DE2621184C3 - Verfahren zur Herstellung einer Deckelanordnung für ein Halbletterbauelementgehäuse - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer Deckelanordnung für ein HalbletterbauelementgehäuseInfo
- Publication number
- DE2621184C3 DE2621184C3 DE2621184A DE2621184A DE2621184C3 DE 2621184 C3 DE2621184 C3 DE 2621184C3 DE 2621184 A DE2621184 A DE 2621184A DE 2621184 A DE2621184 A DE 2621184A DE 2621184 C3 DE2621184 C3 DE 2621184C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- plastic
- cover
- lid
- preformed element
- preformed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 26
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 9
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000011243 crosslinked material Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000005923 long-lasting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
- H01L23/057—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads being parallel to the base
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Deckelanordnung für ein Halbleiterbauelementgehäuse,
bei dem auf den Deckel ein dem Umriß des Deckels angepaßtes ringförmiges Element
aus einem im wesentlichen noch nicht vernetzten wärmeaushärtbaren Kunststoff aufgebracht wird.
Es ist bekannt, Öffnungen von Behältern durch Einsetzen einer Anordnung aus einem vorgeformten
Element aus Kunststoff und einem Deckel zu verschließen, wobei das vorgeformte Element durch
Wärmeanwendung zuvor an dem Deckel befestigt wird.
Bekannt ist weiterhin aus der US-PS 3 823468 ein Verfahren zur Herstellung einer Deckelanordnung für
ein Halbleiterbauelementengehäuse,beidem ein meiaiifediei
Deckel und ein metallisches, vorgeformtes
Element aus Weichlot auf einem metallischen oder keramischen Gehäuse aufgesetzt und mit letzterem
durch Erwärmen der Anordnung bis zum Schmelzpunkt des Weichlots unter Bildung eines dauerhaften,
hermetisch abgedichteten Verschlusses des Gehäuses verbunden werden.
Bekannt ist ferner aus der Zeitschrift »Electronics« Band 45 (22. Mai 1972), Heft 11, S. 102 bis 106) zur
Abdichtung eines Kunststoffgehäuses für Halbleiterbauelemente einen Deckel und ein dem Umriß des
letzteren angepaßtes ringförmiges, vorgeformtes Element aus Phenolharz und ein Bodenteil mit einem
entsprechend vorgeformten Element zu verwenden. Hierbei wird das vorgeformte Element aus Phenolharz
zunächst mit der Gehäuseöffnung ausgerichtet und der Deckel beim Verschließvorgang unter Aufbringung
von Wärme und Druck befestigt. Das vorgeformte Element ermöglicht auch das Verschließen von
Gehäuse aus Metali, Keramik, Quarz oder Kunststoff bzw. bei veschiedener Kombination solcher Materialien,
das Problem der Schaffung einer dauerhaften hermetischen Abdichtung läßt sich jedoch nicht zufriedenstellend
lösen.
Ein vorläufiges Befestigen des vorgeformten EIementes
aus Kunststoff am Deckel mittels Wärme bewirkt in nachteiliger Weise eine Beeinträchtigung der
Fähigkeit bestimmter Arten von vorgeformten Elementen aus Kunststoff durch die aufgebrachte Wärme
einen dichten Abschluß mit der den Hohlraum des Halbleiterbauelementengehäuses umgebenden Fläche
zu erreichen. Die vorgeformten Elemente bestehen notwendigerweise aus einem im wesentlichen
noch nicht vernetzten, wärmeaushärtbaren Kunststoff, in dem beim erstmaligen Einfluß von Wärme
eine chemische Reaktion stattfindet, bei der das Material wenigstens teilweise irreversibel härtet. Steht
der wärmeaushärtbare Kunststoff bei der Erwärmung nicht mit der Oberfläche in Berührung, auf die er aufgebracht
werden soll, härtet seine offenliegende Oberfläche und verliert ihre Haftfähigkeit. Wird ein
vorgeformtes Element aus wärmeaushärtbarem Kunststoff wie z. B. aus Epoxydharz, auf dem Deckel
durch den Einfluß von Wärme festgelegt, so wird eine Haftung zwischen dem Deckel und der Oberfläche des
vorgeformten Elementes erreicht, die mit dem Deckel in Berührung steht. Die restliche Oberfläche des vorgeformten
Elementes härtet jedoch ebenfalls mindestens teilweise aus und verliert dabei ihre Haftfähigkeit
teilweise oder vollständig. Wird die Anordnung aus dem Deckel und dem vorgeformten Element auf
einem mit einem Hohlraum für das Halbleiterelement versehenen Gehäuseteil ausgerichtet und zwecks Abdichtung
erwärmt, so wird eine qualitativ minderwertige Abdichtung zwischen dem Gehäuseteil und
dem aus dem wärmeausi lärtbarem Kunststoff bestehenden
vorgeformten Element erhalten. Oft wird die Haftgüte eines solchen vorläufigen befestigten vorgeformten
Elementes so schlecht, daß die Deckelanordnung vom Gehäuseteil bereits bei geringerer mechanischer
Beanspruchung abfällt.
Bei Verwendung eine vorgeformten Elementes aus Kunststoff zusammen mit einem Deckel aus einem
elektrisch leitfähigen Material liegt ferner die vom vorgeformten Element umgebene Fläche des Deckels
die nach dem Verschließen dem Gehäuseinneren zugewandt ist, offen. Wenn einer der Verbindungsdrähte, die an das Halbleiterbauelement angeschlossen
sind, in Rerührung mit der offenliegenden
Metalloberfläche des Deckels gerät, tritt ein elektrischer Kurzschluß auf, der das Halbleiterbauelement
funktionsunfähig und damit unbrauchbar macht.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zufjrunde, ein
Verfahren gemäß der eingangs erwähnten Art zu schaffen, das eine dauerhaft stabile Abdichtung zwischen
der Deckelanordnung und dem das Halbleiterelement aufnehmenden Gehäuseteil ermöglicht.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß eine Lösung aus einem im wesentlichen noch
nicht vernetzten wärmeaushärtbaren Kunststoff in einem flüchtigen Lösungsmittel auf den Deckel zu Bildung
einer dünnen Kunststoffschicht aufgebracht wird, daß das vorgefcrmte Element auf die noch klebrige
Kunststoffschicht bei Umgebungstemperatur aufgedrückt wird, und daß der Trocknungsvorgang
abgeschlossen wird, wonach das vorgeformte Element an dem Deckel fest haftet.
Vorteilhafte Weiterbildungen des erfin^ungsgemäßen Verfahrens ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht in kostensparsnder Weise eine dauerhafte stabile, hermetische
Abdichtung der Deckelanordnung auf dem Halbleiterbauelementengehäuse.
Das erfindungsgemäße Verfahren wird nunmehr im einzelnen an Hand der Beschreibung der Zeichnungen
beschrieben. Es zeigt
Fig. 1 eine schematische Darstellung des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung einer
Deckelanordnung und
Fig. 2 eine schematische Darstellung, die ein Verfahren zum Zusammenbau und Abdichten eines
Halbleiterbauelementgehäuses unter Einsatz der Deckelanordnung zeigt.
Die Fig. 1 zeigt schematisiert ein Verfahren zur Herstellung einer Deckelanordnung für ein Halbleiterbauelementgehäuse
mit einem Deckel 10, auf dessen untere Fläche eine Lösung eines wärmehärtbaren Kunststoffs in einem flüchtigen Lösungsmittel zu einer
dünnen Kunststoffschicht 11 auf dem Deckel 10 aufgebracht ist. Die Kunststoffschicht 11 wird vorzugsweise
von einer Lösung aus Epoxydharz in einem Lösungsmittel in Form einer Mischung aus Methanol,
Äthylendichlorid und Dioxan gebildet, wobei die verwendete Lösung vorzugsweise 10 Gew.% Kunststoff
enthält. Das Lösungsmittel setzt sich wie folgt zusammen:
Methanol 30... 70%
Äthylendichlorid 20 ... 50%
Dioxan 5... 20%
Vorzugsweise setzt sich das Lösungsmittel im wesentlichen aus 50% Methanoi, 35% Äthylendichlorid
und 15% Dioxan zusammen.
Weiterhin ist ein ringförmiges vorgeformtes Element 12 aus einem im wesentlichen noch nicht vernetzten
wärmeaushärtbaren Kunststoff vorgesehen, der vorzugsweise die gleiche Zusammensetzung wie
der Kunststoff der Kunststoffschicht 11 aufweist und derart bemessen ist, daß er im wesentlichen den Umriß
des Deckels 10 angepaßt ist. Das ringförmige vorgeformte Element kann aus einem Streifen oder Bogen
CUS einem im wesentlichen noch nicht vernetzten Epoxydharz ausgestanzt sein. Das vorgeformte Element
12 wird bei Raumtemperatur und bei noch klebriger Beschichtung auf die Kunststoffschicht 11 auf
dem Deckel 10 aufgepreßt. Der Trocknungsvorgang der Kunststoffschicht 11 wird dann abgeschlossen, so
daß das vorgeformte Element 12 fest an dem Deckel 12 haftet.
Die Fig. 2 zeigt oben eine nach vorgehendem beschriebenem Verfahren hergestellte Deckelanordnung
10, 11, 12, wobei der Deckel 10 aus einem
feuchtigkeits- und luftundurchlässigen Material und vorzugsweise aus Metall, Glas, Quarz oder Keramik
besteht. Die Deckelanordnung 10, 11,12 ist auf ein Gehäuseteil 13 mit einem Hohlraum 14 aufgesetzt,
in dem sich ein Halbleiterbauelement 15 befindet. Das Gehäuse 13 ist von einem vergrößerten Tragelement
16 gehalten, in dem dicht eingeschlossen Anschlußstifte 17,18 vorgesehen sind, die in Zuleitungen zum
Halbleiterelement 15 enden. Das Gehäuseteil 13 mit der darauf befindlichen Deckelanordnung 10,11,12
ίο wird dann durch einen geeigneten Ofen geschickt, um
die Kunststoffschicht 11 auf dem Deckel 10 und dem vorgeformten Element 12 zu erwärmen und die chemische
Reaktion durchzuführen, bei der sich das vorgeformte Element 12 mit dem Deckel 10 und dem
Gehäuseteil 13 verbindet.
Durch Verwendung der Kunststoffschicht 11 aus einem im wesentlichen noch nicht vernetzten wärmeaushärtbaren
Kunststoff auf dem Deckel 11 und des ringförmigen, vorgeformten Elements 12 aus einem
im wesentlichen noch nicht vernetzten wärmeaushärtbaren Kunststoff, werden ihre Verbindungs- und
Hafteigenschaften bei der Vorerwärmung zwecks Anbringung des Elementes 12 am Deckel 10 nicht beeinträchtigt,
was eine zuverlässige und dauerhafte her-
-.' metische Abdichtung zwischen der Deckelanordnung
10,11,12 und dem Gehäuseteil 13 für das Halbleiterbauelement
gewährleistet. Ferner verhindert die Kunststoffschicht 11 aus einem im wesentlichen noch
nicht vernetzten wärmeaushärtbaren Kunststoff im Falle eines metallenen Deckels auf der Innenfläche
des letzteren einen möglichen Kurzschluß zwischen den dem Halbleiterelement 15 zugeordneten Zuleitungsdrähten.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (7)
1. Verfahren zur Herstellung einer Deckelanordnung für ein Halbleiterbauelementgehäuse, bei
dem auf den Deckel ein dem Umriß des Deckels angepaßtes ringförmiges vorgeformtes Element
aus einem im wesentlichen noch nicht vernetzten wärmeaushärtbaren Kunststoff aufgebracht wird,
dadurch gekennzeichnet, daß eine Lösung
aus einem im wesentlichen noch nicht vernetzten wärmeaushärtbaren Kunststoff in einem
flüchtigen Lösungsmittel auf den Deckel (10) zur Bildung einer dünnen Kunststoffschicht (11) aufgebracht
wird, daß das vorgeformte Element (12) auf die noch klebrige Kunststoffschicht (U) bei
Umgebungstemperatur aufgedrückt wird, und daB der Trocknungsvorgang abgeschlossen wird, wonach
das vorgeformte Element (12) an dem Dekkel(10)festliafltt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Lösung verwendet wird,
die 10 Gew.% Kunststoff enthält.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Lösung verwendet wird,
die als Kunststoff Epoxydharz und als Lösungsmittel eine Mischung aus Methanol, Äthylendichlorid
und Dioxan enthält.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Lösungsmittel verwendet
wird, das sich aus 30 bis 70% Methanol, 20 bis 50% Äthylendichlorid und 5 bis 20% Dioxan zusammensetzt.
5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Lösungsmittel verwendet
wird, das sich im wesentichen aus 50% Methanol, 35% Äthylendichlorid und 15% Dioxan zusammensetzt.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis
5, dadurch gekennzeichnet, daß für das vorgeformte Element (12) und für die Kunststoffschicht
(11) der gleiche Kunststoff verwendet wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis
6, dadurch gekennzeichnet, daß ein Deckel (10) verwendet wird, der aus Metall, Glas oder Keramik
besteht.
ίο
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/583,463 US4109818A (en) | 1975-06-03 | 1975-06-03 | Hermetic sealing cover for a container for semiconductor devices |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2621184A1 DE2621184A1 (de) | 1976-12-23 |
DE2621184B2 DE2621184B2 (de) | 1978-10-26 |
DE2621184C3 true DE2621184C3 (de) | 1979-08-02 |
Family
ID=24333198
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2621184A Expired DE2621184C3 (de) | 1975-06-03 | 1976-05-11 | Verfahren zur Herstellung einer Deckelanordnung für ein Halbletterbauelementgehäuse |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4109818A (de) |
JP (1) | JPS594859B2 (de) |
CA (1) | CA1033471A (de) |
DE (1) | DE2621184C3 (de) |
FR (1) | FR2313773A1 (de) |
GB (1) | GB1488331A (de) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4243729A (en) * | 1978-07-31 | 1981-01-06 | Semi-Alloys, Inc. | Metallic hermetic sealing cover for a container |
US4192433A (en) * | 1979-01-19 | 1980-03-11 | Semi-Alloys, Inc. | Hermetic sealing cover for a container for semiconductor devices |
US4190176A (en) * | 1979-01-23 | 1980-02-26 | Semi-Alloys, Inc. | Sealing cover unit for a container for a semiconductor device |
US4303934A (en) * | 1979-08-30 | 1981-12-01 | Burr-Brown Research Corp. | Molded lead frame dual in line package including a hybrid circuit |
US4291815B1 (en) * | 1980-02-19 | 1998-09-29 | Semiconductor Packaging Materi | Ceramic lid assembly for hermetic sealing of a semiconductor chip |
US4331258A (en) * | 1981-03-05 | 1982-05-25 | Raychem Corporation | Sealing cover for an hermetically sealed container |
JPS60124848A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体類のパッケ−ジ構造 |
US4874722A (en) * | 1987-04-16 | 1989-10-17 | Texas Instruments Incorporated | Process of packaging a semiconductor device with reduced stress forces |
FR2615488B1 (fr) * | 1987-05-20 | 1990-05-18 | Aluminium Societe Alsacienne | Opercule pour la fermeture d'un recipient comprenant une zone de scellage en matiere thermoplastique, et procede pour la fabrication de cet opercule |
JPH0793393B2 (ja) * | 1988-02-22 | 1995-10-09 | 株式会社東芝 | 半導体装置の金属製シェル |
US5230759A (en) * | 1989-10-20 | 1993-07-27 | Fujitsu Limited | Process for sealing a semiconductor device |
US5218510A (en) * | 1991-09-23 | 1993-06-08 | Bradford Company | Suspension packaging for static-sensitive products |
JP3579740B2 (ja) * | 1998-04-18 | 2004-10-20 | Tdk株式会社 | 電子部品の製造方法 |
US6827232B1 (en) * | 1999-09-16 | 2004-12-07 | Tokai Kogyo Co., Ltd. | Resin case providing compatibility between air permeability and water proofing property, and mold for producing such case |
US7442334B2 (en) * | 1999-09-16 | 2008-10-28 | Tokai Kogyo Co., Ltd. | Resin case in which gas-permeability and waterproof quality are compatible, and die for manufacturing such case |
IL179204A0 (en) | 2006-11-13 | 2008-01-20 | Abraham Aharoni | Multi-phase interferometer |
JP2009001754A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-01-08 | Kagawa Univ | 接着構造、封止構造及びそれを用いた電子部品、接着方法並びに封止方法 |
JP5385974B2 (ja) * | 2008-05-15 | 2014-01-08 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. | フレキシブル回路シール |
US7993609B2 (en) * | 2008-12-30 | 2011-08-09 | Sterilucent, Inc. | Package for chemicals |
US20160291269A1 (en) * | 2015-04-01 | 2016-10-06 | Coriant Advanced Technology, LLC | Photonic integrated circuit chip packaging |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2887737A (en) * | 1954-07-12 | 1959-05-26 | Pittsburgh Plate Glass Co | Sealing means for glazing unit |
US3120321A (en) * | 1962-09-27 | 1964-02-04 | Central States Can Corp | Container construction |
US3190952A (en) * | 1963-02-21 | 1965-06-22 | Bitko Sheldon | Welded hermetic seal |
FR2155233A5 (de) * | 1971-10-05 | 1973-05-18 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | |
US3874549A (en) * | 1972-05-26 | 1975-04-01 | Norman Hascoe | Hermetic sealing cover for a container for a semiconductor device |
US3778683A (en) * | 1972-08-28 | 1973-12-11 | Gen Electric | Self-bonding capacitor case insulation |
US3825148A (en) * | 1972-09-25 | 1974-07-23 | Gen Electric | Hermetic sealing system for plastic tank and cover |
-
1975
- 1975-06-03 US US05/583,463 patent/US4109818A/en not_active Expired - Lifetime
-
1976
- 1976-01-29 CA CA244,510A patent/CA1033471A/en not_active Expired
- 1976-02-03 GB GB4123/76A patent/GB1488331A/en not_active Expired
- 1976-05-07 FR FR7613744A patent/FR2313773A1/fr active Granted
- 1976-05-11 DE DE2621184A patent/DE2621184C3/de not_active Expired
- 1976-05-13 JP JP51053914A patent/JPS594859B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2313773A1 (fr) | 1976-12-31 |
DE2621184A1 (de) | 1976-12-23 |
JPS51148360A (en) | 1976-12-20 |
US4109818A (en) | 1978-08-29 |
JPS594859B2 (ja) | 1984-02-01 |
DE2621184B2 (de) | 1978-10-26 |
CA1033471A (en) | 1978-06-20 |
FR2313773B3 (de) | 1979-03-16 |
GB1488331A (en) | 1977-10-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2621184C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Deckelanordnung für ein Halbletterbauelementgehäuse | |
EP1594165B1 (de) | Verfahren zur elektrischen Isolation eines Substrats für ein Leistungsmodul | |
DE3442131A1 (de) | Verfahren zum einkapseln von mikroelektronischen halbleiter- und schichtschaltungen | |
WO1998008365A1 (de) | Verfahren zum abschirmen einer elektrischen oder elektronischen schaltung sowie abschirmkappe | |
DE4013812A1 (de) | Hermetisch dichte elektrische durchfuehrung mit elektrischen filterelementen in chipform | |
DE102007019096B4 (de) | Elektronikgehäuse | |
DE1489781B2 (de) | Hermetisches gehaeuse fuer eine elektronische vorrichtung, vorzugsweise miniaturvorrichtung, und verfahren zu seiner herstellung | |
WO1998011400A1 (de) | Zünd-/anzündelement mit einer auf einem chip angeordneten zündbrücke | |
EP0129714A2 (de) | Elektrischer Kondensator | |
EP0169356B1 (de) | Wechsellastbeständiges, schaltbares Halbleiterbauelement | |
WO2016177629A1 (de) | Elektronische komponente und verfahren zu deren herstellung | |
DE102005055950A1 (de) | Vorrichtung zur Passivierung wenigstens eines Bauelements durch ein Gehäuse und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung | |
DE102015223668B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer mit Kunststoff umspritzten Elektronikbaugruppe, eine derartige Elektronikbaugruppe, sowie ein kapazitiver Sensor | |
DE3444699A1 (de) | Elektrisches leistungsbauteil | |
DE3505115A1 (de) | Elektrisch leitende klebeverbindung | |
DE102008039921A1 (de) | Elektronisches Gerät mit diskretem Bauelement und Verfahren zur Herstellung desselben | |
EP0071233A2 (de) | In einen Becher eingesetztes elektrisches Bauelement, Bauelementegruppe oder integrierte Schaltung | |
DE102008049650A1 (de) | Gasgenerator, insbesondere für ein Fahrzeuginsassen-Rückhaltesystem, sowie Verfahren zur Herstellung eines Gasgenerators | |
DE102016219586A1 (de) | Sensorvorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Sensorvorrichtung | |
EP2040527A1 (de) | Elektronikgehäuse | |
EP1256267A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer elektromagnetischen abschirmung | |
DE19721678C1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines SMD-Kunststoffolienkondensators | |
DE19639133A1 (de) | Elektrische Anzündeinrichtung mit einer elastischen Schicht zwischen dem Aufnahmeteil und dem Kunststoffkörper | |
EP0342390B1 (de) | Gehäuse für elektrische Bauelemente, Bauelementegruppen oder integrierte Schaltungen | |
DE19636813C1 (de) | Verfahren zur Montage von Piezoelementen auf Oberflächen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |