DE2619873C3 - Verfahren zum Überprüfen eines eine Vielzahl nominell identischer Muster tragenden Werkstücks sowie eine Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens - Google Patents
Verfahren zum Überprüfen eines eine Vielzahl nominell identischer Muster tragenden Werkstücks sowie eine Vorrichtung zum Durchführen des VerfahrensInfo
- Publication number
- DE2619873C3 DE2619873C3 DE2619873A DE2619873A DE2619873C3 DE 2619873 C3 DE2619873 C3 DE 2619873C3 DE 2619873 A DE2619873 A DE 2619873A DE 2619873 A DE2619873 A DE 2619873A DE 2619873 C3 DE2619873 C3 DE 2619873C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- pattern
- columns
- patterns
- areas
- storage medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
a) nacheinander erfolgendes Abbilden derselben Teilbereiche (1-1-1 bis 10-492-500) benachbarter
Muster (1 bis 10) auf ein Bildspeichermedium (40)
a.l) mit Hilfe eines Abbildungssystems (36) mit
einer Blitzlichtquelle (16) und
a.2) einer Rasterblende (38)
dergestalt, daß jeweils nur im gleichen Abstand befindliche Teilbereiche (1-1-1, 2-1-1-, 3-1-1...) nacheinander beleuchteter Muster Seite bei Seite nebeneinanderliegend auf das Bildspeichermedium (40) abgebildet und dort gespeichert werden,
a.2) einer Rasterblende (38)
dergestalt, daß jeweils nur im gleichen Abstand befindliche Teilbereiche (1-1-1, 2-1-1-, 3-1-1...) nacheinander beleuchteter Muster Seite bei Seite nebeneinanderliegend auf das Bildspeichermedium (40) abgebildet und dort gespeichert werden,
b) und Vergleichen der gespeicherten Bildinhalte im Komparator (20) mit gegebenenfalls gewichteten
Mittelwerten hiervon auf Übereinstimmung.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß zum Durchführen des Vergleichs das Bildspeichermedium in sequentiellen Signalgruppen
ausgelesen wird, von denen jede Signale enthält, die für entsprechende Teilbereiche repräsentativ sind.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- J5
zeichnet, daß Licht mit mehreren unterschiedlichen Wellenlängen gleichzeitig auf die Teilbereiche
gerichtet und nach Reflexion an den solcherart beleuchteten Mustern zun Bildspeichermedium
übertragen wird, um dort Abbildungen der beleuchteten Muster zu erzeugen.
4. Bildinspektionsvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, mit
— einem Abbildungssystem (36) und
— einem Bildspeichermedium (40),
dadurch gekennzeichnet, daß
— das Abbildungssystem (36) eine Rasterblende (38, 66) umfaßt, um lediglich Teilbereiche
desselben gegenseitigen Abslandes auf das Bildspeichermedium (40) zu übertragen, und
— eine Vorrichtung (46) zum Verschieben des Bildspeichermediums (40) zwischen benachbarten,
aufeinanderfolgend bestrahlten Musterbereichen vorgesehen ist derart, daß entsprechende
Teile aufeinanderfolgender Muster auf dem Bildspeichermedium Seite an Seite abgebildet
werden.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekenn- t>o
zeichnet, daß die Rasterblende durch eine lichtundurchlässige Platte (38) mit im Abstand voneinander
gelegenen Spalten gebildet ist, durch welche die Teilbereiche der Musterabbildung je auf das
Bildspeichermedium übertragen werden.
6. Vorrichtung nach Anspruch 4 oder 5, gekennzeichnet
durch eine Filtereinrichtung (70, 71, 72) zwischen Abbildungssystem und Werkstück zum
45
55 gleichzeitigen Richten von Licht in mehreren unterschiedlichen Wellenlängen jeweils auf einen
der Teilbereiche, so daß Licht von der Werkstückoberfläche nur in den mehreren unterschiedlichen
Wellenlängen gleichzeitig zur Rasterblende gelangt 7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Rasterblende (8) durch ein Feld von Miniaturlinsen (76) gebildet ist.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren der im Oberbegriff des Anspruchs 1 angegebenen Art
Fehler in Masken, die bei lithographischen Verfahren zur Herstellung mikrominiaturisierter Komponenten,
wie integrierter Schaltungen auf Si-Chips, verwendet werden, können die bei der Herstellung solcher Bauteile
erzielte Ausbeute ernsthaft beeinflussen. Mit abnehmender Größe und zunehmender Kompliziertheit
dieser Bauteile wird die Überprüfung der Masken und der Bauteile selber zur Sicherstellung einer angemessenen
Qualität zunehmend schwieriger. Die visuelle Prüfung einer Maske oder einer Scheibe mit sich
vielfach wiederholenden mikrominiaturisierten Mustern durch eine Person ist ein zeitraubender, stupider und oft
unangemessener Vorgang. Deshalb sind beträchtliche Anstrengungen zur Entwicklung automatischer Prüfungsanlagen
gemacht worden. Bei einer bekannten Prüfanlage werden jeweils zwei Muster auf benachbarten
Chips durch optisches Abtasten Punkt für Punkt automatisch miteinander verglichen und die beiden
resultierenden Ausgangssignale jeweils voneinander subtrahiert, um so eine Anzeige über jegliche Unterschiede
zwischen den beiden verglichenen Teilen zu erhalten. Diese Zwei-Muster-Vergleichsmethode ist
beschrieben auf den Seiten 49 bis 52 des »Proceedings of the Microelectronics Seminar« (Interface 73), 29. und
30. Oktober 1973, Atlanta, Georgia, veranstaltet von der
Eastman Kodak Company. Ein weiteres Beispiel einer Zwei-Muster-Vergleichsmethode findet sich in der
DE-OS 22 56 617 ( = US-PS 38 87 762).
In vielen Fällen können auf der Oberfläche einer Maske oder einer Komponentenscheibe von Muster zu
Muster allmähliche geometrische Änderungen auftreten. Solche Änderungen entstehen beispielsweise aus
sich kumulierenden Fehlausrichtungen oder von allmählichen Dickenänderungen von Muster zu Muster. Solche
allmählichen Änderungen können sich so stark akkumulieren, daß die Muster beispielsweise an den beiden
Enden einer Musterzeile in einem nicht mehr akzeptablen Ausmaß voneinander abweichen. Andererseits
können von Muster zu Muster längs einer Musterzeile akzeptable graduelle Änderungen auftreten. Ein Überprüfungsschema,
das solche kleinere graduelle Änderungen als Fehler identifizieren, würde dennoch falsche
Fehleranzeigen erzeugen.
Bei einer Überprüfung durch einen einfachen Vergleich zweier Chips kann es einerseits passieren, daß
schwerwiegende kumulative Änderungen nicht festgestellt werden, wenn diese auf den beiden Chips
denselben Gang haben. Andererseits kann es auch sein, daß akzeptable graduelle Änderungen nicht als solche
identifiziert und fälschlicherweise als Fehler eingestuft werden.
Sonach ist es Aufgabe der Erfindung, eine automatisierte Überprüfungsmethode bereitzustellen, die eine
mikroskopische Prüfung einer Vielzahl sich wiederho-
lender Muster vorsieht, und diese auch zwischen akzeptablen und nicht mehr akzeptablen graduellen
Änderungen von Muster zu Muster zu differenzieren vermag, so daß Änderungen, die entlang der Fläche
einer Maske oder Scheibe auftreten, richtig eingestuft werden können.
Die erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe ist für das Verfahren der im Oberbegriff des Anspruchs 1
angegebenen Art im kennzeichnenden Teil de? Anspruchs 1 angegeben.
Eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens ist im Anspruch 4 angegeben.
Nach der Erfindung werden also im wesentlichen entsprechende Teilbereiche aller Muster, die längs einer
Zeile einer sich wiederholende Muster aufweisenden Maske oder Scheibe liegen, nacheinander in bestimmter
Weise verschachtelt auf einem Speichermedium abgebildet. Nach Vervollständigung eines Überprüfungszyklus
sind Gruppen entsprechender Teilbereiche von allen diesen Mustern im Speichermediui.i jeweils Seite
an Seite angeordnet. Auf diese Weise können entsprechende Teilbereiche vieler Muster gleichzeitig
überprüft werden, um einen umfassenden Vergleich von Mustern entlang der gesamten Ausdehnung der Maske
oder Scheibe zu erhalten.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsformen näher erläutert. In der Zeichnung
zeigt
Fig. 1 eine Darstellung einer Vielfachmustermaske
oder -scheibe, die auf einem beweglichen .v-y-Tisch 3»
angeordnet ist,
F i g. 2 ein Ausführungsbeispiel für eine Maskenüberprüfungsanlage
zur Durchführung des Verfahrens,
Fig. 3 einen Teil eines überprüfenden Masken- oder
Scheibenmusters, )5
Fig.4 eine vergrößerte Darstellung einer Rasterblende,
die in der Anlage nach Fig. 2 enthalten ist,
Fig.5 eine schematische Darstellung der Fläche eines in der Anlage nach Fig. 2 enthaltenen Bildspeichermediums
während aufeinanderfolgender Überprüfungszyklen,
Fig. 6 eine vergrößerte Darstellung einer in der
Anlage gegebenenfalls enthaltenen Filterplatte,
F i g. 7 eine vergrößerte Darstellung von Miniaturlinsen-Anordnungen,
die zur Einfügung in die Anlage nach Fig. 2 geeignet sind, und
F i g. 8 verschiedene Ausgangssignalformen der Überprüfungsanlagen nach Fig. 2.
Eine sich wiederholende Musterstruktur der Art, wie sie durch die vorliegende Anlage überprüft werden soll,
ist in F i g. 1 gezeigt. Die Struktur soll entweder eine Maske oder eine Halbleiterscheibe darstellen, die auf
einem herkömmlichen, motorgetriebenen Tisch 11 angeordnet ist, der mit hoher Genauigkeit sowohl in xals
auch in y-Richtung mechanisch verschiebbar ist. ·>Γ>
Es sei beispielsweise angenommen, daß die auf dem Tisch 11 in Fig. 1 angeordnete Struktur 13 eine
bekannte Maske der Art ist, wie sie bei der Herstellung integrierter Schaltungen verwendet wird. Eine solche
Maske umfaßt ein Glassubstrat 12, das eine Schicht 14 en aus optisch undurchlässigem Material, z. B. eine auf dem
Substrat niedergeschlagene Chromschicht, aufweist. Durch selektives Ätzen, Schleifen oder anderweitiges
Entfernen spezieller Teile der Chromschicht 14 können Vielfach-Mikrominiaturmuster mit transparenten und br>
undurchlässigen Bereichen in der dargestellten Struktur gebildet werden. Diese durchlässigen und undurchlässigen
Bereiche sind in F i g. 1 nicht gezeigt, ihre Natur und Anordnung ist jedoch bekannt
Die in der Maskenstruktur de·- F i g. 1 liegende
Vielzahl sich wiederholender Muster aus transparenten und undurchlässigen Bereichen sollen ideal exakte oder
nahezu exakte Replikate sein, also nominiell einander gleichen. Es sei angenommen, daß sich jedes Muster
innerhalb eines Quadrates des in F i g. 1 gezeigten, nach Zeilen und Spalten angeordneten Feldes befindet. Die
das Feld bildenden Linien existieren in der Maskenstruktur nicht wirklich, sondern sind in F i g. 1 nur
deshalb enthalten, damit man sich die Plazierung der einzelnen Muster innerhalb des Ganzen leichter
vorstellen kann. Beispielsweise ist jedes Muster in der Struktur der F i g. 1 etwa 5 mm mal 5 mm groß. Und wie
F i g. 1 zeigt, sind je zehn solcher Muster längs der Zeilen und längs der Spalten des dargestellten Feldes
vorhanden.
Wie nachstehend besrhrieben ist, wird die Überprüfung
einer Maskenstruktur, die viele Muster mit je durchlässigen und undurchlässigen Bereichen umfaßt,
im Durchlicht ausgeführt. Der durch die transparenten Bereiche der Struktur durchgelassene Teil des Lichtes
wird anschließend verarbeitet und abgetastet, um eine Anzeige für die Qualität der Maske zu erzeugen.
Die Maskenüberprüfungsanlage nach F i g. 2 enthält den die Maskenstruktur 13 tragenden x-y-Tisch 11 der
Fig. 1. Licht, das durch die transparenten Bereiche der Maske 13 geschickt werden soll, wird von einer
Blitzlampe 16 erzeugt, deren Strahlung durch eine Linse 18 auf einen Maskenbereich fokussiert wird, der einem
Quadrat des in F i g. 1 gezeigten Feldes entspricht.
Damit Licht der Lampe 16 in Fig. 2 auf die untere Oberfläche der Maske 13 fallen kann, ist der Tisch 11 aus
einem lichtdurchlässigen Material, wie Glas, hergestellt. Alternativ kann die Maske 13 direkt oberhalb einer
(nicht gezeigten) Öffnung am Tisch 11 angebracht sein.
Während eines Maskenüberprüfungszyklus werden Steuersignale von einem zentralen Prozessor 20 einem
mechanischen .v-y-Antrieb 22 zugeführt, um den Tisch
11 in eine Position zu bringen, in der eine Abtastung in
x-Richtung beginnen kann. Es wird beispielsweise angenommen, daß die Zeile aus zehn Mustern überprüft
werden soll, die in F i g. 1 mit 1 bis 10 bezeichnet sind. In diesem Fall wird der Tisch 11 in Fig. 2 durch den
Antrieb 22 ganz nach rechts in die Anfangsposition verschoben, in welcher sich das Muster 1 der
Maskenstruktur 13 direkt oberhalb der Linse 18 befindet. Dem Prozessor 20 wird von einer herkömmlichen
Kodeplatte oder einem (nicht gezeigten) Interferometer, die bzw. das dem Tisch 11 zugeordnet ist,
signalisiert, daß sich der Tisch in derjenigen Position befindet, in welcher ein Abtastzyklus beginnen kann. Als
Reaktion darauf wird vom Prozessor 20 ein Startsignal auf eine Aktivierungsschaltung 34 gegeben, um die
Blitzlampe 16 kurzzeitig mit Energie zu versorgen. Als Folge davon wird das Muster 1 beleuchtet, und eine
durch eine Linse 36 erzeugte Abbildung dieses Musters wird auf eine Rasterblende 38 projiziert, die vorliegend
eine Vielzahl im Abstand voneinander liegender Spalten in einer undurchsichtigen Platte aufweist. Auf diese
Weise werden entsprechende, im Abstand voneinander liegende Spalten des Musters 1 ausgeblendet und auf die
Oberfläche eines herkömmlichen Bildspeichermediums 40 abgebildet. Das Medium 40 umfaßt beispielsweise ein
quadratisch ausgebildetes Vidikon, das 500 Elemente sowohl in der x- als auch der y-Richtung auflösen kann.
Als Beispiel sei angeführt, daß das Medium 40 eine lineare ladungsgekoppelte Bildempfangsvorrichtung ist.
Diese Vorrichtung umfaßt ein Siliciumchip, längs dessen Länge und Breite viele lichtempfindliche Elemente
vorhanden sind. Die Lichtabsorption in einem einzelnen lichtempfindlichen Element bewirkt, daß sich hier eine
Elektronenladung ansammelt. Die angesammelte Ladung, das »Ladungspaket«, ist proportional zur
Intensität hier auftreffenden Lichtes. Auf der Oberfläche des Siliciumchips befinden sich Elektroden, welche
die periodische Übertragung dieser Ladungspakete der Reihe nach zu einer Ausgangselektrode ermöglichen.
Der von der Ankunft der Ladungspakete an der Ausgangselektrode resultierende Strom liefert deshalb
ein analoges Maß für das auf einen Elementarbereich der Vorrichtung auftreffende Licht. (Für weitere
Einzelheiten hinsichtlich Aufbau und Arbeitsweise ladup.gsgekoppelter Abbüdur.gsvorrichtungen siehe
»Charge-Coupling Technology Leads to Compact Video Cameras«, Bell Laboratories Record, Oktober
1973, Seiten 266-271).
F i g. 3 zeigt eine vergrößerte Ansicht des Musters 1
der Fig. 1. (Um ein übermäßiges Überladen der Zeichnung zu vermeiden, ist in Fig.3 ein aus
transparenten und undurchlässigen Bereichen zusammengesetztes herkömmliches Maskenmuster wiederum
nicht wirklich dargestellt). Die einzelnen strichpunktierten Kästchen in F i g. 3 repräsentieren in etwa die
maßgebenden Bestandteilsbereiche des Musters, die aufgrund der zuvor erwähnten Beleuchtung des Musters
1 auf die Oberfläche des Speichermediums 40 (F i g. 5) abgebildet werden.
Um ein spezielles Beispiel dor Arbeitsweise der Maskenüberprüfungsanlage nach F i g. 2 zu geben, ist es
hilfreich, weitere Abmessungen des in F i g. 3 dargestellten Maskenmusters festzusetzen. Es sei angenommen,
daß das Muster 1 eines von vielen »identischen« Mustern ist, die je in einem Bereich von 5 mm mal 5 mm
enthalten sind (siehe die in Fig.4 angegebenen Abmessungen), und daß die im Abstand voneinander
liegenden strichpunktierten Spalten des Musters 1 je 5 μίτι mal 2500 μίτι groß sind. Diese Spalten sind in
50-Mikrometer-Intervallen angeordnet, liegen also zehn
Spaltbreiten auseinander, und es sind 50 solcher Spalten vorhanden.
Um die nachstehend zu beschreibende Korrespondenz zwischen den das Muster 1 zusammensetzenden
Elementarbereichen und dem auf dem Speichermedium 40 (Fig. 5) erzeugten Bild leichter erkennbar zu
machen, ist jedes der Elementarbereiche, die in den strichpunktierten Spalten in Fig. 3 enthalten sind, mit
einem Drei-Zahlen-Kode versehen. Die erste Zahl kennzeichnet die Positions-Nummer des Musters und
die zweite und dritte Zahl kennzeichnen die Positions-Nummern der Spalte bzw. Zeile innerhalb des Musters.
Folglich gibt die Bezeichnung 1-1-1 im oberen linken Element in F i g. 3 an, daß dieses Element ein Teil des
Musters 1 ist und sich in der ersten (am weitesten links gelegenen) Spalte und ersten (am weitesten oben
gelegenen) Zeile des Musters 1 befindet Dementsprechend ist das unterste Element in der ersten Spalte des
Musters 1 mit 1-1-500 bezeichnet Die nächste Spalte des Musters 1, die anfangs auf dem Speichermedium 40
abgebildet wird, ist bei den angegebenen Abmessungen erst die elfte Spalte von links. Dementsprechend sind
das oberste Element dieser Spalte mit 1-11-1 und das unterste Element dieser Spalte mit 1-11-500 bezeichnet
Von den 50 anfangs auf das Medium abgebildeten Spalten des Musters 1 ist die am weitesten rechts
gelegene Spalte 491 ebenfalls in F i g. 3 gezeigt Das oberste Element dieser Spalte ist mit 1-491-1 und das
unterste Element mit 1-491-500 bezeichnet.
Wie bereits erwähnt, wird der gesamte Bereich des Musters 1 durch die Blitzlampe 16 momentan
j beleuchtet. Aufgrund der Wirkung der Rasterblende 38 werden jedoch lediglich im Abstand voneinander
liegende Spalten des Musters 1 auf die Oberfläche des Speichers 40 abgebildet. Die spezielle Rasterblende 38,
die zur Erzielung dieses Ergebnisses geeignet ist, ist in
ίο F i g. 4 gezeigt.
Die Rasterblende 38 umfaßt eine Vielzahl durchlässiger Blendenspalte, die in einer undurchlässigen Platte 42
gebildet sind. Im speziellen Fall, in welchem 50 einen Abstand (von zehn Spalten) voneinander aufweisender
Spalten eines jeden Musters gleichzeitig auf das Speichermedium 40 abgebildet werden sollen, umfaßt
die Rasterblende 38 fünfzig Blendenspalte 101,102,103,
... 148, 149, 150. Jede Blendenspalte liegt so, daß die Abbildung einer entsprechend gelegenen in Fig.3
dargestellten Spalte durchgelesen wird. Somit gelangen beispielsweise die Abbildungen der 500 Elementarbereiche,
die in der ersten, in F i g. 4 gezeigten Spalte, liegen, durch den Blendenspalt 101, und die Abbildungen der
500 Elementarbereiche der 50. Spalte in F i g. 3 durch den Blendenspalt 150. Die Abbildungen der 48 übrigen
Spalten des Musters 1 gelangen durch die übrigen Blendenspalte 102,103,... 148,149(F i g. 5) hindurch.
Beispielsweise Abmessungen für die Rasterblende 38 sind in Fig.4 angegeben. Bei der Ausführungsform
entsprechen diese Abmessungen jenen, wie sie zuvor für das Muster 1 angegeben worden sind. Die entsprechenden
Abbildungen der in jeder Spalte der F i g. 3 enthaltenen 500 einzelnen 5x5 μπι großen Spalte
Elemente sind also je auf etwa 25 χ 25 μπι vergrößert.
wenn sie durch den je zugeordneten Spalt der Rasterblende gelangen.
Aufgrund einer Beleuchtung des Musters 1 zur Zeit ti
gelangen die Abbildungen der 50 zuvor angegebenen, im Abstand von 10 Spalten liegenden Spalten dieses
Musters durch die Rasterblende 38 auf die Oberfläche des Speichermediums 40. Diese Spaltenabbildungen
sind in Fig.5 gezeigt, welche die Oberfläche des
Speichermediums repräsentiert Die Abbildungen der einzelnen Spalten sind in F i g. 5 mit dem gleichen
Drei-Zahlen-Kode wie in F i g. 3 versehen und entsprechen diesen. Zudem sind in F i g. 5 Angaben enthalten,
die zeigen, zu welchen Zeiten die dargestellten Spaltenabbildungen auf die Oberfläche des Speichermediums
40 gelangen. Dementsprechend werden zur Zeit
so r, fünfzig im Abstand von je 10 Spalten liegende Spalten
des Musters 1 auf das Speichermedium 40 abgebildet, was durch eine Momentanbeleuchtung des Musters 1
durch die Blitzlampe 16 geschieht
Während der aufeinanderfolgenden Momentanbeleuchtungen der Muster 1 bis 10 wird eine beispielsweise
kontinuierliche Bewegung des Tisches 10 der F i g. 2 in x-Richtung bewirkt Die Aktivierung der Blitzlampe 16
zur Beleuchtung des Musters 2 wird vom Prozessor 20 so gesteuert daß sie zur Zeit ti auftritt, zu der sich das
Muster 2 in Ausrichtung mit der Lampe 16 und der Linse 18 befindet
Nach der Beleuchtung des Musters 1 zur Zeit fi und
vor der Beleuchtung des Musters 2 zur Zeit f2 wird das
Speichermedium 40 um einen Schritt nach links in zur x-Achse paralleler Richtung verschoben. Die Schrittbreite
ist dabei gleich der Breite einer der in Fig.6
gezeigten Spaltenabbildung. Dies wird dadurch bewirkt, daß Steuersignale vom Prozessor 20 einem mechani-
sehen Antrieb oder Mikropositionierer 46 (Fig. 2)
zugeführt werden, mit dem das Medium 40 verschoben wird.
Als Folge der genannten Verschiebung des Speichermediums
40 bewirkt die Momentanbeleuchtung des Musters 2 zur Zeit h, daß fünfzig von je zehn Spalten im
Abstand liegende Spalten des Musters 2 auf der Oberfläche des Speichermediums 40 an Stellen abgebildet
werden, die den zuvor abgebildeten fünfzig Spalten des Musters 1 je benachbart sind. Dieses ist in F i g. 5 für
einige Spaltenabbildungen dargestellt. Demgemäß liegen die 500 Elementarbereiche der Abbildungen der
ersten Spalte des Musters 2 (mit 2-1-1 bis 2-1-500 bezeichnet) je benachbart zu den 500 Elementarbereichen
der Abbildung der ersten Spalte des Musters 1 (1-1-1 bis 1-1-500). Ferner sind die Abbildungen der 500
Elementarbereiche der 11. und der 491. Spalte des Musters 2 jeweils an die Abbildungen der 500
Elementarbereiche in der 11. und der 491. Spalte des Musters 1 angrenzend dargestellt. Diese Spalten, wie
auch die 47 weiteren im Abstand von zehn Spalten liegende Spalten des Musters 2, werden zur Zeit f2 auf
das Speichermedium 40 abgebildet.
Als nächstes wird zwischen den Momentanbeleuchtungen zum Zeitpunkt fc und (3 das Speichermedium 40
der F i g. 2 wieder um einen Schritt nach links verschoben, der gleich der Breite der Abbildung einer
Spalte (F i g. 5) ist. Demzufolge bewirkt die Momentanbeleuchtung zur Zeit h, daß nun vom Muster 3 die
fünfzig je im Abstand von 10 Spalten liegenden Spalten auf die Oberfläche des Mediums 40 an Stellen abgebildet
werden, die den zuvor beschriebenen Abbildungen der fünfzig Spalten des Musters 2 je benachbart sind. So
zeigt F i g. 6, daß zur Zeit r3 die erste Spalte des Musters
3 direkt neben der ersten Spalte des Musters 2 abgebildet ist.
In gleicher Weise werden auch die fünfzig entsprechenden Spalten jedes der Muster 4 bis 10 der Reihe
nach auf die Oberfläche des Speichermediums 40 abgebildet. Die im Abstand von je zehn Spalten
liegenden Spalten jedes der Muster 4 bis 10 werden jeweils zu den entsprechenden Zeitpunkten U bis iio als
Gruppe auf das Medium 40 projiziert (F i g. 5). Somit sind nach lOmaligem Blitzen der Lampe 16 in Fi g. 2 die
je vordersten (die am weitesten links gelegenen) Spalten der Muster 1 bis 10 Seite an Seite direkt nebeneinander
auf die Oberfläche des Bildspeichermediums angeordnet abgebildet worden, direkt gefolgt von den je
zweitvordersten Spalten der Muster 1 bis 10 in entsprechender Anordnung usw. Die weiteren 48
Spalten eines jeden der 10 Muster dieser Zeile sind dann
ebenfalls in Sätzen von je 10 auf dem Medium 40 gruppiert.
Zu diesem Zeitpunkt des Überprüfungszyklus (d.h. nach Γιο) ist das Medium 40 der Fig.2 vollständig
belichtet Demzufolge ist ein Bildfeld von 500 mal 500 Elementarbereichen in diesem Medium gespeichert Es
beginnt dann das Auslesen aus dem Medium 40. Dies wird durch eine herkömmliche Detektorschaltung 50
bewirkt, die durch den Prozessor 20 gesteuert ist Signale von der Schaltung 50 werden beispielsweise zur
visuellen Prüfung direkt auf eine Wiedergabevorrichtung 52 gegeben und/oder dem Prozessor 20 zugeführt,
und zwar zur halbpermanenten Speicherung in diesem und/oder zur Durchführung verschiedener Signalumformungen.
Die Detektorschaltungsanordnung 50 wird beispielsweise so gesteuert, daß sie gleichzeitig 10 Elementarbereiche
einer Zeile des im Medium 40 gespeicherten Feldes abtastet. So werden beispielsweise die Signale,
die die 10 Elementarbereiche 1-1-1, 2-1-1, ... 10-1-1 repräsentieren, seriell aus dem Medium 40 entnommen.
Die 10 Signale sind also je repräsentativ für einen und denselben Elementarbereich eines jeden Musters 1 bis
10. Im Idealfall sind diese Bereiche identisch und damit
auch die von ihnen abgeleiteten elektrischen Signale. Die oberste Wellenform 54 in F i g. 8 zeigt eine solche
Situation, in der die Amplituden der von den Elementarbereichen 1-1-1,2-1-1,... 10-1-1 abgeleiteten
Signale konstant und einander gleich sind. Eine solche Wellenform kann auf der Wiedergabevorrichtung 52
der F i g. 2 zur visuellen Überprüfung durch eine Person dargestellt werden.
Ein wirklicher Fehler in einem der Elementarbereiche 1-1-1,2-1-1,... 10-1-1 ist durch die mittlere Wellenform
56 in F i g. 7 dargestellt. Dabei ist ein Fehler im Elementarbereich 6-1-1 angenommen. Der Unterschied
in der Anzeige kommt daher, daß sich die Intensität der vom oberen linken Elementarbereich des Musters 6
herrührende Lichtkomponente beträchtlich von der der übrigen Lichtkomponenten unterscheidet, die von den
entsprechenden Elementarbereichen der Muster 1 bis 5 und 7 bis 10 herrühren.
Den Nachweis, daß das vom Bereich 6-1-1 stammende und auf der Vorrichtung 62 angezeigte Signal ein
wirkliches Fehlersignal ist, kann man dadurch erhalten, daß man (beispielsweise im Prozessor 20) das
6-1-1-Signal vergleicht mit dem Mittelwert der von den
Bereichen 5-1-1 und 7-1-1 erhaltenen Signale oder mit irgendeinem anderen gewichteten Mittelwert aller
anderen Signale. Die zehn Signale können auch dahin untersucht und verarbeitet werden, um zu bestimmen,
ob die zusammengesetzte Wellenform 56 ihrer Natur nach monoton ist oder nicht. Weiterhin können auch
durch übliche Signalverarbeitungsmethoden die die Wellenform 56 bildenden Signale im Prozessor 20
geprüft werden, um nachzuweisen, daß das 6-1-1-Signal nicht eng mit wenigstens einem der 5-1-1 und
7-1-1-Signale übereinstimmt.
Die unterste Wellenform 58 der F i g. 8 zeigt den Fall, daß längs der Fläche der überprüften Maske gleichförmige,
allmähliche Änderungen von Muster zu Muster auftreten. Wie zuvor erwähnt, können solche allmählichen
Änderungen akzeptabel sein. Wenn sie akzeptabel sind, sollte die Überprüfungsanordnung natürlich nicht
das Auftreten eines Fehlers signalisieren. Durch einen Vergleich des Signals, das beispielsweise vom Bereich
7-1-1 stammt mit dem Mittelwert der Signale von den Bereichen 6-1-1 und 8-1-1 würde der Prozessor 20 der
F i g. 2 bestimmen, daß das 7-1-1-Signal der Wellenform 58 nicht auf einen Fehler hinweist Die Signaivergleiche
im Prozessor 20 zwischen einem jeden Komponentensignal der Wellenform 58 und dem Mittelwert der
benachbarten Signale dient dazu, die abgetasteten Signale korrekt einzustufea
Bei dem bekannten einfachen Zwei-Muster-Vergleichs-System könnte der Unterschied zwischen dem
7-1-1- und dem 8-1-1-Signal fälschlicherweise als von
einem Fehler herrührend eingestuft werden. Um sich gegen eine solche falsche Anzeige zu schützen, könnte
der Fehleransprech-Schwellenwert so eingestellt werden,
daß er größer als die Differenz zwischen den 7-1-1- und 8-1-1-Signalen ist Eine solche Einstellung würde
jedoch offensichtlich die Empfindlichkeit des Überprüfungsprozesses
beeinträchtigen. Im Gegensatz dazu kann entsprechend der vorliegenden Bildzerlegungsme-
thode der Schwellenwert als die Differenz zwischen dem 7-1-1-Signal und dem Mittelwert der 6-1-1- und
8-1-1-Signale festgesetzt werden. Für eine Wellenform
der in Fig.8 mit 58 gekennzeichneten Art ist dies ein
niedrigerer Wert als der Schwellenwert, der für den bekannten einfachen Vergleich zweier Chips zu wählen
ist. Die hier betrachtete Überprüfungsmethode vermag daher Fehler auf empfindlichere Weise festzustellen und
hat zugleich eine größere Immunität gegenüber Falschfeststellungen.
In exakt gleicher Weise wird nachfolgend das Auslesen von jeweils zehn Elementarbereichen des in
F i g. 5 gezeigten Bildfeldes durchgeführt, bis die Signale, die von allen 500 Elementarbereichen in der
ersten Zeile stammen, angezeigt und/oder verarbeitet sind. Dann werden die weiteren 499 Zeilen des Feldes in
F i g. 5 der Reihe nach auf die gleiche Weise abgetastet. Während des Abtastens des gespeicherten Feldes wird
der Tisch 11 der F i g. 2 durch den Antrieb 22 zu seiner
Ausgangsstellung verschoben. Nach Durchführung des Auslesens des im Medium 40 gespeicherten gesamten
Feldes aus 500 mal 500 Elementen wird das Medium 40 (falls erforderlich) gelöscht und auch mechanisch in
seine Anfangsstellung zurückgeführt.
Zu diesem Zeitpunkt ist das System der F i g. 2 für den Beginn des nächsten Arbeitszyklus bereit. Während
dieses Zyklus wird der Tisch 11 wieder auf kontinuierliche
Weise in der ^-Richtung von rechts nach links bewegt. Die Aktivierung der Blitzlampe 16 zur
Beleuchtung der Muster 1 bis 10 wird jedoch nun so gesteuert, daß sie zeitlich versetzt gegenüber der zuvor
beschriebenen ersten Beleuchtung dieser Muster auftritt.
Und zwar soll nun das Muster 1 erst dann beleuchtet werden, wenn sich der Tisch 11 vom Startpunkt aus um
eine Spaltenbreite nach links bewegt hat. Als Folge dieser Versetzung sind die fünfzig im Abstand liegenden
Spalten des Musters 1, die auf die Oberfläche des
Mediums 40 abgebildet werden, die 2., 12„ 22 492.
Spalte des Musters 1. Die Muster 2 bis 10 werden anschließend auf die gleiche versetzte Weise beleuchtet.
Das anschließende Auslesen aus dem Medium 40 findet in der zuvor beschriebenen Weise statt. Danach werden
in 8 aufeinanderfolgenden gleichen Arbeitszyklen die restlichen Elemente im oberen linken Viertel eines
jeden der Muster 1 bis 10 auf dem Medium 40 abgebildet. Als nächstes werden die Elemente im oberen
rechten Viertel eines jeden der Muster 1 bis 10 in der hier beispielsweise beschriebenen Art überprüft. Dann
wird der Tisch 11 der Fi g. 2 in der Zeichnungsebene in
der y-Richtung verschoben (im Ausführungsbeispiel 2,5 mm), um die untere Hälfte eines jeden der Muster 1
bis JO in die Überprüfungsposition durch die zuvor beschriebene und im System der F i g. 2 enthaltenen
Bildzerlegungsmethode zu bringen.
Wie erwähnt kann alternativ die auf dem Tisch 11 in Fig. 1 angebrachte Struktur 13 auch eine z.B. eine
Vielzahl Halbleiter-Chips umfassende Halbleiterscheibe sein, wobei ein jedes Chip eines oder mehrere
mikrominiaturisierte Bauelemente oder Schaltungen aufweist. Auch hier sollen die in den einzelnen Chips
gebildeten Muster einander exakt oder nahezu exakt gleich sein. Bei einer solchen Struktur ist das Substrat 12
beispielsweise aus Silicium hergestellt, und die Schicht 14 ist eine SiliciumoxidschichL Durch selektives
Entfernen von Teilen der Schicht 14 und durch Diffundieren oder Implantieren von Dotierstoffen durch
die dadurch erzeugten öffnungen werden die Bestandteile herkömmlicher elektronischer Komponenten erzeugt.
Dann werden die erforderlichen Verbindungen hierzwischen mit Hilfe einer oder mehrerer gemusterter
Metallisierungen nach bekannten Methoden hergestellt.
Zu diesem Zweck ist das für ein Arbeiten im Durchlicht vorgesehene optische Abbildungs- und
Beleuchtungssystem 16, 18, 36, zu ersetzen durch ein solches für ein Arbeiten im Auflicht. Hierbei werden
Beleuchtungsstrahlengang und Abbildungsstrahlengang
ίο im allgemeinen durch einen Strahlteiler miteinander
verknüpft. Das auftreffende Licht wird von den Scheibenkonturen selektiv reflektiert und anschließend
in derselben Weise wie vorstehend beschrieben verarbeitet, um eine Anzeige für die Scheibenqualität zu
erzeugen.
Das Arbeiten im Auflicht eröffnet dabei noch folgende Möglichkeiten. Die Menge des an einem
Elementarbereich der Scheibe reflektierten Lichtes ändert sich als Funktion der Wellenlänge. Überdies
ändert sich die Menge des bei einer bestimmten Wellenlänge an einem Bereich reflektierten Lichtes
beispielsweise mit den Änderungen der Dicke eines dort vorhandenen Metalls oder Oxids. Folglich kann man
durch systematisches Überwachen der Menge des bei verschiedenen Wellenlängen an einem bestimmten
Bereich reflektierten Lichtes bedeutsame Daten über Kontur und Zusammensetzung in diesem Bereich
erhalten. Die Verarbeitung solcher Daten kann wichtige Diagnoseinformationen liefern. In diesem Zusammenhang
kann es empfehlenswert sein, jedsn Elementarbereich der Scheibe gleichzeitig bei drei verschiedenen
Wellenlängen optisch zu überprüfen, um noch weitergehenden Aufschluß zu erhalten. Zu diesem Zweck wird —
gegebenenfalls nach Anpassung des Systems für Auflichtuntersuchungen — in den Beleuchtungsstrahlengang
(oder alternativ in den Abbildungsstrahlengang) eine Filteranordnung für z. B. drei Bildfarben
eingeführt. Ein solches Drei-Farben-Filter ist in Fig. 6 dargestellt. Von links nach rechts sind drei von einem
undurchsichtigen Teil 73 getragene Filter 70, 71 und 72 so gewählt, daß sie lediglich rotes, grünes bzw. blaues
Licht passieren lassen. Die durch die einzelnen Filter gelangenden Lichtbündel werden so gerichtet, daß sie
parallel jeweils auf ein einziges der in der Scheibe 13 enthaltenen Muster fallen. Demzufolge wird jedes
Muster effektiv bei drei verschiedenen Farben überprüft.
Wegen dieses dreifachen Beleuchtungsstrahlenganges muß auch der Abbildungsstrahlengang verdreifacht
werden. Zu diesem Zweck wird beispielsweise die Rasterblende 38 entsprechend modifiziert. Hierzu wird
jeder Blendenspalt der Spaltblendenanordnung nach F i g. 4 durch eine entsprechend "liegende Reihe von
Miniaturlinsen 76 ersetzt. Dieses ist in F i g. 7 dargestellt.
Abstand zwischen benachbarten Linsen und Spalten wie auch die Breite und Höhe einer jeden Linsenspalte
entsprechen also den jeweiligen Abmessungen der Blendenspalte in der Blendenanordnung nach F i g. 4.
Das von jedem Elementarbereich eines Musters auf der Scheibe 13 herrührende rote, grüne und blaue Licht
wird durch eine einzige Miniaturlinse einer Linsenspalte gerichtet Die Miniaturlinse bewirkt, daß auf der
Oberfläche des Speichermediums 40 drei Abbildungen des Elementarbereichs erzeugt werden. Beispielsweise
wird das von einem einzigen elementaren Musterbereich herrührende rote, grüne und blaue Licht durch
eine Miniaturlinse 76 gerichtet und erzeugt blaue, grüne und rote Abbildungen, die in F i g. 7 durch gestrichelte
Kreise 77, 78 bzw. 79 dargestellt sind. Jede weitere Miniaturlinse in Fig. 7 ist dazu bestimmt, längs der
senkrecht zur Linsenspalte verlaufenden Zeile drei verschiedene Abbildungen zu erzeugen.
Dementsprechend ist für die Überprüfung einer Scheibe in der zuvor beschriebenen speziellen Art das
Speichermedium 40 so gewählt, daß es eine Kapazität für 1500 Elemente längs seiner Horizontalabmessung
und für 500 Elemente längs seiner Vertikalabmessung aufweist.
Alternativ dazu können die drei von jedem Elementarbereich des Musters stammenden drei Abbildungen
im Scheibenüberprüfungssystem so angeordnet sein, daß sie auf der Oberfläche des Speichermediums 40
parallel zu den Miniaturlinsen-Spalten auftreten. Dies is
kann dadurch erreicht werden, daß die einzelnen
Miniaturlinsen jeder Spalte um drei Elementarbereiche auseinanderliegen und im so entstandenen Zwischenraum
die Rot-, Grün- und Blauabbildungen untereinander statt wie dargestellt nebeneinander untergebracht
werden. Bei dieser Arbeitsweise ist das Medium 40 folglich so ausgelegt, daß auf ihm ein Feld aus 500
horizontalen Elementen mal 1500 vertikalen Elementen abgebildet und gespeichert werden kann.
Die beschriebene Bildzerlegungsmethode ist eine wirkungsvolle Lösung für das Problem der Überprüfung
von Masken und Scheiben. Wie erwähnt liegt ein Hauptteil dieser Methode darin, allmählichen geometrischen
und farblichen Änderungen entlang einer Gruppe von Mustern folgen und solche Änderungen von durch
echte Fehler verursachten abrupten Änderungen unterscheiden zu können.
Hierzu 5 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
1. Verfahren zum Überprüfen eines eine Vielzahl nominell identischer Muster (1-10) tragenden Werk-Stücks
(13), insbesondere einer Halbleiterscheibe oder einer Maske, auf Übereinstimmung der Muster,
bei dem identische Teilbereiche der Muster in einem auf einen bestimmten Schwellenwert einstellbaren
Komparator (20) verglichen werden, gekennzeichnet durch
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/574,617 US3963354A (en) | 1975-05-05 | 1975-05-05 | Inspection of masks and wafers by image dissection |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2619873A1 DE2619873A1 (de) | 1976-11-18 |
DE2619873B2 DE2619873B2 (de) | 1980-03-20 |
DE2619873C3 true DE2619873C3 (de) | 1982-01-21 |
Family
ID=24296889
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2619873A Expired DE2619873C3 (de) | 1975-05-05 | 1976-05-05 | Verfahren zum Überprüfen eines eine Vielzahl nominell identischer Muster tragenden Werkstücks sowie eine Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3963354A (de) |
JP (1) | JPS51137379A (de) |
CA (1) | CA1045252A (de) |
DE (1) | DE2619873C3 (de) |
FR (1) | FR2310596A1 (de) |
GB (1) | GB1532901A (de) |
NL (1) | NL173111C (de) |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2638138C3 (de) * | 1976-08-25 | 1979-05-03 | Kloeckner-Werke Ag, 4100 Duisburg | Vorrichtung zum Erkennen und Aussortieren fehlerhafter Packungen, die längs einer Förderstrecke transportiert werden |
JPS5371563A (en) * | 1976-12-08 | 1978-06-26 | Hitachi Ltd | Automatic inspection correcting method for mask |
US4134066A (en) * | 1977-03-24 | 1979-01-09 | International Business Machines Corporation | Wafer indexing system using a grid pattern and coding and orientation marks in each grid cell |
US4292672A (en) * | 1979-03-19 | 1981-09-29 | Rca Corporation | Inspection system for detecting defects in regular patterns |
US4349880A (en) * | 1979-03-19 | 1982-09-14 | Rca Corporation | Inspection system for detecting defects in regular patterns |
JPS5867093A (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-21 | 株式会社東芝 | 印刷回路基板検査方法及びその装置 |
EP0119198A4 (de) * | 1982-09-20 | 1986-07-08 | Contrex Inc | Selbsttätiges halbleiter-oberflächenkontrollgerät und verfahren. |
US4512659A (en) * | 1983-08-10 | 1985-04-23 | Tencor Instruments | Apparatus for calibrating a surface scanner |
JPS6076606A (ja) * | 1983-10-03 | 1985-05-01 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | マスクの欠陥検査方法 |
JPH061370B2 (ja) * | 1983-11-24 | 1994-01-05 | 株式会社東芝 | マスク欠陥検査装置 |
US4710440A (en) * | 1986-07-14 | 1987-12-01 | Rca Corporation | Test mask for determining alignment of an automatic IC mask testing apparatus |
AT392857B (de) * | 1987-07-13 | 1991-06-25 | Ims Ionen Mikrofab Syst | Vorrichtung und verfahren zur inspektion einer maske |
US5131755A (en) * | 1988-02-19 | 1992-07-21 | Chadwick Curt H | Automatic high speed optical inspection system |
DE8808293U1 (de) * | 1988-06-28 | 1989-07-27 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Optik zur dreidimensionalen Formerfassung von Prüfobjekten mit strukturierter Beleuchtung mit lichtablenkenden Rastern |
US5085517A (en) * | 1989-10-31 | 1992-02-04 | Chadwick Curt H | Automatic high speed optical inspection system |
US5093580A (en) * | 1990-03-02 | 1992-03-03 | Spectra-Tech, Inc. | ATR objective and method for sample analyzation using an ATR crystal |
US5051602A (en) * | 1990-03-02 | 1991-09-24 | Spectra-Tech, Inc. | Optical system and method for sample analyzation |
US5019715A (en) * | 1990-03-02 | 1991-05-28 | Spectra-Tech, Inc. | Optical system and method for sample analyzation |
IL99823A0 (en) * | 1990-11-16 | 1992-08-18 | Orbot Instr Ltd | Optical inspection method and apparatus |
US5200609A (en) * | 1991-08-27 | 1993-04-06 | Sting Donald W | Radiant energy spectroscopy system with diamond internal reflection element |
US5214486A (en) * | 1991-12-12 | 1993-05-25 | Hoya Micro Mask, Inc. | Monitor plate for automatic particle detection system |
US5383018A (en) * | 1992-12-28 | 1995-01-17 | National Semiconductor Corporation | Apparatus and method for calibration of patterned wafer scanners |
JP3566470B2 (ja) * | 1996-09-17 | 2004-09-15 | 株式会社日立製作所 | パターン検査方法及びその装置 |
DE19713362A1 (de) * | 1997-03-29 | 1998-10-01 | Zeiss Carl Jena Gmbh | Konfokale mikroskopische Anordnung |
JP3152203B2 (ja) * | 1998-05-27 | 2001-04-03 | 株式会社東京精密 | 外観検査装置 |
US6324298B1 (en) * | 1998-07-15 | 2001-11-27 | August Technology Corp. | Automated wafer defect inspection system and a process of performing such inspection |
KR20050044369A (ko) * | 2001-11-07 | 2005-05-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 마스크없는 광자-전자 스팟-그리드 어레이 프린터 |
US6639201B2 (en) * | 2001-11-07 | 2003-10-28 | Applied Materials, Inc. | Spot grid array imaging system |
US6946655B2 (en) | 2001-11-07 | 2005-09-20 | Applied Materials, Inc. | Spot grid array electron imaging system |
US6828542B2 (en) * | 2002-06-07 | 2004-12-07 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography process monitoring and control |
US7629993B2 (en) * | 2002-09-30 | 2009-12-08 | Rudolph Technologies, Inc. | Automated wafer defect inspection system using backside illumination |
US7026832B2 (en) * | 2002-10-28 | 2006-04-11 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Probe mark reading device and probe mark reading method |
JP4181159B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2008-11-12 | 株式会社東芝 | 欠陥検査装置 |
DE102005061834B4 (de) * | 2005-12-23 | 2007-11-08 | Ioss Intelligente Optische Sensoren & Systeme Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum optischen Prüfen einer Oberfläche |
DE102008048660B4 (de) * | 2008-09-22 | 2015-06-18 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Vermessung von Strukturen auf Photolithographiemasken |
CN103219256A (zh) * | 2012-01-20 | 2013-07-24 | 艾特麦司股份有限公司 | 发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法 |
JP6353913B2 (ja) * | 2014-04-24 | 2018-07-04 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | コンパクトな両側レチクル検査システム |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3434020A (en) * | 1966-12-30 | 1969-03-18 | Texas Instruments Inc | Ohmic contacts consisting of a first level of molybdenum-gold mixture of gold and vanadium and a second level of molybdenum-gold |
US3581375A (en) * | 1969-03-07 | 1971-06-01 | Ibm | Method and apparatus for manufacturing integrated circuits |
DE2256617C3 (de) * | 1971-11-19 | 1978-08-31 | Hitachi, Ltd., Tokio | Einrichtung zur Analyse einer Vorlage |
US3814845A (en) * | 1973-03-01 | 1974-06-04 | Bell Telephone Labor Inc | Object positioning |
-
1975
- 1975-05-05 US US05/574,617 patent/US3963354A/en not_active Expired - Lifetime
-
1976
- 1976-04-30 CA CA251,513A patent/CA1045252A/en not_active Expired
- 1976-05-04 NL NLAANVRAGE7604735,A patent/NL173111C/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-05-04 FR FR7613278A patent/FR2310596A1/fr active Granted
- 1976-05-05 GB GB18357/76A patent/GB1532901A/en not_active Expired
- 1976-05-05 DE DE2619873A patent/DE2619873C3/de not_active Expired
- 1976-05-06 JP JP51050965A patent/JPS51137379A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3963354A (en) | 1976-06-15 |
JPS51137379A (en) | 1976-11-27 |
JPS5324783B2 (de) | 1978-07-22 |
NL173111B (nl) | 1983-07-01 |
FR2310596A1 (fr) | 1976-12-03 |
CA1045252A (en) | 1978-12-26 |
DE2619873A1 (de) | 1976-11-18 |
NL173111C (nl) | 1983-12-01 |
NL7604735A (nl) | 1976-11-09 |
GB1532901A (en) | 1978-11-22 |
DE2619873B2 (de) | 1980-03-20 |
FR2310596B1 (de) | 1978-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2619873C3 (de) | Verfahren zum Überprüfen eines eine Vielzahl nominell identischer Muster tragenden Werkstücks sowie eine Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens | |
DE3888395T2 (de) | Prüfungssystem für eine Mikrokreisanordnung mit Redundanzkreisanlagen. | |
DE69116126T2 (de) | Bildgebender Durchflusszytometer | |
DE69126120T2 (de) | Durchfluss-Abbildungszytometer | |
DE2615084C2 (de) | Vorrichtung zur Beobachtung der Position der Markierung eines Objekts | |
DE3643578C2 (de) | Projektionsbelichtungsvorrichtung und Verfahren für deren Betrieb | |
DE68923353T2 (de) | Anordnung und Verfahren zum Ermitteln von Fehlern in zu prüfenden Mustern. | |
DE19814046C9 (de) | Anordnung zur detektion von scheibenfoermigen objekten in einer kassette | |
DE3785891T2 (de) | Umgekehrtes dunkelfeld-ausrichtsystem fuer einen lithographischen ausrichtscanner. | |
DE3013244A1 (de) | Automatische fehlstellen-detektorvorrichtung | |
DE3926349C2 (de) | ||
DE1532268B1 (de) | Pruef-und Kontrollvorrichtung fuer die Stirnenden von Zigarettenblocks | |
DE2800415A1 (de) | Einrichtung zur feststellung und identifizierung lumineszierender organischer stoffe auf einem werkstueck | |
DE2830846A1 (de) | Vorrichtung zum ermitteln von fehlern in flaechenhaften mustern, insbesondere in photomasken | |
EP2929332B1 (de) | Inspektionsvorrichtung | |
DE1958663A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur photooptischen Herstellung von Halbleitererzeugnissen | |
DE2653590C3 (de) | Vorrichtung zum Ermitteln von Fehlern in flächenhaften Mustern, insbesondere in Photomasken | |
DE102007039982B3 (de) | Verfahren zur optischen Inspektion und Visualisierung der von scheibenförmigen Objekten gewonnenen optischen Messerwerte | |
DE10359722A1 (de) | Verfahren zur Inspektion eines Wafers | |
DE69520553T2 (de) | Verfahren zur Positionierung einer Maske bezüglich eines Werkstücks und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE2948646C2 (de) | Projektionskopiervorrichtung | |
DE68926721T2 (de) | Verfahren und Gerät zur Charakterisierung von optischen Systemen | |
DE102009030230A1 (de) | Reflektives optisches Element mit einer Messeinrichtung | |
DE102019121807A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Analyse einer Mehrfachsolarzelle mit zumindest zwei Sub-Solarzellen mittels Lumineszenzstrahlung | |
EP3462164A1 (de) | Anordnung und verfahren zur inspektion von bewegten plattenförmigen objekten |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: AT & T TECHNOLOGIES, INC., NEW YORK, N.Y., US |
|
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: BLUMBACH, P., DIPL.-ING., 6200 WIESBADEN WESER, W., DIPL.-PHYS. DR.RER.NAT., 8000 MUENCHEN ZWIRNER,G., DIPL.-ING. DIPL.-WIRTSCH.-ING., PAT.-ANW., 6200 WIESBADEN |