DE2717593C3 - Anordnung zum Unterdrücken von HF-Strömen in Lagern von Wellen - Google Patents
Anordnung zum Unterdrücken von HF-Strömen in Lagern von WellenInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung zum Unterdrücken von HF-Strömen in Lagern von Wellen
bei Dchandlungscirrichtungcn mit lietriebsfreqiien/en
oberhalb von IO kHz.
Fs ist bekannt, /Jr Vermeidung von Rundfunk und
Fernsehstöningen die Lager der Wellen durch Schleif kontakte kurzzuschließen (vgl. z.B. DE-PS 9 4b bib).
Ferner ist bei elektrischen deich- und Wechselstrominaschinen
bekannt, schädliche Lagerströme durch isolierten Aufbau des Lagers zu vermeiden (vgl. z. B.
ι DE-AS 1161992). Die bekannten Anordnungen sind
jedoch für Hochfrequenzströme über 1OkHz unwirksam, da infolge der geometrischen Abmessurgen der
Isolationsaufbau des Lagers, insbesondere bei größeren Wellendurchmessern von 20 mm an aufwärts eine
ίο Kapazität ergibt, die nicht genügend hochohmig zur
Kapazität des Lagers ist. Dadurch entsteht infolge der kapazitiven Spannungsnufteilung eine unzu'ässig hohe
Lagerspannung. Es hat sich gezeigt, daß die Lagerspannung etwa 0,7 Volt nicht überschreiten darf, da sonst ein
Fritten im Lager auftritt, das zu einer elektroerosiven Zerstörung des Lagers führt. Ferner ist es sowohl aus
Funkentstörungsgrundsätzen als auch aus Isolationsgründen notwendig, die Wellenenden von rotierenden
Teilen in hochfrequenzführenden Einrichtungen mögiichs; auf Erd- bzw. Massepotentiai zu bringen.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht darin, die Wellenenden auf ein massenahes Potential zu
bringen und schädliche Lagerströme auf einfache Weise auf ein erträgliches Maß herabzusetzen bzw. ganz zu
vermeiden. Erfindungsgemäß wird üies bei einer Anordnung der eingangs genannten Art durch die im
kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 aufgezeigten Maßnahmen erreicht. Durch dieses besonders
gestaltete ,τ-Filter wird ein massenahes Potential erzielt
jo und außerdem die Flochfrequenzsiröme vom Lager
weggeleitet.
Der nieduohmige Widerstand des .t-Vierpols wird
dabei in vorteilhafter Weise als Schleifkontakt ausgebildet und als hochohmiger Widerstand ein Kondensator
oder die Parallelschaltung eines auf die Betriebsfrequenz abgestimmten Parallclresonanzkreises verwendet.
Zur weiteren Verringerung der Lagerströme kann es ferner noch vorteilhaft iein, ui, ekt parallel zur
Lagei kapazität einen weiteren Schleifkontakt vorzuse-
•40 hen.
Zur Überprüfung und Überwachung der Funktionssicherheit des Vierpols kann vorteilhafterweise die
Spannung an der Reihenschaltung von hochohmigem Widerstand und Lagerkapazität überwacht und zur
4r) Auslösung von Warnsignalen herangezogen werden.
Anhand einer Zeichnung sei die Erfindung näher erläutert; es zeigt
Fig. I ein elektrisches Ersatzschaltbild der Hochfrequenz-nordnung
und
F i g. 2 eine konstruktive Gestaltung einer Lagerung ci.ier Welle bei einem Hochfrequenzgerät.
Bei dem in F i g. I gezeigten elektrischen Ersatzschaltbild ist mti 21 die Hochspannungsquelle bezeichnet,
die Spannungen in der Welle induziert. Die
ν-, Frequenz dieser Spannungen möge beispielsweise bei
JO MHz liegen. Mit 22 ist der innere Widerstand dieser Spannungsqucllc bezeichnet. Bei einer normalen Lagerung
wäre noch die Lagerkapazität 26 vorhanden, über clic dünn der ilochfrcqiicnzstrom /um Gehäuse
ho abfließen würde. Zur Verhinderung dieses Vorganges
und zur möglichst massenahen Potentialführung der Welle wird die l.agerkapazität 26 im Rahmen eines
elektrischen ,τ-Vierpols 28 angeordnet. Dieser ;r-Vierpol
hai eingangsseitig einen Qucr/wcig mit einem im
ιλ Verhältnis /um l.agei-widerstand sehr niuderohmigen
Widerstand 2 J. Im Längszweig liegt ein rclaliv
hohohmiger Widerstand 24, der /. B. auch als Kondensator
ausgebildet sein kann und zumindest den induktiven
Widerstund Urs Welle umlalil. Im nächsten (,iuerzweig,
in dem die Lagerkapa/ilat 2b liegt, ist zusätzlich in Reihe
zu der den Lagerwiderstand bestimmenden Lagerkapaziiäi
noch ein verhältnismäßig hochohmiger Widerstand 27 vorgesehen. Ferner ist parallel zur Lagerkapazitäi
26 noch ein weiterer, im Verhältnis zum Lagerwiderstand niederohmiger Widerstand 25 angeordnet.
Als niederohmiger Widerstand 23 kann z. B. ein an der Welle schleifender Schleifkontakt 30, ein Kondensator
32 oder ein Schleifkontakt 30 in Reihe mit einem Serienresonanzkreis 31 benutzt werden. Als Reihenwiderstand
27 kann entweder ein im Verhältnis zur Lagerkapazität 26 relativ kleiner Kondensator 35 oder
ein auf die Betriebsfrequenz abgestimmter Parallelre- \-,
sonanzkreis in Form von Kondensator 34 und Induktivität 33 benutzt werden. Als niederohmiger
Widerstand 25 parallel zur Lagerkapazität 26 wird mit Vorteil ebenfalls ein Schleifkontakt 36 verwendet. Die
hier geschilderte Anordnung hat die Eigen;·"haft, das
Potential nach dem Widerstand 22 weitgehend abzusenken und die gegebenenfalls noch verbleibenden
Restströrne bzw. Restspannungen weitgehend vom Lager fernzuhalten.
Die Spannung am Spannungsteiler zwischen Lagerkapazität 26 und hochohmigem Widerstand 27 kann zur
Überwachung des Vierpols auf Funktionsfähigkeit herangezogen werden, und zwar in der Weise, daß die
hier vorherrschende Hochfrequenzspannung mittels der Diode 40 gleichgerichtet und als Meßsignal einer J(|
Überwachungsanordnung 41 zur Verfügung gestellt wird
F i g. 2 zeigt die konstruktive Realisierung des Ersatzschaltbildes. Eine durch die Gehäusewand 1 eines
Hochfrequen/.behandlungsraumes geführte Welle 2 ist außerhalb des HF-Raumes in einem Lager 4 gelagert.
Dieser Teil entspricht der Spannungsquelle 21, dem Innenwiderstand 22, ggf. dem Längswiderstand 24 und
der Lagerkapazität 26. Als niederohmiger Widerstand 23 im Sinne des in F i g. 1 gezeigten Vierpols 28 dient ein
Schleifkontakt 10, der mittels Druckfedern 12 und Haltearm 11 am Gehäuse 1 befestigt ist.
Das Lager 4 ist von einem Lagergehäuse 3 umgeben, das auf einer Tragplatte 14 befestigt ist. Diese
Tragplatte 14 ruht auf einer Isolierplatte 5 und ist über Bolzen 7, Isolierscheiben 6 und Muttern 8 isoliert
befestigt. In Analogie zum elektrischen Ersatzschaltbild entspricht dabei die Isolierplatte 5 dem Kondensator 35
bzw. dem Kondensator 34 des Parallclschwingkreises.
falls in der Isolierstoffplatte 5 --och Bohrungen
vorgesehen sind, in denen eine abstimmbare Induktivitat
13 untergebracht ist. Diese Induktivität 13 in der Isolierplatte 5 entspricht der Induktivität 33 im
Ersatzschaltbild nach F i g. 1.
Der zur Lagerkapazität 26 parailelgeschaltete Widerstand i5 aus Fig I ist in F i g. 2 durch den
Schleifkontakt 61 und die Druckfeder 62 dargestellt, wobei der Schleifkontakt auf der Welle 2 schleift und die
Druckfeder mit dem Lagergehäuse Z elektrisch leitend
verbunden ist.
Dies·.1 hier beschriebene Anordnung hat die Eigenschaft,
die Welle auf ein gehäuser ühes Potential /u
bringen und den Fluß von Lagerstro ien über das Lager
4 zu verhindern.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (10)
1. Anordnung zum Unterdrücken von HF-Strömen in Lagern von Wellen bei Behandlungseinrichtungen
mit Betriebsfrequenz oberhalb von 1OkHz,
dadurch gekennzeichnet, daß zum sich ergebenden kapazitiven Lagerwiderstand (26) und
einem ihm vorgeschalteten, zumindest den induktiven Widerstand der Welle (2) umfassenden Widerstand
(24) ein weiterer Widerstand (27) in Reihe geschaltet ist derart, daß die Summe der beiden
letztgenannten Widerstände groß im Verhältnis zum Lagerwiderstand ist und daß zu diesem Reihenzweig
ein Widerstand (23) parallel geschaltet ist, der klein im Verhältnis zum Lagerwiderstand ist, so daß durch
die Dimensionierung des gebildeten elektrischen Vierpoles (23, 24, 26, 27) die HF-Spannung am
Lagerwiderstand (26) ein Minimum erreicht und kleiner als»,/ V bleibt.
2. Anordnung nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand (23) als Schleifkontakt
(10,30) ausgebildet ist.
3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand (23) aus der Kombination
eines Schleifkontaktes (30) mit einem Serienresonanzkreis (31) für die Betriebsfrequenz besteht.
4. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand (23) aus einem
Kondensator (32) besteht.
5. Anordn ng nach einem der Ansprüche I bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß 1^r Reihenwiderstand
(17) zwischen Lager (4) und Gehäuse (1) als Kondensator ausgebildet is!.
b. Anordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Reihenwiderstand (27) durch
Parallelschalten einer Induktivität (33) zum Kondensator (34) als Parallelresonanzkrcis für die Beiriebsfrequen/
ausgebildet ist.
7. Anordnung nech einem dei Ansprüche 1 bis b.
dadurch gekennzeichnet, daß der Lagerkapazitäl (26) zusätzlich ein niederohmiger Widerstand (25) ir,
Form eines Schleifkontaktes (36, 61) parallel geschaltet ist.
8. Anordnung nach einem der Ansprüche I bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannung über den
Reihenwiderstand (27) gleichgerichtet und bei unzulässiger Spannungsänderung ein optisches oder
akustisches Signal ausgelöst wird.
9. Anordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Induktivität (13, 33) in dem als
Kondensator (34) ausgebildeten Isolicrsockcl (5) des Reihen Widerstandes (27) untergebracht ist.
10. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9.
dadurch gekennzeichnet, daß die Dimensionicrung der Widerstände des elektrischen Vierpols so
vorgenommen ist. daß sich auch für Oberwellen eine Minimicrung der HF-Spannung am Lagerwidersiand
(26) ergibt.
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