DE2630695A1 - Halbleitervorrichtung - Google Patents
HalbleitervorrichtungInfo
- Publication number
- DE2630695A1 DE2630695A1 DE19762630695 DE2630695A DE2630695A1 DE 2630695 A1 DE2630695 A1 DE 2630695A1 DE 19762630695 DE19762630695 DE 19762630695 DE 2630695 A DE2630695 A DE 2630695A DE 2630695 A1 DE2630695 A1 DE 2630695A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- silicon
- carbon
- impurities
- alloy
- manganese
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
PATENTANWALT Friedrich-Ebert-Str. 27
DIPL-ING. ROLF PÜRCKHAUER ^f100928
D- 5900 Siegen 1
Telefon (0271)331970 2 6 3 0 6 S 5 Telegramm-Anschrift: Patschub, Siegen
76 019KÜ/1B -7. JUU 1976
Telcon Metals Limited, P.O.Box 12, Manor Royal, Crawley, Sussex RHTO 2QH, England
Für diese Anmeldung wird die Priorität aus der britischen Patentanmeldung Nr- 31057/75 vom 24. Juli 1975 beansprucht
Die Erfindung bezieht sich auf Halbleitervorrichtungen, bei
denen eine Vielzahl von metallischen Adern bzw. Verbindungsleitungen in vorgegebenen Stellunger, auf einem "Chip" aus Silizium (oder
einem anderen Hauptleitermaterial) befestigt ist, und betrifft in erster Linie die sogenannten integrierten Schaltungen. In der
Praxis werden solche Vorrichtungen dadurch gebildet, daß der Chip an einem "Aderrahmen" (Leitungsrahmen) befestigt wird, der aus einem
entsprechenden Metallblech gestanzt wird und die erforderlichen
Adern zusammen mit vorübergehenden Überbrückungsbauteilen aufweist,
die sie in vorgegebenen Stellungen festlegen, um eine Bauteilgruppe zu bilden, die vor und während der Befestigung des Chips
an dem Rahmen entsprechend zu handhaben ist. Im typischen Fall wird zunächst der Chip an einer Halterung befestigt, die einen Teil des ■
Aderrahmens (und in einigen Fällen eine der Adern) bildet, dann werden die Adern (oder die übrigen Adern) mit dem Chip verdrahtet, und
der Chip und die angrenzenden Teile des Aderrahmens werden nachfolgend eingekapselt, wonach die Überbrückungsbauteile weggeschnitten
werden können, um die Adern elektrisch voneinander zu trennen. Die Erfindung umfaßt auch Aderrahmen.
609886/0754
Das übliche Verfahren zum Befestigen des Chips am Aderrahmen
erfordert eine örtliche Erwärmung auf Temperaturen bis etwa 5OD C,
und es war daher bisher üblich, für den Aderrahmen eine Legierung mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten zu verwenden, der dem-
— R jenigen des Halbleiterchips eng angepaßt ist [etwa 4,5 χ 10 pro
C im Falle von Silizium); ursprünglich würde die Bauteilgruppe in Glas mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten, der ebenfalls dem
der Legierung angepaßt ist, eingekapselt worden sein, doch wurden in jüngster Zeit Kunststoffmaterialien für das Einkapseln verwendet,
und zwar aufgrund ihrer Nachgiebigkeit, um die Notwendigkeit für die Anpassung der Wärmeausdehnungskoeffizienten zu umgehen
.
Das Aderrahmenmetall muß auch gute Stanz- und Biegeeigenschaften haben, und es muß eine gute Korrosionsbeständigkeit aufweisen
C um sowohl die Speicherung von Material vor dem Stanzen und der gestanzten Rohlinge vor dem Plattieren zu vereinfachen,
als auch deshalb, weil jede Plattierung in der fertiggestellten
Halbleitervorrichtung dort, wo Brücken weggeschnitten worden sind, diskontinuierlich ist); es sollte aber auch ausreichende elektrische
und Wärmeleitfähigkeiten aufweisen.
Bisher haben diese Bedingungen die Verwendung von Legierungen notwendig gemacht, die einen großen Anteil Nickel enthalten, welches
relativ kostspielig ist und wie alle weniger üblichen Metalle einer Verknappung infolge begrenzter Weltproduktionskapazität in
Zeiten des Spitzenbedarfs unterliegen kann.
Es wurde nunmehr festgestellt, daß die sehr enge Anpassung
von Ausdehnungskoeffizienten, wie sie bisher praktiziert wurde,
nicht wesentlich ist, insbesondere dann, wenn die Einkapselung in nachgiebigem Material erfolgt, und daß dadurch die Möglichkeit
609886/075
besteht, bestimmte Legierungen, die wenig oder gar kein Nickel enthalten, zu verwenden.
Erfindungsgemäß sind die Adern einer integrierten Schaltung
oder einer anderen Halbleitervorrichtung oder ist ein Aderrahmen zur Herstellung einer solchen Vorrichtung aus einer Legierung
mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten bis 13 χ 10 pro C
hergestellt, die mit oder ohne einem leitenden metallischen Überzug
folgende Zusammensetzung hat:
Chrom | B | - 14 % |
Molybdän | 0 | - 1,5 % |
Kobalt | 0 | - B % |
Vanadium | 0 | - B % |
Mangan | 0 | - 1,5 % |
Kohlenstoff | 0 | - 0,3 % |
Silizium | 0 | - 1 % |
Niobium | 0 | - 2 % |
(Columbium) | ||
Nickel | 0 | - 2 % |
Wolfram | 0 | - 1 % |
Kupfer | 0 | - 1,5 % |
Aluminium | 0 | - 4 % |
Eisen und Verun | ||
reinigungen | Restmenge |
Vorzugsweise ist mindestens eines der Metalle Molybdän, Kobalt, Vanadium und Mangan in dem angegebenen Bereich vorhanden»
Vorzugsweise werden die freigewählten Bestandteile, außer Molybdän,
Kobalt, Vanadium und Mangan, jedoch mit Verunreinigungen, auf einen Betrag begrenzt, der alles in allem etwa 2,5 % nicht überschreitet,
und in den meisten Fällen wird es vorgezogen, alle Bestandteile, außer Chrom, Molybdän, Kobalt, Vanadium, Mangan und
609886/0754
Eisen, auf 0,75 % alles in allem zu begrenzen und gewöhnlich,
so weit wie möglich, auszuschließen. -
Der Aderrahmen, wenn er vom Hauptleiterchip getrennt ist,
der nachfolgend an ihm befestigt werden kann, kann gekennzeichnet sein durch ein monolithisches Gefüge, einschließlich einer
Vielzahl von Adern- bzw. Leitungsbauteilen, von denen sich jeder in einen Mittelbereich hinein erstreckt und die alle durch Überbrückungsbauteile
untereinander verbunden, sind, und zwar ausschließlich außerhalb des Mittelbereiches. Normalerweise liegen
die Adernbauteile alle zumindest innerhalb des Mittelbereiches in einer Ebene, doch kann der Rahmen auch einen oder mehr als einen
Stützbauteil aufweisen, der sich in den Mittelbereich hinein erstreckt und aus der Ebene der Aderbauteile versetzt ist. Jeder
Aderbauteil wird gewöhnlich im Mittelbereich ein freies Ende aufweisen. Der Mittelbereich wird normalerweise Abmessungen im
Millimeterbereich haben, doch 10 mm nicht überschreiten, während der Rahmen als Ganzes normalerweise Abmessungen von mehr als 10
mm, aber selten mehr als etwa 50 mm, haben wird (und zwar jeweils in jeder Richtung in der Stanzebene)."
Eine Vielzahl von Aderrahmen, die aus dem gleichen Streifen gestanzt werden, können aneinander hängenbleihen, bis es gewünscht
wird, sie voneinander zu trennen, möglicherweise dann, nachdem entsprechende Halbleiterchips an ihnen befestigt worden
sind.
Die Erfindung wird nunmehr anhand der sie beispielsweise wiedergebenden Zeichnung ausführlicher besehrieben, und zwar
zeigt
Fig. 1 eine Draufsicht auf einen Streifen von . Aderrahmen, während
609886/0754
Fig. 2 in vergrößerter Darstellung eine Draufsicht
auf eine andere Ausführungsform
": ' von Aderrahmen wiedergibt, der an einem
Halbleiterchip befestigt, mit diesem verbunden und für die Einkapselung vorbereitet
ist.
Der Stanzteil nach Fig. 1 ist kontinuierlich und weist eine Reihe von identischen Aderrahmen 1 mit kurzen Verbindungsgliedern
2 auf. Jeder Aderrahmen hat. eine Anzahl von Aderbauteilen 3 (14 bei diesem besonderen Ausführungsbeispiel),
von denen jeder einen Körperteil 4, einen Stiftteil 5 (für evtl. äußere Verbindungen) und einen Kontaktteil 6 aufweist, der sich
in einen Mittelbereich mit einer gedachten Grenzlinie 8 hinein erstreckt und innerhalb desselben ein freies Ende 7 aufweist.
Die Aderbauteile 3 sind alle durch Überbrückungsbauteile 9
untereinander verbunden, die alle außerhalb der Grenzlinie 8 liegen, und einige von ihnen bilden einen rechteckigen äußeren
Rand 10. Laschen 11 an diesem äußeren Rand erleichtern die mechanische Handhabung der Rahmen in frühen Stadien der Herstellung
der Halbleitervorrichtungen. Der Rahmen enthält außerdem einen Stützbauteil 12, der etwa 1 mm aus der Ebene des
Rahmens versetzt und im Rahmen durch gekröpfte Verbindungsglieder 13 befestigt ist.
Bei der Alternativausführungsform nach Fig. 2 sind gleichen
Teilen die gleichen Bezugszeichen gegeben wordenj der Aderrahmen ist in einen kanalartigen Abschnitt gebogen worden, so daß
die Überbrückungsbauteile 9 hochkant erscheinen. Ein Halbleiterchip
14 ist durch seine Unterseite an den Stützbauteil 12 gebunden, und jeder der Kontaktteile 6 ist mit einer entsprechenden
609886/0754
Stelle auf der Fläche des Chips durch einen Draht 15 befestigt,
der an jedem seiner Enden 16 angelötet ist. Die dargestellte Bauteilgruppe ist für die Einkapselung in einen Körper aus
Harz 17 vorbereitet, der den Aderbauteilen 3 eine mechanische Stütze gibt, wonach die Überbrückungsbauteile 9 weggeschnitten
werden können, um unerwünschte elektrische Verbindungen zwischen den Aderbauteilen zu beseitigen.
Aderrahmen gemäß der Erfindung werden normalerweise, mit
einer metallischen Substanz (Metall oder Legierung) von guter Korrosionsbeständigkeit und elektrischen Leitfähigkeit, wie
beispielsweise Silber, Gold oder Lötmetall, nach dem Stanzen, aber vor dem Befestigen am Halbleiterchip, plattiert.
Eine Legierung mit 11,8 % Chrom, 4,3 % Kobalt, 0,26 % Mangan,
0,016 % Kohlenstoff, weniger als 0,05 % Silizium, 0,004 % Schwefel
(Verunreinigung), Restmenge Eisen, wurde durch Vakuum-Induktionsschmelzung
vorbereitet und in Rohlinge gegossen. Die Rohlinge wurden in Streifen mit einer Dicke von 3 mm heiß gewalzt, entzundert,
angelassen und kalt gewalzt auf 0,25 mm, wobei ein- oder zweimal zwischendurch angelassen wurde (bei 1,14 mm in beiden
Fällen und bei 0,3 mm auch im letzteren Fall), um einen harten bzw. halbharten Temperstahl zu erhal-ten. Eigenschaften, die im
halbharten Zustand beobachtet wurden, waren folgende:
VPN Härte 200
Zerreißfestigkeit 550 IWm2
Längung 7 %.
Eigenschaften, die am angelassenen Streifen gemessen wurden,
waren folgende:
609886/07S4
VPN-Härte 120
Zerreißfestigkeit 400 IWm2
Längung 30 % . " \" ■ " ■
Ausdehnungskoeffizient, 20-450° C, 11,4 χ 10"B pro 0C
Spezifischer Widerstand 0,57 yßm*
Eine Probe aus einem halbharten Material von 0,B9mm Breite, das quer zur Walzrichtung geschnitten ist, wurde einem
Biegetest unter Anwendung einer Kraft von 8,9 N (2 lbf) unterworfen.
Verschiedene Proben widerstanden 6 bis B Biegezyklen,
was in einem günstigen Vergleich zu den derzeitigen nickelhaltigen
Legierungen steht.
Der halbharte Streifen wurde gestanzt, um einen Streifen
von Aderrahmen zu bilden, wobei herkömmliche Werkzeuge verwendet wurden, und dann wurde der Streifen silberplattiert unter
Verwendung der folgenden Verfahrensschritte:
1. Entfetten durch Eintauchen in Trichlorethylen
1 Minute lang bei Raumtemperatur, Trockenwischen mit Papiertuch.
2. 1 Minute lang ätzen durch Eintauchen in eine Lösung mit 1 Volumenteil 40%iger-Flußsäure in 10 Volumenteilen
Wasser bei Raumtemperatur.
3. Spülen mit destilliertem Wasser bei Raumtemperatur.
4. Kathodisches Reinigen 1'Minute lang bei 1 kA/m
in einer alkalischen Lösung aus 12,5 g/l Natriumkarbonat
und 25 g/l Trinatriumphosphat bei Raumtemperatur.
609886/0754
5. Spülen mit destilliertem Wasser bei Raumtemperatur.
2 B. Anodisches Reinigen 1 Minute lang bei 1 kA/m in einem alkalischen Zyanidbad mit 14 g/l Natriumzyanid
und 60 g/l Natriumhydroxid bei Raumtemperatur.
7. Spülen in destilliertem Wasser bei Raumtemperatur.
B. 1 Minute lang Eintauchen in eine Lösung mit gleichen
Volumenanteilen Salzsäure [Wichte 1,18] und Wasser bei Raumtemperatur.
9. Spülen mit deionisiertem Wasser bei Raumtemperatur.
1G. Aufbringen eines Überzugs mit Gold durch Hindurchschicken
eines Stromes von BO A/m in einer Monopolgold-Auf bringlösung/proprietary gold strike solution/
Bezugs-Nr. 3606, erhältlich von Engelhard Industries
Ltd., Chemical Division, Valley Road, Cinderford, Gloucestershire Great Britain und von Engelhard Minerals
and Chemicals Corp., 430 Mountain Avenue, Murray Hill, New Jersey 07974 USA. Dies ist eine wässerige Lösung
mit etwa 14 g/l Gold als Goldkaliumzyanid KAu[CN]2, zusammen mit 'Diammoniumhydrogen-Orthophosphat und Kaliumdihydrogen-Orthophosphat,
und arbeitet bei "einem pH-Wert im Bereich von 5,2 bis 5,8. Für den vorliegenden Zweck
ist ein Betrieb bei Raumtemperatur zufriedenstellend, und es besteht keine Notwendigkeit, auf etwa 70° C zu
erwärmen, wie vom Hersteller vorgeschlagen. Dadurch werden etwa 0,2 ym Gold auf den Aderrahmenstreifen aufgebracht.
11. Spülen mit destilliertem Wasser bei Raumtemperatur.
809886/0754
263069
12. Silberplattieren durch Hindurchschicken von 1 kA/m 1 Minute lang bei Raumtemperatur in dem Monopolbad,
■ das als das"Lea-Ronal 3K-System" bekannt ist, erhältlich von Lea-Ronal (UK) Ltd., Ashwood Dale Laboratories,
Buxton, Derbyshire SK17 9TA und von Lea-Ronal Inc., Freeport, New York, USA. Diese Lösung weist 36 g/l
Silber als Zyanid Cobwohl ein höherer Silbergehalt verwendet werden kann, wenn eine höhere Stromdichte
erwünscht ist), 112 g/l Kaliumzyanid, 15 g/l Kaliumkarbonat, 5 ml/1 Benetzungsmittel, bekannt als "Silver
GIo TY" und 20 ml/1 eines organischen Aufhellers, bekannt
als "Silver GIo 3K", auf- Diese monopolisierten Zusätze sind separat für die gleiche Quelle erhältlich,
da sie für Make-up-Zwecke gebraucht werden (annähernd 6 ml Benetzungsmittel und 30 ml Aufheller werden
pro 100 g deponierten Silbers zugegeben).
Nach dem Plattieren wird der Streifen von Aderrahmen gespült und völlig getrocknet. Eine einwandfreie Haftung der Plattierung
wurde sichergestellt durch schnelles Erhitzen einer Probe auf 485°. C und Halten auf dieser Temperatur 2 Minuten lang* keine
Blasenbildung wurde bei diesem Test beobachtet.
Die einzelnen Aderrahmen wurden nunmehr vom Streifen getrennt, und jeder von ihnen wurde in der üblichen Weise in eine
Kanalform gebogen, um bequemere äußere Verbindungen vorzusehen. Ein Silizium-Halbleiterchip wurde auf herkömmliche Weise vorbereitet
und am Haltebauteil des Aderrahmens durch herkömmliche Bindungstechnik mit eutektischer Legierung befestigt. Die elektrischen
Verbindungen und die Einkapselung in Harz erfolgten ebenfalls durch, herkömmliche Techniken der Industrie, und schließlich wurden
die Uberbrückungsbauteile weggeschnitten, um eine funktionelle
609886/0754
- ίο -
Halbleitervorrichtung zu schaffen. Beispiel 2
Es wurde genau wie beim Beispiel 1 verfahren, doch bestand die Legierung aus 1,7 % Chrom, 7,6 % Kobalt, 0,29 %
Mangan, 0,011 % Kohlenstoff, weniger als, 0,05 % Silizium, 0,003 % Schwefel (Verunreinigung), Rest Eisen. Die Eigenschaften
des angelassenen Streifens waren folgende:
Zerreißfestigkeit 620 MN/m2 (90000 lbf/in2)
Wärmeausdehnungskoeffizient (20-450° C] = 11,1 χ 10~6 pro 0C
VPN-HMrte 1B5 Zerreißfes
Längung 12 Wärmeausde Spefizischer Widerstand 0,62
Das Verfahren war wiederum im wesentlichen das gleiche, wobei eine Legierung mit 12 % Chrom, 4 % Vanadium, 0,3 % Mangan,
0,0B % Kohlenstoff, weniger als 0,05 % Silizium, 0,005 % Schwefel (Verunreinigung], Rest Eisen verwendet wurde. Die Eigenschaften
des angelassenen Streifens waren folgende:
VPN-Härte Zerreißfesi Längung 30 Wärmeausdef
Spezifischer Widerstand 0,47 μΩπι.
Zerreißfestigkeit 380 MN/m2 (55000 lbf/in2)
Wärmeausdehnungskoeffizient (20-450°C) =11,1 χ 10 pro °C
Beispiele anderer geeigneter Legierungen, von denen einige bekannt und im Handel erhältlich sind, umfassen folgende:
609886/0754
12 % Cr, 4 % Co, Rest Fe. Temperaturkoeffizient 11,5 χ
1D~B pro °C.
12 % Cr, 8 % Co, Rest Fe. Temperaturkoeffizient 11,5 χ
10"B pro 0C.
12 % Cr, 4 % V, Rest Fe. Temperaturkoeffizient 11,0 χ
10~B pro 0C.
Diese Legierung hatte bessere mechanische Eigenschaften als diejenige der Beispiele 4-5 und einen weniger kritischen
Anlaßtemperaturbereich.
Beispiele 4-6 sind geringfügige Abänderungen für die
Beispiele 1-3.
12 % Cr, Rest Fe. Temperaturkoeffizient 12 χ 10 pro 0C
Beispiel B ■
12 % Cr, 0,5 % Mo, 0,35 % V. 0,7 Mn, 0,1 % C, D,3 % Si,
1,8 % Ni, Rest Fe.
13 % Cr, 1 % Mo, 0,25;% V, 0,B % Mn, 0,23 % C, 0,4 % Si,
0,75 % Ni, 1 % W, Rest Fe.
609886/0754
11 % Cr, 0,6 % Mo, 0,15 % V, 1 % Mn, 0,1 % C, 0,5 % Si,
0,8 % Nb, Rest Fe.
12 % Cr, 1 % Mo, 3 % V, 0,5 % Mn, 0,25 %C, 0,5 % Si,
0,5 % Ni, Rest Fe.
13 % Cr, 0,5 % Mo, 0,5 % Mn, 0,12 % C, 0,3 % Si, 0,5 %
Al, Rest Fe.
13,5 % Cr, 0,35 % Mo, 0,17 % C, 0,5 % Si, 1,0 % Cu, Rest Fe.
609886/075A
Claims (15)
- PatentansprücheHalbleitervorrichtung mit einem Chip aus Halbleitermaterial und metallischen Adern, wobei der Chip und ein Teil jeder der Adern eingekapselt sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Adern aus einer Legierung mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten bis 13 χ 10 pro 0C be genden Bestandteilen zusammensetzt:effizienten bis 13 χ 10 pro 0C besteht und sich aus fol-Chrom 8 - 14 %Molybdän 0 - 1,5 %Kobalt · 0 - 8 %Vanadium 0 - 6 %Mangan 0 - 1,5 %Kohlenstoff 0 - 0,3 %Silizium 0 - 1 %Niobium (Columbium) 0 - 2 %Nickel 0 - 2 %Wolfram 0 - 1 %Kupfer . ' 0 - 1,5 %Aluminium 0 - 4 %Eisen und Verunreinigungen Restmenge
- 2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in der Legierung mindestens eines der Metalle Molybdän, Kobalt, Vanadium und Mangan enthalten ist.80 9 8 86/0754
- 3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierung weniger als 2,5 % in allem an Kohlenstoff, Silizium, Niobium, Nickel, Wolfram, Kupfer, Aluminium und Verunreinigungen enthält.
- 4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierung weniger als 0,25 % in allem an Kohlenstoff, Silizium, Niobium, Nickel, Wolfram, Kupfer, Aluminium und Verunreinigungen enthält.
- 5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierung im wesentlichen aus 11,B % Chrom, 4,3 % Kobalt, 0,26 % Mangan, 0,016 % Kohlenstoff, weniger als 0,05 % Silizium, Rest Eisen und Verunreinigungen, besteht.
- 6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierung im wesentlichen aus 11,7 % Chrom, 7,6 % Kobalt, 0,29 % Mangan, 0,011 % Kohlenstoff, weniger als 0,05 % Silizium, Rest Eisen und Verunreinigungen, besteht.
- 7. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierung im wesentlichen aus 12 % Chrom, 4 % Vanadium, 0,3 % Mangan, 0,008 % Kohlenstoff, weniger als 0,05 % Silizium, Rest Eisen und Verunreinigungen, besteht.
- 8. Hälbleiter-Aderrahmen zur Verwendung bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei dieser Aderrahmen eine monolithische Struktur mit einer Vielzahl von Aderbauteilen ist, von denen sich jede in einen zentralen Bereich erstreckt, und wobei Überbrückungsbauteile die Aderbauteile ausschließlich außerhalb dieses zentralen Bereiches miteinander verbinden, gekennzeichnet durch einen Wärmeausdehnungskoeffizienten bis 13 χ 10 pro 0C sowie durch folgende Zusammensetzung:609886/07B4
Chrom B - 14 \ Molybdän 0 - 1,5 Kobalt 0 - 8 % Vanadium 0 - 6 % Mangan 0 -1,5 Kohlenstoff 0 - 0,3 Silizium 0 - 1 % Niobium (Columbium) 0 - 2 % Nickel 0 - 2 % Wolfram 0 - 1 % Kupfer 0 - 1,5 Aluminium 0 - 4 % Eisen und Verunreinigungen Restmeng'e - 9. Halbleiter-Aderrahmen nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierung mindestens ein Metall aus der Gruppe Molybdän, Kobalt, Vanadium und Mangan enthält.
- ΙΟ. Halbleiter-Aderrahmen nach Anspruch B oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierung weniger als 2,5 % in allem an Kohlenstoff, Silizium, Niobium, Nickel, Wolfram, Kupfer, Aluminium und Verunreinigungen enthält.
- 11. Halbleiter-Aderrahmen nach Anspruch B oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierung weniger als 0,25 ■% in allem an Kohlenstoff, Silizium, Niobium, Nickel, Wolfram, Kupfer, Aluminium und Verunreinigungen enthält.
- 12. Halbleiter-Aderrahmen nach Anspruch B, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierung im wesentlichen aus 11,B % Chrom, 4,3 % Kobalt, 0,26 % Mangan, 0,016 % Kohlenstoff, weniger als 0,05 Silizium, Rest Eisen und Verunreinigungen, besteht.609886/0 7 54
- 13. Halbleiter-Aderrahmen nach Anspruch B, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierung im wesentlichen aus 11,7 % Chrom, 7,6 % Kobalt, D,29 % Mangan, 0,011 % Kohlenstoff, Weniger als 0,05 % Silizium, Rest Eisen und Verunreinigungen, besteht.
- 14. Halbleiter-Aderrahmen nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierung im wesentlichen aus 12% Chrom, 4 % Vanadium, 0,3 % Mangan, 0,008 % Kohlenstoff, weniger als 0,05 % Silizium, Rest Eisen und Verunreinigungen, besteht.
- 15. Gestanzter Streifen mit einer Vielzahl von Halbleiterrahmen, die aneinander befestigt sind, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Aderrahmen nach einem der Ansprüche 8 bis 14 ausgebildet ist.609886/0754Leerseite
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB3105775A GB1550834A (en) | 1975-07-24 | 1975-07-24 | Semiconductor devices |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2630695A1 true DE2630695A1 (de) | 1977-02-10 |
Family
ID=10317319
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19762630695 Withdrawn DE2630695A1 (de) | 1975-07-24 | 1976-07-08 | Halbleitervorrichtung |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5215265A (de) |
DE (1) | DE2630695A1 (de) |
FR (1) | FR2319199A1 (de) |
GB (1) | GB1550834A (de) |
HK (1) | HK14980A (de) |
IT (1) | IT1066367B (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2809883A1 (de) * | 1977-10-14 | 1979-04-19 | Plessey Inc | Anschlussleiterrahmen fuer gehaeuse von halbleiterbauelementen |
DE3410196A1 (de) * | 1984-03-20 | 1985-09-26 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Leiterband fuer die montage von integrierten schaltkreisen |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5593243A (en) * | 1979-01-04 | 1980-07-15 | Nec Corp | Semiconductor device |
JPS5611807A (en) * | 1979-07-10 | 1981-02-05 | Nippon Mining Co | Ironnbase alloy for lead wire material |
JPS5750457A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-24 | Hitachi Metals Ltd | Ic lead frame material |
JPS5861677A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-12 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPS599149A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-18 | Daido Steel Co Ltd | リ−ドフレ−ム材料 |
JPS60103158A (ja) * | 1983-11-11 | 1985-06-07 | Hitachi Metals Ltd | Icリ−ドフレ−ム材料 |
JPH0815532B2 (ja) * | 1987-05-21 | 1996-02-21 | 三菱重工業株式会社 | 排ガスの処理方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1514822A1 (de) * | 1964-08-14 | 1969-06-26 | Telefunken Patent | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung |
US3629668A (en) * | 1969-12-19 | 1971-12-21 | Texas Instruments Inc | Semiconductor device package having improved compatibility properties |
US3684464A (en) * | 1970-11-04 | 1972-08-15 | Texas Instruments Inc | Composite metal laminate material and lead frame |
-
1975
- 1975-07-24 GB GB3105775A patent/GB1550834A/en not_active Expired
-
1976
- 1976-07-08 DE DE19762630695 patent/DE2630695A1/de not_active Withdrawn
- 1976-07-09 JP JP8109476A patent/JPS5215265A/ja active Pending
- 1976-07-22 IT IT5056076A patent/IT1066367B/it active
- 1976-07-23 FR FR7622664A patent/FR2319199A1/fr not_active Withdrawn
-
1980
- 1980-03-20 HK HK14980A patent/HK14980A/xx unknown
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2809883A1 (de) * | 1977-10-14 | 1979-04-19 | Plessey Inc | Anschlussleiterrahmen fuer gehaeuse von halbleiterbauelementen |
DE3410196A1 (de) * | 1984-03-20 | 1985-09-26 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Leiterband fuer die montage von integrierten schaltkreisen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
HK14980A (en) | 1980-03-28 |
JPS5215265A (en) | 1977-02-04 |
GB1550834A (en) | 1979-08-22 |
IT1066367B (it) | 1985-03-04 |
FR2319199A1 (fr) | 1977-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10066443B4 (de) | Halbleitervorrichtung mit Abstrahlungsbauteilen | |
DE10125586B4 (de) | Kupferlegierung zur Verwendung in elektrischen und elektronischen Teilen | |
DE69414929T2 (de) | Leiterrahmen für eine integrierte Schaltungsanordnung | |
DE3634495C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Kupfer-Zinn-Legierung und deren Verwendung als Leitermaterial | |
DE69032879T2 (de) | Verbindungsverfahren für Halbleiterpackung und Verbindungsdrähte für Halbleiterpackung | |
DE10125323A1 (de) | Elektronische Komponente, Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Komponente sowie Leiterplatte | |
DE3429393A1 (de) | Kupferlegierung mit hoher festigkeit und hoher leitfaehigkeit | |
DE3401065A1 (de) | Kupferlegierungen mit verbesserter loetfaehigkeits-haltbarkeit | |
DE10065735A1 (de) | Verbindungsstücke aus Kupferlegierungen und Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE3610587A1 (de) | Zum bonden von halbleitervorrichtungen geeigneter draht und verfahren zu dessen herstellung | |
DE4311872A1 (de) | Leiterrahmen für integrierte Schaltungen | |
DE3725830A1 (de) | Kupferlegierung fuer elektronische instrumente | |
DE3527341C1 (de) | Kupfer-Chrom-Titan-Silizium-Legierung und ihre Verwendung | |
DE2630695A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE1627762A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen | |
CH669211A5 (de) | Kupfer-chrom-titan-silizium-legierung und ihre verwendung. | |
DE3522118C2 (de) | ||
DE3530736C2 (de) | ||
DE1279201B (de) | Halbleiteranordnung | |
DE1589079B2 (de) | Duennfilmkondensator | |
DE3613594C2 (de) | ||
DE112005001271T5 (de) | Kupferlegierung für elektrische und elektronische Geräte | |
CH665222A5 (de) | Kupfer-nickel-zinn-titan-legierung, verfahren zu ihrer herstellung sowie ihre verwendung. | |
DE69601771T2 (de) | Hochfeste Kupferlegierungen verschmutzen-frei während der Vorbehandlung für Metallisierungen | |
DE4319249C2 (de) | Anschlußrahmenmaterial, das aus einer Kupferlegierung geformt ist, für mit Epoxyharz gekapselte Halbleitervorrichtungen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |