DE2541971A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents
HalbleiterbauelementInfo
- Publication number
- DE2541971A1 DE2541971A1 DE19752541971 DE2541971A DE2541971A1 DE 2541971 A1 DE2541971 A1 DE 2541971A1 DE 19752541971 DE19752541971 DE 19752541971 DE 2541971 A DE2541971 A DE 2541971A DE 2541971 A1 DE2541971 A1 DE 2541971A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- ring
- semiconductor
- edge
- steps
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/492—Bases or plates or solder therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
- Halbleiterbauelement.
- Die vorliegende Anmeldung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit einer im Inneren eines aus elastischem Isoliermateria bestehenden Ringes angeordneten Halbleiteranordnung mit einem einen Rand und Hauptflächen aufweisenden Halbleiterelement, wobei der Ring auf seiner Innenseite mit sich gegen den Rand des Halbleiterelements und wenigstens eine Zuftihrungselektrode anlegenden Dichtflächen versehen ist.
- Bei einem solchen bekannten Halbleiterbauelement ist der aus elastischem Isoliermaterial bestehende Ring auf seiner Innenseite entlang seinem Umfang mit einer Dichtwulst versehen, die sich gegen den Rand des Halbleiterelements anlegt. Der Ring weist außerdem an beiden Stirnseiten je einen radial nach innen gerichteten Flansch auf. Beidseitig des Halbleiter elementes liegen zwei scheibenförmige Zuführungselektroden mit je einem sich radial auswärts estreckenden Flansch an. Die Wulst und die Flansche des Ringes umfassen die Flansche der Zuführungselektroden beidseitig, so daß beim Zusammenbau die Flansche der Zuführungselektroden unter hohem Kraftaufwand in den Raum zwischen dem Wulst und einem der- Flansche des Rings eingedrückt werden müssen.
- Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiterbauelement der geschilderten Art so weiterzubilden, daß eine einfachere Montage möglich ist.
- Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Innenseite des Ringes und der Rand der Halbleiteranordnung mit Stufen versehen ist, derart, daß der Außendurchmesser der Halbleiteranordnung und der Innendurchmesser des Ringes in ein- und derselben Richtung abnehmen, daß die Stufen Flächen aufweisen, die wenigstens annähernd parallel bzw. wenigstens annähernd senkrecht zu-den Hauptflächen liegen und daß wenigstens die zu den Hauptflächen parallelen Flächen der Stufen auf der Innenseite des Ringes und dem Rand der Halbleiteranordnung aufeinanderliegen.
- Eine verbesserte Abdichtung wird erhalten, wenn zusätzlich die senkrecht zu den Hauptflächen liegenden Flächen der Stufen-aneinanderliegen. Vorzugsweise ist die Halbleiteranordnung gemeinsam mit dem Ring zwischen Kühlkörpern eingespannt, wobei der Ring so dimensioniert ist, daß er im entspannten Zustand höher als die Halbleiteranordnung ist. Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung können auch die Stufen auf der Innenseite des Rings in der Richtung senkrecht zu den Hauptflächen im entspannten Zustand des Rings höher sein als die Stufen am Rand der Halbleiteranordnung.
- Vorteilhafterweise kann der Ring mindestens an einer seiner Stirn flächen einen den Rand des Kühlkörpers mindestens teilweise umfassenden Kragen aufweisen. Zweckmäßigerweise weisen die Zuführungselektroden jeweils mindestens eine Abstufung auf.
- Die Erfindung wird an Hand eines Ausführungsbeispiels in Verbindung mit den Figuren 1 und 2 näher erläutert.
- In Fig.1 ist ein Halbleiterbauelement 1 gemäß der Erfindung im Schnitt gezeigt. Das Halbleiterbauelement hat ein Halbleiterelement 3, das im Inneren eines aus elastischem Isolierstoff bestehenden Ringes 2 untergebracht ist. Der Ring 2 kann z.B. aus einem Elastomer, z.B. Silikonkautschuk bestehen. Das Halbleiterelement 3 ist mit einer Trägerplatte 4 aus einem Material mit im wesentlichen gleichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten, wie z.B.
- Molybdän verbunden. Die Trägerplatte dient hier als Zuftihrungselektrode. Auf die Oberseite des Halbleiterelements 3 ist eine Zuführungselektrode 5 aufgesetzt.
- Die aus Halbleiterelement 3, Trägerplatte 4 und Zufu~hrungselektrode 5 bestehende Halbleiteranordnung weist am Rand Stufen 6 und 7 auf. Die Stufe 6 wird durch die Formgebung der Zuführungselektrode 5 gebildet, während die Stufe 7 durch den im Vergleich zum Durchmesser der Zuführungselektrode 5 größeren Durchmesser der Trägerplatte 4 entsteht. Die Trägerplatte 4 kann jedoch an ihrem Rand eine weitere Stufe aufweisen. Die Innenseite des Ringes 2 weist ebenfalls Stufen 8 und 9 auf, an der die entsprechenden Stufen 6 bzw. 7 des Halbleiterelementes anliegen. Auf der Innenseite des Ringes 2 können entsprechend der Anzahl der Stufen der Halbleiteranordnung 3, 4, 5 noch weitere Stufen vorgesehen sein.
- Die Dimensionierung der Stufen auf der Innenseite des Rings einerseits und am Rand des Halbleiterelementes anderseits ist zweckmäßigerweise so aufeinander abgestimmt, daß zumindest die zu den Hauptflächen des Halbleiterelements 3 parallelen Flächen 10 und 11 der Halbleiteranordnung 3, 4, 5 an entsprechenden Flächen der Stufen auf der Innenseite des Ringes 2 anliegen. Die rechtwinklig zu den Hauptflächen des Halbleiterelements 3 liegenden Flächen 12, 17; 13, 18; 14, 19 sind zweckmäßigerweise ebenfalls als Dicht flächen ausgebildet. Sie weisen in der Darstellung nach Fig.1 einen zur Veranschaulichung übertrieben großen Abstand auf. Zweckmäßigerweise wird man die Außendurchmesser des Halbleiterelements und die Innendurchmesser des Ringes so aufeinander abstimmen, daß die Teile der Halbleiteranordnung 3, 4, 5 ohne besonderen Kraftaufwand in den Ring hineingeschoben werden können.
- Der Rand des Halbleiterkörpers 3 ist mit einer Passivierungsschicht 24 versehen, die Umwelteinflüsse insbesondere von den an den Rand tretenden pn-übergängen fernhält. Zum Zwecke der Lagerhaltung und Prüfung genügt daher die in Verbindung mit Fig. 1 beschriebene Art der Kapselung. Im Betrieb muß jedes Halbleiterbauelement gekühlt werden. In Fig. 2 ist gezeigt, daß zu beiden Seiten der Halbleiteranordnung 3, 4 5 Kühlkörper 22 bzw. 23 angepreßt sind. Der Ring 2 ist nun zweckmäßigerweise so dimensioniert, daß er im entspannten Zustand, d.h. ohne angepreßte Kühlkörper höher (h1, Fig.1) ist als die Halbleiteranordnung 3, 4, 5 (h2 Fig.1).
- Damit wird der Ring zusammengepreßt und die Flächen 12, 17; 13, 18; 14, 19 kommen zur Anlage. Die Dichtwirkung dieser Flächen kann noch dadurch verstärkt werden, daß die Stufen des Ringes senkrecht zu den Hauptflächen des Halbleiterkörpers 3 etwas größer als die entsprechenden Flächen der Halbleiteranordnung 3, 4,5-gemacht werden. Beim Anpressen der Kühlkörper 22, 23 werden diese Teile des Ringes dann noch stärker zusammengequetscht und dichten das Innere des Halbleiterbauelementes noch besser ab.
- Der Ring 2 kann an einer oder an beiden Stirnseiten jeweils einen Kragen 20 bzw. 21 haben, der so ausgebildet ist, daß er den Rand des Kühlkörpers 22, 23 wenigstens teilweise umschließt. Durch die Verformung des Ringes 2 beim Anpressen der Kühlkörper legt sich der Kragen 20, 21 an den Kühlkörper an, was ebenfalls zu einer Verbesserung der Abdichtung insbesondere der Flächen zwischen den Kühlkörpern 22, 23 und der Zuführungselektrode 5 bzw. der Trägerplatte 4 führt.
- Die oben erwähnten Dichtflächen müssen nicht unbedingt parallel bzw. senkrecht zu den Hauptflächen des Halbleiterkörpers 3 liegen, sie können auch schwach geneigt sein.
- 6 Patentansprüche, 2 Figuren.
Claims (6)
- Patentanst>rüohe 9 Halbleiterbauelement mit einer im Inneren eines aus elastischem Isoliermaterial bestehenden Ringes angeordneten Halbleiteranordnung mit einem einen Rand und Hauptflächen aufweisenden Haibleiterelement, wobei der Ring auf seiner Innenseite mit sich gegen den Rand des Halbleiterelements und wenigstens eine Zuführungselektrode anlegenden Dichtflächen versehen ist, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Innenseite des Ringes (2) und der Rand der Halbleiteranordnung (3, 4, 5) mit Stufen (6, 7, 8, 9) versehen ist, derart, daß der Außendurchmesser der Haibleiteranordnung (3, 4, 5) und der Innendurchmesser des Ringes (2) in ein- und derselben Richtung abnehmen, daß die Stufen Flächen (1D, 11; 12, 17; 13, 18; 14, 19) aufweisen, die wenigstens annähernd parallel bzw. wenigstens annähernd senkrecht zu den Hauptflächen liegen und daß wenigstens die zu den Hauptflächen parallelen Flächen der Stufen auf der Innenseite des Ringes und dem Rand der Halbleiteranordnung aufeinanderliegen.
- 2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, d a d-u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß die senkrecht zu den Hauptflächen liegenden Flächen der Stufen (12, 17; 13, 18; 14, 19) aneinanderliegen.
- 3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Halbleiteranordnung (3, 4, 5) gemeinsam mit dem Ring (2) zwischen Kühlkörpern (22, 23) eingespannt ist und daß der Ring so dimensioniert ist, daß er im entspannten Zustand höher als die Halbleiteranordnung ist.
- 4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß die Stufen (8, 9) auf der Innenseite des Rings (2) in der Richtung senkrecht zu den Hauptflächen im entspannten Zustand des Ringes höher sind als die Stufen (6, 7 amSRand der Halbleiteranordnung (3, 4, 5).
- 5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß der Ring (2) mindestens an einer seiner Stirnflächen einen den Rand des Kühlkörpers (22, 23) mindestens teilweise umfassenden Kragen (20, 21) aufweist.
- 6. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Zufu~hrungselektrode (4, 5) jeweils mindestens eine Abstufung aufweist.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19752541971 DE2541971A1 (de) | 1975-09-19 | 1975-09-19 | Halbleiterbauelement |
IT2724676A IT1070808B (it) | 1975-09-19 | 1976-09-16 | Componente a semiconduttore con un dispositivo a semiconduttori disposto all interno di un anello costituito di materiale isolante elastico |
ES451614A ES451614A1 (es) | 1975-09-19 | 1976-09-17 | Perfeccionamientos en componentes semiconductores. |
JP11238976A JPS5239375A (en) | 1975-09-19 | 1976-09-18 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19752541971 DE2541971A1 (de) | 1975-09-19 | 1975-09-19 | Halbleiterbauelement |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2541971A1 true DE2541971A1 (de) | 1977-03-24 |
Family
ID=5956967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19752541971 Withdrawn DE2541971A1 (de) | 1975-09-19 | 1975-09-19 | Halbleiterbauelement |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5239375A (de) |
DE (1) | DE2541971A1 (de) |
ES (1) | ES451614A1 (de) |
IT (1) | IT1070808B (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3327992A1 (de) * | 1983-08-03 | 1985-02-21 | SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg | Halbleitervorrichtung |
EP0788152A2 (de) * | 1996-01-30 | 1997-08-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Unter internem Druck zusammengesetzte Halbleiteranordnung mit einem Chip-Rahmen, der eine längere Kriechstrecke erlaubt |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6029664U (ja) * | 1983-08-02 | 1985-02-28 | 大塚 興二 | バインダ |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5091665U (de) * | 1973-12-27 | 1975-08-02 |
-
1975
- 1975-09-19 DE DE19752541971 patent/DE2541971A1/de not_active Withdrawn
-
1976
- 1976-09-16 IT IT2724676A patent/IT1070808B/it active
- 1976-09-17 ES ES451614A patent/ES451614A1/es not_active Expired
- 1976-09-18 JP JP11238976A patent/JPS5239375A/ja active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3327992A1 (de) * | 1983-08-03 | 1985-02-21 | SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg | Halbleitervorrichtung |
EP0788152A2 (de) * | 1996-01-30 | 1997-08-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Unter internem Druck zusammengesetzte Halbleiteranordnung mit einem Chip-Rahmen, der eine längere Kriechstrecke erlaubt |
EP0788152A3 (de) * | 1996-01-30 | 1997-11-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Unter internem Druck zusammengesetzte Halbleiteranordnung mit einem Chip-Rahmen, der eine längere Kriechstrecke erlaubt |
US5760425A (en) * | 1996-01-30 | 1998-06-02 | Kabushiki Kaisha Tobshiba | Internal compression bonded semiconductor device with a chip frame enabling a longer creepage distance |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT1070808B (it) | 1985-04-02 |
JPS5239375A (en) | 1977-03-26 |
ES451614A1 (es) | 1977-07-16 |
JPS563670B2 (de) | 1981-01-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69534968T2 (de) | Halbleiteranordnungen vom Druckkontakttyp | |
DE2733724C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
DE1248813B (de) | Federnde halbleiter-anschlusskontaktanordnung | |
DE1639039A1 (de) | Scheibenfoermiges Halbleiterbauelement | |
DE1241536B (de) | In ein Gehaeuse eingeschlossene Halbleiteranordnung | |
DE1944515A1 (de) | Halbleiterbauelement mit Kunststoffuellung | |
DE2012440C3 (de) | Halbleiteranordnung für gasdicht abgeschlossene scheibenförmige Halbleiterelemente | |
DE1539643A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE2541971A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE2611749A1 (de) | Halbleiteranordnung mit einem durch druck kontaktierbaren halbleiterbauelement | |
EP0122431A1 (de) | Halbleiterbauelement mit scheibenförmigem Gehäuse | |
DE1564107A1 (de) | Gekapselte Halbleiteranordnung | |
DE3221794C2 (de) | ||
DE2601131A1 (de) | Halbleitereinrichtungen vom druckkontakt-typ | |
DE102011017563B4 (de) | Druckkontakthalbleitervorrichtung | |
DE202015102948U1 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE1941959A1 (de) | Kapselaufbau fuer elektrische Schaltkreisanordnungen sowie Giessform und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE2825682C2 (de) | Halbleiterbauelement mit Isoliergehäuse | |
DE2630320A1 (de) | Scheibenfoermige halbleiterzelle mit einem ringfoermigen gehaeuse | |
DE2711711C3 (de) | Halbleiteranordnung mit einem scheibenförmigen, zwischen Kühlkörpern eingespanntem Halbleiterbauelement | |
DE2654532B2 (de) | Scheibenförmige Halbleiterzelle | |
DE2855265A1 (de) | Thyristor | |
DE2118356A1 (de) | Scheibenförmiges Halbleiterbauelement | |
DE2348171A1 (de) | Halbleiterbaugruppe | |
DE2942585A1 (de) | Leistungs-halbleiterbauelement |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |