DE2735222A1 - Verfahren und vorrichtung zur messung des aethylalkoholgehaltes von luft - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zur messung des aethylalkoholgehaltes von luft

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DE2735222A1 DE19772735222 DE2735222A DE2735222A1 DE 2735222 A1 DE2735222 A1 DE 2735222A1 DE 19772735222 DE19772735222 DE 19772735222 DE 2735222 A DE2735222 A DE 2735222A DE 2735222 A1 DE2735222 A1 DE 2735222A1
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Description

  • Verfahren und Vorrichtung zur Messung des Äthylalkoholgehaltes
  • von Luft.
  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Messung des Athylalkoholgehaltes von Luft, insbesondere von Atemluft, und eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.
  • Die Messung des Alkoholgehaltes von Atemluft erfolgt derzeit insbesondere im Polizeieinsatz mit "Drägerröhrchenn, bei denen die Gegenwart von Athylalkohol durch einen Farbumschlag von Dichromatschwefelsäure von gelb nach grün angezeigt wird, wenn die Luft über kleine Kügelchen aus diesem Material streicht.
  • Dieses Meßprinzip hat große Nachteile, da einmal der Farbumschlag erst ab einem minimalen Alkoholgehalt von etwa 100 ppm auftritt. Weiterhin bleibt die Verfärbungsgrenze nicht stabil, so daß keine unmittelbare Registrierung der Messung erfolgen kann. Weiterhin kann Jedes PrUfröhrchen nur einmal verwendet werden, so daß der Materialaufwand und damit die Kosten hoch sind.
  • Als Systeme für quantitative Messungen ist der Breatherlyzer (Med.Sci.Law 2, 1961, Seite 13 ff.) bekannt, bei dem ebenfalls die Reaktion von Dichromatschwefelsäure ausgenutzt wird, und bei dem der Farbumschlag fotometrisch ausgemessen wird. Ein weiteres System für quantitative Messungen ist das "Alcolyzer-Intoximeter" (Blutalkohol, Bd.9, 1t372, Seite 392 ff.), bei dem der Alkoholgehalt durch Gaschromatografie bestimmt wird. Die Kosten für diese Geräte sind ebenfalls hoch.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren sowie eine Vorrichtung zur DurchfUhrung dieses Verfahrens anzugeben, bei dem die Bestimmung des Alkoholgehaltes durch die Messung einer elektrischen Größe erfolgt und das somit für eine genaue Anzeige und eine Registrierung geeignet ist.
  • Diese Aufgabe wird bei einem wie im Oberbegriff des Patentanspruches 1 angegebenen Verfahren erfindungsgemäß nach der im kennzeichnenden Teil des Patentanspruches 1 angegebenen Weise gelöst.
  • Gemäß der Erfindung wird vorgesehen, für den Nachweis von Alkohol einen Halbleiter-Gassensor zu verwenden. Derartige Halbleiter-Gassensoren sind an sich bekannt, beispielsweise aus "Analyt. Chem." 38, 1966, Seite 1069 ff., aus der US-Patentschrift 3 903 543 sowie aus der DT-OS 2 407 110. Bevorzugt erfolgt die Messung des Alkoholgehaltes durch Messung der Anderung des elektrischen Widerstandes einer dünnen Schicht eines Oxidhalbleiters, insbesondere einer Schicht aus SnO2, die bei Einwirken des Alkohols auf die Oberfläche dieser Halbleiterschicht auftritt. Grundsätzlich kommen Jedoch auch andere nalbleiter-Gassensoren in Frage, z.B. der "Adsorptionsfeldeffekttransistor" (vergl. US-Patentschrift 3 903 543 sowie die deutsche Offenlegungsschrift 2 407 110), wenn bei derartigen Halbleitersensoren für die den Feldeffekt hervorrufende Adsorptionsschicht ein Oxidhalbleiter, insbesondere SnO2, vorgesehen wird.
  • Gemäß der Erfindung wird bevorzugt als Sensorelement eine dünne Schicht aus SnO2 verwendet, die sich auf einem thermisch gut leitenden, elektrisch isolierenden Träger befindet. Zum Nachweis von Alkohol in der Luft wird die Widerstandsänderung die ser dünnen Schicht festgestellt. Der von der Erfindung vorgesehene Halbleitersensor befindet sich in einer meßkammer, die mit einem Einlaßventil und einem Auslaßventil sowie mit einer Pumpe zum Spülen des Kammervolumens versehen ist. Während der Messung wird gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens der Träger, auf dem sich die Halbleiterschicht aus SnO2 befindet, auf erhöhter Temperatur gehalten, damit eine ausreichende Regeneration der Oberfläche der SnO2-Schicht stattfinden kann. Die Messung des Widerstandes der Halbleiterschicht erfolgt vorzugsweise mit Wechselstrom, da eine Gleichstrommessung durch das Auftreten von Polarisationspotentialen an den Grenzflächen verfälscht werden kann. Da bei höheren Frequenzen, etwa ab 400 Hz, die Leitfähigkeit und damit der Grundstrom der Halbleiterschicht stark ansteigt, wird die Widerstandsmessung der Halbleiterschicht bevorzugt bei niedrigen Frequenzen ausgeführt. Damit die Messung nicht durch Interferenzen, die von der Netzfrequenz, ganzzahligen Vielfachen der Netzfrequenz oder auch mit einfachen Teilen der Netzfrequenz mit der Meßfrequenz auftreten können, verfälscht wird und damit keine Instabilität der Anzeige auftritt, wird als Meßfrequenz ein weder ganz- noch halbsahliges Vielfaches der Netzfrequenz, beispielsweise eine Frequenz von 35 Hz, für die Meß'frequenz gewählt.
  • Im folgenden wird die Erfindung beschrieben und anhand der in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert.
  • Fig.1 zeigt eine schematische Darstellung der zur Messung verwendeten Vorrichtung, Fig.2 zeigt schematisch die zur Messung des Widerstandes des Halbleitersensors verwendete Schaltung, Fig.3 zeigt schematisch die Schaltung, mit der der Halbleitersensor beheizt wird, Fig.4 zeigt ein Schaltbild für einen die Meßfrequenz erzeugenden Generator, Fig.5 zeigt die Schaltung des Meßkreises, mit dem der Widerstand der Halbleiterschicht bestimmt wird, Fig.6 zeigt für ein Ausführungsbeispiel die Abhängigkeit des Widerstandes der Halbleiterschicht von dem Alkoholgehalt der in der Meßkammer befindlichen Luft, Fig.7 zeigt für ein Ausführungsbeispiel die Abhängigkeit des Widerstandes der Halbleiterschicht von der zur Erwärmung des Sensors aufgewendeten Heizleistung W.
  • In Fig.1 ist die verwendete Apparatur schematisch dargestellt.
  • Sie besteht aus einer Meßkammer 1, die mit einem Einlaßventil 2 und einem Auslaßventil 3 versehen ist. Diese Ventile sind beispielsweise Kugelventile, die bei einem Oberdruck von etwa 10 cm Wassersäule öffnen. An die Meßkammer 1 ist weiter eine Pumpe 4 angeschlossen, beispielsweise eine Membranvakuum-Pumpe, mit der die Meßkammer 1 gespült werden kann. Das Volumen der Meßkammer 1 beträgt etwa 1/2 1. In der Meßkammer befindet sich der Halbleitersensor 5. Dieser Sensor besteht aus einem Keramikröhrchen 6, insbesondere einem Al203-Röhrchen, das beispielsweise einen Außendurchmesser von 2 mm, einen Innendurchmesser von 1 mm und eine Länge von 1 cm besitzt. Auf der Außenseite dieses Keramikröhrchens ist eine SnO2-Schicht 7 mit einer Dicke von etwa 0,2/um abgeschieden. Diese SnO2-Halbleiterschicht ist an beiden Enden mit einer Platinschicht 8 zum Zweck der Kontaktierung versehen.
  • Durch das Innere des geramikröhrchens führt eine Heizwendel 9, beispielsweise aus CrNi-Draht. Die kontaktierte Halbleiterschicht hat bei einer Temperatur von beispielsweise 3000 einen Widerstand von etwa 100 Mg so daß bei Anlegen einer Spannung von 1 Volt ein Grundstrom von etwa 10 nA fließt. Wird im Innern der Meßkammer die Alkoholkonzentration auf etwa 100 ppm eingestellt, so vermindert sich der elektrische Widerstand der Halbleitersehicht aus SnO2 auf35 des ursprünglichen Wertes, so daß also der Strom durch die dünne SnO2-Schicht hindurch auf das 30ig-fache des Grundstromes ansteigt. Diese Stromerhöhung ist ein Maß für den an der Sensoroberfläche vorherrshenden Alkoholpartialdruck in der Meßkammer. Die Schicht aus SnO2 ist beispielsweise mit Zn mit einer Konzentration von 102cm 3 dotiert.
  • Die Fig.6 zeigt die Abhängigkeit des Stromverhältnisses r (mit 0 I = Maximalwert des Stromes 10 = Grundwert des Stromes), also die relative Anderung des Widerstandswertes der SnO2-Schicht in Abhängigkeit vom Alkoholpartialdruck P für einen Sensor mit einer Zn-dotierten, amorphen dünnen Schicht aus Sn02. Näherungsweise gilt für diesen Sensor die Gleichung Bei sehr hohen Konzentrationen, ab etwa 500 ppm, können Sättigungserscheinungen auftreten. Zur Messung des Widerstandes der SnO2-Schicht wird der in der Fig.5 dargestellte Meßkreis verwendet. Die zur Messung verwendete Stromquelle 51 hat eine Frequenz von etwa 35 Hz. Eine Schaltung für einen entsprechend ausgebildeten Oszillator zeigt die Fig.4. Dieser Oszillator liefert am Ausgang A einen Wechselstrom mit einer Frequenz von etwa 35 Hz. Die Heizung des Sensors mit Hilfe der Heisspirale aus einem CrNi-Draht 9 (Fig.1) erfolgt vorzugsweise mit Gleichstrom, damit keine Störfelder vorliegen, die in der sehr hochohmigen SnO2-Schicht eine Induktion und damit Störspannungen hervorrufen können. Die Einstellung des Heizstromes erfolgt beispielsweise mittels eines regelbaren, in den Stromkreis geschalteten Serienwiderstandes (11).
  • Der eigentliche Meßkreis zur Bestimmung des Widerstandes der SnO2-Schicht enthält eine niederfrequente Sinusspannungsquelle 51, beispielsweise einen RC-Oszillator. Als Schwingkreis wird eine verstimmte Wien-Robinson-FilterbrUcke verwendet (Fig.4).
  • Das Ausgangssignal wird mit einem Operationsverstärker 41 verstärke. Zur Amplitudenstabilisierung dient ein gesteuerter Widerstand, z.B. ein Feldeffekttransistor 42, der in Serie mit einem der Widerstände der Wien-Robinson-Brücke geschaltet ist.
  • Damit dieser Feldeffekttransistor 42 präzise angesteuert werden kann, wird das Ausgangssignal des Operationsverstärkers gleichgerichtet und einem Regelverstärker 43 zugeführt, der als PID-Regler geschaltet ist. Als Referenzspannung wird eine Spannungsquelle mit gegengekoppeltem Umkehrverstärker 44 verwendet, der selbst wieder eine Referenzspannung benötigt. Diese Referenzspannung wird mit nilfe von Zenerdioden 45 hergestellt. Das Regelsignal am Ausgang des PID-Reglers wird dem Gate des Feldeffekttransistors 42 zugeführt. Die Frequenz und die Symmetrie der Ausgangsspannung des Ossillators können mittels der RC- und C-Werte der Wien-Robinson-Brücke eingestellt werden.
  • Der Oszillator 51 (Fig.5) wird mit einem Potentiometer 52 abgeschlossen, dessen Widerstandswert klein gegen den Sensorwiderstand ist. Damit wird verhindert, daß sich Änderungen des Sensorwiderstandes auf die Amplitude des Oszillators auswirken können. Die gewünschte Oszillatorspannung wird am Potentiometer 52 abgegriffen und an den in Serie zu einem Widerstand 50 liegenden Sensor 5 gelegt. Der Spannungsabfall am Serienwiderstand wird einem Präzisions-Niederfrequenz-Verstärker 53, beispielsweise einem Elektrometerverstärker, zugeführt. Der Verstärkungsfaktor wird beispielsweise zu 500 gewählt. Das verstärkte Signal wird einem Präzisions-Vollweg-Gleichrichter 54 zugeleitet. Zur Umschaltung des Meßbereiches können beispielsweise zu dem Anzeigeinstrument 55 Nebenwiderstände 56 zu- bzw. weggeschaltet werden. Diese Möglichkeit wird bevorzugt angewendet, da das Anzeigeinstrument 55 durch diese Nebenwiderstände zusätzlich gedämpft wird.
  • Zur Messung wird die Meßkammer 1 zunächst mittels der Pumpe huber das Einlaßventil 2 mit Frischluft gespült. Der Nullwert des Sensors 5 wird eingestellt. Nach Abschalten der Pumpe 4 wird die Atemluft Uber das Einlaßventil 2 in die Meßkammer 1 eingeblasen. Mit dem Einlaßventil 2 kann der Störmungswiderstand, gegen den das Einblasen der Atemluft erfolgen muß, eingestellt werden. Ein solcher Strömungswiderstand ist notwendig, damit nicht nur die in der Mundhöhle befindliche Atemluft, sondern auch Luft aus der Lunge eingeblasen wird. Bei Erreichen des vorgesehenen Uberdruckes in der Meßkammer 1 öffnet sich das Auslaßventil 3, damit die vorher in der Meßkammer vorhandene Luft durch die neu nachgeführte Atemluft ersetzt werden kann.
  • Läßt der Druck der eingeblasenen Luft nach, so schließen die beiden Ventile. Nach dem Schließen der Ventile befindet sich der Sensor 5 in einem stationären Luft-Alkohol-Dampfgemisch und zeigt die Alkoholkonzentration an. Nach Ablesen des Me3wertes wird die Pumpe 4 eingeschaltet, die Frischluft durch die Meßksmmer saugt und damit die Regeneration des Sensorausgangszustandes herbeiführt. Naeh der Regeneration kann die nächste Messung erfolgen.
  • 12 Patentansprüche 7 Figuren

Claims (12)

  1. Patentansprüche 9 erfahren zur Messung des Äthylalkoholgehaltes von Luft, insbesondere von Atemluft, dadurch g e k e n n z e i c h n e t daß die Messung mit einem Haibleiter-Gassensor (5) durchgeführt wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e k e n n z e i c h -n e t , daß als Sensor eine auf einem isolierenden Träger (6) aufgebrachte Schicht(7) aus oxidischem Halbleitermaterial verwendet wird, und daß der elektrische Widerstand dieser Schicht bestimmt wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch g e k e n n z e i c h -n e t , daß als Schicht (7) aus oxidischem Halbleitermaterial eine Schicht aus SnO2 verwendet wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch g e k e n n z e i c h -n e t , daß die Schicht (7) aus SnO2 auf eine Temperatur oberhalb von 2000C, insbesondere bei etwa 3000C, gehalten wird.
  5. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t , daß die Luft in eine mit einem Einlaßventil (2) und einem Auslaßventil (3) versehene Meßkammer (1) geleitet wird, in welcher sich der Halbleitersensor (5) befindet.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch g e k e n n z e i c h -n e t , daß die Meßkammer (1) vor Beginn der Messung mit Hilfe einer Pumpe (4) ausgepumpt und mit alkoholfreier Frischluft gefüllt wird.
  7. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t , daß der Widerstand der Schicht (7) aus oxidischem Halbleitermaterial mit Wechselstrom bestimmt wird.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch g e k e n n z e i c h -n e t , daß zur Messung des Widerstandes eine Wechselstromquelle mit einer Frequenz verwendet wird, die weder ein nnoch ein -faches von 50 Hz beträgt, wobei n eine ganze Zahl ist.
  9. 9. Vorrichtung zur Durchführung eines Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 8, g e k e n n z e i c h n e t durch eine mit einem Einlaßventil (2) und einem Auslaßventil (3) und einer Pumpe (4) versehenen MeBkammer (1), einem in der Meßkammer (1) befindlichen Halbleitersensor (5), weiter g e k e n n z e i chn e t durch Mittel (9) zur Beheizung dieses Halbleitersensors (5) und durch Mittel (51, 55) zur Messung des elektrischen Widerstandes dieses Sensors.
  10. 10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch g e k e n n z e i c h -n e t , daß der Halbleitersensor (5) aus einer auf einem isolierenden Träger (6) aufgebrachten Schicht (7) aus SnO2 besteht.
  11. 11.Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch g e k e n n z e i c h -n e t , daß die Dicke der SnO2-Schicht 0,2/um beträgt.
  12. 12.Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9, 10 oder 11, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß als Mittel zur Messung des elektrischen Widerstandes des Sensors eine Wechselstromquelle (55) und ein Wechselstromnetzwerk vorgesehen sind.
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