DE2439795B2 - Anwendung einer photoelektrischen Zelle zur Bestimmung des Zeitpunktes des Durchätzens einer auf einem Halbleitersubstrat angebrachten Oxidschicht - Google Patents
Anwendung einer photoelektrischen Zelle zur Bestimmung des Zeitpunktes des Durchätzens einer auf einem Halbleitersubstrat angebrachten OxidschichtInfo
- Publication number
- DE2439795B2 DE2439795B2 DE2439795A DE2439795A DE2439795B2 DE 2439795 B2 DE2439795 B2 DE 2439795B2 DE 2439795 A DE2439795 A DE 2439795A DE 2439795 A DE2439795 A DE 2439795A DE 2439795 B2 DE2439795 B2 DE 2439795B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- oxide layer
- semiconductor
- etched
- semiconductor substrate
- photoelectric cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 5
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine photoelektrische Zelle bestehend aus einer Halbleiter- und einer
Metall-Gegenelektrode in einem Elektrolyten, wobei in der Halbleiterelektrode durch Belichtung elektrische
Ladungsträger freigesetzt werden, ferner bestehend aus einer mit der Halbleiter- und der Metall-Gegenelektrode
verbundenen elektrischen Detektoreinrichtung, vermittels welcher die in der Halbleiterelektrode freigesetzten
Ladungsträger detektiert werden.
Soll beim chemischen Ätzen ein Muster sauber abgegrenzt werden, so ist es ganz wesentlich, daß man
den Punkt bestimmen kann, von dem ab kein Material mehr abgetragen werden soll. Falls das Ätzverfahren
über diesen Punkt hinaus ausgedehnt wird, dann ergeben sich Schwierigkeiten durch Unterschneidungen,
oder man hat die Abmessungen des zu erzeugenden Musters nicht mehr unter Kontrolle.
Bisher hat man zur Feststellung, ob das Oxid richtig entfernt worden ist, einfach die Halbleiteroberfläche mit
dem Mikroskop betrachtet Dabei benutzt man die Farbänderung der Oxidschicht, wenn diese immer
dünner wird. Ein solches Verfahren ist nicht nur sehr zeitaufwendig, da das Ätzverfahren zur Prüfung immer
wieder unterbrochen werden muß, sondern die Prüfung selbst ist auch sehr mit subjektiven Fehlermöglichkeiten
behaftet.
Ein anderes bekanntes Verfahren betraf die Prüfung der Oberfläche eines Halbleiters, insbesondere im
Hinblick auf den Übergang vom hydrophilen in den hydrophoben Zustand oder umgekehrt, abhängig vom
Anfangsoberflächenzustand des Halbleiters. Wiederum ist dieses Verfahren subjektiven Einflüssen sehr stark
ausgesetzt und läßt sich nicht in situ durchführen.
Ein drittes bekanntes Verfahren betrifft die elektrische Messung der Siliciumoberfläche. Ist eine Oxidschicht
vorhanden, dann läßt sich kein Kontakt herstellen. Wenn man also wiederholt versucht, einen
wann der Endpunkt der Ätzung erreicht ist Wiederum ist diese Mediode sehr von subjektiveu Einflüssen
behaftet und hängt auch sehr stark vom Kontaxtdruck ab, und dies macht es ziemlich schwierig, die dabei
erhaltenen Ergebnisse auszuwerten. Wie bei den zuvor genasinten beiden Verfahren muß auch hier das
periodisch aus der Ätzlösung herausgenommen werden.
eine Oxidschicht abgeätzt werden soll, leitet man die zur
einzigen Halbleiterplättchens und einer Untersuchung
des geätzten Musters mit einem der zuvor genannten
drei Verfahren ab. Dabei weichen nicht nur die
plättchen, wie z.B. die Dicke der Oxidschicht, voneinander ab, sondern der Temperaturgradient des
Ätzmittels über die gesamte Ätzlösung kann unterschiedliche Ätzgeschwindigkeiten zur Folge haben. Die
Bedingungen, unter denen ein Muster geätzt wurde und
unter denen die Halbleiterplättchen in der Massenfertigung geätzt werden, können so weit voneinander
verschieden sein, daß die Ergebnisse des Ätzprozesses Extremwerte in beiden Richtungen annehmen können.
In der Praxis erhöht man die von dem Muster
abgeleitete Ätzzeit um bis zu 50%, um sicherzustellen,
daß das Oxid auch vollständig entfernt ist, wodurch es schwierig, wenn nicht gar unmöglich wird, eine gute
Kontrolle über die Abmessungen des herzustellenden Musters aufrechtzuerhalten.
Aus der US-PS 36 28 017 ist bereits eine photoelektrische
Zelle der eingangs genannten Art zum Messen von UV-Licht bekannt In einem Elektrolyten sind eine mit
einem Zinnoxid-Überzug versehene Quarzelektrode und eint mit einem Platinüberzug versehene Quarzelektrode
vorgesehen, die beide über eine in Reihe geschaltete Stromquelle und ein Mikroempercmeter
miteinander verbunden sind. Die Elektroden sind nur für UV-Licht von 300 nm bzw. 400—330 nm Wellenlänge
empfindlich, nicht aber für sichtbares Licht. Der gemessene Strom ist etwa der Intensität des UV-Lichts
proportional.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Vorrichtung zu schaffen, mit deren Hilfe der Endpunkt der Ätzung
photoelektrisch und in situ bestimmbar ist, wenn die Oxidschicht entfernt, d. h. abgeätzt ist, wodurch die
durch Unterschneiden, Überätzen und mangelnde Kontrolle der Abmessungen, Ablösen des Photolacks,
Wirkungen von Temperaturänderungen im Ätzverfahren und unterschiedliche Stärken der abzuätzenden
Filme bisher aufgetretenen Schwierigkeiten so klein wie möglich gehalten, wenn nicht gar vollständig beseitigt
werden.
Die der Erfindung zugrunde Hegende Aufgabe wird vermittels einer photoelektrischen Zelle der eingangs
genannten Art dadurch gelöst, daß die photoelektrische Zelle zur Bestimmung des Zeitpunktes des Durchätzens
einer auf einem Halbleitersubstrat angebrachten Oxidschicht angewandt wird, wobei das mit der Oxidschicht
versehene Halbleiterüubstrat die Halbleiterelektrode und das Ätzmittel den Elektrolyten der photoelektrischen
Zelle bilden, und wobei ein auf einen Teil der abzuätzenden Oxidschicht gerichteter Strahl einer
Lichtquelle auf die beim Durchätzen der Oxidschicht
freigelegte Oberfläche des Halbleitersubstrats auftrifft
In weiterer Ausgestaltung der Erfindung wird als Lichtquelle eine Lampe verwendet, deren Lichtstrahl
periodisch unterbrochen wird und ein Linsensystem enthält, das den Lichtstrahl auf einen abzuätzenden Teil s
der mit einer Oxidschicht überzogenen Oberfläche des Halbleitersubstrats richtet
In der praktischen Ausführung wird eine Substr«-. !halterung
für die Befestigung eines mit einer Oxidschicht überzogenen Halbleiters in der Weise vorgesehen, daß ίο
nur eine Oberfläche der Oxidschicht der Ätzlösung ausgesetzt ist Eine erste elektrische Leitung ist
entweder unmittelbar oder mittelbar an der nichtfreiliegenden Oberfläche des Halbleiters angeschlossen, je
nachdem, ob an der nichtfreiliegenden Oberfläche des Halbleiters ein Oxidüberzug vorhanden ist oder nicht
Eine zweite elektrische Leitung ist mit einer in der Ätzlösung angeordneten Elektrode verbunden, und
beide Leitungen sind mit einer Detektoreiurichtung, wie z. B. einem Meßinstrument oder dergleichen, verbunden.
Die Lichtquelle, die einen pulsierenden Lichtstrom liefert, wird auf einen oder mehrere Punkte der
abzuätzenden Oxidschicht fokussiert, so daß nach Entfernen der Oxidschicht der Lichtstrahl den Halbleiter
trifft Der pulsierende Lichtstrahl erzeugt ein von der Oberfläche des Halbleiters ausgehendes Wechselstromsignal,
durch das festgestellt werden kann, wann das Dielektrikum entfernt ist das heißt, wann das Ätzmittel
elektrischen Kontakt mit der Oberfläche bekommt, und damit wird der Endpunkt der Ätzung signalisiert
Die Erfindung wird nunmehr anhand eines Ausführungsbeispiels in Verbindung mit den Zeichnungen
näher beschrieben. In der Zeichnung zeigt
F i g. 1 eine schematische Ansicht der Einrichtung, zum Teil im Schnitt, zum Feststellen des Endpunktes
einer Ätzung; und
Fig.2 den Amplitudenverlauf des Ausgangssignals, aufgetragen über der Zeit, während eines Ätzvorganges.
In Fig. 1 ist eine Ätzlösung 10 in einem Behälter 12
aus Kunststoff oder dergleichen untergebracht der durch die Ätzlösung nicht angegriffen wird. Die
Ätzlösung kann beispielsweise eine schwache Fluorwasserstoffsäure-Lösung oder jede andere biauchbare
Ätzlösung sein. Eine Substrathalterung 14 aus einem Kunststoff oder einem anderen geeigneten Material ist
vorgesehen, das ebenfalls gegen die Ätzlösung unempfindlich ist Die Halterung 14 weist einen Hohlraum 16
zur Aufnahme eines Halbleitersubstrats 18 auf. Das Halbleitersubstrat 18 kann aus Silicium bestehen und ist,
wie in F i g. 1 gezeigt, auf seinen beiden Oberflächen mit einer Oxidschicht 20 bzw. 22 versehen. Der Hohlraum
16 weist eine Schulter 24 auf, die das Substrat abstützt, sowie eine Klemmvorrichtung 26, die das Substrat
gegen die Schulter 24 andrückt und festhält. Wenn das Substrat ein kreisförmiges Plättchen ist, dann kann die
Klemmvorrichtung ein Schraubring sein, der in die Halterung 14 eingeschraubt ist Die Klemmvorrichtung
26 kann mit einer Dichtung, wie z. B. einem Dichtungsring 28, versehen sein. Ist die Form des Substrats nicht
kreisförmig, dann kann die Klemmvorrichtung 26 an der Halterung 14 durch entsprechende Mittel befestigt
werden und man würde eine Dichtung vorsehen, die sich um den gesamten Umfang des Substrats herum
erstreckt und verhindert, daß Ätzlösung die gegenüberliegende Oberfläche des Substrats erreichen kann. Die
freiliegende Oberfläche des Oxids 22 ist mit einem Resistmaterial in einem bestimmten Muster überzogen,
so daß nur der nicht damit überzogene Teil der
Die Halterung 14 ist mit einer Bohrung 30 versehen, die mit dem Hohlraum 16 in Verbindung steht In dieser
Bohrung liegt eine elektrische Leitung 32. Diese Leitung 32 ist an einem Metallkontakt 34 angeschlossen, der in
der Ausführungsform gemäß F i g. 1 mit dem Substrat 18 über eine kapazitive Kopplung verbunden ist Ist an der
nichtfreiliegenden Oberfläche des Halbleitermaterials oder Substrats keine Oxidschicht vorhanden, so kann
das Substrat 18 unmittelbar elektrischen Kontakt mit der Metallplatte 34 haben. Die Empfindlichkeit der
kapazitiven Ankopplung ist 1 mV je 6,45 cm2 x 1O-5,
gemessen über einem Widerstand von 1 M Ohm.
Die Empfindlichkeit kann., wenn ein unmittelbarer
elektrischer Kontakt hergestellt ist, um eine Größenordnung größer sein. Eine zweite elektrische Leitung 36
ist mit einer Elektrode 38 verbunden, die in die Ätzlösung eingetaucht ist, und die Leitungen 32 und 36
sind mit einer entsprechenden Anzeigevorrichtung oder einer Detektorvorrichtung 40, wie z. B. einem Meßinstrument
verbunden. Es ist ebenso vorgesehen, daß das Detektorsignal dazu benutzt werden kann, einen
entsprechenden Servomechanismus zu betätigen, der die Substrathalterung 14 automatisch aus der Ätzlösung
herausnimmt wenn der Endpunkt der Ätzung festgestellt ist
Eine Lichtquelle 42 ist außerhalb des Behälters 12 vorgesehen und mit einem mechanischen Verschluß 44
und einem Linsensystem 46 so ausgerichtet daß ein pulsierender Lichtstrahl auf einen Abschnitt der
Oxidschicht 22 fokussiert ist, der durch die Ätzlösung abgeätzt werden soll. Der mechanische Verschluß 44,
der hier nur schematisch dargestellt ist kann jeder beliebige mechanische Verschluß sein, der den notwendigen
pulsierenden Lichtstrahl liefert Zum Erzielen optimaler Bedingungen mit einem möglichst kleinen
Lichtpunkt sollte dieser Lichtpunkt einen genügend großen Bereich des Musters umfassen, so daß die
abzuätzende Fläche größer ist als 6,45 cm2 χ 10~5. Um
eine genaue Ausrichtung des Substrats mit der optischen Apparatur zu vermeiden, kann man einen
Lichtpunkt wählen, der eine Fläche auf der Halbleiteroberfläche so ausleuchtet, daß unter allen Bedingungen
die auf der Halbleiteroberfläche zu ätzende Fläche mindestens 6,45 cm2 χ 10~5 beträgt Das hängt natürlich
von der Größe des zu ätzenden Musters und von dem Verhältnis der zu ätzenden Fläche gegenüber der
geschützten Fläche ab.
Im Betrieb ist das mit einem Oxidüberzug versehene Halbleiterplättchen an der Haltevorrichtung, wie in
F i g. 1 gezeigt, befestigt und ein impuismäßig unterbrochener Lichtstrom wird auf die Oberfläche des
Oxidüberzuges an einem Punkt fokussiert, an dem der Oxidüberzug abgeätzt werden soll. Wie in Fig.2
gezeigt, wird im ersten Teil des Ätzvorganges über der Elektrode 38 und dem metallischen Kontakt 34 kein
Signal festgestellt Nachdem jedoch der Oxidüberzug abgeätzt ist und man in die Nähe des optimalen
Endpunktes gelangt, wird ein kleines Signal festgestellt, wenn die Ätzlösung beginnt, mit dem Material des
Substrats 18 in elektrische Kontaktberührung zu kommen. Die Amplitude dieses Signals nimmt dann
rasch zu, wenn das in dem abzuätzenden Bereich noch verbliebene Oxid entfernt wird, bis das Signal sein
Maximum am Punkt 50 erreicht, wodurch angezeigt wird, daß der optimale Ätzendpunkt erreicht ist. Die
Anzeigevorrichtung 40 spricht auf das erste Maximum des Signals bei 50 an. Wird durch die Apparatebedie-
24 39 /95
nung nur ein Meßinstrument überwacht, so kann bei Feststellung der ersten Spitzenamplitude des Signals
der Halter und das Substrat sofort aus der Ätzlösung herausgenommen werden. Falls das Herausnehmen der
Halterung selbsttätig erfolgt, kann das erste Signalmaximum beim Punkt 50 ausreichen, einen Servomechanismus
zum Herausnehmen der Halterung zu betätigen. Ist der Detektor 40 ein Summer, eine Warnlampe oder
sonst eine geeignete Alarmvorrichtung, dann reicht die erste Spitzenamplitui^ des Signals bei SO aus, um die
Alarmeinrichtung zu betätigen und damit anzuzeigen,
daß der gesuchte Endpunkt erreicht ist
Die in F i g. 1 dargestellte Anordnung ist etwas schematisch, und zwar insoweit, als nur eine einzige
Halterung, ein Substrat und eine Lichtquelle dargestellt sind. Es ist vorgesehen, daß die Anordnung gleichzeitig
für eine Anzahl von Ätzpunkten auf einem gemeinsamen Substrat eingesetzt wird oder daß eine Anordnung
in der Weise aufgebaut wird, daß die Ätzendpunkte auf einer Anzahl von Substraten auf zwei Substrathalterungen
oder auf einer gemeinsamen Halterung gleichzeitig feststellbar sind.
Claims (2)
1. Photoelektrische Zelle bestehend aus einer Halbleiter- und einer Metall-Gegenelektrode in
einem Elektrolyten, wobei in der Halbleiterelektrode durch Belichtung elektrische Ladungsträger
freigesetzt werden, ferner bestehend aus einer mit der Halbleiter- und der Metall-Gegenelektrode
verbundenen elektrischen Detektoreinrichtung, vermittels welcher die in der Halbleiterelektrode
freigesetzten Ladungsträger detektiert werden, gekennzeichnet durch ihre Anwendung zur
Bestimmung des Zeitpunktes des Durchätzens einer auf einem Halbleitersubstrat angebrachten Oxidschicht,
wobei das mit der Oxidschicht versehene Halbleitersubstrat die Halbleiterelektrode und das
Ätzmitte! den Elektrolyten der photoelektrischen Zelle bilden und wobei ein auf einen Teil der
abzuätzenden Oxidschicht gerichteter Strahl einer Lichtquelle auf die beim Durchätzen der Oxidschicht
freigelegte Oberfläche des Halbleitersubstrats auftrifft
2. Photoelektrische Zelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Lichtquelle eine
Lampe, deren Lichtstrahl periodisch unterbrochen wird, und ein Linsensystem enthält, das den
Lichtstrahl auf einen abzuätzenden Teil der mit einer Oxidschicht überzogenen Oberfläche des Halbleitersubstrats
richtet
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US399668A US3874959A (en) | 1973-09-21 | 1973-09-21 | Method to establish the endpoint during the delineation of oxides on semiconductor surfaces and apparatus therefor |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2439795A1 DE2439795A1 (de) | 1975-04-03 |
DE2439795B2 true DE2439795B2 (de) | 1981-01-22 |
DE2439795C3 DE2439795C3 (de) | 1981-09-17 |
Family
ID=23580485
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2439795A Expired DE2439795C3 (de) | 1973-09-21 | 1974-08-20 | Anwendung einer photoelektrischen Zelle zur Bestimmung des Zeitpunktes des Durchätzens einer auf einem Halbleitersubstrat angebrachten Oxidschicht |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3874959A (de) |
JP (1) | JPS5231713B2 (de) |
DE (1) | DE2439795C3 (de) |
FR (1) | FR2245083B1 (de) |
GB (1) | GB1448048A (de) |
IT (1) | IT1017115B (de) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3953265A (en) * | 1975-04-28 | 1976-04-27 | International Business Machines Corporation | Meniscus-contained method of handling fluids in the manufacture of semiconductor wafers |
US4039370A (en) * | 1975-06-23 | 1977-08-02 | Rca Corporation | Optically monitoring the undercutting of a layer being etched |
US4058438A (en) * | 1975-07-18 | 1977-11-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Rapid universal sensing cell |
US4082602A (en) * | 1977-05-02 | 1978-04-04 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Photovoltaic cell manufacture |
US4142107A (en) * | 1977-06-30 | 1979-02-27 | International Business Machines Corporation | Resist development control system |
DE3068851D1 (en) * | 1979-05-02 | 1984-09-13 | Ibm | Apparatus and process for selective electrochemical etching |
JPS56501226A (de) * | 1979-08-30 | 1981-08-27 | ||
GB2130970B (en) * | 1980-12-05 | 1985-01-30 | Burroughs Corp | Etching depth monitor |
JPS58141531A (ja) * | 1982-02-18 | 1983-08-22 | Toshiba Corp | 半導体素子用金属薄膜エツチング装置 |
US4569717A (en) * | 1983-05-24 | 1986-02-11 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method of surface treatment |
DE3581010D1 (de) * | 1984-07-09 | 1991-02-07 | Sigma Corp | Entwicklung-endpunktnachweisverfahren. |
HU199020B (en) * | 1987-05-04 | 1989-12-28 | Magyar Tudomanyos Akademia | Method and apparatus for measuring the layer thickness of semiconductor layer structures |
US4793895A (en) * | 1988-01-25 | 1988-12-27 | Ibm Corporation | In situ conductivity monitoring technique for chemical/mechanical planarization endpoint detection |
DE3823137C2 (de) * | 1988-07-05 | 1993-12-02 | Schering Ag | Verfahren zur Ätzung von Epoxid-Harz |
US5308438A (en) * | 1992-01-30 | 1994-05-03 | International Business Machines Corporation | Endpoint detection apparatus and method for chemical/mechanical polishing |
US5376214A (en) * | 1992-09-22 | 1994-12-27 | Nissan Motor Co., Ltd. | Etching device |
US5573624A (en) * | 1992-12-04 | 1996-11-12 | International Business Machines Corporation | Chemical etch monitor for measuring film etching uniformity during a chemical etching process |
US5788801A (en) * | 1992-12-04 | 1998-08-04 | International Business Machines Corporation | Real time measurement of etch rate during a chemical etching process |
US5582746A (en) * | 1992-12-04 | 1996-12-10 | International Business Machines Corporation | Real time measurement of etch rate during a chemical etching process |
US5439551A (en) * | 1994-03-02 | 1995-08-08 | Micron Technology, Inc. | Chemical-mechanical polishing techniques and methods of end point detection in chemical-mechanical polishing processes |
US5489361A (en) * | 1994-06-30 | 1996-02-06 | International Business Machines Corporation | Measuring film etching uniformity during a chemical etching process |
US5501766A (en) * | 1994-06-30 | 1996-03-26 | International Business Machines Corporation | Minimizing overetch during a chemical etching process |
US5445705A (en) * | 1994-06-30 | 1995-08-29 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for contactless real-time in-situ monitoring of a chemical etching process |
US5516399A (en) * | 1994-06-30 | 1996-05-14 | International Business Machines Corporation | Contactless real-time in-situ monitoring of a chemical etching |
US5480511A (en) * | 1994-06-30 | 1996-01-02 | International Business Machines Corporation | Method for contactless real-time in-situ monitoring of a chemical etching process |
US6411110B1 (en) * | 1999-08-17 | 2002-06-25 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for determining if protective coatings on semiconductor substrate holding devices have been compromised |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3162589A (en) * | 1954-06-01 | 1964-12-22 | Rca Corp | Methods of making semiconductor devices |
US2875141A (en) * | 1954-08-12 | 1959-02-24 | Philco Corp | Method and apparatus for use in forming semiconductive structures |
CH444975A (de) * | 1966-09-27 | 1967-10-15 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementes mit pnpn-Struktur mit Kurzschlüssen in der Emitterzone |
US3628017A (en) * | 1970-06-18 | 1971-12-14 | Itek Corp | Ultraviolet light-sensitive cell using a substantially chemically unchanged semiconductor electrode in an electrolyte |
US3755026A (en) * | 1971-04-01 | 1973-08-28 | Sprague Electric Co | Method of making a semiconductor device having tunnel oxide contacts |
-
1973
- 1973-09-21 US US399668A patent/US3874959A/en not_active Expired - Lifetime
-
1974
- 1974-07-12 IT IT25102/74A patent/IT1017115B/it active
- 1974-07-30 GB GB3349974A patent/GB1448048A/en not_active Expired
- 1974-08-08 FR FR7428143A patent/FR2245083B1/fr not_active Expired
- 1974-08-13 JP JP49092043A patent/JPS5231713B2/ja not_active Expired
- 1974-08-20 DE DE2439795A patent/DE2439795C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2439795A1 (de) | 1975-04-03 |
JPS5060185A (de) | 1975-05-23 |
JPS5231713B2 (de) | 1977-08-16 |
FR2245083B1 (de) | 1977-03-18 |
GB1448048A (en) | 1976-09-02 |
US3874959A (en) | 1975-04-01 |
IT1017115B (it) | 1977-07-20 |
DE2439795C3 (de) | 1981-09-17 |
FR2245083A1 (de) | 1975-04-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2439795C3 (de) | Anwendung einer photoelektrischen Zelle zur Bestimmung des Zeitpunktes des Durchätzens einer auf einem Halbleitersubstrat angebrachten Oxidschicht | |
DE2554536C2 (de) | Verfahren zum Bestimmen der Breite und/oder des Schichtwiderstandes von flächenhaften Leiterzügen integrierter Schaltungen | |
DE3587109T2 (de) | Optische temperaturmesstechnik. | |
EP0273251B1 (de) | Verfahren zur Steuerung und Kontrolle von durch im Plasma aktivierte Ionen, Radikale und/oder neutrale Teilchen bewirkten Ätzprozessen, insbesondere für höchstintegrierte Halbleiterschaltungen | |
EP0461449B1 (de) | Messelektrode für eine elektrochemische Gassmesszelle | |
DE602005002054T2 (de) | Verfahren zum Nachweis von Testkörpern | |
CH639201A5 (de) | Verfahren zum herstellen eines chemischen messfuehlers und chemischer messfuehler, hergestellt nach diesem verfahren. | |
WO1996009667A1 (de) | Verfahren zur temperaturkompensation von optoelektronischen bauelementen und insbesondere von optoelektronischen halbleitern | |
DE1964611A1 (de) | Verfahren zum Verhindern von UEberaetzen geschichteter Materialien | |
CH619786A5 (de) | ||
DE3416124A1 (de) | Feuchtigkeits-sensor sowie verfahren zu seiner herstellung | |
DE69901701T2 (de) | Vorrichtung zur bestimmung der wasserqualität mit einem sensorwafer, der zwischen o-ringen gehalten wird | |
WO2007022749A1 (de) | Messverfahren zur in-situ-kontrolle des chemischen ätzvorgangs von latenten ionenspuren in einem dielektrischen substrat | |
DE3941157A1 (de) | Ionenmesselektrode zur prozesssteuerung | |
DE3628015A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum entwickeln eines musters | |
EP0000170A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Steuerung von Entwicklungs-oder Ätzprozessen | |
DE3832660C2 (de) | ||
DE3337227A1 (de) | Verfahren zum bestimmen des durchmessers von mikroloechern | |
DE2410927C3 (de) | Meßsonde für Schichtdickenmessungen und Verfahren zur Messung der Schichtdicke bzw. der Abscheidungsgeschwindigkeit mittels dieser Sonde | |
CH623157A5 (de) | ||
EP0400386B1 (de) | Verfahren zur Bestimmung der Rekombinationsgeschwindigkeit von Minoritätsträgern an Grenzflächen zwischen Halbleitern und anderen Substanzen | |
WO2003098197A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur messung der diffusionslänge von minoritätsladungsträgern in einer halbleiterprobe | |
DE102015111959B3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Ermitteln einer Schichtdickenverteilung bei Solarzellen | |
DE3136887A1 (de) | Verfahren und einrichtung zur interferometrischen dickenmessung | |
DE2606056A1 (de) | Anzeigevorrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |