DE2549943C3 - Schaltungsanordnung zur Frequenzmodulation - Google Patents
Schaltungsanordnung zur FrequenzmodulationInfo
- Publication number
- DE2549943C3 DE2549943C3 DE2549943A DE2549943A DE2549943C3 DE 2549943 C3 DE2549943 C3 DE 2549943C3 DE 2549943 A DE2549943 A DE 2549943A DE 2549943 A DE2549943 A DE 2549943A DE 2549943 C3 DE2549943 C3 DE 2549943C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- quartz
- series
- inductance
- circuit
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 claims description 11
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C3/00—Angle modulation
- H03C3/10—Angle modulation by means of variable impedance
- H03C3/12—Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element
- H03C3/22—Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element the element being a semiconductor diode, e.g. varicap diode
- H03C3/222—Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element the element being a semiconductor diode, e.g. varicap diode using bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/362—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/366—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device and comprising means for varying the frequency by a variable voltage or current
- H03B5/368—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device and comprising means for varying the frequency by a variable voltage or current the means being voltage variable capacitance diodes
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
Gegenstand der Erfindung ist eine Schaltungsanordnung zur Frequenzmodulation einer durch eine
Quarzschaltung stabilisierten Oszillatorschwingung mit einer in Reihe geschalteten modulationsspannungsabhängigen
Kapazität, weiche mit einer in Reihe geschalteten Indi Hivität einen auf die Serienresonanzfrequenz
des Quarzes abgestimmten Reihenschwingkreis bildet und einer parallel zu dem Quarz
geschalteten Neutralisationsinduktiviiät
Verfahren zur Verstimmung der Schwingfrequenz einer Quarzschaltung und Schaltungsanordnungen hierfür
sind im technischen Schrifttum eingehend beschrieben. Beispielsweise wird in »Oszillatoren mit Schwingkristall«,
Verfasser Prof. Dr. H e r ζ ο g, erschienen im Springer-Verlag, Berlin 1958, in dem auf Seite 2/1
beginnenden Kapitel »Die Veränderung der Resonanzfrequenz von Kristalloszillatoren« eingehend dargelegt
wie eine Verstimmung wahlweise durch Reihenschaltung einer veränderlichen Induktivität oder einer
Kapazität erfolgen kann. Bei Einsatz der kapazitiven Verstimmung hat es sich als vorteilhaft erwiesen, die
Kapazität des Quarzes, die im Ersatzschaltbild als Parallelkapazität angeordnet ist, durch eine Induktivität
in Reihen- oder Parallelschaltung zu neutralisieren. Hierdurch ergibt sich eine Erweiterung des Abstandes
der Reihenresonanzfrequenz zur Parallelresonanzfrequenz des Quarzes und damit eine Vergrößerung des
Verstimmungsfrequenzhubes.
Durch den Einsatz von Kapazitätsdioden läßt sich in einfacher Weise eine modulationsspannungsabhängige
Verstimmung der Quarzoszillatorschaltung erreichen.
Fig. la der Zeichnung zeigt eine solche bekannte Schallung. Dargestellt ist der frequenzbestimmende
Zweipol, der, wie noch unten weiter ausgeführt wird, im Rückführungskreis einer Schwingschaltung angeordnet
sein kann- Mit C ist die dem Quarz parallelgeschaltete Quarzhalterkapazität bezeichnet, die durch eine Induktivität Li in bekannter Weise neutralisiert wird. In Reihe
mit der Parallelschaltung Üegt die von der Modulation«-
spannung Un, abhängige Kapazität Ca die beispielsweise eine Kapazitätsdiode sein kann. Wie bereils
ausgeführt, kann die Neutralisation der Quarzkäpäzitäit
C auch durch eine Reihenschaltung von L\, wie in F i g. 1 b dargestellt, erreicht werden.
Durch die GB-PS 11 41 755 — Figur 4 — und die
US-PS 34 77 039 — Figur 1 — ist es bereits auch bekannt, die in den Fig. la und Ib der Zeichnung
dargestellten Neutralisationsarten miteinander zu kombinieren.
Schaltungen der beschriebenen Art zur Frequenzmodulation
einer durch eine Quarzschaltung stabilisierten
ίο Oszillatorschwingung weisen erhebliche Nachteile auf.
Die Verstimmung der Frequenz erfolgt in dem Frequenzbereich zwischen der Serienresonanz- und
Parallelresonanzfrequenz des Quarzes, also nur in der Nähe der Serienresonanzfrequenz. Da jedoch die
höchste Frequenzstabilität der Quarzschaltung bei Abstimmung auf die Serienresonanzfrequenz erreicht
wird, ist mit den bekannten Schaltungsausführungen eine maximale Frequenzstabilität nicht zu erreichen.
Ferner ist der Modulationshub begrenzt, um ein starkes Ansteigen des Modulationsklirrfaktors und eventuelles
Abreißen der Grundschwingung, die in der Nähe der Serienresonanzsteüe liegt, bei Annäherung an die
Parallelresonanzstelle zu vermeiden.
Mit den bekannten Schaltungsanordnungen werden bei relativ hohen Modulationsspannungen in der
Größenordnung von 5 V nur Frequenzhübe von maximal ±5 χ 10-4 der Oszillatorschwingung bei
Modulationsklirrfaktoren 3% erzielt.
Für batteriebetriebene tragbare Sender, insbesondere zur Übertragung von Tonsignalen in Studioqualität,
reicht der oben angeführte Frequenzhub nicht aus, wobei zu berücksichtigen ist, daß aufgrund der geringen
Höhe der Betriebsspannung die erforderliche Modulationsspannung nur schwer zu erzeugen ist.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine frequenzmodulierbare Quarzoszillatorschaltung anzugeben, mit der
bei maximaler Frequenzstabilität ein hoher Frequenzhub in der Größenordnung ± 1 χ 10—3bis2 χ 10-'mit
geringer Modulationsspannung bei geringem Klirrfaktor erreicht wird.
Ausgehend von einer Quarzoszillatorschaltung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 ist die erfindungsgemäße
Schaltung dadurch gekennzeichnet, daß in dem aus dem Quarz und der Neutralisationsinduktivität
gebildeten Parallelschaltungszweig in Reihe mit dem Quarz eine Induktivität geschaltet ist, deren Selbstinduktionswert
kleiner als der der Neutralisationsinduktivität ist.
Eine zweckmäßige Weiterbildung der Erfindung sieht vor, daß die modulationsspannungsabhängige Kapazität
(Cd) aus zwei gegeneinander geschalteten Kapazitätsdioden (Du D2) besteht.
Im nachstehenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert, wobei
F i g. 2 eine frequenzbestimmende Zweipolschaltung mit dem erfindungsgemäßen Merkmal,
Fig. 3 eine Weiterbildung der erfindungsgemäßen Schaltung,
Fig.4 eine Oszillatorschalturg unter Verwendung
des in F i g. 3 dargestellten Zweipols darstellt.
Die in Fig. 2 in Reihe mit dem Quarz liegende Reaktanzschaltung, die ein aus der Induktivität L2 und
der Kapazitätsdiode D gebildeter Reihenschwingkreis
ist, ermöglicht den Betrieb des Quarzes auf seiner Serienresonanzfrequenz, womit eine sehr hohe Frequenzstabilität
erreicht wird, Durch die zusätzliche Anordnung der Induktivität Li gemäß der Erfindung
wird im Zusammenhang mit der NeüträlisätiörisiridüktU
vität L\ der Abstand der Parallelresonanzstelle zu der
Serienresonanzstelle des Quarzes vergrößert. Hierdurch wird der Impedanzverlauf des Zweipols flacher
und linearer.
Eine vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die modulationsspannungsabhängige
Kapazität aus zwei gegeneinander in Reihe geschalteten Kapazitätsdioden besteht Diese
Schaltungsanordnung ist in F i g. 3 dargestellt.
Durch die Reihenschaltung der Kapazitätsdioden D\ und Di wird über einen erheblich vergrößerten Bereich
der lineare Zusammenhang zwischen Modulationsspannung und Frequenzänderung erzielt
Durch das Zusammenwirken der angegebenen Schaltungsmaßnahmen entsteht ein gegenüber dem
Stand der Technik wesentlich erweiterter Frequenzvariationsbereich
bei geringen Mcdulationsspannungswerten und gleichzeitig verringertem Klirrfaktor.
In Fig.4 ist beispielsweise eine nach der Erfindung
mögliche Oszillatorschaltung dargestellt
Der Transistor T wird in Basis-Grundschaltung betrieben, bei der die rnitkoppelndo Rückführung über
die erfindungsgemäße Quarzschaltung vom K-iälektorkreis
L4, C1, C2 auf den Emitter erfolgt. Der
Diodenarbeitspunkt für eine symmetrische Frequenzvariation wird mit der Diodenvorspannung Ud eingestellt.
Die Modulationsspannung Un, wird über einen Kondensator
d eingespeist
Der Selbstinduktionswert der vorteilhafterweise abgleichbaren Induktivität Li ist kleiner als der der
Neutralisationsinduktivität L\ zu wählen. Ist der Selbstinduktionswert der Induktivität L3 gleich Null, so
ist eine Schaltungsanordnung bekannter Art vorhanden; wird der Selbstinduktionswert von Lj größer als der der
Neutralisationsinduktivität Lt gewählt, so besteht die
Gefahr einer vom Quarz nicht mehr beeinflußten, also freien Schwingung. Ein Selbstinduktionswert für die
Induktivität L3 größer als Null und gleich beziehungsweise
kleiner der der Neutralisationsinduktivität bewirkt jedoch im Sinn der Erfindung eine Erhöhung der
Empfindlichkeit und des Frequenzhubes. In der Praxis hat sich ein Wert für Lj von ungefähr 0,5 bis 0,8-fachem
Selbstinduktionswert von L\ als Optimum erwiesen. Durch einfachen Induktivitätsabgleich kann dieses
Optimum bezüglich der Frequenzstabilität der erforderlichen Modulationsspannung und des Modulationsklirrfaktors erreicht werden. Eine Oszillatorschcltung
gemäß der F i g. 3 weist beispielsweise im Frequenzbereich von 12 MHz eine Frequenzstabilität von kleiner
2 χ 10-5 im Bereich von —10° C bis +50° C, eine erforderliche Modulationsspannung v-ä etwa 1 V eff für
±14 kHz Frequenzhub und einen Klirrfaktor von kleiner 1 % für diesen Hub auf.
Durch die hohe Frequenzstabilität einerseits und den großen linearen Frequenzhubbereich andererseits kann
die Schaltungsanordnung sowohl in schmalbandigen Nachrichtenübertragungssystemen mit engem Kanalraster,
als auch in breitbandigen Systemen für hochwertige Übertragung angewendet werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Schaltungsanordnung zur Frequenzmodulation einer durch eine Quarzschaltung stabilisierten
Oszillatorschwingung mit einer in Reihe mit dem
Quarz geschalteten modulationsspannungsabhängigen Kapazität, weiche mit einer in Reihe geschalteten
Induktivität einen auf die Serienresonanzfrequenz des Quarzes abgestimmten Reihenschwingkreis
bildet und einer parallel zu dem Quarz geschalteten Neutralisationsinduktivität, dadurch
gekennzeichnet, daß in dem aus dem Quarz und der Neutralisationsinduktivität (Li) gebildeten
Parallelschaltungszweig in Reihe mit dem Quarz eine Induktivität (T3) geschaltet ist, deren Selbstinduktionswert
kleiner als der der Neutralisationsinduktivität ist.
2. Schaltungsanordnung zur Frequenzmodulation nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
modulationsspannungsabhängige Kapazität (Cd) aus zwei gegeneinander in Reihe geschalteten Kapa-tiiätsdioden
(D\, Lh) besteht.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2549943A DE2549943C3 (de) | 1975-11-07 | 1975-11-07 | Schaltungsanordnung zur Frequenzmodulation |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2549943A DE2549943C3 (de) | 1975-11-07 | 1975-11-07 | Schaltungsanordnung zur Frequenzmodulation |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2549943A1 DE2549943A1 (de) | 1977-05-12 |
DE2549943B2 DE2549943B2 (de) | 1978-11-02 |
DE2549943C3 true DE2549943C3 (de) | 1979-06-28 |
Family
ID=5961133
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2549943A Expired DE2549943C3 (de) | 1975-11-07 | 1975-11-07 | Schaltungsanordnung zur Frequenzmodulation |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2549943C3 (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2835851C2 (de) * | 1978-08-16 | 1983-01-27 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Wobbelsender mit einem Steuerspannungsgenerator |
DE2904045C2 (de) * | 1979-02-02 | 1982-04-15 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Quarzoszillator mit gemischt induktiver und kapazitiver Schwingfrequenzsteuerung |
CN112039539B (zh) * | 2020-08-28 | 2023-05-16 | 北京小米移动软件有限公司 | 通信装置、调制模块、天线***及通信设备 |
-
1975
- 1975-11-07 DE DE2549943A patent/DE2549943C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2549943A1 (de) | 1977-05-12 |
DE2549943B2 (de) | 1978-11-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3321531C2 (de) | ||
DE2353840A1 (de) | Oberflaechenwellenoszillator | |
EP0634066B1 (de) | OSZILLATOR FÜR EINE FREQUENZ VON 1,6 BIS 3 GHz | |
DE19611610A1 (de) | Oszillaotr | |
DE2811080C2 (de) | Durch Spannungsänderung abstimmbarer Hochfrequenz-Oszillator | |
DE2622422A1 (de) | Butler-oszillator | |
DE2549943C3 (de) | Schaltungsanordnung zur Frequenzmodulation | |
DE69018321T2 (de) | Quarzoszillator, der eine breite Abstimmung erlaubt. | |
DE2650777A1 (de) | Breitbandoszillator mit elektrischer frequenzsteuerung | |
DE3316881C1 (de) | Oszillatorschaltung fuer Fernsehempfangsgeraete | |
DE2624133C3 (de) | Mischeranordnung | |
DE4036866A1 (de) | Ueberlagerungsoszillatorschaltung | |
EP0428222A2 (de) | Quarzobertonoszillator | |
DE3690396C2 (de) | ||
DE1252761B (de) | ||
DE60035688T2 (de) | Spannungsgesteuerter oszillator | |
DE69715750T2 (de) | Spannungsgesteuerte Oszillatorschaltung | |
DE19634622B4 (de) | In seiner Resonanzfrequenz abstimmbarer Butler-Oszillator | |
DE3781090T2 (de) | Spannungsgesteuerter mikrowellentransistoroszillator und solche oszillatoren enthaltender breitbandiger mikrowellengenerator. | |
DE60101015T2 (de) | Oszillator | |
EP0014387B1 (de) | Frequenzsteuerbarer Quarzoszillator mit grossem Ziehbereich | |
DE2632645C3 (de) | ||
DE1218556B (de) | Frequenzmodulationsanordnung | |
AT248493B (de) | Oszillator, insbesondere Transistoroszillator | |
DE1591758C3 (de) | Selbstschwingende UHF-Mischstufe |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |