11 anstelle von 19, wie es in Flg. 4 gezeigt ist, und die rückstromverhindernde Diode ist außen auf der Plusseite der Sekundärbatterie angeschlossen, und der Widerstand zur Bestimmung der Lade-
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Steuerspannung ist auf der Plusseite der Sonnenbatterie angeschlossen. Der Schwellenwertspannungspegel der P-Kanal-Transistoren 7 und 9 zumindest stellt die Sättigung dieser Transistoren sicher, wenn die Ubergangsspannung des aus den Transistoren 9 und 10 gebildeten Komparators etwa bei der Schwellenwertspannung des N-Kanal-Transistors liegt und die Spannung der Sekundärbatterie 1 die Ladesteuerspannung wird, und bis die Spannung am Außenwiderstand 8 gleich der Schwellenwertspannung des N-Kanal-Transistors wird. Mit anderen Worten, der Strom der Transistoren 7 und 9 muß gesättigt sein, wenn die Spannung der Sonnenbatterie höher als die der Sekundärbatterie und die Spannung der Sekundärbatterie niedriger oder gleich wenigstens der Ladesteuerspannung ist. Dies kann man erreichen, wenn die Schwellenwertspannung der Transistoren 7 und 9 immer höher als die des Transistors 10 ist.
In Fig. 4 ist die Schwellenwertspannung der Transistoren 16 und 17 höher als die des Transistors 18. Wenn 9 und 17 anstelle des Widerstands verwendet werden, so daß sie nicht gesättigt zu sein brauchen, ist es lediglich erforderlich, daß die Schwellenwertspannung von 7 und 16 höher ist als die von 10 bzw. l8.
Es wird nun die Arbeitsweise der erfindungsgemäßen Ladesteuerschaltung nach Pig. 2 erläutert. Wenn die Spannung der Sekundärbatterie 1 niedriger als die Ladesteuerspannung
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ist, ist der vom pegelwandelnden P-Kanal-Transistor 7 zum Widerstand 8 fließende Strom so klein, daß der Komparator-N-Kanal-Transistor 10 durch die Spannung am Widerstand nicht EIN geschaltet wird. Deshalb liegt der Komparatorausgang auf Erdpotential und ist der Nebenschluß-P-Kanal-Transistor AUS und lädt die Sonnenbatterie 6 die Sekundärbatterie. Wenn dagegen die Spannung der Sekundärbatterie 1 höher als die Ladesteuerspannung ist, gelangt, da ein großer Strom von 7 nach 8 fließt und der Transistor 10 durch die Spannung am Widerstand EIN ist, der Komparatorausgang auf das Sonnenbatterie-Minuspotential, 11 ist EIN und absorbiert den Ladestrom, so daß die Sekundärbatterie 1 nicht mehr geladen wird. Der Nebenschlußtransistor 11 muß natürlich so ausgelegt sein, daß er den Ladestrom von 6 oder einen größeren Strom absorbieren kann.
Als gegenüber Fig. 2 abgewandelte Ladungssteuerschaltungen sind folgende Schaltungen möglich: eine in Fig. 5 gezeigte Schaltung, bei der anstelle des Transistors 9 ein Widerstand 20 vorgesehen ist, bei dem es sich um einen Widerstand aus polykristallinem Silicium oder um einen diffundierten Widerstand handelt, der monolithisch in der integrierten Schaltung untergebracht ist; eine in Fig. 6 gezeigte Schaltung, bei der die Polaritäten der Komparatortransistoren 9 und 10 den Polaritäten von Invertertransistoren 21 bzw. 22 entsprechen und 23 ein Nebenschlußtransistor ist; eine in Fig. 7 gezeigte Schaltung, bei der anstelle des in Fig.6 gezeigten N-Kanal-Transistors 23^ g U , q 3 g j
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ORIGINAL INSPECTED
NPN-Transistör 24 benutzt wird, der mit dem Herstellungsprozeß fUr den MOS-Teil hergestellt worden ist; eine in Fig. 8 gezeigte Schaltung, die nicht einen Nebenschlußtransistor sondern einen Schaltertransistor 25 anstelle des in Fig. 2 gezeigten Transistors 11 benutzt, und dieser Schaltertransistor ist in Reihenschaltung zwischen die Ladevorrichtung und die Sekundärbatterie eingefügt. Die in Fig. 8 gezeigte Schaltung erhält man durch Umwandeln der in Fig. 1 gezeigten Schaltung in eine in Pig· 9 gezeigte Schaltung, bei der ein Schalterkreis 26 anstelle der Nebenschlußschaltung J> benutzt wird. Zudem ist es möglich, die in Fig. 4 gezeigte Schaltung in die in Fig. 9 gezeigte Schaltung abzuwandeln, genauso wie es möglich ist, die in Fig. 2 gezeigte Schaltung in eine in Fig. 3 gezeigte Form umzusetzen.
Die vorausgehende Erläuterung betrifft die Anwendung der erfindungsgemäßen Ladesteuerschaltung für MOS-Transistoren. Auf der Basis der in den Fig. 1 und 9 gezeigten Grundblockschaltungen kann die erfindungsgemäße Ladesteuerschaltung auch mit denselben Abwandlungen für Bipolar-Transistorschal tungen angewendet werden.
Die erfindungsgemäße Aufladungsschaltung kann nicht nur im Zusammenhang mit einer Sonnenbatterie verwendet werden, sondern auch im Zusammenhang mit einer Aufladevorrichtung, wie eine, bei der eine Induktionsmethode zur Anwendung kommt.
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Öle Erfindung läßt sich wirksam einsetzen bei elektronischen Uhren und elektronischen Rechnern oder dergleichen, die Teiler-, Oszillator- und Treibschaltungen und eine Sonnenbatterie aufweisen.
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Claims (1)

  1. 27U349
    Patentansprüche
    ( 1. Ladesteuerschaltung zur Steuerung der Aufladung einer
    Sekundärbatterie auf der Basis der Sekundärbatteriespannung, dadurch gekennzeichnet, daß der zum Betreiben
    der Ladesteuerschaltung erforderliche Strom von einer
    Ladevorrichtung (4) stammt.
    2. Ladesteuerschaltung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Spannungsdetektorschaltung (2) zur Ermittlung der
    Sekundärbatteriespannung und eine Ladestromabsorbierschal tung
    J>. Ladesteuerschaltung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Spannungsdetektorschaltung (2) zur Ermittlung der Sekundärbatteriespannung und. eine Ladestrom-Unterbrechungsschaltung (26).
    4. Ladesteuerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet, daß deren aktive Elemente alle durch Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate gebildet sind.
    5. Ladesteuerschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Bipolar-Transistor (24) für die Ladestromabsorbierschaltung eingesetzt ist, der beim gleichen Herstel-
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    lungsvorgang hergestellt worden 1st, der zur Herstellung komplementär verbundener Feldeffekttransistoren mit Isoliertem Gate angewendet worden 1st.
    6. Ladesteuerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, da3 ein Anschluß der Sekundärbatterie (l) nur an das Gate eines Feldeffekttransistors mit isoliertem Gate angeschlossen ist.
    7. Ladesteuerschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens einer der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, dessen Gate mit einem Anschluß der Sekundärbatterie (l) verbunden ist, wenigstens dann, wenn die Sekundärbatteriespannung niedriger als die Ladesteuerspannung und die Spannung über der Ladevorrichtung (4) größer als die Sekundärbatteriespannung ist, im Stromsättigungsbereich betrieben wird.
    8. Ladesteuerschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Minuspol der Sekundärbatterie (Ϊ) mit dem Gate eines P-Kanal-Transistors (7) verbunden ist, wenn das Substrat, auf dem der Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate gebildet ist, N-Leitfähigkeit aufweist, und daß der Pluspol der Sekundärbatterie (1) an das Gate eines N-Kanal-Transistors (16) angeschlossen ist, wenn das Substrat, auf dem der Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate gebildet ist, P-Leitfähigkeit aufweist.
    6098U/0891 -3-
    9. Ladesteuerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine Diode (5) zur Unterbindung eines RücklaufStroms vorgesehen ist, die zwischen die negativen Anschlüsse von Sekundärbatterie und Ladeschaltung geschaltet ist, wenn das Substrat für den Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate N-Leitfähigkeit aufweist, und die zwischen den positiven Anschluß von Sekundärbatterie und Ladevorrichtung geschaltet ist, wenn das Substrat für den Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate P-Leitfähigkeit aufweist.
    10. Ladesteuerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine integrierte Schaltung vorgesehen ist, bei der die Schwellenwertspannung des P-Kanal-Translstors höher als die des N-Kanal-Transistors ist, wenn das Substrat für den Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate N-leitend ist, und bei dem die Schwellenwertspannung des N-Kanal-Transistors höher als die des P-Kanal-Transistors ist, wenn das Substrat P-leitend ist.
    11. Ladesteuerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5* bei welcher der Transistor vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat des N-Kanal-Transistors mit der Minusseite der Ladevorrichtung verbunden ist, wenn das Substrat für den Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate N-leitend
    - 4 -8098H/0881
    ist, und daß das Substrat des P-Kanal-Transistors mit der Plusseite der Ladevorrichtung verbunden ist, wenn das Substrat für den Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate P-leitend ist.
    12. Ladesteuerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß als Ladevorrichtung (4) eine Sonnenbatterie (6) vorgesehen ist.
    15. Ladesteuerschaltung zum Steuern einer Aufladung aus einer Sonnenbatterie, dadurch gekennzeichnet, daß sie monolithisch mit einer integrierten MOS-Schaltung vereint ist, die Teiler-, Oszillator- und Treiber-Funktionen für eine Uhr oder einen Tischrechner aufweist.
    14. Elektronischer Rechner mit einer Ladevorrichtung, einer Sekundärbatterie und einer Ladesteuerschaltung, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladesteuerschaltung die Aufladung der Sekundärbatterie auf der Basis der Sekundärbatteriespannung steuert und daß der zum Betreiben der Ladesteuerschaltung erforderliche Strom von der Ladevorrichtung stammt.
    15. Elektronische Uhr mit einer Ladevorrichtung, einer Sekundärbatterie und einer Ladesteuerschaltung, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladesteuerschaltung die Aufladung der Sekundärbatterie auf der Basis der Sekundärbatterie-
    8098U/0891 ~5~
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    spannung steuert und daß der zum Betreiben der Ladesteuerschaltung erforderliche Strom von der Ladevorrichtung stammt.
    - 6 -8098U/0891
DE2744349A 1976-10-05 1977-10-01 Schaltungsanordnung zur Steuerung der Aufladung einer Sekundär-Batterie Expired DE2744349C2 (de)

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