DE2708654A1 - Fluoreszierendes anzeigeelement - Google Patents

Fluoreszierendes anzeigeelement

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DE2708654A1 DE19772708654 DE2708654A DE2708654A1 DE 2708654 A1 DE2708654 A1 DE 2708654A1 DE 19772708654 DE19772708654 DE 19772708654 DE 2708654 A DE2708654 A DE 2708654A DE 2708654 A1 DE2708654 A1 DE 2708654A1
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Description

RAINER-ANDREAS PAUL-ALEXANDER
„K U H N EN & WAC KE R Schne""r **PosMach 1729
Telegr. PAWAMUC-FREISINQ dipl.-inq. dipl.-inq. u. dipl -wirtsch.-inq. D-8050 FREISING / MÖNCHEN
I 16 JS 01013
2 8. L· ft
ISE ELECTRONICS CORPORATION
700 Aza-Wada, Ueno-cho, Ise City,
Mie Prefecture, Japan
Fluoreszierendes Anzeigeelement
Die Erfindung bezieht sich auf ein fluoreszierendes Anzeigeelement zur Herstellung einer fluoreszierenden Anzeigevorrichtung, bei welcher eine Vielzahl fluoreszierender Anzeigeelemente matrixförmig zur Darstellung von Zeichen, Mustern, Bildern oder dergleichen in einer Ebene angeordnet sind.
Bei bekannten, ebenen Anzeigevorrichtungen werden Leuchtdioden, Elektrolumineszenzen, Plasmaanzeigen und Kathodenstrahlröhren verwendet. Keine von diesen Typen ist jedoch voll befriedigend. Beispielsweise sind die Leuchtdioden sehr teuer, die Elektrolumineszenzen weisen viele Probleme auf, die noch nicht gelöst sind und die Plasmaanzeigen erfordern eine hohe Betriebsspannung und sind
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daher teuer. Obwohl die Kathodenstrahlröhren billig sind, ist deren Betriebssicherheit gegen Vibrationen gering und es ist schwierig eine flache Anzeigentafel mit einer Kathodenstrahlröhre zu schaffen. Darüberhinaus ist bei bekannten Anzeigevorrichtungen nicht nur die Helligkeit gering, sondern auch deren Steuerung nicht einfach.
Bei bekannten fluoreszierenden Anzeigevorrichtungen werden Transistoren beispielsweise zum Betätigen der nummerischen Ziffernanzeige an der Außenseite der Anzeigevorrichtung installiert, so daß die Verdrahtung der Vorrichtung kompliziert ist.
Demgemäß ist es die Aufgabe der Erfindung ein fluoreszierendes Anzeigeelement der eingangs genannten Art derart zu schaffen, daß mit einer geringen Betriebsspannung, einer hohen Schaltgeschwindigkeit, einem niedrigen Energieverbrauch und einer leichten Helligkeitsteuerung gearbeitet werden kann, ohne daß ein externer Treiber-Transistor erforderlich ist und wobei eine einfache Verdrahtung und ein kompakter Aufbau ermöglicht wird.
Diese Aufgabe wird mit den im Anspruch 1 oder im Anspruch 6 angegebenen Merkmalen gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Nachfolgend sind Ausführungsbeispiels der Erfindung anha/i 1 der Zeichnung näher beschrieben. Darin zeigt:
Fig.1 einen Schnitt durch eine erste Ausführungsform einer fluoreszierenden Anzeigevorrichtung;
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Fig.2 ein Schaltbild zur Funktionserläuterung eines fluoreszierenden Anzeigeelementes, das in einer fluoreszierenden Anzeigevorrichtung gemäß Fig.1 verwendet wird;
Fig.3 eine graphische Darstellung für die VI-Charakteristik eines bei dem fluoreszierenden Anzeigeelement gemäß Fig.2 verwendeten Schaltelementes;
Fig.4 einen vergrößerten Schnitt durch eine weitere Ausführungsform eines fluoreszierenden Anzeigeelementes;
Fig.5 eine Draufsicht auf die Anodenstruktur der mit fluoreszierenden Anzeigeelementen gemäß Fig.4 versehenen fluoreszierenden Anzeigevorrichtung;
Fig.6 eine graphische Darstellung der Drainspannung-Drainstrom-Charakteristik des fluoreszierenden Anzeigelementes gemäß Fig.4;
Fig.7a einen Schnitt durch eine weitere Ausführungsform eines fluoreszierenden Anzeigeelementes;
Fig.7b ein Schaltdiagramm für eine fluoreszierende Anzeigevorrichtung mit fluoreszierenden Anzeigeelementen gemäß Fig.7a;
Fig.8a einen Schnitt durch eine weitere Ausfuhrungsform eines fluoreszierenden Anzeigeelementes; und
Fig.8b ein Schaltdiagramm für eine mögliche fluoreszierende Anzeigevorrichtung bei welcher die
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fluoreszierenden Anzeigeelemente gemäß Fig.8a verwendet werden.
Das fluoreszierende Anzeigeelement gemäß Fig.1 umfaßt eine Kathodenelektrode, wie z.B. eine heiße oder eine kalte Kathodenelektrode 1 zur Emittierung von Elektronen, eine Steuerelektrode 2 zur Steuerung oder gleichmäßigen Verteilung der von der Kathodenelektrode 1 emittierten Elektronen, ein aus einem Halbleitermaterial gebildetes, integriertes Schalterelement 3, das aus einer Kombination eines Halbleitermaterials mit einem Isolatormaterial oder einem dielektrischen Material, oder einer Kombination aus Metall, einem dielektrischen Material und einem Isolatormaterial gebildet ist und eine VI-Charakteristik gemäß Fig.3 aufweist. Eine Vielzahl solcher Schaltorelemente 3 sind in einer Matrix angeordnet um ein Bildelement zu formen (z.B. eine "Figur" - 8 - ). Weiterhin ist das fluoreszierende Anzeigeelement mit einer fluoreszierenden Schicht 4 versehen, welche auf dem, das Bildelement ergebenden aktiven Schalterelement 3 aufgeschichtet ist. An ein aus Metall, Keramik oder Halbleiter hergestelltes Substrat 5 ist eine z.B. aus Glas hergestellte transparente Frontplatte 6 hermetisch angeschweißt. Der Zwischenraum 7 innerhalb der Umhüllung aus der Frontplatte 6 und dem Substrat 5 ist evakuiert oder mit chemisch trägem Gas gefüllt.
Die Kathodenelektrode 1 wird in dem Hohlraum 7 durch geeignete Stützvorrichtungen (nicht dargestellt) gegenüber der fluoreszierenden Schicht 4 abgestützt und die zwischen der Kathodenelektrode 1 und der fluoreszierenden Schicht angeordnete Steuerelektrode 2 wird ebenfalls durch nicht
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— Ai —
dargestellte Stützvorrichtungen gehaltert.
In Fig.2 ist die elektrische Verbindung zwischen dem Schaltelement 3 und des fluoreszierenden Anzeigeelementes dargestellt, welche von dem Bildelement, einer Gitterquelle 8 und einer Quelle mit variabler Spannung 9 gebildet wird.
Die Funktion des fluoreszierenden Anzeigeelementes wird anhand der Figuren 2 und 3 nachfolgend beschrieben. Eine Wechselstromquelle 20 wird zur Heizung der Kathodenelektrode 1 verwendet und die durch die Kathodenelektrode 1 emittierten Glühelektronen werden gleichmäßig zerstreut oder durch die Gitterelektrode 2 gesteuert zum Aufprall auf die fluoreszierende Schicht veranlaßt, wodurch die Bildelemente der fluoreszierenden Schicht 4 zum Leuchten angeregt werden. Zu diesem Zeitpunkt werden die Elektronen in das mit einer VI-Charakteristik gemäß Fig.3 versehene Schaltelement 3 injeziert. Wenn demgemäß die Spannung der Quelle 9 variiert wird ist es möglich, den Leuchtzustand der Bildelemente durch deren Speicherwirkung aufrecht zu erhalten. Genauer gesagt bedeutet dies, daß für den Fall, wenn die Quellenspannung in der Folge 0 zu V1 zu V2 gemäß Fig.3 erhöht wird, dann das Schaltelement 3 bei einer Spannung V2 eingeschaltet wird. Gleichzeitig nimmt die Spannung an dem Schaltelement ab. Unter diesen Bedingungen veranlassen die auf die fluoreszierende Schicht 4 des Schaltelementes 3 gerichteten Elektronen die Schicht 4 zum Leuchten. Wenn daher das Schaltelement 3 in seinem Leitzustand aufrechterhalten wird, dann wird der Leitzustand auch dann aufrecht erhalten, wenn die Spannung V2 auf V1 abnimmt. Wenn die Spannung unter den
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Wert V1 abfällt, dann schaltet das Schaltelement 3 aus und der Leuchteffekt auf der fluoreszierenden Schicht 4 hört auf. Zu diesem Zeitpunkt steigt die Spannung an dem Schaltelement 3 an. Wenn das Schaltelement 3 einmal abgeschaltet hat, dann wird der nichtleitende Zustand so lange aufrecht erhalten, bis die Spannung bis zu einem Punkt nahe V1 angestiegen ist. Wenn die Spannung wieder auf den Spannungewert V~ angestiegen ist, dann schaltet das Schaltelement 3 wiederum ein.
Vorteilhafterweise kann die Spannung der Quelle 8 in einen Bereich von 20 bis 30 Volt variiert werden und ebenso vorteilhafterweise kann die Spannung der Quelle in einem Bereich von 5 bis 10 Volt verändert werden, so daß der Strom ungefähr bei 10 mA zur Verminderung des Energieverbrauchs der Anzeigevorrichtung gehalten werden kann.
Eine fluoreszierende Anzeigevorrichtung kann durch eine matrixförmige Anordnung aus einer Vielzahl von Anzeigeelementen gemäß Fig.2 in der bekannten integrierten Schaltkreistechnik aufgebaut werden. In diesem Falle wird jedes Schaltelement mit einem Anschlußpaar versehen, wobei ein Anschluß mit dem die X-Achse bildenden Zuleitungsdraht (oder dem Reihendraht) der Matrix und der andere Anschluß mit der die Y-Achse bildenden Zuleitung (oder Spaltendraht) verbunden wird. Wenn eine Vorspannung von V1 an einen ausgewählten X-Achsenzuleitungsdraht angelegt wird und die Summe aus der Vorspannung und einer Spannung, die an einen ausgewählten Y-Achsenzuleitungsdraht angelegt ist, den Spannungswert V2 übersteigt, dann beginnt das ausgewählte fluoreszierende Anzeigeelement zu leuchten. Sogar wenn die Spannung momentan an dem Y-Achsen-
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zuleitungsdraht anliegt, leuchtet das Anzeigeelement so lange weiter, bis die Vorspannung an dem X-Achsenzuleitungsdraht abgeschaltet wird. Auf diese Weise kann durch die Steuerung der Schaltelemente jedes Zeichen, Ziffer oder Muster dargestellt werden.
Obwohl die Schaltelemente die dargestellte Speicherfunktion aufweisen, ist es auch möglich, derartige aktive Elemente als Kontaktelemente ohne Speicherfunktion zu verwenden.
Eine weitere Ausführungsform eines fluoreszierenden Anzeigeelementes ist in Fig.4 dargestellt und weist eine Kathodenelektrode 1, eine Gitterelektrode 2,ein P-Typ Silizium-Substrat 40 auf, das im allgemeinen aus einem Monokristallsubstrat hergestellt ist, sowie N -Bereiche 41 und 42, welche durch Diffusion von Verunreinigungen in das P-Typ Silizium-Substrat 40 gebildet werden. Ferner überdecken Siliziumoxyd-Schichten 43 und 44 das Substrat 30 und die N+-Gebiete und 42. Eine Sourceelektrode 45a ist auf dem N -Gebiet und eine Drainelektrode 46a auf dem N+-Gebiet 42 sowie eine Gateelektrode 47a auf der Siliziumoxydschicht 43 ausgebildet. Eine Isolationsschicht 48 überlagert die Siliziumoxydschicht 44 und ein Phosphorteil 49, das die Sourceelektrode 45a überdeckt. Wenn die Elektronen von der Kathodenelektrode 1 auf dem Phosphorteil 49 auftreffen, dann beginnt dieses zu leuchten. Ein Kanal 401 ist zwischen dem N -Gebieten 41 und 42 vorgesehen. Natürlich ist auch bei dieser Ausführungsform die durchsichtige Frontplatte mit dem Substrat 40 in gleicher Weise wie bei der Ausführungsform gemäß Fig.1 verschweißt.
In Fig.5 ist eine Draufsicht auf eine fluoreszierende
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Anzeigevorrichtung dargestellt, bei welcher eine Vielzahl von fluoreszierenden Anzeigeelementen gemäß Fig.4 in einer Matrix angeordnet sind, welche z.B. sieben Reihen und fünf Spalten aufweist. Die Matrix umfaßt X-Achsenzuleitungsdrähte 514a bis 514g, welche mit den zugehörigen Gateelektroden 47 der Anzeigenelemente A.. bis A1- , A21 bis A2- , ... , A71 bis A75 , von denen jedes ein in Fig.4 dargestelltes Phosphorteil 49 aufweist, verbunden sind. Y-Achsenzuleitungsdrähte 515a bis 51 Se sind mit den zugehörigen Drainelektroden 46 der Anzeigenelemente A11 bis A71 , A1- bis A72, ..., A15 bis A-e verbunden. Die entsprechenden Anzeigeelemente sind räumlich voneinander getrennt, mit einer Überzugschicht 48 versehen und in einem integrierten Schaltkreis zusammengefaßt.
Das in Fig.4 dargestellte Element weist beispielsweise einen MOS-Aufbau auf, so daß es in gleicher Weise wie ein bekannter Flächenfeldeffekt-Transistor arbeitet und dazu ist dessen Charakteristik in Fig.6 dargestellt. Obwohl die oben beschriebene Ausführung mit einem N-Kanalfeldeffekt-Transistor dargestellt ist, ist auch die Ausführung mit einem P-Kanalfeldeffekt-Transistor möglich.
Die fluoreszierende Anzeigevorrichtung gemäß Fig.5 arbeitet in der folgenden Art und Weise.
Wenn eine vorbestimmte Spannung von ungefähr 20 Volt zwischen der Kathodenelektrode 1 und der Sourceelektrode 45 angelegt wird, dann werden die durch die Kathodenelektrode 1 emittierten Elektronen gleichmäßig durch die Gitterelektrode 2 gestreut, welche an einer Spannung von ungefähr 20 Volt liegt und
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dann gelangen die Elektronen in Richtung auf die Phosphorteile 49 der fünfunddreißig Anzeigeelemente A11 bis A75. Unter diesen Bedingungen wird eine positive Spannung \Λ, an einen ausgewählten X-Achsenzuleitungsdraht wie z.B. 514a angelegt und eine positive Spannung V wird an einen ausgewählten Y-Achsenzuleitungsdraht wie z.B. 515a angelegt. In der Folge davon wird nur das Anzeigeelement A11 ausgewählt. Unter diesen Bedingungen werden die gewünschten Spannungen an der Gateelektrode 47 bzw. an der Drainelektrode 46 angelegt. Demgemäß wird das Anzeigeelement A11 eingeschaltet und die Majoritätsträger, d.h. die Elektronen, fließen zu der Drainelektrode 46 durch den Kanal 401. Zu dieser Zeit werden die durch die Kathodenelektrode 1 emittierten Elektronen in die Sourceelektrode 4 5 durch die Gitterelektrode 42 und das Phosphorteil 49 injeziert. Da die Elektronen durch das ah der Gitterelektrode 42 und an der Drainelektrode 46 angelegte Potential beschleunigt werden, wird das Phosphorteil 49 erregt und zur Fluoreszenz angeregt. Demgemäß beginnt das fluoreszierende Element A 1 zu fluoreszieren und dessen Helligkeit kann durch die an der Gateelektrode 47 und der Drainelektrode 46 angelegten Spannungen gesteuert werden.
Wenn eine dynamische Betriebsfunktion für die Anzeigeelemente A11 bis A75 erwünscht ist, dann kann die isolierende Schicht aus einer "sipas"-Schicht hergestellt werden. Die "sipas"-Schicht besteht dabei aus einem halbisolierenden, vielkristallinen Silizium (semi-isolating polycrystalline silicon). Wenn ein Silizium-oder Borkristall für die Herstellung des P-Typ Siliziumsubstrats verwendet wird, dann können die Kosten vermindert werden.
Eine weitere Ausfuhrungsform eines fluoreszierenden Anzeige-
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elementes ist in Fig.7a dargestellt, bei welcher eine Siliziumnitrit- (Si3N4) Schicht 702 auf der Oberfläche eines Glassubstrats 701 durch Dampfablagerung oder durch eine CVD (chemische Dampfablagerung) - Technik ausgebildet wird. Eine Aluminiumschicht wird auf der Oberfläche der Siliziumnitritschicht 702 z.B. durch Dampfablagerung ausgebildet und dann wird die Aluminiumschicht fotogeätzt, um Verdrahtungsschichten 703 und 704 zu bilden, zwischen welchen eine Cadmiumsilenmetallschicht durch eine Dampfablagerungs- oder Zersteubungstechnik ausgebildet wird. Die Cadmiumsilenmetallschicht wird fotogeätzt, um eine Fotoleiterschicht 705 zu bilden, deren einander gegenüberliegende Enden mit den Verdrahtungsschichten 703 und 704 verbunden sind. Eine Siliziumnitritschicht wird auf dem Glassubstrat 701 mit verschiedenen Schichten wie oben beschrieben ausgebildet, indem eine Dampfablagerungs- oder CVD-Technik verwendet wird und anschließend wird die Siliziumnitritschicht fotogeätzt um eine isolierende Schicht 706 zu bilden. Die isolierende Schicht 706 überdeckt die Schicht 704 nicht vollständig. Eine Phosphorschicht 707 besteht aus ZnO. Dazu wird Zn auf den freiliegenden Teil der Schicht aufgedruckt.
Auf der isolierenden Schicht 706 wird zwischen den Verdrahtungsschichten 703 und 704 eine Gateelektrode 708 ausgebildet. Auf diese Weise wird ein MIS (metallisolierte Struktur) - Typtransistor 709 und ein Phosphorteil 710 auf dem Glassubstrat 701 gebildet und die Verdrahtungselektroden 703 und 704 wirken wie eine Sourceelektrode und eine Drainelektrode, die mit der Phosphorschicht 707 verbunden sind.
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Eine aus Siliziumnitrit hergestellt Passivierungsschicht 711 wird zur Oberdeckung der Oberfläche, mit Ausnahme im Bereich der Phosphorschicht 707 verwendet.
Gemäß Fig.7b werden eine Vielzahl von fluoreszierenden Anzeigeelementen, wie oben beschrieben, auf einem Glassubstrat in der Form einer Matrix aufgebracht.
Genauer gesagt werden die Gateelektroden der MIS-Typtransistoren in ier selben Spalte gemeinsam mit den Zuleitungsdrähten G1, G2 ... G_ und die Sourceelektroden der zugehörigen MIS-Typ-Transistoren in der selben Reihe werden gemeinsam mit den Zuleitungsdrähten S1 , S- .... S. verbunden. Die Zuleitungsdrähte erstrecken sich zur Außenseite des Glassubstrats. Die Drainelektrode 704 eines jeden MIS-Typ-Transistors ist mit der Phosphorschicht 707 verbunden. Obwohl nicht dargestellt,sind die als Kathodenelektroden wirkenden fünf Drähte auf dem Glassubstrat 701 ausgebildet und eine Glasumhüllung ist über der gesamten Anordnung vorgesehen.
Wenn die Betriebsspannungen an den ausgewählten Reihen bzw. Spaltenzuleitungsdrähten angelegt werden, dann beginnt das ausgewählte Phosphorteil zu fluoreszieren um ein Zeichen oder dergleichen darzustellen. Wenn z.B. auf den Zuleitungsdraht S1 eine Spannung angelegt wird, die gegenüber der Kathodenelektrode positiv ist und ein Gatesignalimpuls auf den Zuleitungsdraht G gelangt, dann wird ein fluoreszierendes Anzeigeelement mit dem fluoreszierenden Teil P11 eingeschaltet, wodurch die Spannung an dem Zuleitungsdraht S1 auf dessen Drainelektrode gelangt. Demzufolge prallen die durch die Kathcdenelektrode
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- * -AS
emittierten Elektronen auf den Phosphorteil P^ auf und veranlassen dieses zur Lumineszenz.
Da bei dieser Anordnung der Treiber-Transistor innerhalb der fluoreszierenden Anzeigevorrichtung ausgebildet ist, ist es nicht notwendig, einen Treiber-Transistor außerhalb der Anzeigevorrichtung vorzusehen, wie bei bekannten Anordnungen. Da weiterhin eine Elektronenkanone entbehrlich ist, ist es möglich, die Dicke der Anzeigenanordnung extrem zu vermindern. Da auch die Kathodenelektrode sehr nahe an der Phosphorschicht angeordnet ist (ein Spalt zwischen der Kathodenelektrode und der Phosphorschicht beträgt ungefähr 2 mm), ist es möglich, die Anzeigenanordnung mit einer niedrigen Spannung zu betreiben.
Bei den Ausführungsformen gemäß Fig. 7a und 7b haben die MIS-Typ-Transistoren keine Speicherwirkung, wohingegen die Ausführungsformen gemäß Fig. 8a und 8b MIS-Transistoren mit Speicherwirkung verwenden. Die den Fig. 7a und 7b entsprechenden Elemente sind in den Fig. 8a und 8b mit denselben Bezugszeichen versehen. In Fig. 8a sind zwischen der Halbleiterschicht 705 und der Gateelektrode 708 eine SiO^-Isolationsschicht 800 und eine freie (floating) Gateschicht 801. aus Aluminium oder polykristallinem Silizium zwischengelagert.
Bei diesem Aufbau ist es möglich, eine Speicherwirkung der Anzeigenanordnung vorzusehen. Wenn demgemäß Impulse sequentiell auf die Zuleitungsdrähte kommen, ist es möglich, die Phosphorteile sequentiell zum Leuchten anzuregen. Da die Phosphorteile eine Speicherwirkung haben, ist es möglich, die Treiber-Impulse mit einer niedrigen Geschwindigkeit anzulegen.
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Obwohl bei dieser Ausführungsform die Halbleiterschicht 705 über den Verdrahtungsschichten 703 und 704 liegt, können die Verdrahtungsschichten 703 und 704 auf der Halbleiterschicht 705 ausgebildet werden.
Verständlicherweise können die MIS-Typ-Transistoren 709 und die Phosphorteile 710 aus einem anderen als oben beschriebenen Material hergestellt werden. So kann besipielsweise eine Siliziumnitritschicht oder eine Oxidschicht auf dem Glassubstrat ausgebildet werden und die Halbleiterschicht 705 kann aus Kadmiumsulfid (CdS) hergestellt werden. Die Gateschicht 706 kann aus Siliziumoxid oder Aluminiumoxid hergestellt werden und die freie (floating) Gateschicht kann aus polykristallinem Silizium hergestellt werden.
Obwohl bei den Ausführungsformen gemäß Fig. 7a, 7b und Fig. 8a, 8b MIS-Typ-Transistoren 709 auf dem Glassubstrat 701 ausgebildet sind,ist es auch möglich, Dünnschicht-Transistoren auf dem GLassubstrat in der gleichen Weise wie oben beschrieben auszubilden. In diesem Falle weisen die Anzeigeelemente auf dem Substrat ausgebildete Dünnschicht-Transistoren, auf den Drainelektroden der Dünnschicht-Transistoren ausgebildete Phosphorteile und eine über den Phosphorteilen angeordnete Kathodenelektrode auf. Wenn in diesem Falle eine Gatespannung an die Gateelektrode eines ausgewählten Dünnschicht-Transistors angelegt wird, dann wird diese eingeschaltet und bewirkt, daß das Phosphorelement zum Leuchten angeregt wird.
Wie bereits beschrieben, ist bei einem fluoreszierenden Anzeigeelement gemäß der Erfindung kein äußerer Treibertransistor erforderlich, so daß die Verdrahtung wesentlich vereinfacht wird. Ebenso ist die Verwendung einer geringen Treiber-
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spannung möglich. Da auch die fluoreszierende Anzeigevorrichtung durch eine matrixförmige Anordnung aus einer Vielzahl von Anzeigeelementen aufgebaut ist, ist es möglich, den Steuerkreis für die Steuerung der Helligkeit wesentlich zu vereinfachen. Da die Schaltelemente als integrierte Schaltung unter Verwendung von Silizium oder dergl. ausgebildet sind, ist es möglich, die Herstellkosten zu verringern. Da schließlich die Anzeigevorrichtungen gemäß dieser Erfindung klare Bilder darstellen können, sind diese Vorrichtungen für die Verwendung bei an einer Wand hängenden Fernseheinheit, bei Autoüberprüfungstafeln oder als Ausgangstafeln für eine Faksimileausrüstung anwendbar.
Somit wird durch die vorliegende Erfindung ein Schaltelement geschaffen, das auf einem Substrat angeordnet ist, und von einer Umhüllung geschützt, eine fluoreszierende Schicht trägt, der gegenüber eine Kathodenelektrode angeordnet ist und wozvfischen eine Gitterelektrode vorgesehen ist.
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Claims (11)

  1. PATE N TA N WÄLT E 270865.
    RAlNfIt-ANDREAS PAUL-ALEXANDER
    r^rzr kuhnen&wackerschneMstr**
    Telegr. PAWAMUC-FREISING dipl.-inq. DiPU-INO-UDtPL-WiRTSCH-INQ. D-8050 FREISINQ / MÖNCHEN
    16 IS 0101 3/si
    28.2,77
    ISE ELECTRONICS CORPORATION
    Aza-Wada, Ueno-cho, Ise City
    Mie Prefecture, Japan
    Patentansprüche
    Fluoreszierendes Anzeigeelement zur Herstellung einer fluoreszierenden Anzeigevorrichtung, bei welcher eine Vielzahl fluoreszierender Anzeigeelemente matrixförmig zur Darstellung von Zeichen, Mustern, Bilder oder dergl. in einer Ebene angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet , daß eine Umhüllung (6) derart hermetisch mit einem Substrat (5) verschweißt ist, daß ein dichter Zwischenraum (7) gebildet wird, in dem ein Schalterelement (3) auf dem Substrat (5) ausgebildet ist und daß eine fluoreszierende Schicht (4) auf dem Schalterelement (3) ausgebildet ist, welche einer, in dem dichten Zwischenraum (7) angeordneten Kathodenelektrode (1) gegenüber liegt,und daß zwischen der Kathodenelektrode (1) und der fluoreszierenden Schicht (4) eine Gitterelektrode (2) zwischengelagert ist.
  2. 2. Fluoreszierendes Anzeigeelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Schalterelement (3) eine Speicherfunktion aufweist.
  3. 3. Fluoreszierendes Anzeigeelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Schalterelement (3) einen Feldeffekttransistor aufweist und daß ein Phosphorteil auf der Sourceelektrode des Feldeffekttransistors ausgebildet ist.
  4. 4. Fluoreszierendes Anzeigeelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Schalterelement (3) einen MIS-Typ-Transistor aufweist, auf dessen Drainelektrode ein Phosphorteil ausgebildet ist.
  5. 5. Fluoreszierendes Anzeigeelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Schalterelement (3) einen Dünnschichttransistor aufweist, auf dessen Drainelektrode ein Phosphorelement ausgebildet ist.
  6. 6. Fluoreszierende Anzeigevorrichtung, bei welcher eine Vielzahl fluoreszierender Anzeigeelemente matrixförmig zur Darstellung von Zeichen, Mustern, Bilder oder dergl. in einer Ebene angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß eine Umhüllung hermetisch mit einem Substrat (40) verschweißt ist, daß ein dichter Zwischenraum gebildet wird und daß eine Vielzahl von Schalterelementen matrixförmig auf dem Substrat(40) angeordnet sind, welche jeweils eine darauf aufgebrachte fluoreszierende Schicht aufweisen,und daß eine erste Elektrode mit einem X-Achsen-Zuleitungsdraht und eine zweite Elektrode mit einem Y-Achsen-Zuleitungsdraht der Matrix verbunden ist, und daß eine Vielzahl von Kathodenelektroden in
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    dem dichten Zwischenravim gegenüber den fluoreszierenden Schichten vorgesehen sind und daß eine Steuerelektrode zwischen den Kathodenelektroden und den fluoreszierenden Schichten zwischengelagert ist.
  7. 7. Fluoreszierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine die Vielzahl der Schaltelemente räumlich trennende und aufnehmende Hauptschicht eine integrierte Schaltung bildet.
  8. 8. Fluoreszierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Schaltelement einen Transistor mit einer Sourceelektrode, einer Drainelektrode und einer Gateelektrode aufweist, und wobei eine Phosphorschicht auf der Sourceelektrode ausgebildet ist und daß die Gateelektrode mit einem X-Achsen-Zuleitungsdraht und die Drainelektrode mit einem Y-Achsen-Zuleitungsdraht der Matrix verbunden ist.
  9. 9. Fluoreszierende Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor des Schaltelements durch einen Feldeffekttransistor gebildet ist.
  10. 10. Fluoreszierende Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor des Schaltelements durch einen MIS-Typ-Transistor gebildet wird.
  11. 11. Fluoreszierende Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor des Schaltelements von einem Dünnschichttransistor gebildet ist.
    xxxxxxxxxx
    709836/0628
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