DE2451018A1 - Injektions-halbleiterlasereinrichtung - Google Patents
Injektions-halbleiterlasereinrichtungInfo
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Description
DR.-ING. HERIiBICT PATZOLD C 1 Π 1 Q
PATENTANWALT t H1 0 IU I
8 MÜNCHEN 71
HHiDElANSSTE. 8 TELEFON 089/75 77 25
TELEOItAMMADHESSE: PATITIA MÜNCHEN
Ifippon Selfoc Company, Limited
7 -1SJ Siiiba G-ochome, i>linato-ku
Tokio/Japan
Injektions-Halbleiterlasereinrichtung
Die Erfindung betrifft eine Injektions-Balbleiterlasereinrichtung
mit einem Halbleiterlaser innerhalb eines Gehäuses.
Die Zusammensetzung einer doppelten Heterostruktur zu einem
Injektions-Halbleiterlaser erlaubt eine kontinuierliche Oszillation schon bei Raumtemperatur. Die Lebensdauer eines
solchen Lasers wurde erfinderseits wesentlich erhöht, so daß gute Aussichten zur Herstellung von Halbleiterlasern bestanden,
die über 10.000 Stunden bei Raumtemperatur und mit einer verfügbaren Lichtleistung in der Größenordnung von 10 mW
kontinuierlich oszillieren. Parallel mit der Entwicklung verschiedener Streifenstrukturen wurden erfinderseits
Überlegungen·angestellt, denen zufolge die Schwingungsart
von Laser-Licht wirkungsvoll beeinflußt werden kann. Unter diesen Umständen suchte man nach einem leicht zu handhabenden
und praktikablen Injektions-Halbleiterlaser. Allerdings
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mußten hierzu erst einige Probleme, wie vor allem die
Ummantelung des Laserelements, gelöst werden.
Der Halbleiterlaser ermöglicht hochfrequente Direktmodulation bei Frequenzen in der Größenordnung von Gigaherz.
Ein bekanntes, kommerziell erhältliches Gehäuse mit der Bezeichnung
RCAOP-3 von der RGA in den USA besitzt einen Aufbau wie ein allgemein bekanntes Transistorgehäuse. (Das RÖAOP-3
hat ein Oberteil aus Glas anstelle aus Metall.) 'x'rotzdem ist
dieser Aufbau nicht sehr praktisch. Z.B. hat das Gehäuse eine verlängerte Anschlußklemme, an der der Strom eingespeist
wird, so daß durch die hierdurch vergrößerte Induktivität und Kapazität die Hochfrequenzeigenschaften verschlechtert
werden. Weiterhin kann bei diesem Aufbau der Laserstrahl nur an einer Seite des Lasers abgestrahlt werden. An der
anderen Seite des Lasers wird der Laserstrahl zerstreut, so daß er unbrauchbar ist } oder der Strahl wird durch einen
reflektierenden Filmüberzug am Ende des Las3rs total reflektiert. Es ist jedoch in verschiedener Hinsicht von Torteil,
wenn die Laserstrahlen in beiden Richtungen nutzbar sind.
So kann der eine Laserstrahl beispielsweise vorteilhafterweise zu Überwachungszwecken benützt werden. Wird das Ausgangslicht
auf den Stromversorgungsteil rückgekoppelt, kann ein Laserstrahl
dazu benutzt werden, Schwankungen zu unterdrücken, die von Temperaturschwankungen in der Umgebung, charakteristischen
Abweichungen oder sonstigen Gründen herrühren.
Die beiden Laserstrahlen können in Kombination benutzt werden oder es kann ein Laser-Terstärker gebildet werden, wenn ein
Laserstrahl als Eingang und der andere als Ausgang benutzt wird, indem er durch einen geeigneten Überzug über den Laserkristall
aus nichtreflektierendem PiIm in einem verstärkenden Zustand gehalten wird.
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Eine noch bekannte G-ehäuseform besteht darin, daß der Laserkristall
wie eine lichtemittierende Diode direkt in Epoxydharz gegossen wird. Allerdings ist diese Anordnung der Zuverlässigkeit
und der Wärmeabfuhr unbefriedigend.
Es sind auch schon Injektions-Halbleiterlasereinrichtungen
der eingangs genannten Art vorgeschlagen worden, die zwei Laserstrahlen von zwei Spiegeloberflächen abstrahlen Die
Laserstrahlen besitzen jedoch einen relativ breiten Divergenzwinkel. Für praktische Anwendungen müssen die divergierenden
Laserstrahlen vielfach mittels besonderer optischer Einrichtungen zu einem parallelen oder weitgehend parallelen
Strahl umgewandelt werden, wie es auch bei gewöhnlichen Gas-Lasern und Festkörperlasern der Pail ist. Auch müssen
die austretenden Laserstrahlen konvergiert bzw. fokussiert werden, um sie insbesondere Lichtleitkabeln aufgeben zu können.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Injektions-Halbleiterlasereinrichtung
der eingangs genannten Art zu schaffen, bei der wenigstens einer der beiden aus der Einrichtung austretenden
Strahlen im wesentlichen parallel verlaufen oder konvergieren. Dabei sollen die Strahlen eine gute Hochfrequenzcharakteristik
aufweisen und die Einrichtung soll bei Raumtemperatur -mit kontinuierlicher Oszillation betrieben und
mit niedrigem Aufwand und geringen Entstehungskosten hergestellt werden können.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein zylindrischer
Hohlkörper aus transparentem Isoliermaterial an seinen beiden Enden von zwei Elektroden bildenden Metallkörpern
dicht abgeschlossen ist, von denen der eine Metallkörper (2) sich mit einem sockeiförmig vorspringenden Teil axial,in das Innere
des von dem zylindrischen Körper umgeschlossenen Raums hineinerstreckt, daß der Halbleiterlaser mit seiner einen Elektrode
thermisch und elektrisch mit dem vorspringenden Teil verbunden is,t und die andere Elektrode über einen flexiblen elektrischen
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Leiter an den anderen Metallkörper angeschlossen ist und daß
auf dem vorspringenden !teil wenigstens ein Lichtleitkörper aufgebracht ist, dessen optische Achse in der Laserachse liegt
und dessen Brechwert radial von innen nach außen stetig abnimmt.
Erfinderseits sind mehrere Bedingungen aufgestellt worden, die von der erfindungsgemäßen Halbleiterlasereinrichtung erfüllt
werden sollen. Im einzelnen handelt es sich um folgende: Zwei entgegengesetzte Laserstrahlen sollen von zwei Oberflächen
des Laserkristalls erhalten werden. Der Laser soll bei höheren Frequenzen betrieben werden können. Eine kontinuierliche
Oszillation soll bei Raumtemperatur erzielbar sein. Es soll möglich sein, daß der Laserkristall hermetisch abgeschlossen
angeordnet ist. Es soll verhindert werden, daß der Laserkristall beim Anschließen an den leitenden Draht einer übermäßigen
Beanspruchung ausgesetzt wird. Schließlich soll der Laserkristall in kleinen Abmessungen einfach und billig in
Massenproduktion herstellbar sein. Die Bedeutung dieser Bedingungen und die beispielsweise Ausführung eines Halbleiterlasers
nach der Erfindung, der die vorstehenden Bedingungen erfüllt, wird nachstehend mehr im einzelnen erläutert.
Zwei reflektierende Oberflächen eines Halbleiterlasers werden, wie üblich, durch Spaltung hergestellt und Laserstrahlen mit
dem gleichen Ausgang werden von beiden reflektierenden Oberflächen in entgegengesetzten Richtungen abgestrahlt.
Es ist vorteilhaft, wenn beide Laserstrahlen gemeinsam benutzt werden.
In Licht-Nachrichtenübertragungsanlagen ist es vorteilhaft, wenn einer der Laserstrahlen zur Nachrichtenübermittlung dient
und der andere für Überwachungszwecke benutzt werden kann. In einem streifenförmigen Laser mit einer begrenzten, engen aktiven
Zone, die eine Schwingungstypbeeinflussung ermöglicht, ist die Lichtausgangsleistung ungefähr 10 mW, während ein Arbeitspunkt mit mindestens etwa 20 mA über dem V/ellenstrom gewählt
wurde, um Abweichungen von den Betriebsbedingungen im Laserelement zu vermeiden. 509823/081 8
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Schwellenwert verändert sieb mit der Umgebungstemperatur
und der Alterung des Elements.
Lie Änderung des wellenwertes "beträgt ungefähr 1 nA pro G-rad
Celsius bei Raumtemperatur, so daß es außerordentlich schwierig ist, die Laserausgangsleistung über einen längeren Zeitraum
konstant zu halten. Der Gebrauch einer Temperaturüberwachungseinrichtung
zusammen mit dem Laser spricht gegen die erwähnten 'Vorteile des Halbleiterlasers, nämlich geringe
Größe, kleines Gewicht und niedrige Kosten.
Eine Lösung dieses Problems besteht darin, den Ausgang eines der beiden Laserstrahlen auf die Laserstromquelle rückzukoppeln,
um so den Arbeitsstrom zu überwachen. Auf diese Weise wird ein stabiler Laserausgang erhalten.
In der Praxis ist die Verwendung eines transparenten Zylinders
sehr nützlich, um Laserstrahlen zu erhalten.
l-Iit der Anordnung, bei der Laserstrahlen in zwei Richtungen
erhältlich sind, kann ein optischer Verstärker dadurch erhalten werden, daß die reflektierende Oberfläche mit einer
anti-reflektierenden Schicht überzogen wird, um einen verstärkenden Zustand zu erreichen und dann ein Lichtstrahl von der
anti-reflektierenden Oberfläche in den Laserkristall auf dem Wege eines einstrahligen Lichtsystems zurückgeführt wird,
wobei dieser Lichtstrahl verstärkt und von der anti-reflektierenden
überfläche zur anderen Seite emittiert wird.
Von dein grundlegenden Verhalten eines Lasers ist es bekannt,
daß eine direkte Strommodulation bei !Frequenzen in der Größenordnung
von Gigaherz möglich ist. Deshalb ist es wünschenswert, daß die Resonanzfrequenz des Gehäuses ebenfalls in der Größenordnung
von Gigaherz liegt. Angenommen, der transparente Zylinder sei aus Glas, und die beiden als Elektroden dienenden
Metallkörper oben und unten am Zylinder besitzen eine kleine Induktivität, wie z.B. eine Scheibe. Bei einer solchen An-
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Ordnung ist die Kapazität klein, da die Dielektrizitätskonstante von Glas ungefähr den Wert 2 aufweist, mit dem Ergebnis,
daß das Gehäuse an einen Arbeitsbereich mit ausreichend hohen Frequenzen angepaßt werden kann.
Die Resonanzfrequenz des Glaszylinders kann mehrere GHz betragen, was leicht aus der Charakteristik eines Gehäuses für
Gunn-Dioden oder IMPATT-Dioden abgeleitet werden kann.
Um eine kontinuierliche Schwingung bei Raumtemperatur zu erhalten,
ist es vor allem wichtig, die Wärmeableitung von dem Laserkristall zu vergrößern. Um die Erwärmung des Gehäuses
von Beginn an zu kontrollieren, ist es wichtig, daß der Metallkörper in direktem thermischen Kontakt mit dem Laserkristall
steht.und mit einer Wärmesenke eine Einheit bildet, oder die Wärmesenke von einem Teil des Metallkörpers durchdrungen
ist oder auf dem Metallkörper Verbindungslöcher vorgesehen sind, um eine wirksame thermische Kopplung zwischen
Metallkörper und Wärmesenke zu gewährleisten.
Ein hermetischer Abschluß des Halbleiter-Laserkristalls ist unerläßlich, da er feuchtigkeitsempfindlich ist. Deshalb
muß das Gehäuse abgeschlossen werden, indem der obere Metallkörper angeschweißt wird, nachdem der Laserkristall im Gehäuse
eingebracht und befestigt worden ist.
,/eiterhin muß ein besonders weicher, elektrisch leitender
Draht, wie z.B. ein Golddraht, für die Verbindung des elektrischen Anschlusses und der Laserkristallelektrode, die
der Wärmesenke gegenüberliegt, benutzt werden, wobei ein leicht schmelzendes Metall, wie Zinn, mit Lötmittel geschmolzen
wird. Wird ein fester Körper anstelle des v/eichen leitenden Drahtes für die Verbindung verwendet, so entsteht eine große
mechanische Spannung in dem Laserkrista.il, wodurch die Lebensdauer
herabgesetzt wird.
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Die Erfindung wird anhand von bevorzugten Ausführungsbeispielen näher beschrieben und erläutert. In den zugehörigen schematischen
Zeichnungen zeigt:
Fig. 1 einen Schnitt durch eine erste Ausführung nach der Erfindung,
Fig. 2 einen Querschnitt entlang der Linie A-A1 in Fig. 1,
Fig. 3 einen Schnitt durch eine weitere Ausführung nach der Erfindung,
Fig. 4 einen Querschnitt entlang der Linie A-A1 in Fig. 3»
Fig. 5 einen Schnitt durch eine dritte Ausführung nach der Erfindung,
Fig. 6 einen Querschnitt entlang der Linie A-A1 in Fig. 5.
In Fig. 1 und 2 ist ein Laser-Kristall 1 in einem hermetisch abgeschlossenen Gehäuse untergebracht. Ein Metallkörper 2 z.B.
aus Kupfer enthält ein Gewindeteil 3 (z.B. 10 mm Länge, 4 mm Durchmesser), ein vorspringendes Teil 5 (z.B. 7,5 mm Außendurchmesser)
und einen Flanschteil 4 (z.B. 3 mm unterhalb des vorspringenden Teiles, 0,5 mm Dicke und 10 mm Außendurchmesser).
Ein Zwischenring 6 (z.B. 10 mm Außendurchmesser, 8 mm
Innendurchmesser und 1,5 mm Dicke) ist durch Metallschmelzen mit dem Flanschteil 4 verbunden. Ein Glaszylinder 7 (z.B.
10 mm Aujßendurchmesser, 8 mm Innendurchmesser und 3 mm Länge)
und ein Zwischenring 8 (z.B. 12 mm Außendurchmesser,' 8 mm Innendurchmesser, 0,3 mm Dicke und mit einer Stufe von 1 mm
Höhe) sind übereinander auf dem Zwischenring 6 durch Metallschmelzen aufgebracht. Beide Enden des Glaszylinders 7 wurden
vorher durch einen bekannten Sinterungsprozess metallisiert.
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Der Laserkristall 1 "befindet sich im engem Kontakt mit dem
oberen Ende eines kupfernen Teiles einer Wärmesenke 11 (z.B. 2mm Durchmesser und 1 mrn Höhe), so daß eine Dispersion des
Laserausgangstrahles verhindert wird. Der Laserkristall ist ungefähr 80 Mikrometer dick und enthält eine aktive Schicht,
die in 3 Mikrometer Entfernung von der Oberfläche der p-Schicht entfernt liegt.
Diese p-Schicht ist in Verbindung mit der Wärmesenke 11, die auf das vorspringende Teil 5 aufgebracht wird nachdem der
Kristall auf der Wärmesenke angebracht worden ist. Die andere Elektrode, d.h. die η-Schicht des Kristalls, ist durch einen
leitenden Draht 10 mit dem gestuften Zwischenring 8 verbunden.
Die Laserausgangsstrahlen eines Halbleiterlasers sind in zwei Richtungen unsymmetrisch. Der Divergenzwinkel in der
Richtung senkrecht zum p-n-Übergang beträgt in der Regel etwa 80°, parallel zum p-n-Übergang etwa 10°. Der Strahlquerschnitt
ist in beiden Richtungen extrem elliptisch.
Deswegen divergiert der Laserstrahl stark hinter dem Gehäuse, woraus die Einschränkungen der Anwendung von Laserstrahlen
resultieren.
Zur Fokussierung der einen (rechten) Laserstrahlen ist ein Linsenelement 12 (z.B. 3,5 mm Länge und 2mra Durchmesser) mit
Epoxydharz so auf dem vorspringenden Teil 5 aufgebracht, daß die Zentralachse des Linsenelementes 12 mit der Schwingungszone und der Achse des Laserkristalles 1 zusammenfällt.
Das Gehäuse ist mit einem scheibenförmigen Metallkörper 9 als Abdeckung (z.B. 12 mm Außendurchmesser und 0,5 mm Dicke)
abgeschlossen und zwar durch Weißen in trockener Stickstoffatmosphäre.
In einer bevorzugten Ausführung nach der Erfindung befinden
sich der Laserkristall 1 und das Linsenelement 12 im Abstand von 1,2 mm, das Linsenelement ist z.B. 3,5 mm lang, wodurch
ein im wesentlicher,.paralleler Laserstrahl 22 erhalten wird.
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Wenn das Linseneleinent so ausgebildet ist, daß sein Brechungsindex
einen quadratischen Yerteilungsgradienten von der Zentralachse zur Peripherie aufweist, so ist es verständlich,
daß die Schwingungszone (nahe dem sichtbaren Bildfeld) keine
punktförmige Lichtquelle ist. Vielmehr ist der erhaltene Laserstrahl nicht vollständig parallel, sondern elliptisch
und breitet sich etwa parallel aus. Dieser elliptische bzw. quasi parallele Strahl ist jedoch in seiner Form weitaus besser
als ein Strahl, der ohne eine solche Linse gewonnen wird. Der Laserstrahl 23 ist an der dem Linsenelement gegenüberliegenden
Seite stark divergierend. Trotzdem kann dieser Strahl
zu Überwaehungszwecken oder zur Stabilisierung des Lichtausganges verwendet werden. Es ist besonders vorteilhaft, daß
der quasi parallele Strahl fast in der gleichen Art wie ein bekannter Gas-Laser oder Festkörperlaser benutzt werden kann.
Pur Anwendungen mit Glasfaser-Bildübertragung wird ein
Linsenelement, wie z.B. eine Linse mit geeigneter Brechungsindexverteilung und Länge, so installiert, daß ein fokussierter
Strahl erhalten und einem Glasfaser-Lichtleitkabel zugeführt werden kann. Obwohl der Glaszylinder 7 als konvexe
Linse dient, ist die Wirkung als konvexe Linse äußerst gering. Beispielsweise, wenn der Ausgangsstrahl durch' den Glaszylinder
hindurch mit einem sogenannten "Selfoc"-I1iberglasliehtleitkabel
gekoppelt wird, 'für den die Bildpunktgröße mit 4 /um so klein
ist, daß für die optische Koppelung besondere Sorgfalt geboten ist, so kann der Kopplungsgrad bei dem zylindrischen
Glas nur TO fo kleiner sein als bei einem ebenen Glas.
Fig. 2 zeigt eine Schnittansicht entlang der Linie A-A1
durch die Zentralachse des Laserkristalls 1 und das Linsenelement 12 in der Anordnung nach Fig. 1.
Der Laserkristall 1 und das Linsenelement 12 sind mit ihren optischen Achsen in der entgegengesetzten Richtung des Glaszylinders
so ausgerichtet, daß der Laserstrahl 22 durch die
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konvexe Linse des Glaszylinders 7 nicht wesentlich deformiert wird. Das Linsenelement 12 im Glaszylinder 7 kann in Abhängigkeit
vom Verwendungszweck in verschiedenen konstruktiven Varianten benützt werden, wie z.B. in der Gestalt einer
zylindrischen sogenannten "Selfoc"-Linse, einer ebenen "Selfoc"-Linse,
einer halb-zylindrischen Linse und eines einfachen Hohlzylinders aus Glas. Zur Verwendung gehören auch Raumhologramme.
Der Spalt zwischen dem Laserkristall 1 und dem Lindenelement 12 kann mit Epoxydharz ausgefüllt werden, um
den Kopplungsfaktor zwischen ihnen zu vergrößern. Wenn der Laser mit einer geringen Ausgangsleistung betrieben wird, kann
das durch den Glaszylinder eintretende Licht ein Rauschen verursachen. Um solches Rauschen zu verhindern, kann der Glaszylinder,
ausgenommen an den Austrittsstellen des Laserstrahles, schwarz abgedeckt werden.
Der Laserstrahl 23 kann optisch in der gleichen Weise behandelt werden, wie es für den Laserstrahl 22 beschrieben wurde, wobei
der Laserstrahl gleichzeitig in zwei Richtungen benutzt werden kann. Diese Anordnung ermöglicht zwei parallele Strahlen.
Wenn beide reflektierenden Oberflächen des Lasers mit einem antireflektierenden Film überzogen werden, um einen verstärkenden
Zustand zu erhalten und beide;. Strahlen durch eine Linsenanordnung umgeformt werden, um einem Glasfaserlichtleitkabel
zugeführt zu werden, dann kann ein optischer Verstärker geschaffen werden. Z.B. wird ein schwacher Lichtstrahl von einem
Lichtleitkabel auf das eine Ende des Laserkristalls geworfen. Dieser Strahl wird in dem Laserkristall verstärkt, am
anderen Ende emittiert und in ein weiteres Lichtleitkabel eingekoppelt.
Die scheibenförmige Wärmesenke 11 kann eine Diamantgitterstruktur oder irgend eine andere geeignete Struktur haben. Der Laserkristall
kann mit einer dicken plattierten Goldschicht befestigt werden, um zu verhindern, daß der Laserstrahl durch
die Wärmesenke 11 gestreut wird.
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Wie beschrieben, hat der Glaszylinder eine konvexe Linsenfunktion
in Krümmungsricntung des Zylinders (nicht in der axialen
Richtung). Das quasi parallele oder fokussierte Licht aus dem Linsenelement in dem zylindrischen Gehäuse ist nicht
zirkularsymmetrisch deformiert. Dadurch nimmt die Bildpunktgröße des Lichtes eine Gasverteilung an. Wenn dies vorkommt,
obwohl eine perfekte Bildpunktgröße benötigt wird, die zur
Kopplung des Laserstrahles mit einem Glasfaserlichtleitkabel, dessen Eigen-Bildfleckabstand klein ist, geeignet ist, so
werden bei der Kopplung niedere und höhere Schwingungstypformen
erzeugt, die verursachen, daß eine Wellendispersion und eine geringere Ausbreitung verstärkt werden. Dieses
Problem kann dadurch gelöst werden, daß der Teil des Glaszylinders, an dem der Laserstrahl hindurchtritt, in einer
Ebene senkrecht zu dem Laserstrahl wölbungsfrei ist.
In der Praxis wird ein kommerziell erhältlicher Glaszylinder in einer Einspannvorrichtung durch Erhitzen teilweise abgeflacht.
Dieser Prozess ist einfacher, leichter und ökonomischer zur Lösung dieses Problems als die Verwendung von ebenen
Platten, die untereinander befestigt werden oder die Verwendung von verschiedenen, röhrenförmigen Körpern, wie z.B.
rechteckigen Röhren.
Eine solche Einrichtung ist in den Figuren 3 und 4 dargestellt, in einem Horizontalschnitt und einem Vertikalschnitt,
wobei letzterer entlang der Linie A-A1 liegt. Diese Anordnung
ist die gleiche wie in Fig. 1 und 2 mit Ausnahme der Gestalt des Glaszylinders. Dieser Glaszylinder wird erwärmt und teilweise
zu einem optisch ebenen Teil von 3 mm Ausdehnung ausgestaltet. Dann wird der Zylinder auf eine Länge von 3mm abgeschnitten
und auf den Deckring 7 aufgeschmolzen und eingepasst.
Entsprechend Fig. 4 sind die Schwingungsachse des Laserkristalls 1 und die optische Achse des Linsenelementes mit der entgegen-
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gesetzten Achse des Zylinders 7 ausgerichtet. Die optische Achse 31 geht nahezu senkrecht durch die Mitte des optisch
ebenen Teiles 13 des Glaszylinders 7. Wenn die optische Achse 31 nicht senkrecht auf dem optisch ebenen Teil 13 steht, wird
der laserstrahl 22 gebrochen. In Experimenten wurde ein Kopplungsgrad von 60 bis-70 i>
erreicht, wenn das quasi parallele Licht mit einem Lichtleitkabel, dessen Bildpunktgröße 4JJLto
betrug, gekoppelt wurde. (Die Kopplung mit einer solchen Bildpunktgröße erfordert besondere Erwägungen.) Gemäß der
Erfindung kann ein elliptischer Laserstrahl zu einem fokussierten, kreisförmigen Strahl umgewandelt werden mittels
einer Linse mit elliptischer Linsenfunktion, wobei der Laserausgangsstrahl in einem Lichtleitkabel gekoppelt wird,
selbst wenn die Bildpunktgröße sehr klein ist. In Experimenten betrug der Kopplungsgrad bei einem Lichtleitkabel mit
einer Bildpunktgröße von 4 Mm rund 80 $.
Eine weitere erfindungsgemäße Einrichtung ist in Fig. 5 und dargestellt, wo ein Linsenelement sich durch ein zylindrisches
Gehäuse, wie es in Fig. 1 und 2 dargestellt ist, hindurcherstreckt, um den Einfluß von Reflektion und Refraktion
des Laserstrahles in dem Glaszylinder zu verringern. Fig. 5 ist ein Längsschnitt und Fig. 6 ist ein Querschnitt entlang
der Linie A-A1 durch den Laserkristall 1. In einem Teil des
transparenten Zylinders ist eine Spalte oder Öffnung vorgesehen. In den Spalt oder die öffnung ist ein Linsenelement
mit einem Lichtübertragungsteil 12 eingepasst und mit Glasharz oder einem ähnlichen Material hermetisch abgedichtet.
Diese Einrichtung trägt zur Verringerung des Durchmessers des transparenten Zylinders bei und ermöglicht den Zylinder t
sich an höhere Frequenzen anzupassen. Bei dieser Konstruktion mit dem Linsenelement innerhalb des Zylinders beträgt die
Reflexion an der inneren Oberfläche des Zylinders 14 %, an
der äußeren 7 % und jeweils 7 $> am Eingang und Ausgang des
Linsenelementes, wenn der Strahl senkrecht auf der Zylinderoberflache
auftrifft. Diese großen Reflexionsverluste können
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verringert werden, wenn das Linsenelement mit dem Lichtübertragungskörper
12 sieb durch den Zylinder hindurch erstrecken. Der Reflexionsverlust kajin nahezu zu Null werden,
wenn das Linsenelement mit dem Lichtübertragungskörper 12 mit einem antireflektierenden PiIm überzogen werden. Die
beiden Laserstrahlen können mit hoher Ausbeute erhalten werden.
Genauere Merkmale dieser .Einrichtung sollen im folgenden
in Gegenüberstellung mit der Einrichtung nach I'ig. 1 und 2
beschrieben werden. In Pig. 5 ist vorteilhafterweise eine "Selfoc"-Linse 12 in der Form eines runden Zylinders als
Linsenelement und Lichtübertragungskörper verwendet. Diese Linse ist in einer Öffnung 14 des Glaszylinders 7 eingepaßt
und mit Epoxydharz hermetisch abgedichtet. Ein kupferner Metallkörper hat einen Gewindeteil (z.B. 7 mm Länge, 3 mm Durchmesser),
einen vorspringenden Teil 5 (z.B. 3 mm Außendurchmesser) und einen Flanschten 4 (z.B. 5 mm Außendurchmesser, 0,5 mm
Dicke mit einer Stufe von 3 mm Höhe). Ein Zwischenring 6 (z.B. 5 mm Außendurchmesser, 3,5 mm Innendurchmesser
und 1,5 mm Dicke) ist durch Metallschmelzen auf dem I'lanschteil 4 aufgebracht. Ein Glaszylinder 7 (z.B. 5 mm Außendurchmesser,
3,5 mm Innendurchmesser und 3 mm Länge) mit einem öffnungsteil 14 (z.B. 2 mm Weite) an dem das Glas durch
Einstoßen entfernt wurde, ist mittels Metallschmelzen auf den Zwischenring 6 aufgesetzt. Dann wird ein Zwischenring
(6 mm Außendurchmesser, 3,5 mm Innendurchmesser und 0,3 mm Dicke)
mit eina? Stufe von 1 mm Höhe mittels Metallschmelzen auf den Zylinder 7 eingepaßt. Die Fuge zwischen Laserkristall 1 und
dem Linsenelement mit Lichtübertragungsteil 12 ist 1,2 mm, die Länge des Linsenelementes mit Lichtübertragungsteil 12
ist 3mm. Diese Komponenten sind so gewählt, daß ein quasi
paralleler Laserstrahl 22 von dem Laserkristall erhalten wird.
Der Laserkristall ist ca. 80 um dick mit einer aktiven Schicht,
die etwa 3 o. von der p-Schichtoberflache entfernt ist, die
ihrerseits mit der viärmesenke 11 verbunden ist. Diese Wärme-"
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senke 11 ist mit dem oberen Ende 5 eines Metallkörpers 2 verbunden, nachdem der Laserkristall auf die Wärmesenke
eingepaßt ist. Die andere Elektrode (auf der n-dotierten Schicht) des Kristalls 1 ist mittels eines leitenden Golddrahtes
11 mit dem gestuften Deckring 6 verbunden. Das Linsenelement mit Lichtübertragungsteil 12 (z.B. 3 mm Länge
und 2 mm Durchmesser) ist so untergebracht, daß es durch die Öffnung 14 (z.B. 2,2 mm Weite) des Glaszylinders 7 hindurchragt.
Das Linsenelement mit dem Lichtübertragungsteil 12 ist in die Öffnung eingepaßt und wenigstens kurzzeitig
mit Epoxydharz befestigt. Die Schwingungszone und Schwingungsrichtung des Laserkristalls 1 sind mit der Zentralachse des
Linsenelementes und dem Lichtübertragungsteil 12 ausgerichtet.
Im letzten Schritt wird ein Metallkörper 9 als Deckplattenelektrode
mittels Schweißen in trockener Stickstoffatmosphäre auf den Zylinder 7 eingepaßt und jegliche Spalten rund um
das Linsenelement mit dem Lichtübertragungsteil 12 werden mit Epoxydharz so ausgefüllt, daß der Zylinder hermetisch
abgeschlossen ist. Die Induktivität des zylindrischen Gehäuses ist sehr klein, wobei ein so kleines Teil wie der
Golddraht 10 noch den größten Teil davon beträgt. Hierdurch kann das Gehäuse für Frequenzen bis nahezu 10 GHz angepaßt
werden.
Der Laserkristall 1 kann auch direkt mit dem Oberteil des Projektionsteiles 5 ohne die Verwendung einer Wärmesenke 11
verbunden werden, wenn der Projektionsteil 5 durch geeignete
Begrenzung der Konstruktion einen Wärmewiderstand von weniger als 15°C/w aufweist.
Gemäß der Erfindung ist das Linsenelement mit dem Lichtübertragungsteil
12 so untergebracht, daß es durch den Glaszylinder 7 hindurchragt und der Laserstrahl 22 durch dieses Linsenelement
hindurch emittiert wird, mit dem Ergebnis, daß der Laserstrahl keine Eeflexionsverluste bedingt durch den Glaszylinder
aufweist.
509823/0818 -^"
Wenn beide Enden des Linsenelementes 12 mit einem antireflektierenden
I'ilm überzogen werden, so wird es möglich, ein
Halbleiterlasergehäuse zu erhalten, das praktisch keine Reflexionsverluste aufweist. Dies ist ein bemerkenswertes
Merkmal der Einrichtung nach I'ig. 5 und 6, da es schwierig ist, die innere Oberfläche eines zylindrischen Körpers mit einem
antireflektierenden EiIm zu überziehen.
Die quasi parallelen Laserstrahlen aus dem Halbleiterlaser gemäß der Erfindung können wie Strahlen aus einem bekannten
Gaslaser oder Pestkörperlaser verwendet werden. Durch Verwendung von geeigneten Linsen, wie z.B. einer "Selfoc"-Linse
kann folussiertes Licht erhalten werden. Um das fokussierte
Licht einem Lichtleitkabel zuzuführen, ist es nötig, die Verteilung des Refektionsfaktors, die Länge und die Befestigungsposition der "Selfoc"-Linse geeignet zu begrenzen. Wie
bei der vorstehenden Einrichtung können kreisförmige zylindrische "Selfoc"-Linsen, ebene "Selfoc"-Linsen, halbkreisförmige
zylindrische Linsen, ein zylindrischer Glaskörper oder andere geeignete Linsenkörper als Linsenelement und Lichtübertragungsteil
12, der in die Öffnung 14 des Glaszylinders 7 eingepaßt wird, verwendet werden. Der Teil des Glaszylinders 7,
durch den das Linsenelement 12 hindurchragt, ist 2,2 mm weit, wie in i'ig. 7 dargestellt. Dieser Teil kann auch eine Öffnung
sein, sofern sie dafür geeignet, ist, das Linsenelement 12 in Position zu halten. Obwohl die Ausführungen der Erfindung
eingehend dargestellt und beschrieben wurden, ist es selbstverständlich, daß die Erfindung hierdurch und
hierauf nicht beschränkt ist.
Pat ent ansprüch e
509823/0818
-16-
Claims (10)
- — I O —Patentansprüchef 1.Jlnjektions-Halbleiterlasereinrichtung mit einem Halbleiterlaser innerhalb eines Gehäuses, dadurch gekennzeichnet, daß ein zylindrischer Hohlkörper (7) aus transparentem Isoliermaterial an seinen beiden Enden von zwei Elektroden bildenden Metallkörpern (2, 9) dicht abgeschlossen ist, von denen der eine Metallkörper (2) sich mit einem sockeiförmig vorspringenden Teil (5) axial in das Innere des von dem zylindrischen Körper umschlossenen Raum hineinerstreckt, daß
der Halbleiterlaser (1) mit seiner einen Elektrode thermisch und elektrisch mit dem vorspringenden Teil verbunden ist und die andere Elektrode über einen flexiblen elektrischen Leiter (10) an den anderen Metallkörper (9) angeschlossen ist und daß auf dem vorspringenden Teil wenigstens ein Lichtleitkörper (12) aufgebracht ist, dessen optische Achse in der Laserachse liegt und dessen Brechwert radial von innen nach außen stetig abnimmt. - 2. Injektions-Halbleiterlasereinrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens der Teil des transparenten Hohlkörpers (13), an dem der eine Laserstrahl hindurchtritt, in einer Ebene senkrecht zu dem Laserstrahl wölbungsfrei ist. - 3. Injektions-Halbleiterlasereinrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtleitkörper (12) durch den transparenten Hohlkörper (13) dicht hindurchgeführt ist. - 4. Insektions-Halbleiterlasereinrichtung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der zylindrische Hohlkörper (7) aus Glas ist.-17-509823/0818
- 5. Injektions-Halbleiterlasereinrichtung nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der den Halbleiterlaser (1) tragende Metallkörper (2) wenigstens teilweise aus einem wärmeabsorbierenden (Wärmeabführenden) Material besteht.
- 6. Injektions-Halbleiterlasereinrichtung nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der den Halbleiterlaser (1) tragende Metallkörper (2) mit einer■Wärmesenke (11) verbunden ist.
- 7. Injektions-Halbleiterlasereinrichtung nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der den Halbleiterlaser (1) tragende Metallkörper (2) mit einem schmalen Plansch (4) versehen ist, der über einen Zwischenring (6) aus einem thermische Spannungen zwischen dem zylindrischen Hohlkörper (7) und dem Metallkörper (2) vermeidenden Material an den Hohlkörper (7) dicht anschließt.
- O. Injektions-Halbleiterlasereinrichtung nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Metallkörper (9), der dem den Halbleiterlaser tragenden Metallkörper (2) abgewandt ist, und dem zylindrischen Hohlkörper (7) ein elektrisch leitender Zwischenring (8) angeordnet ist, der eine stufenförmige Ausnehmung aufweist, an die der flexible Leiter 10 angeschlossen ist.
- 9. Injektions-Halbleiterlasereinrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Metallkörper (9) als flacher Deckel ausgebildet ist.
- 10. Injektions-Halbleiterlasereinrichtung nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtleitkörper (12) aus einem zjriindrischen Glaskörper besteht.509823/0818Leerseite
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP1973139269U JPS5152308Y2 (de) | 1973-12-03 | 1973-12-03 | |
JP13927073U JPS5152309Y2 (de) | 1973-12-03 | 1973-12-03 | |
JP1973139268U JPS5152307Y2 (de) | 1973-12-03 | 1973-12-03 |
Publications (3)
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DE2451018A1 true DE2451018A1 (de) | 1975-06-05 |
DE2451018B2 DE2451018B2 (de) | 1981-07-09 |
DE2451018C3 DE2451018C3 (de) | 1982-03-11 |
Family
ID=27317829
Family Applications (1)
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Country | Link |
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---|---|---|---|
OI | Miscellaneous see part 1 | ||
OI | Miscellaneous see part 1 | ||
AH | Division in |
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