DE2713310C3 - Protection arrangement for a low voltage control circuit - Google Patents
Protection arrangement for a low voltage control circuitInfo
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Description
gcncuii^cu-iinci, uau uiv. L/iuui.iiaiiui uuuug V1'/ uuo einer Zenerdiode (22) besteht. gcncuii ^ cu-iinci, uau uiv. L / iuui.iiaiiui uuuug V 1 '/ uuo a Zener diode (22).
2525th
Die Erfindung betrifft eine Schutzanordnung für eine Niederspannungs-Steuerschaltung, die ein Schaltelement steuert, um einen Lastkreis an eine Gleichstromquelle hoher Spannung anzuschalten und die Stromzufuhr von der Gleichstromquelle zum Lastkreis zu Heuern, mit einer parallel zum Ausgang der Niederspannungs-Steuerschaltung geschalteten, in Richtung des Steuerstromes gepolten Dioden-Anordnung.The invention relates to a protective arrangement for a low-voltage control circuit which has a switching element controls to connect a load circuit to a high voltage DC power source and the power supply from the direct current source to the load circuit to hay, with a parallel to the output of the low voltage control circuit switched diode arrangement polarized in the direction of the control current.
Aus der Zeitschrift »Wireless 'λ orld« Juni 1968, Seite 154 ist bereits eine Schutzanordnung bei Auftreten von Spilzenströmen bekannt Auch bei dieser bekannten Schutzanordnung ist ein Lastkreis an eine Gleichstromquelle mit hoher Spannung angeschlossen und es ist in Reihe mit der Last des Lastkreises ein Transistor geschaltet. Dem Steusranschluß bzw. der Basis dieses Transistors wird ein Steuerstrom zugeführt und es ist ferner parallel zum Eingang dieses Transistors eine Dioden-Anordnung geschaltet, die in Richtung des Steuerstromes gepolt ist.From the magazine "Wireless' λ orld" June 1968, p 154 a protective arrangement in the event of mushroom currents is already known. This is also known Protection arrangement is a load circuit connected to a high voltage DC power source and it is in A transistor connected in series with the load of the load circuit. The control connection or the base of this A control current is fed to the transistor and there is also a parallel to the input of this transistor Connected diode arrangement, which is polarized in the direction of the control current.
Diese bekannte Schutzanordnung bietet jedoch dann keinen Schutz für eine Steuerschaltung, wenn die Dioden-Anordnung zerstört ist.However, this known protection arrangement offers no protection for a control circuit when the Diode arrangement is destroyed.
Darüber hinaus ist es beispielsweise aus der DE-AS 11 93 594 bekannt. Sicherungen am Ausgang von Steuerkreisen vorzusehen.It is also known from DE-AS 11 93 594, for example. Fuses at the output of Provide control circuits.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht darin, bei einer Schutzanordnung für eine Niederspannungs-Steuerschaltung der eingangs definierten Art die Niederspannungs-Steuerschaltung auch bei einer Zer- »törung des Schaltelementes des Lastkreises sowohl gegen einen Überstrom als auch gegen eine Überspannung wirksam mit einfachsten Mitteln zu schützen.The object on which the invention is based is to provide a protection arrangement for a low-voltage control circuit of the type defined at the beginning, the low-voltage control circuit even in the event of a »Fault in the switching element of the load circuit against both an overcurrent and an overvoltage to protect effectively with the simplest means.
Ausgehend von der Schutzanordnung der eingangs definierten Art wird diese Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß in die Steuerleitung von der Niederspannungs-Steuerschaltung. zu dem Schaltelement zwischen diesem und dem Anschluß der Diodenänordnung ein Selbstunterbfechereiement zwischengeschaltet ist, welches derart bemessen ist, daß es bei Durchbruch der hohen Gleichspannung auf die Niederspannung der Steuerschaltung ansprichtBased on the protective arrangement of the type defined at the outset, this object is achieved according to the invention solved in that in the control line from the low-voltage control circuit. to the switching element A self-interrupting element is interposed between this and the connection of the diode arrangement is, which is dimensioned in such a way that when the high DC voltage breaks down, it affects the Low voltage of the control circuit responds
Erfindungsgemäß wird somit im Falle einer Zcrstö= rung des Schaltelementes im Lastkreis die dabei entstehende Überspannung über das Selbstunterbrecherelement zur Diodenanordnung geleitet, die dadurch in den niederohmigen Zustand gelangt, so daß über die Diodenanordnung und über das Selbstiinterbrecherelement ein vergleichsweise hoher Strom fließt, der erst dann zur Unterbrechung des Selbstunterbrecherelements führt, so daß effektiv sowohl ein wirksamer Überspannungsschutz als auch ein wirksamer Überstromschutz für die Niederspannungs-Steuerschaltung realisiert wird.According to the invention, in the event of a collision tion of the switching element in the load circuit, the resulting overvoltage via the self-interrupter element passed to the diode array, which thereby enters the low-resistance state, so that via the diode arrangement and via the self-interrupter element a comparatively high current flows, which only then leads to the interruption of the self-interrupter element leads, so that effective both an effective overvoltage protection and an effective Overcurrent protection for the low voltage control circuit is realized.
Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform kann die Erfindung dadurch noch eine Weiterbildung erfahren, daß die Dioden-Anordnung aus einer Zenerdiode bestehtAccording to an advantageous embodiment, the invention can thereby experience a further development, that the diode arrangement consists of a Zener diode
Im folgenden sind bevorzugte Ausfühmngsbeispiele der Erfindung anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert Es zeigtThe following are preferred embodiments The invention is explained in more detail with reference to the accompanying drawings
Fig. 1 ein Schaltbild einer Schutzanordnung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung,1 shows a circuit diagram of a protective arrangement according to an embodiment of the invention,
Fig.2 ein Schsltbild einer Servovorrichtung, bei welcher die Vorrichtung gemäß F i g. 1 angewandt wird,Fig. 2 is a schematic diagram of a servo device which the device according to FIG. 1 is applied,
Fig.3 ein Schaltbild einer Vorrichtung gemäß einer abgewandelten Ausführungsform der Erfindung, bei welcher eine Darlington-Brückenschaltung vorgesehen ist.3 shows a circuit diagram of a device according to a modified embodiment of the invention, in which a Darlington bridge circuit is provided is.
Fig.4 ein Schaltbild einer weiter abgewandelten Ausführungsform der Erfindung, bei welcher eine Zener-Diode an eine Schutzschaltung angeschlossen ist, und4 shows a circuit diagram of a further modified one Embodiment of the invention in which a Zener diode is connected to a protective circuit, and
F i g. 5 ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform der Erfindung, bei welcher eine Bypaß-Schutzschaltung als Schutzschaltung vorgesehen ist.F i g. 5 is a circuit diagram of a further embodiment of the invention in which a bypass protection circuit is provided as a protective circuit.
Gemäß Fig. 1 ist eine Reihenschaltung aus einer Gleichstromversorgung 12 und einer Last 13 in Reihe an die Kollektor-Emitterstrecke eines Hochieistungstransistors 11 angeschlossen, bei dem die Kollekto:-Basis-Spannung Vcbo 600 V, die Kollektor-Emitter-Spannung Vce 450 V, die Emitter-Bas'S-Spa..nung VCeo 5 V, der Kollektorstrom lc 50 A. der Kollektor-Spitzenstrom Icpfak 100 A (1 ms), der Basisitrom lB 3 A und der Stromverstärkungsfaktor AZe=IOOO betragen. Eine Schutzdiode 14 ist in Rückwärts- bzw. Sperrichtung zwischen Basis und Emitter des Hochleistungstransistors 11, im foit-enden auch einfach als »Transistor« bezeichnet, geschaltet. Die Basis des Transistors 11 ist mit einer positiven bzw. Plus-Ausgangsklemme Ti einer Basissteuerschaltung 16 über ein selbstabschaltendes Element (15), beispielsweise einen in einem Gehäuse vergossenen Schutzschalter oder eine Schmelzsicherung, verbunden. Eine Diodenanordnung 17 aus einer Anzahl von in Reihe geschalteten Dioden ist in Sperrichtung zwischen positive und negative Ausgangsklemmen 7Ϊ bzw. T2 der Basissteuerschaltung 16 eingeschaltet, welche ihrerseits eine äußere Steuersignalquelle 16a. einen durch ein Steuersignal von der Steuersignalquelle 16a angesteuerten Optoisolator 166 und einen durch ein Ausgangssignal vom Optoisolator 16 gesteuerten Transistor 16cumfaßt. Der Kollektor des Optoisolators 16c ist mit der Basis eines Transistors 16c und außerdem mit der Pluskiemme einer Hilfs-Gleich^ stromquelle 18 über einen Widerstand 16d/Verbunden. Der Kollektor des Transistors 16c liegt über die positive Aüsgärigsklemrrie T) und die Sicherung an der Basis des Transistors Ii und außerdem über einen Widerstand i6ean der Pfusklemme der Hilfs-Gleichstromquelle 18. Der Emitter des Transistors 16c ist mit dem Emitter des Optoisolators 166 und außerdem mit der MinüsklemrneAccording to Fig. 1, a series circuit of a direct current supply 12 and a load 13 is connected in series to the collector-emitter path of a high-performance transistor 11, in which the collector-base voltage Vcbo 600 V, the collector-emitter voltage Vce 450 V, the emitter-base voltage V C eo 5 V, the collector current Ic 50 A. the collector peak current Icpfak 100 A (1 ms), the base current I B 3 A and the current gain factor AZe = 100. A protective diode 14 is connected in the reverse or blocking direction between the base and emitter of the high-power transistor 11, also referred to simply as "transistor" in the foit-ending. The base of the transistor 11 is connected to a positive or plus output terminal Ti of a base control circuit 16 via a self-disconnecting element (15), for example a circuit breaker encapsulated in a housing or a fuse. A diode arrangement 17 made up of a number of series-connected diodes is switched on in the reverse direction between positive and negative output terminals 7Ϊ and T 2 of the basic control circuit 16, which in turn has an external control signal source 16a. an optoisolator 166 controlled by a control signal from the control signal source 16a and a transistor 16c controlled by an output signal from the optoisolator 16. The collector of the optoisolator 16c is connected to the base of a transistor 16c and also to the plus terminal of an auxiliary direct current source 18 via a resistor 16d /. The collector of transistor 16c is connected via the positive Aüsgärigsklemrrie T) and the fuse to the base of transistor Ii and also via a resistor i6an the pole terminal of the auxiliary direct current source 18. The emitter of transistor 16c is connected to the emitter of optoisolator 166 and also with the minuscule
4 O η 4 Λ4 O η 4 Λ
IJJlUIJJlU
der Gleichstromquelle 18 und weiterhin über die negative Ausgangsklemme Ti mit dem Emitter des Transistors 11 verbunden.the direct current source 18 and further connected to the emitter of the transistor 11 via the negative output terminal Ti.
Wenn der Optoisolator \6b bei der beschriebenen Schalterkreisvorrichtung durch ein Steuersignal von der äußeren Steuerschaltung 16a durchgeschaltet wird, sperrt der Transistor 16a Infolgedessen wird der positiven Ausgangsklemme 71 der Basissteuerschaltung 16 eine pcjkive Spannung aufgeprägt, so daß der Transistor 11 durchschaltet und mithin die Last 13 mit Strom von der Gleichstromquelle 12 beschickt wird. Wenn dagegen der Optoisolator 16b sperrt und dadurch der Transistor 16c durchgeschaltet wird, wird der Transistor 11 negativ bzw. in Gegenrichtung vorgespannt, so daß er sperrt Der Transistor 11 wird somit durch ein Ausgangssignal der Basissteuerschaltung 16 angesteuert wodurch die Stromzufuhr zur Last 13 gesteuert wird. When the optoisolator \ 6b in the switching circuit device described is switched through by a control signal from the external control circuit 16a, the transistor 16a blocks As a result, the positive output terminal 71 of the base control circuit 16 is impressed with a positive voltage, so that the transistor 11 switches through and consequently the load 13 with it Electricity from the direct current source 12 is charged. If, on the other hand, the optoisolator 16b blocks and the transistor 16c is switched through, the transistor 11 is biased negatively or in the opposite direction, so that it blocks.
Die in F i g. 2 dargestellte Servovorrichtung weist vier Schalterkreise 5Ci — SQ auf, die jeweils auf die in F i g. 1 dargestellte Weise angeordnet und züsarnmcngeschaltet sind, und sie enthält einen als Lasi dienenden Gleichstrommotor M. Wenn in den Schalterkreisen SQ. SCj vorgesehene Hochleistungstransistoren TRi, TRi durchschalten, fließt Strom über eine Reihenschaltung aus dem Transistor TR 1, dem Gleichstrommotor Mund dem Transistor TR 4, so daß der Motor M in Normalrichtung angetrieben, d. h. in Drehung versetzt wird. Wenn die Transistoren TRi. TR 4 sperren und die Transistoren TR 2, TR 3 durchschalten, fließt der Strom über eine Reihenschaltung aus dem Transistor TR 3, dem Gleichstrommotor M und dem Transistor TR 2, so daß der Motor Mm Gegenrichtung läuftThe in F i g. The servo device shown in FIG. 2 has four switch circuits 5Ci- SQ , each of which is based on the one shown in FIG. 1 are arranged and züsarnmcngeschaltet manner shown, and it contains a serving as Lasi DC motor M. If in the switching circuits SQ. SCj provided high-power transistors TRi, TRi switch through, current flows through a series circuit from the transistor TR 1, the direct current motor and the transistor TR 4, so that the motor M is driven in the normal direction, ie set in rotation. When the transistors TRi. Block TR 4 and turn on the transistors TR 2, TR 3, the current flows through a series circuit of the transistor TR 3, the DC motor M and the transistor TR 2, so that the motor Mm runs in the opposite direction
Im folgenden ist die Arbeitsweise der Schaltungsanordnung gemäß Fig. 1 erläutert Mit // ist dabei der Strom bezeichnet, der im Normalbetrieb des Schaltkreises über die Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors Il durch die Last 13 fließt Der Basistrom /;, des Transistors 11 läßt sich in diesem Fall durch fo'gende Gleichung ausdrucken:In the following, the operation of the circuit arrangement according to FIG. 1 is explained. With // here is the Current denotes that in normal operation of the circuit through the collector-emitter path of the transistor II flows through the load 13. The base current / ;, of the transistor 11 can in this case by the following Print out the equation:
(D(D
in welcher β O den Stromverstärkungsfaktor des Transistors 11 bezeichnet Im folgenden sei angenommen, daß bei nicht vorgesehener Schutzdioden-Reihen- »chaltung 17 eine Störung auftritt bei welcher der Transistor 11 zerstört, die Kollektor-Basis-Strecke des Transistors 11 voll durchgeschaltet und auch seine Kollektor-Emitter-Strecke geöffnet wird. Der Strom fließt dabei von der Gleichstromquelle 12 über die Kollektor-Basis-Strecke des Transistors 11 zur Sieherung 15, zur Basissteuerschaltung 16 und zur Last 13. Hierbei wird der positiven Ausgangsklemme Ti der Basissteuerschaltung 16 von der Gleichstromquelle 12 cine Spannung (normalerweise etwa 300 V) aufgeprägt. Die Basissteuerschaltung 16 besteht jedoch aus einem 6e Niederspannüng'Schaitkreiselement, das von der Gleichstromversorgung 18 durch eine Spannung von z. B. 6 V erregt wird, nämlich aus einem Öptoisolator 16i und einem Transistor 16c Wenn daher die positive Ausgangsklemrnc Ti mit der hohen Spannung von 300 V beaufschlagt wird, werden die Schaltkreiselemen' te 16b und 16c wegen-ihres ungenügenden Spannungs-Widerstands durch diese unzulässige höhe Spannung zerstört Ein über die Basissteuerschaltung 16 fließender Stör- bzw. Fehlerstrom Is läßt sich hierbei durch die Gleichungin which β O denotes the current amplification factor of the transistor 11 In the following it is assumed that if the protective diode series circuit 17 is not provided, a fault occurs in which the transistor 11 is destroyed, the collector-base path of the transistor 11 is fully switched on and also his Collector-emitter path is opened. The current flows from the DC power source 12 via the collector-base path of the transistor 11 to Sieherung 15, to the base control circuit 16 and to the load 13. Here, the positive output terminal Ti based control circuit 16 cine from the DC power source 12 voltage (typically about 300 V ) embossed. The basic control circuit 16, however, consists of a 6e Niederspannüng'Schaitkreiselement, which is supplied by the DC power supply 18 by a voltage of z. B. 6 V is energized, namely a Öptoisolator 16i and a transistor 16c Therefore, when the positive Ausgangsklemrnc Ti is applied with the high voltage of 300 V, the Schaltkreiselemen 'te 16b and 16c because of-their insufficient voltage resistance by this unacceptable high voltage destroyed. An interference or fault current Is flowing through the basic control circuit 16 can be given by the equation
Vt - V1 Vt - V 1
ίο ausdrucken, in welcherίο print out in which
Vc die Kollektorspannung des Transistors 11 entsprechend
dem Spannungspegel der Gleichstromquelle 12,
Ve die Emitterspannung des Transistors 11 und Vc is the collector voltage of transistor 11 corresponding to the voltage level of DC power source 12,
Ve is the emitter voltage of transistor 11 and
Z0 die Ausgangsimpedanz der Basissteuerschaltung 16 Z 0 is the output impedance of the basic control circuit 16
bedeuten.mean.
Der über die Basissteuerschaltung 16 fließende Strom besitzt im allgemeinen etwa den [.'.. ichen Pegel wie der Basissirorn & des Transistors 11. !niulf «dessen läßt sich die Ausgangsimpedanz Za der Basissteuerschaltung 16 ausdrucken alsThe current flowing through the base current control circuit 16 generally has about the [. '.. cozy level as the Basissirorn 11 & of the transistor! Niulf' which the output impedance Za can be based control circuit 16 as print
£2£ 2
(mit £2= Spannung der Gleichstromquelle 18).(with £ 2 = voltage of direct current source 18).
Wenn der Transitor 11 ausfällt erhält die Basisteuerschaltung 16 einen Stör- oder Fehlerstrom Is entsprechend If the transistor 11 fails, the base control circuit 16 receives an interference or fault current Is accordingly
V' ~ l' V ' ~ l '
gemäß Gleichung(2).according to equation (2).
Bei Substitution von Gleichung (3) in Gleichung (2) erhält manSubstituting equation (3) into equation (2) gives
[V, = V1)I, E2 [V, = V 1 ) I, E 2
Infolgedessen erhält die Basissteuerschaltung 16 einen Stör- oder Fehlerstrom Is, der um das (Ve— vy/£rfache größer ist als der Sirom lb und entgegengesetzt zu letzterem fließt Beim Hießen eines so großen Fehlerstroms würde die Basissteuerschaltung 16 zerstört werden. Ein andauernder Fluß dieses Störoder Fehlerstroms würde zu einem Durchbrennen der Basissteuerschaltung 16 führen.As a result, the base control circuit 16 receives an interference or fault current Is which is (Ve - vy / £ times greater than the Sirom 1 b and flows in the opposite direction to the latter. If such a large fault current were to occur, the base control circuit 16 would be destroyed this interference or fault current would lead to the basic control circuit 16 burning out.
Der Schalterkreis gemäß der Erfindung ist jedoch mit einer Schutzschaltung versehen, die aus der zwischen der Basis des Transistors 11 und der positiven Ausgangsklemme Ti der Basissteuerschaltung 16 liegenden (Schmelz-)Sicherung 15 und der zwischen die Ausgangsklemmen 7*1 und T2 der Basissteuerschaltung 16 eingeschaltet^ Diodenreihenschaltung 17 besteht Wenn somit der Transistor 11 ausfällt und seine Basis die Kollektorspannung von etwa 300 V erhält fließt daher der größte Teil des Fehlerstroms über dia Diodenreihenscl.altung 17. wodurch eine über die Ausgangsklemmen 7*1 und T2 der Basissteuerschaltung 16 anliegende Spannung auf einen niedrigeren als den vorgeschriebenen Pegel beschränkt wird. Die Diodenreihenschaltung 17 wirkt als Dioden-Bezugsschaltung, welche in Durchlaßrichtung einer niedrigen Spannung einen hohen Widerstand und einer hohen Spannung einen niedrigen Widerstand bietet und dadurch die Spannung an den Ausgangsklemmen Ti und T2 der Bäsissteuerschältüng 16 auf einen niedrigeren als denThe switch circuit according to the invention is, however, provided with a protective circuit consisting of the (fuse) fuse 15 lying between the base of the transistor 11 and the positive output terminal Ti of the base control circuit 16 and that between the output terminals 7 * 1 and T2 of the base control circuit 16 If the transistor 11 fails and its base receives the collector voltage of about 300 V, the largest part of the fault current flows through the diode series circuit 17, whereby a voltage across the output terminals 7 * 1 and T2 of the base control circuit 16 is applied is restricted to a level lower than the prescribed level. The diode series circuit 17 acts as a diode reference circuit, which in the forward direction of a low voltage offers a high resistance and a high voltage offers a low resistance and thereby the voltage at the output terminals Ti and T2 of the base control circuit 16 to a lower than that
vorgeschriebenen Pegel begrenzt. Die in der Basissteuerschaltung 16 enthaltenen Transistoren werden folglich vor einer Zerstörung aufgrund eines zu geringen Widerstands gegenüber einen höhen Spannung geschützt. Falls eine noch wesentlich höhere Spannung auftritt, schmilzt die Sicherung 15 durch, so daß der Fehlerstrom augenblicklich unterbrochen und dadurch die Basissteuerschaltung 16 vor einer Zerstörung durch Brand bzw. Durchbrennen geschützt wird. Die (Schmelz-)Sicherung 15 wird mit einer Nennstromstärke entsprechend dem l,5fachen eines Mindesl-Basisstroms prescribed level limited. The transistors included in the base control circuit 16 are consequently Protected against destruction due to insufficient resistance to high voltage. If a much higher voltage occurs, the fuse 15 melts, so that the Fault current interrupted instantly and thereby the basic control circuit 16 from being destroyed Fire or burning through is protected. The (fuse) fuse 15 is with a nominal current strength corresponding to 1.5 times a minimum base current
1
I + lh 1
I + lh
1515th
gewählt, der für die Sättigung des Emitterpotentials des Hochleistungstransistors 11 erforderlich ist.selected, which is required for the saturation of the emitter potential of the high-power transistor 11.
Bei einem Ausfall des Transistors 12 wird der Basissteuerschaltung der Schalterkreisvorrichtung, wie erwähnt, weder eine unzulässig hohe Spannung, noch ein übermäßig großer Strom aufgeprägt, so daß die Basissteuerschaltung vor Zerstörung oder Durchbrennen geschützt ist.In the event of failure of the transistor 12, the base control circuit of the switching circuit device, such as mentioned, neither an impermissibly high voltage nor an excessively large current is impressed, so that the Basic control circuit is protected from destruction or burnout.
Gemäß Fig.3 die eine Schalterkreisvorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung zeigt, ist eine Hochleistungstransistorschaltung 21 für eine Last aus einer in Darlington-Brückenschaltung jo angeordneten Transistorschaltung gebildet Dabei ist die Kollektor-Emitter-Strecke eines ersten Transistors 21a mit der Gleichstromquelle 12 und einem Lastkreis 13 verbunden. Die Basis des ersten Transistors 21a liegt an seinem Kollektor, der seinerseits über die Emitter-Basis-Strecke eines zweiten Transistors 216 an die positive bzw. Plus-Ausgangsklemme der Gleichstromquelle 12 angeschlossen ist Die Basis des zweiten Transistors Hb ist über die Sicherung 15 mit der positiven Ausgangsklemme Γ1 der Basissteuerschaltung 16 und außerdem über in Reihe geschaltete Widerstände 21c und 21c/ mit dem Emitter des ersten Transistors 21a verbunden. Die Verzweigung zwischen den Widerständen 21c und 21c/ ist an die Verzweigung zwischen der Basis des ersten Transistors 21 a und dem Emitter des zweiten Transistors 21ύ angeschlossen. Die beschriebene Daritngton-Transistorscnaltung ermöglicht die Steuerung eines großen Laststroms mittels eines annehmbar niedrigen Steuerstroms. Bei der Darlingtön-Brückenschaltürig muß daher eine Schutzschaltung speziell für die Basissteuerschaltung 16 vorgesehen sein. Aus diesem örund enthält die zweite Ausführungsform gemäß Fig.3, ebenso wie in Fig.2, eine Schutzschaltung aus einer (Schmelz-)Sicherung 15 und einer Diodenreihenschaltung 17.According to FIG. 3, which shows a switching circuit device according to another embodiment of the invention, a high-power transistor circuit 21 for a load is formed from a transistor circuit arranged in a Darlington bridge circuit jo Load circuit 13 connected. The base of the first transistor 21a is connected at its collector, which in turn via the emitter-base path of a second transistor 216 at the positive or plus output terminal of the DC power source 12 is connected the base of the second transistor Hb is connected via the fuse 15 with the positive output terminal Γ1 of the base control circuit 16 and also connected via series-connected resistors 21c and 21c / to the emitter of the first transistor 21a. The branch between the resistors 21c and 21c / is connected to the branch between the base of the first transistor 21a and the emitter of the second transistor 21ύ. The Daritngton-Transistorcnaltung described enables the control of a large load current by means of an acceptably low control current. In the Darlingtön bridge door, a protective circuit must therefore be provided specifically for the basic control circuit 16. For this reason, the second embodiment according to FIG. 3, just as in FIG. 2, contains a protective circuit made up of a (fuse) fuse 15 and a diode series circuit 17.
Bei der weiter abgewandelten Ausführüngsform der erfindungsgemäßen Schalterkreisvorrichtung gemäß Fig.4 ist die in der Schutzschaltung von Fig. 3 vorgesehene Diodenreihenschaltung 17 durch eine Zener-Diode 22 ersetzt, die zwischen die Ausgangsklemmen Ti und T2 der Basissteuerschaltung 16 geschaltet ist. Die Zener-Diode 22 begrenzt ebenfalls eine an den Ausgangsklemmen Π und T2 der Basissteuerschaltung 16 liegende Spannung auf einen niedrigeren als den vorgeschriebenen Pegel, so daß die Basissteuerschallung 16 vor Zerstörung oder Durchbrennen geschützt istIn the further modified Ausführüngsform the switch circuit device of the invention according to Figure 4 is provided in the protective circuit of Fig. 3 diode series circuit replaces 17 by a Zener diode 22 that the base control circuit 16 is connected between the output terminals Ti and T2. The Zener diode 22 also limits a voltage present at the output terminals Π and T2 of the basic control circuit 16 to a level lower than the prescribed level, so that the basic control sound 16 is protected from being destroyed or burned out
Bei der weiter abgewandelten Ausführungsform der SchaltL'kreisvorrichtung gemäß Fig.5 ist stellvertretend für die Schutzdiode 17 oder 22 eine Diode 23 in Durchlaßrichtung von der Verzweigung zwischen der Sicherung 15 und der positiven Ausgangsklemme Π der Basissteuerschaltung 16 zu«· positiven Ausgangsklemme einer Hilfs-GIeichstromquelle 18 geschaltet. Wenn der Transistor 11 ausfällt und sich die Spannung an seiner Basis auf einen erheblichen Wen erhöht, wirkt die Diode 23 der Schutzschaltung gemäß Fig.5 als B>paß bzw. Nebenweg. Ein Fehlerstrom umgeht dabei die Elemente über die Diode 23 so daß die Basissteuerschaltung 16 vor Zerstörung oder Durchbrennen geschützt ist.In the further modified embodiment of the circuit device according to FIG for the protection diode 17 or 22 a diode 23 in the forward direction from the junction between the Fuse 15 and the positive output terminal Π of the basic control circuit 16 to · positive output terminal an auxiliary DC current source 18 connected. If transistor 11 fails and the voltage at its base increases to a substantial amount, it acts the diode 23 of the protective circuit according to FIG. 5 as B> pass or bypass. A fault current bypasses it the elements via the diode 23 so that the basic control circuit 16 from destruction or burnout is protected.
Die Schutzschaltungen gemäß Fig.4 und 5 können auch hei der ersten Ausführunesform Eemäß Fig. 1 angewandt werden.The protective circuits according to FIGS. 4 and 5 can can also be used in the first embodiment according to FIG.
Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3286476A JPS52116054A (en) | 1976-03-25 | 1976-03-25 | Amplifier circuit |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2713310A1 DE2713310A1 (en) | 1977-10-06 |
| DE2713310B2 DE2713310B2 (en) | 1980-05-22 |
| DE2713310C3 true DE2713310C3 (en) | 1981-01-22 |
Family
ID=12370707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19772713310 Expired DE2713310C3 (en) | 1976-03-25 | 1977-03-25 | Protection arrangement for a low voltage control circuit |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS52116054A (en) |
| DE (1) | DE2713310C3 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5456557U (en) * | 1977-09-28 | 1979-04-19 | ||
| FR2496362A1 (en) * | 1980-12-12 | 1982-06-18 | Thomson Brandt | Isolated input power switching transistor control circuit - has opto-isolator or pulse transformer input pulse to initiate transistor turn on with self sustaining action and blocking |
| DE102022208825A1 (en) * | 2022-08-25 | 2024-03-07 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Device, manufacturing method and method for operating a device with a gate driver and at least one connected power semiconductor |
-
1976
- 1976-03-25 JP JP3286476A patent/JPS52116054A/en active Pending
-
1977
- 1977-03-25 DE DE19772713310 patent/DE2713310C3/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2713310A1 (en) | 1977-10-06 |
| JPS52116054A (en) | 1977-09-29 |
| DE2713310B2 (en) | 1980-05-22 |
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Legal Events
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| 8328 | Change in the person/name/address of the agent |
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