DE2701102A1 - Halbleiter-injektionslaser - Google Patents

Halbleiter-injektionslaser

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DE2701102A1 DE19772701102 DE2701102A DE2701102A1 DE 2701102 A1 DE2701102 A1 DE 2701102A1 DE 19772701102 DE19772701102 DE 19772701102 DE 2701102 A DE2701102 A DE 2701102A DE 2701102 A1 DE2701102 A1 DE 2701102A1
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Description

PATENTANWÄLTE 27 Ü i 1 Ü2
SCHIFF v. FÜNER STREHL SCHÜBEL-HOPF EBBINGHAUS
MARIAHILFPLATZ 2 A 3, MÖNCHEN SO POSTADRESSE: POSTFACH Θ5Ο16Ο, D-8OOO MÖNCHEN SB
Hitachi, Ltd.
DA 12413 12. Januar 1977
Halbleiter-Injektionslaser
Die Erfindung betrifft einen Halbleiter-Injektionslaser mit einer HeteroStruktur, dessen Strominjektionsbereich in Streifen-Mesatechnik gebildet ist.
Es sind Halbleiter-Injektionslaser bekannt, deren laserstrahlende aktive Schicht auf der oberen bzw. unteren Fläche eine p-Schicht bzw. eine η-Schicht tragen. Wenn eine dieser Schichten einen Energiebandabstand aufweist, der größer ist als derjenige der aktiven Schicht, so werden die in die aktive Schicht injizierten Minoritätsträger innerhalb der aktiven Schicht gehalten, womit der Schwellenwert der Laserstrahlung deutlich erniedrigt werden kann. Das mit derartigen Halbleiter-Injektionslasern bei breiten Eletkroden erzeugte Laserlicht enthält Quermoden höherer Ordnung, d.h. der Laser muB im Mehrfachwellentyp-Betrieb betrieben werden.
Zur Verringerung der Quermoden eines Halbleiter-Injektionslasers mit HeteroStruktur wurden Versuche mit Streifen-Mesastinkturen durchgeführt, wie sie in den Fig. 1 und 2 in ver-
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tlkalen Schnittansichten dargestellt sind.
Zn der Streifen-Mesastruktur sind die Halbleiter, verschieden von einem Strominjektionsbereich oberhalb einer aktiven Schicht durch chemische Vorzuga-Ätzbehandlung abgetragen, so daß sich ein streifenförraiger Strominjektionsbereich ergibt. In den Fig. 1 und 2 bezeichnet die Zahl 1 eine n-seitige Elektrode, die Zahl 2 ein n-GaAs-Substrat, die Zahl 3 eine n-Ga- Al As-Schicht (o,2^ χ $ ο,6), die Zahl 4 die aktive GaAs-Schicht, die Zahl 5 eine P-Ga^xAl As-Schicht, die Zahl 6 eine p-GaAs-Schicht und die Zahl 7 eine p-seitige Elektrode. Zur Verringerung des Kontaktwiderstands zwischen der Schicht und der Elektrode 7 besteht die Schicht 6 aus GaAs.
Nenn jedoch die Halbleiterschicht mit Ausnahme des Strom-Injektionsbereichs, wie in Fig. 1, bis zum Teil der aktiven Schicht 4 abgenommen wird, so wird der Laser betriebsbereit zwischen Seitenwänden eingeschlossen, die große Unterschiede der Brechungsindizes zeigen. Dies führt zu Schwierigkeiten, da Moden höherer Ordnung leicht zu Schwingungen angeregt werden können. Wird andererseits die aktive Schicht, wie. in Fig. 2 dargestellt ist, nicht angeätzt, so werden hierdurch die optischen Verluste erhöht und außerdem wird die aktive Schicht unmittelbar der Luft ausgesetzt, was aus Gründen der Zuverlässigkeit unerwünscht ist.
Aufgabe der Erfindung ist es, die vorstehend erläuterten Nachteile von Halbleiter-Injektionslasern des Hetero-•truktur-Typs zu vermeiden. Insbesondere soll ein Halbleiter-Injektionslaser mit geringem Schwellenstrom geschaffen werden, dessen Quermoden höherer Ordnung verringert sind.
Die Erfindung geht von einem Halbleiter-Injektionslaser mit einer aktiven Schicht aus, an deren obere bzw. untere
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Fläche eine p-Schicht bzw. eine η-Schicht angrenzen. Wenigstens eine dieser Schichten besteht aus einem Halbleitermaterial, dessen Energiebandabstand größer ist als derjenige der aktiven Schicht.
Die vorstehend erläuterte Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß entweder die an die aktive Schicht angrenzende p-Schicht oder die an die aktive Schicht angrenzende η-Schicht als Halbleiterschicht mit einem Streifen-Mesabereich ausgebildet ist, dessen Basisteil 0,8 ,u bis 1,5 #u dick 1st.
Mit einem derartigen Halbleiter-Injektionslaser kann nicht nur die Schwellen-Injektionsstromdichte klein gehalten werden, sondern der Laser kann auch mit dem Einzelmode niedrigster Ordnung bei verringerten Quermoden höherer Ordnung betrieben werden.
Im folgenden soll ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand von Zeichnungen näher erläutert werden, und zwar zeigt:
Fig. 3 eine perspektivische Ansicht des Aufbaus eines erfindungsgemäßen Halbleiter-Injektionslasers;
Flg. 4 ein charakteristisches Diagramm für den Halbleiter-Injektionslaser dieser Erfindung mit dem Zusammenhang zwischen der Dicke dr des Basisteils einer Streifen-Mesaschicht und der Schwellenstromdichte beim Senden bzw. Schwingen;
Fig. 5 eine Nahfeldverteilung, wie sie erhalten wird, wenn die Dicke dr des Basisteils der Streifen-Mesaschicht des erfindungsgemäßen Halbleiter-Injektionslasers 0,8 .\x beträgt;
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27Q I Iü2
Fig. 6 die Nahfeldverteilung, wie sie erhalten wird, wenn die Dicke dr des Basisteils der Streifen-Mesaschicht des erfindungsgemäßen Halbleiter-Injektionslasers 1,5 .u beträgt; und
Fig. 7 und 8 Nahfeldverteilungen, wie sie erhalten werden, wenn die Dicke dr des Basisteils der Streifen-Mesaschicht des erfindungsgemäßen Halbleiter-Lasers o,6 .u bzw. o,7 ,n betragt.
Fig. 3 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiter-Injektionslasers mit Streifen-Mesastruktur. In der Figur bezeichnet die Zahl 1 eine n-seitige Elektrode, die Zahl 2 ein n-GaAs-Substrat, die zahl 3 eine Sn-dotierte n-Ga.. Al As-Schicht (o,2 & χ ;£o,6), die Zahl 4 eine aktive GaAs-Schicht, die Zahl 5 eine Ge-dotierte P-Ga1 Al As-Schicht; die Zahl 6 eine Ge-dotierte p-GaAs-Schicht, die Zahl 7 einen Strominjektionsbereich, die Zahl 8 einen SiO2-FiIm, die Zahl 9 eine p-seitige Elektrode, die Zahl 1o eine geätzte Oberfläche der P-Ga-_χΑ1 As-Schicht 5 (o,2,"6 χ & ο,6) und die Zahl 11 eine Reflexionsoberfläche. Ein derartiger Aufbau kann durch bekannte Halbleiter-Herstellungsverfahren hergestellt werden. Zum Beispiel können die Schichten 3, 4, 5 und 6 durch kontinuierliches Flüssigphasen-Epitaxialwachstum auf dem n-GaAs-Substrat 2 gebildet werden. Danach werden beide Seiten des streifenförmigen Strominjektionsbereichs 7 vorzugsweise so weit abgeätzt, daß die Aktivschicht 4 nicht erreicht wird und die P-Ga^xAlxAs-Schicht 5 abgeflacht wird. Im folgenden soll dr die Dicke des Basisteils bzw. abgeflachten Teils der p-Ga. Al As-Schicht 5 bezeichnen, d.h. mit anderen Worten, die Dicke zwischen der Aktivschicht 4 und der Oberfläche 1o des bevorzugt abgeätzten Teils. Die Änderung der Schwellenstromdichte in Abhängigkeit von der Dicke dr wurde für eine Streifenbreite von 2o ,um gemessen; das Ergebnis ist in Fig. 4 dargestellt. Die Abhängigkeit der Schwellenstromdichte von der Dicke dr ändert sich mit
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Ι 1ü2
der Streifenbreite. Für Dicken dr gleich oder größer als 1,5 .um nimmt die Schwellenstromdichte jedoch unabhängig von der Streifenbreite rasch zu, da der Strom sich über beide Seiten des Streifenteils verteilt. Die Schwellenstromdichte wird in diesem Fall größer, da die Streifenbreite, verglichen mit einem identischen Wert der Dicke dr relativ schmäler wird. Die in die aktive Schicht 4 injizierten Ladungsträger breiten eich innerhalb der aktiven Schicht auf beide Seiten des Streifenteils aus.
Andererseits nimmt die Schwellenstromdichte auch dann rasch zu, wenn die Dicke dr gleich oder kleiner 0,8 ,um ist. Die Zunahmetendenz der Schwellenstromdichte ist insbesondere dann auffällig, wenn die Streifenbreite gering ist. Die Gründe hierfür liegen in der Zunahme der Lichtverluste infolge des untenstehend näher erläuterten Prozesses. Sofern die Streifenbreite klein ist, dringt das Laserlicht durch den Streifenteil nach außen. V7enn die Dicke dr groß ist, werden beide Seiten aufgrund des Stromausbreitungseffekts ebenfalls erregt und die Durchdringungsverluste des Laserlichts sind niedrig. Ist die Dicke dr im Gegensatz hierzu klein, so liegt ein Bereich mit geringem Brechungsindex (üblicherweise der Oxldfilm 8) extrem nahe an der aktiven Schicht 4, womit das auf beiden Seiten des Streifenteils 7 durchdringende Licht in Wellenleitern mit asymmetrischen Brechungsindizes auftritt und weitgehend zum GaAs-Substrat 2 durchdringt. Der Absorptionskoeffizient
4 -1 des GaAs-Substrats 2 ist sehr groß (2 χ 1o cm ), so daß die Verluste selbst dann sehr stark und nicht mehr vernachlässigbar ansteigen, wenn das Licht nur geringfügig durchtritt. Ist die Streifenbreite groß, so bleibt der Durchtritt des Lichts zu jedem anderen Teil als dem Streifenteil relativ klein, womit auch die obenstehend erläuterten Verluste nur sehr schwer auftreten bzw. ansteigen können.
Die Nahfeldverteilung (Schwingungstyp-Verteilung auf der reflektierenden Oberfläche des Laser-Schwingraums) des
7 0 9 9 3 0 / C ·;: G ■
2 7 υ 1 1Q2
Halbleiter-Injektionalasers mit der obenstehend erläuterten Streifen-Mesastruktur ist in Fig. 5 für dr = 0,8 ,u und in Fig. 6 für dr » 1,5 ,u dargestellt. Wie die Figuren zeigen, wird in beiden Fällen ein Einzelmode erreicht. Für dr · o,7 ,u und dr ■ 0,6 ,u, wie es in den Fig. 7 bzw. 8 dargestellt ist, treten jedoch scharfe Lichtintensitätsspitzen auf; es werden Moden höherer Ordnung erzeugt und es erfolgt ein Multimode-Betrieb, wobei in jedem Fall der Betriebsstrom des Lasers 12o inA beträgt. Die Gründe hierfür sind folgende: Die Stromausbreitung ist gering; die Ladungsträgerverteilung innerhalb der aktiven Schicht wird nahezu rechteckförmig; die Verstärkung der Moden höherer Ordnung wird groß und die Verstärkungsdifferenzen zwischen den Moden werden Null.
Um den Halbleiterlaser bei niedrigem Strom betreiben zu können bzw. um die Modencharakteristik zu stabilisieren, wird die Streifenbreite bevorzugt höchstens 2o ,um breit gemacht. Wie Fig. 4 zeigt, wird die Zunahme der Schwellenstromdichte minimal, wenn die Dicke dr zwischen o,8 ,um und 1,5 ,um liegt. Liegt die Streifenbreite z.B. bei 2o ,um, so kann die Schwellenstromdichte auf etwa das 1,8-fache verglichen mit einem Halbleiterlaser mit breiten Elektroden verringert werden. Wie bereits erwähnt, treten bei Laserlicht, das in andere Teile als zum Streifenteil durchgedrungen ist, beträchtliche Verluste auf, so daß Schwingungen mit dem Mode niedrigster Ordnung leicht erreicht werden.
Im folgenden soll das Herstellungsverfahren der Mesa-Streifenstruktur des erfindungsgemäßen Halbleiter-Injektionslasers erläutert werden.
Durch kontinuierliches FlUssigphasen-Epitaxialaufwachsen kann auf dem n-GaAs-Substrat 2 der Reihe nach die Sn-dotierte n-Ga, Al As-Schicht 3 (mit z.B. χ ■ 3), die nicht dotierte GaAs-Aktivschicht 4, die Ge-dotierte P-Ga1- Al As-Schicht 5 und die Ge-dotierte p-GaAs-Schicht 6 gebildet werden.
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27u
- r-
FUr den Tell des Strominjektionsbereichs wird auf der Oberfläche der p-GaAs-Schicht 6 mittels eines Fotoabdeckverfahrens ein SiO2-FiIm in Form eines Streifens durch chemische Aufdampfung aufgebracht. Der SiO2-FiIm dient als Maske, mit deren Hilfe die beiden äußeren Seiten des Strominjektionsbereichs durch ein chemisches Ätzverfahren bis auf eine vorbestimmte Tiefe abgetragen wird* bzw. mit deren Hilfe die p-Ga« Al As-Schicht 5 bis auf eine vorbestimmte Dicke abgeflacht wird. Als Ätzmittel hierfür sind geeignet HF, HCl, H2SO4, H3PO4 °der dergleichen bzw. Mischungen mit diesen Säuren. Wird beispielsweise ein Ätzmittel benutzt, das H-PO., H2O2 und CH3OH im Verhältnis 1:1:3 enthält, wird eine vergleichsweise flach geätzte Fläche erhalten. Danach wird der streifenförmige SiO2-FiIm entfernt. Mit Hilfe eines Fotoabdeckverfahrens wird der SiO.-Film 8 erneut mit Ausnahme auf den Strominjektionsbereich aufgebracht und dann wird der Metallkontakt 9 auf die gesamte Oberfläche des Kristalls aufgedampft. Schließlich wird das Substrat 2 von der Rückseite her bis auf eine Dicke von etwa I00 ,um chemisch abgeätzt und es wird der substratseitige Metallkontakt 1 auf die Rückseite des verbliebenen Substrats aufgedampft. Danach wird durch Spalten die reflektierende Fläche 11 hergestellt und die verbliebene Struktur wird durch Anritzen in Einzelelemente zerteilt.
Wie bereits erwähnt, ermöglicht die Erfindung Laser mit guten Eigenschaften, die mit Lasern, welche lediglich eine zu einem Streifen geformte Elektrode aufweisen, bzw. deren Mesastreifen bis in die Aktivschicht eingeätzt ist, nicht erreichen. Der Betrieb mit niedrigem Strom und die Laserstrahlung im Grundmode wird erfindungsgemäß dadurch möglich, daß der Abstand dr von der Aktivschicht zur Oberfläche der bevorzugt abgeätzten Teile zu beiden Seiten des mesaartigen Strominjektionsbereichs in der Größenordnung von 0,8 .um bis 1,5 yura beträgt. Bei AusfCihrungsformen mit einer Streifen-
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breite von 2o .um konnten bei guter Ausbeute Elemente hergestellt werden, deren Schwellenstron für die Laserstrahlung im Grundmode bei höchstens 80 mA lag. Der Schwellenstrom eines Elements, dessen Dicke dr 2 .um war, lag in diesem Fall bei 14o mA.
Bei der vorstehend erläuterten Ausführungsform wurde, was die Materialien betrifft, eine doppelte HeteroStruktur benutzt, bei der die Aktivschicht aus GaAs und sowohl die Streifen-Mesaschicht als auch die Schichten, die die Aktivschicht auf gegenüberliegenden Seiten zwischen sich halten, aus Ga1n Al As (mit 0 < χ < 1) bestehen. Gleichermaßen kann jedoch
I X X
auch eine doppelte HeteroStruktur benutzt werden, bei der die Aktivschicht aus Ga1 Al As und die beiden Schichten oberhalb
I X X
und unterhalb der Aktivschicht aus Ga1 Al As und Ga1-2Al1As (mit 0 < χ < 1, 0<y<1, 0<z<1 und χ < y £ ζ) bestehen. Gleichermaßen verwendbar ist eine Einzel-Heterostruktur, bei der die Aktivschicht aus GaAs und die beiden oberen bzw. unteren Schichten aus Ga1-Al As (0<x<1) und GaAs bestehen.
I X X
Obwohl vorstehend als Beispiel HeteroStrukturen mit GaAs-Ga1- Al As oder Ga1 Al As-Ga1 Al As-Systeme erläutert wurden, können im Rahmen der Erfindung auch andere Materialien wie z.B. Ga1 In P-Ga1 Al As-Systeme benutzt werden. Die Er-
ι χ χ ι βχ χ
findung läßt sich auch bei Lasern mit anderen Strukturen, wie z.B. Multl-Heterostrukturen, benutzen.
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Claims (5)

  1. Patentansprüche
    / 1. Halbleiter-Injektionslaser, an dessen laserstrahlende
    aktive Schicht auf gegenüberliegenden Flächen eine p-Schicht bzw. eine n-Schicht sich anschließen, wobei wenigstens eine der Schichten aus einem Halbleitermaterial besteht, dessen Energiebandabstand größer ist als derjenige der aktiven Schicht und wobei auf einen Halbleiter auf der Seite der p-Schicht und auf einen Halbleiter auf der Seite der n-Schicht jeweils Elektroden aufgebracht sind, dadurch gekennzeichnet, daß im Halbleitermaterial entweder der an die aktive Schicht (4) angrenzenden p-Schicht (5) oder der an die aktive Schicht (4) angrenzenden n-Schicht (3) ein Streifen-Mesabereich vorgesehen ist, dessen Basisteil o,8 .m bis 1,5 ,u dick ist.
  2. 2. Injektionslaser nach Anspruch 1, dadurch
    gekennzeichnet , daß die aktive Schicht (4) aus GaAs und die an die aktive Schicht (4) angrenzende p-Schicht (5) bzw. n-Schicht (3) aus Ga^xAlxAs (0<x<1) bestehen, daß die p-seitige Elektrode als Metallelektrode (7) ausgebildet ist und über eine p-GaAs-Schicht (6) in ohmschem Kontakt steht und daß die n-seitige Elektrode (1) als Metallelektrode ausgebildet ist und über eine n-GaAs-Schicht (2) auf einer n-Ga1-xAl As-Schicht (3) in ohmschem Kontakt steht.
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    ORIGINAL
    27Qi
  3. 3. Injektionslaser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die aktive Schicht aus Ga* Al As (mit 0< χ <Ί) und die an die aktive Schicht angrenzende p-Schicht bzw. η-Schicht aus Ga1„„Al As bzw. Ga1 „Al As (mit 0<y<1, 0<z <1 und x<y^z) bestehen,
    IZ Z
    daß die p-seitige Elektrode als Metallelektrode ausgebildet ist und über eine p-GaAs-Schicht mit der p-Schicht in ohmechem Kontakt steht und daß die n-seitige Elektrode als Metallelektrode ausgebildet ist und über eine p-GaAs-Schicht mit der η-Schicht in ohmschem Kontakt steht.
  4. 4. Injektionslaser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die aktive Schicht aus GaAe und die an die aktive Schicht angrenzende p-Schicht bzw. η-Schicht aus Ga1 Al As (mit 0<x<1) bzw. GaAs bestehen,daß mit der GaAs-Schicht eine Metallelektrode unmittelbar in ohmechem Kontakt steht und daß mit der Ga1-Al As-Schicht eine
    I ^w Jm
    Metallelektrode über eine GaAs-Schicht vom gleichen Leitfähigkeitstyp in ohmschem Kontakt steht.
    709830/0661
    - 44--
  5. 5. Injektionslaser nach Anspruch 1, dadurch
    gekennzeichnet , daß die aktive Schicht aus Ga-Al As (mit 0<x<1) und die an die aktive Schicht angrenzende p-Schicht bzw. η-Schicht aus Ga, Al As bzw. Ga1 „Al As (mit O*.y <1, 0<z <1 und x<y;£z) bestehen, dae die p-seitige Elektrode als Metallelektrode ausgebildet ist und über eine p-GaAs-Schicht mit der p-Schicht in ohmschem Kontakt steht und daß die n-seitige Elektrode als Metallelektrode ausgebildet ist und über eine n-GaAs-Schicht mit der η-Schicht in ohmschem Kontakt steht.
    ^Γ, ι
DE2701102A 1976-01-12 1977-01-12 Halbleiter-Injektionslaser Expired DE2701102C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP207276A JPS5286093A (en) 1976-01-12 1976-01-12 Striped semiconductor laser

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2701102A1 true DE2701102A1 (de) 1977-07-28
DE2701102B2 DE2701102B2 (de) 1979-04-05
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US (1) US4121179A (de)
JP (1) JPS5286093A (de)
DE (1) DE2701102C3 (de)
GB (1) GB1526631A (de)
NL (1) NL7700283A (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2856507A1 (de) * 1978-12-28 1980-07-17 Amann Markus Christian Dipl In Halbleiter-laserdiode
EP0061784A1 (de) * 1979-06-01 1982-10-06 Thomson-Csf Laserdiode mit lokalisierter Emission
EP0160515A2 (de) * 1984-04-26 1985-11-06 Sharp Kabushiki Kaisha Halbleiterlaser
DE3736497A1 (de) * 1986-10-29 1988-05-05 Seiko Epson Corp Halbleiterlaser und verfahren zu seiner herstellung

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4188244A (en) * 1975-04-10 1980-02-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of making a semiconductor light-emitting device utilizing low-temperature vapor-phase deposition
NL7707720A (nl) * 1977-07-12 1979-01-16 Philips Nv Halfgeleiderlaser of -versterker.
US4366568A (en) * 1979-12-20 1982-12-28 Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. Semiconductor laser
US4329189A (en) * 1980-02-04 1982-05-11 Northern Telecom Limited Channelled substrate double heterostructure lasers
JPS572421U (de) * 1980-06-05 1982-01-07
JPS57206083A (en) * 1981-06-11 1982-12-17 Sharp Corp Semiconductor laser element
GB2175442B (en) * 1985-05-15 1989-05-24 Stc Plc Laser manufacture
JPH02229484A (ja) * 1988-06-08 1990-09-12 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体素子
JP2719187B2 (ja) * 1989-05-08 1998-02-25 キヤノン株式会社 光導波路及びそれを用いた光アイソレータ
JPH0314281A (ja) * 1989-06-13 1991-01-22 Nec Corp 窓付自己整合型半導体レーザ及びその製造方法
JPH04243216A (ja) * 1991-01-17 1992-08-31 Nec Corp 光導波路の製造方法ならびに光集積素子及びその製造方法
JP4387472B2 (ja) 1998-02-18 2009-12-16 三菱電機株式会社 半導体レーザ
WO2011140258A1 (en) 2010-05-04 2011-11-10 Appliance Scientific, Inc. Oven circulating heated air

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50159288A (de) * 1974-06-11 1975-12-23

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2856507A1 (de) * 1978-12-28 1980-07-17 Amann Markus Christian Dipl In Halbleiter-laserdiode
EP0061784A1 (de) * 1979-06-01 1982-10-06 Thomson-Csf Laserdiode mit lokalisierter Emission
EP0160515A2 (de) * 1984-04-26 1985-11-06 Sharp Kabushiki Kaisha Halbleiterlaser
EP0160515A3 (en) * 1984-04-26 1987-07-22 Sharp Kabushiki Kaisha A semiconductor laser
US4694460A (en) * 1984-04-26 1987-09-15 Sharp Kabushiki Kaisha Stripe geometry semiconductor laser device
DE3736497A1 (de) * 1986-10-29 1988-05-05 Seiko Epson Corp Halbleiterlaser und verfahren zu seiner herstellung

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